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UNIDAD II

DISPOSITIVOS DE POTENCIA

1. TIRISTORES

Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos

semiconductores de potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los
circuitos electrnicos de potencia. Se operan como conmutadores estables,
pasando de un estado no conductor a un estado conductor. Para muchas
aplicaciones se puede suponer que los tiristores son interruptores o
conmutadores ideales, aunque los tiristores prcticos exhiben ciertas
caractersticas y limitaciones.

Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores de cuatro capas

(pnpn), que se utilizan para controlar grandes cantidades de corriente mediante
circuitos electrnicos de bajo consumo de potencia.

La palabra tiristor, procedente del griego, significa puerta el nombre es fiel

reflejo de la funcin que efecta este componente una puerta que permite o
impide el paso de la corriente a travs de ella. As como los transistores pueden
operar en cualquier punto entre corte y saturacin, los tiristores en cambio solo
conmutan entre dos estados corte y conduccin.

Dentro de la familia de los tiristores, trataremos los tipos ms significativos:

Diodo Shockley, SCR (Silicon Controlled Rectifier), GCS (Gate Controlled Switch),
SCS (Silicon Controlled Switch), Diac y Triac.

1.1 EL DIODO SHOCKLEY

El diodo Shockley es un tiristor con dos terminales: nodo y ctodo. Est

constituido por cuatro capas semiconductoras que forman una estructura.
Acta como un interruptor: est abierto hasta que la tensin directa
aplicada alcanza un cierto valor, entonces se cierra y permite la
conduccin. La conduccin contina hasta que la corriente se reduce por
debajo de un valor especfico (IH).

Figura N 1: Construccin bsica y smbolo del diodo Shockley.

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2. CARACTERSTICA TENSIN-INTENSIDAD

Para valores negativos del voltaje aplicado, como en un diodo, slo habr una
corriente muy pequea hasta que se alcance la tensin de ruptura (VR B).

Figura N 2: Caracterstica I-V del diodo Shockley.

En polarizacin positiva, se impide el paso de corriente hasta que se alcanza

un valor de tensin VB0. Una vez alcanzado este punto, el diodo entra en
conduccin, su tensin disminuye hasta menos de un voltio y la corriente que
pasa es limitada, en la prctica, por los componentes externos. La conduccin
continuar hasta que de algn modo la corriente se reduzca por debajo de la
corriente de mantenimiento IH.

La corriente que puede atravesar el dispositivo en polarizacin directa tiene un

lmite impuesto por el propio componente (IMA X), que si se supera llevar a la
destruccin del mismo. Por esta razn, ser necesario disear el circuito en el
que se instale este componente de tal modo que no se supere este valor de
corriente. Otro parmetro que al superarse puede provocar la ruptura del
dispositivo es VRB, ya que provocara un fenmeno de avalancha similar al de un
diodo convencional.

3. EJEMPLO DE APLICACIN: DETECTOR DE SOBRETENSIN

En esta aplicacin, se ha seleccionado un diodo Shockley con una tensin de

conduccin de 10 V. Por tanto, si la tensin de la fuente es correcta, es decir, de
9 V, el diodo est abierto, no circula corriente por l y la lmpara estar
apagada. Pero si la tensin de la fuente supera, por una falla en su
funcionamiento una tensin de 10 V, el diodo entra en saturacin y la lmpara se
enciende. Permanecer encendida (y el diodo cerrado) aunque la tensin vuelva
a 9V, mostrando de esta manera que ha habido una falla. La nica forma de
apagar la lmpara sera desconectar la alimentacin.

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Figura N 2: Detector de sobretensin.

4. SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER)

El SCR es un dispositivo de cuatro capas muy similar al diodo Shockley, con la

diferencia de poseer tres terminales: nodo, ctodo y puerta (gate). Al igual que
el diodo Shockley, presenta dos estados de operacin: abierto y cerrado, como si
se tratase de un interruptor.

Figura N 3: Construccin bsica y smbolo del SCR.

5. CARACTERSTICA TENSIN INTENSIDAD

Tal y como se aprecia en la Figura, la parte de polarizacin inversa de la curva es

anloga a la del diodo Shockley.

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Figura N 4: Caracterstica del SCR.

En cuanto a la parte de polarizacin positiva, el diodo no conduce hasta que se

recibe un pulso de tensin en el terminal de puerta (gate). Una vez recibido, la
tensin entre nodo y ctodo cae hasta ser menor que un voltio y la corriente
aumenta rpidamente, quedando limitada en la prctica por componentes
externos.

Podemos ver en la curva cuatro valores importantes. Dos de ellos provocarn

la destruccin del SCR si se superan: VR B e IM AX. VR B (Reverse Breakdown
Voltage) es, al igual que en el diodo Shockley, la tensin a partir de la cual se
produce el fenmeno de avalancha. IM AX es la corriente mxima que puede
soportar el SCR sin sufrir dao. Los otros dos valores importantes son la
tensin de cebado VBO

(Forward Breakover Voltage) y la corriente de mantenimiento IH, magnitudes

anlogas a las explicadas para el diodo Shockley.

6. MTODOS DE CONMUTACIN

Para que el dispositivo interrumpa la conduccin de la corriente que circula a

travs del mismo, sta debe disminuir por debajo del valor IH (corriente de
mantenimiento). Hay dos mtodos bsicos para provocar la apertura el
dispositivo: interrupcin de corriente andica y conmutacin forzada. Ambos
mtodos se presentan en las figuras mostradas.

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Figura N 5: Apertura del

SCR mediante
interrupcin de
la corriente
andica.

En la figura se observa cmo la corriente andica puede ser cortada mediante

un interruptor bien en serie (figura izquierda), o bien en paralelo (figura
derecha). El interruptor en serie simplemente reduce la corriente a cero y hace
que el SCR deje de conducir. El interruptor en paralelo desva parte de la
corriente del SCR, reducindola a un valor menor que IH.
En el mtodo de conmutacin forzada, que aparece en la Figura mostrada, se
introduce una corriente opuesta a la conduccin en el SCR. Esto se realiza
cerrando un interruptor que conecta una batera en paralelo al circuito.

Figura N 6: Desconexin del SCR mediante conmutacin forzada

7. APLICACIONES DEL SCR

Una aplicacin muy frecuente de los SCR es el control de potencia en alterna en

reguladores (dimmer) de lmparas, calentadores elctricos y motores
elctricos.

En la Figura 8 se muestra un circuito de control de fase de media onda y

resistencia ariable. Entre los terminales A y B se aplican 120 V (AC). Representa
la resistencia de la carga (por ejemplo un elemento calefactor o el filamento de
una lmpara). R1 es una resistencia limitadora de la corriente y R2 es un

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potencimetro que ajusta el nivel de disparo para el SCR. Mediante el ajuste del
mismo, el SCR se puede disparar en cualquier punto del ciclo positivo de la onda
en alterna entre 0 y 180, como se aprecia en la Figura 8.

Figura N 7: (a) Conduccin durante 180 (b) Conduccin durante 90.

Cuando el SCR se dispara cerca del principio del ciclo (aproximadamente a 0),
como en la Figura (a), conduce durante aproximadamente 180 y se transmite
mxima potencia a la carga. Cuando se dispara cerca del pico positivo de la
onda, como en la Figura (b), el SCR conduce durante aproximadamente 90 y se
transmite menos potencia a la carga. Mediante el ajuste de RX, el disparo puede
retardarse, transmitiendo as una cantidad variable de potencia a la carga.

Cuando la entrada en AC es negativa, el SCR se apaga y no conduce otra vez

hasta el siguiente disparo durante el ciclo positivo. Es necesario repetir el disparo
en cada ciclo como se ilustra en la Figura 9. El diodo se coloca para evitar que
voltaje negativo en AC sea aplicado a la gate del SCR.

Figura N 8: Disparos cclicos para control de potencia.

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8. MODELO DE TIRISTOR DE DOS TRANSISTORES

La accin regenerativa o de enganche debido a la retroalimentacin directa se

puede demostrar mediante un modelo de tiristor de dos transistores. Un tiristor
se puede considerar como dos transistores complementarios, un transistor PNP,
Q1, y un transistor NPN, Q2, tal y como se demuestra en la figura2.

Figura N 9: Modelo de tiristor de dos terminales.

La corriente del colector IC de un tiristor se relaciona, en general, con la

corriente del emisor IE y la corriente de fuga de la unin colector-base IC BO ,
como:

IC = IE + ICBO (1)
La ganancia de corriente de base comn se define como a =IC/IE. Para el
transistor Q1 la corriente del emisor es la corriente del nodo IA, y la corriente
del colector IC1 se puede determinar a partir de la ecuacin (1):

IC1 = a 1IA + ICBO1 (2)

Donde a 1 es la ganancia de corriente y ICBO 1 es la corriente de fuga para Q1.

En forma similar para el transistor Q2, la corriente del colector IC2 es:

IC2 = a 2IK + ICBO2 (3)

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9. ACTIVACIN DEL TIRISTOR

Un tiristor se activa incrementando la corriente del nodo. Esto se puede llevar a

cabo mediante una de las siguientes formas:

TRMICA.- Si la temperatura de un tiristor es alta habr un aumento en el

nmero de pares electrn-hueco, lo que aumentar las corrientes de fuga. Este
aumento en las corrientes har que a 1 y a 2 aumenten. Debido a la accin
regenerativa (a 1 + a 2) puede tender a la unidad y el tiristor pudiera activarse.
Este tipo de activacin puede causar una fuga trmica que por lo general se
evita.

LUZ.- Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentaran los
pares electrn-hueco pudindose activar el tiristor. La activacin de tiristores por
luz se logra permitiendo que esta llegue a los discos de silicio.

ALTO VOLTAJE.- Si el voltaje directo nodo a ctodo es mayor que el voltaje de

ruptura directo VBO, fluir una corriente de fuga suficiente para iniciar una
activacin regenerativa. Este tipo de activacin puede resultar destructiva por lo
que se debe evitar.

dv/dt. Si la velocidad de elevacin del voltaje nodo-ctodo es alta, la corriente

de carga de las uniones capacitivas puede ser suficiente para activar el tiristor.
Un valor alto de corriente de carga puede daar el tiristor por lo que el
dispositivo debe protegerse contra dv/dt alto. Los fabricantes especifican el dv/dt
mximo permisible de los tiristores.

CORRIENTE DE COMPUERTA. Si un tiristor est polarizado en directa, la

inyeccin de una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo de
compuerta entre la compuerta y las terminales del ctodo activar al tiristor.
Conforme aumenta la corriente de compuerta, se reduce el voltaje de bloqueo
directo, pudiendo llegar a activarse.

9.1 TIRISTORES DE DESACTIVACIN POR COMPUERTA (GTO).

Entre las mejoras ms recientes que se le han hecho al tiristor est el

apagado por compuerta (GTO). Un tiristor GTO es un SCR que puede
apagarse por una pulsacin suficientemente grande en su compuerta de
entrada, aun si la corriente iD excede IH . Aunque los tiristores GTO se
han venido usando desde 1960, solamente se volvieron prcticos para las
aplicaciones de control de motores, al final de los aos setenta. Estos
dispositivos se han vuelto ms y ms comunes en las unidades de control
de motores, puesto que ellos eliminaron la necesidad de componentes
externos para apagar los SCR en circuitos de cc.

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Figura N 10: Smbolo del GTO.

Un tiristor GTO requiere una mayor corriente de compuerta para

encendido que un SCR comn. Para grandes aparatos de alta potencia se
necesitan corrientes de compuerta del orden de 10 A o ms. Para
apagarlos se necesita una gran pulsacin de corriente negativa de entre
20 y 30s de duracin. La magnitud de la pulsacin de corriente negativa
debe ser de un cuarto a un sexto de la corriente que pasa por el aparato.

9.2 TIRISTORES DE TRIODO BIDIRECCIONAL (TRIAC)

Es un dispositivo que se comporta como dos SCR conectados en

contraposicin, con una compuerta de paso comn; puede ir en cualquier
direccin desde el momento en que el voltaje de ruptura se sobrepasa. El
smbolo del TRIAC se ilustra en la figura siguiente. El voltaje de ruptura
en un TRIAC disminuye si se aumenta la corriente de compuerta, en la
misma forma que lo hace en un SCR, con la diferencia que un TRIAC
responde tanto a los impulsos positivos como a los negativos de su
compuerta. Una vez encendido, un TRIAC permanece as hasta que su
corriente cae por debajo de IH.

Figura N 11: Smbolo del TRIAC.

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9.3 RECTIFICADORES CONTROLADOS DE SILICIO ACTIVADOS POR

LUZ (LASCR)

Este dispositivo se activa mediante radiacin directa sobre el disco de

silicio provocado con luz. Los pares electrn-hueco que se crean debido
a la radiacin producen la corriente de disparo bajo la influencia de un
campo elctrico. La estructura de compuerta se disea a fin de
proporcionar la suficiente sensibilidad para el disparo, a partir de fuentes
luminosas prcticas (por ejemplo, LED y para cumplir con altas
capacidades de di/dt y dv/dt).

Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente [por

ejemplo, transmisin de cd de alto voltaje (HVDC) y compensacin de
potencia reactiva esttica o de volt-amperes reactivos (VAR)]. Un LASCR
ofrece total aislamiento elctrico entre la fuente de disparo luminoso y el
dispositivo de conmutacin de un convertidor de potencia, que flota a
un potencial tan alto como unos cuantos cientos de kilovoltios. La
especificacin de voltaje de un LASCR puede llegar tan alto como 4 kv a
1500 A, con una potencia de disparo luminoso de menos de 100mw. El
di/dt tpico es 250 A/ s y el dv/dt puede ser tan alto como 2000 v/s.

10. SCS (SILICON CONTROLLED SWITCH)

Es similar en cuanto a construccin al SCR. La diferencia est en que posee dos

terminales de puerta, uno para entrar en conduccin y otro para corte. El SCS se
suele utilizar en rangos de potencia menores que el SCR.

Figura N 12: Smbolo del SCS.

El SCS tiene aplicaciones muy similares a las de SCR. Este ltimo tiene la ventaja
de poder abrirse ms rpido mediante pulsos en cada uno de los terminales de
gate, pero el inconveniente que presenta respecto al SCR es que se encuentra
ms limitado en cuanto a valores de tensin y corriente. Tambin se utiliza en
aplicaciones digitales como contadores y circuitos temporizadores.

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11. EL DIAC

Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de

dos terminales que funciona bsicamente como dos diodos Shockley que
conducen en sentidos opuestos.

Figura N 13: Construccin bsica y smbolo del DIAC.

El DIAC (DIodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor de dos

conexiones. Es un diodo bidireccional disparable que conduce la corriente slo
tras haberse superado su tensin de disparo, y mientras la corriente circulante no
sea inferior al valor caracterstico para ese dispositivo. El comportamiento es
fundamentalmente el mismo para ambas direcciones de la corriente. La mayora
de los DIAC tienen una tensin de disparo de alrededor de 30 V. En este sentido,
su comportamiento es similar a una lmpara de nen.

Los DIAC son una clase de tiristor, y se usan normalmente para disparar los triac,
otra clase de tiristor.

Es un dispositivo semiconductor de dos terminales, llamados nodo y ctodo.

Acta como un interruptor bidireccional el cual se activa cuando el voltaje entre
sus terminales alcanza el voltaje de ruptura, dicho voltaje puede estar entre 20
y36 volts segn la referencia.

Figura N 14: DIAC de tres capas.

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Existen dos tipos de DIAC:

1. DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexin de base y

con las regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo
permanece bloqueado hasta que se alcanza la tensin de avalancha en la unin
del colector. Esto inyecta corriente en la base que vuelve el transis tor
conductor, producindose un efecto regenerativo. Al ser un dispositivo
simtrico, funciona igual en ambas polaridades, intercambiando el emisor y
colector sus funciones.

2. DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados en anti

paralelo, lo que le da la caracterstica bidireccional.

La curva de funcionamiento refleja claramente el comportamiento del diac, que

funciona como un diodo Shockley tanto en polarizacin directa como en
inversa.

Cualquiera que sea la polarizacin del dispositivo, para que cese la conduccin
hay que hacer disminuir la corriente por debajo de la corriente de
mantenimiento IH. Las partes izquierda y derecha de la curva, a pesar de tener
una forma anloga, no tienen por qu ser simtricas.

Figura N 15: Caracterstica V-I del DIAC.

12. EL TRIAC

Este dispositivo es simular al diac pero con un nico terminal de puerta (gate).
Se puede disparar mediante un pulso de corriente de gate y no requiere
alcanzar el voltaje VBO como el diac.

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Figura N 16: Construccin bsica y smbolo del TRIAC.

Figura N 17: Circuito equivalente de un TRIAC.

Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la

familia de los transistores. La diferencia con un tiristor convencional es que ste
es unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podra decirse
que el TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna.

Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposicin que formaran

dos SCR en antiparalelo.

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Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la denominacin de

nodo y ctodo) y puerta. El disparo del TRIAC se realiza aplicando una
corriente al electrodo puerta.

En la curva caracterstica se indica que para diferentes disparos, es decir, para

distintas corrientes aplicadas en gate, el valor de VBO es distinto. En la parte de
polarizacin positiva, la curva de ms a la izquierda es la que presenta un valor
de VBO ms bajo, y es la que mayor corriente de gate precisa en el disparo.
Para que este dispositivo deje de conducir, como en el resto de los casos, hay
que hacer bajar la corriente por debajo del valor IH.

Figura N 18: Caracterstica V-I del TRIAC.

Al igual que el SCR, se emplean para controlar la potencia suministrada a una

carga. El triac puede dispararse de tal modo que la potencia en alterna sea
suministrada a la carga durante un tiempo determinado de cada ciclo. La
diferencia con el SCR es que se puede disparar tanto en la parte positiva que en
la negativa del ciclo, de tal manera que la corriente en la carga puede circular en
los dos sentidos.

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Figura N 19: Control bsico de potencia con un TRIAC.

Su versatilidad lo hace ideal para el control de corrientes alternas. Una de ellas

es su utilizacin como interruptor esttico ofreciendo muchas ventajas sobre los
interruptores mecnicos convencionales y los rels. Funciona como switch
electrnico y tambin a pila. Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas
aplicaciones como atenuadores de luz, controles de velocidad para motores
elctricos, y en los sistemas de control computarizado de muchos elementos
caseros. No obstante, cuando se utiliza con cargas inductivas como motores
elctricos, se deben tomar las precauciones necesarias para asegurarse que el
TRIAC se apaga correctamente al final de cada hemiciclo de la onda de Corriente
alterna.

13. APLICACIONES DEL TIRISTOR

En el mbito de la amplificacin, forman parte de las etapas de potencia en clase

D, trabajando en rgimen de conmutacin.

Son tambin utilizados como rels estticos, presentando las ventajas de poder
trabajar a frecuencias ms altas, tener una vida ms larga, la exencin de
rebotes y tiempos de conexin muy cortos con inexistencia de desgastes de
contactos. La principal ventaja reside en su baja corriente de mando y su
autodesconexin con el paso por cero de la corriente alterna de la carga. Cabe
citar como inconvenientes: la cada de tensin directa entre nodo y ctodo (de 1
a 2 V), la circulacin de pequeas corrientes inversas en estado de bloqueo y su
baja capacidad para soportar sobrecargas elctricas frente a sus homlogos
electromecnicos.

En el mbito de la rectificacin cmo rectificadores controlados (colocados en el

lugar de diodos).

Como inversores y onduladores.

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Como interruptores.

14. TRANSISTOR MONOUNION (UJT)

El transistor monounin (UJT) se utiliza generalmente para generar seales de

disparo en los SCR. En la figura se muestra un circuito bsico de disparo UJT. Un
UJT tiene tres terminales, conocidas como emisor E, base1 B1 y base2 B2. Entre
B1 y B2 la monounin tiene las caractersticas de una resistencia ordinaria (la
resistencia entre bases RBB teniendo valores en el rango de 4.7 y 9.1 K). Cuando
se aplica el voltaje de alimentacin Vs en cd, se carga el capacitor C a travs de
la resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT est en estado abierto. La
constante de tiempo del circuito de carga es T1=RC. Cuando el voltaje del emisor
VE, el mismo que el voltaje del capacitor llega a un valor pico Vp, se activa el
UJT y el capacitor se descarga a travs de RB1 a una velocidad determinada por
la constante de tiempo T2=RB1C. T2 es mucho menor que T1. Cuando el voltaje
del emisor VE se reduce al punto del valle Vv, el emisor deja de conducir, se
desactiva el UJT y se repite el ciclo de carga. El voltaje de disparo VB1 debe
disearse lo suficientemente grande como para activar el SCR. El periodo de
oscilacin, T, es totalmente independiente del voltaje de alimentacin Vs y est
dado por:

T = 1/f = RC ln 1/1-n

Figura N 20: Circuito bsico de disparo de un UJT.

15. TRANSISTOR MONOUNIN PROGRAMABLE

El transistor monounin programable (PUT) es un pequeo tiristor que aparece

en la figura. Un PUT se puede utilizar como un oscilador de relajacin, tal y como
se muestra en la figura. El voltaje de compuerta VG se mantiene desde la
alimentacin mediante el divisor resistivo del voltaje R1 y R2, y determina el
voltaje de punto de pico Vp. En el caso del UJT, Vp est fijo para un dispositivo
por el voltaje de alimentacin de cd, pero en un PUT puede variar al modificar al

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modificar el valor del divisor resistivo R! y R2. Si el voltaje del nodo VA es

menor que el voltaje de compuerta VG, le dispositivo se conservar en su estado
inactivo, pero si el voltaje de nodo excede al de compuerta en una cada de
voltaje de diodo VD, se alcanzar el punto de pico y el dispositivo se activar. La
corriente de pico Ip y la corriente del punto de valle Iv dependen de la
impedancia equivalente en la compuerta RG = R1R2/(R1+R2) y del voltaje de
alimentacin en cd Vs. N general Rk est limitado a un valor por debajo de 100
Ohms.

R y C controlan la frecuencia junto con R1 y R2. El periodo de oscilacin T est

dado en forma aproximada por:

T = 1/f = RC lnVs/Vs-Vp = RC ln (1+R2/R1)

Figura N 21: Circuito de disparo para un PUT.

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Anotaciones:

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