SCR DISPOSITIVO ELECTRONICOS

DIODO de 4 CAPAS
 Definición Cualitativa

• Dispositivo Semiconductor de 4 capas cuya estructura es PNPN

• Tiene dos terminales Ánodo y Cátodo

• Función en el circuito: llave accionada por tensión

A

• Símbolo que lo representa en los Circuitos

K
 Características V-I

Conducción

Ruptura inversa Bloqueo inverso

Bloqueo directo

FUNCIONAMIENTO
Modelo del DIODO de 4 Capas
 IC1 = −α IE IC1 = −α IE
IC IE IC IE

ICB0 ICB0

IC = IC1 − ICB0 TBJ PNP IC = IC1 + ICB0 TBJ NPN

IC = −α IE − ICB0 IC = −𝛼 IE + ICB0

IA = IE1

IC2 = −α2 IE2 + ICB02 IC2

IC1 = −α1 IE1 − ICB01
IC1
IC2 = α2 IA + ICB02 IC1 = −α1 IA − ICB01

IA = −IE2
 IA = IE1

IC2 = −α2 IE2 + ICB02

IC1 = −α1 IE1 − ICB01
IC2 = α2 IA + ICB02
IC1 = −α1 IA − ICB01

IA = −IE2

IA + IC1 − IC2 = 0 IA = IC2 − IC1 IA = α2 IA + ICB02 + α1 IA + ICB01

ICBO1 + ICB02
IA =
1 − α1 + α2

Si α1 + α2 = 1 IA ⟹ ∞
 A α

1
+ J1 Directa

VAK J2 Inversa
0.5

− J3 Directa

IE
K
1 µA 10 µA 100 µA 1 mA
Rectificador Controlado de Silicio
SCR
 Limitaciones del Dispositivo
• Potencia Máxima VAK x IA

+ J1 𝐢𝐂

𝐝𝐕 𝐶
• 𝐌á𝐱𝐢𝐦𝐚 VAK J2
𝐝𝐭

G
𝐝𝐕 − J3
𝐢𝐂 = 𝐂
𝐝𝐭
K
 𝑑𝐼
• Máxima
𝑑𝑡
ZONA DE DISPARO SEGURA
Regulación de potencia
 SIDAC
Diodo de 4 capas de características eléctricas simétricas

SIMBOLO

ESQUEMA CARACTERISTICA
CONSTRUCTIVO V-I
SBS (Silicon Bidirectional Switch)

SIMBOLO
 TRIAC

BIDIRECCIONAL

TRIAC CON ACOPLADOR OPTICO

APLICACIONES