PRACTICA IV

POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES BIPOLARES

Zonas de Trabajo del Transistor BJT

Valores obtenidos
Vbb VRC VRB VCE VBE
0 0 0 5 0
1 0.32 0.20 4.68 0.80
2 1.86 1.15 3.14 0.85
3 3.46 2.13 1.54 0.87
4 4.79 3.13 0.21 0.87
5 4.84 4.13 0.16 0.87
6 4.86 5.13 0.14 0.87
7 4.87 6.12 0.13 0.88
8 4.88 7.12 0.12 0.88
9 4.88 8.12 0.12 0.88
10 4.89 9.12 0.11 0.88
 Se toma en cuenta que si Q se encuentra en el límite superior de la recta
el transistor estará saturado, en el límite inferior en corte y en los puntos
intermedios en la región lineal.

- Para los valores obtenidos en (𝑉𝑏𝑏 = 0), el estado del transistor es de

corte, siendo la tensión entre el colector y el emisor igual a la tensión
de (𝑉𝑐𝑐 = 5 𝑉), por lo que no pasa corriente en el colector y en el
emisor.

- Para el valor (𝑉𝑏𝑏 = 1), la corriente comienza a circular (base-emisor)

debido a que la tensión aplicada en la base supera a la tensión del
diodo equivalente que conforma la base con el emisor (𝑉𝑏𝑒 = 0.8 𝑉).
Existe una caída de tensión en la resistencia (𝑅𝑐 = 0.32 𝑉), por lo que
comienza a circular corriente en el colector:

𝑉𝑟𝑐 0.32 𝑉
𝐼𝑐 = 𝐼𝑟𝑐 = = = 3.2 𝑚𝐴
𝑅𝑐 100 Ω

En este caso se podría considerar que el transistor está en estado activo,

pues está conduciendo corriente, sin embargo se encuentra próximo al límite
de corte.

- Para los valores: (𝑉𝑏𝑏 = 2) y (𝑉𝑏𝑏 = 3), el transistor está en estado

activo, siendo los valores (Ic) y (Vce) puntos intermedios de la zona
activa. Se procede a determinar el valor de la relación (𝐼𝑐 ⁄𝐼𝑏).

Para (𝑉𝑏𝑏 = 2):

𝑉𝑟𝑐 1.86 𝑉
𝐼𝑐 = = = 18.6 𝑚𝐴
𝑅𝑐 100 Ω
 𝑉𝑟𝑏 1.15 𝑉
𝐼𝑏 = = = 0.115 𝑚𝐴
𝑅𝑏 10000 Ω

Entonces:

𝐼𝑐 18.6 𝑚𝐴
= ≅ 161.73
𝐼𝑏 0.115 𝑚𝐴

Para (𝑉𝑏𝑏 = 3):

𝑉𝑟𝑐 3.46 𝑉
𝐼𝑐 = = = 34.6 𝑚𝐴
𝑅𝑐 100 Ω

𝑉𝑟𝑏 2.13 𝑉
𝐼𝑏 = = = 0.213 𝑚𝐴
𝑅𝑏 10000 Ω

Entonces:

𝐼𝑐 18.6 𝑚𝐴
= ≅ 163.44
𝐼𝑏 0.115 𝑚𝐴

Los resultados obtenidos en la relación (𝐼𝑐 ⁄𝐼𝑏) corresponden al

parámetro beta (β) del transistor.

- En los casos donde (Vbb) obtiene valores de cuatro (04) a diez (10)
voltios la caída de tensión (colector-emisor) se encuentra próxima al
punto de saturación del transistor. Ello porque la corriente en el
colector se encuentra próxima a la corriente de saturación en el circuito
empleado.

𝑉𝑟𝑐 4.88 𝑉
𝐼𝑐 = = = 48.8 𝑚𝐴 ≅ 50 𝑚𝐴
𝑅𝑐 100 Ω
 Circuito de Polarización Fija

Aplicando en la base una resistencia de 36 KΩ, se obtienen el siguiente

resultado (𝑉𝑐𝑒 = 6.99 𝑉), siendo la tensión (𝑉𝑐𝑐 = 12 𝑉), para que el circuito
se encuentre en el punto medio de la recta de carga se debe variar el valor
de la resistencia (𝑅𝑏 = 36 𝐾Ω) hasta lograr (𝑉𝑐𝑒 = 6 𝑉). Se realiza el ajuste
hasta (𝑅𝑏 = 30.01 𝐾Ω).

Para la corriente del colector: 𝐼𝑐 = 𝑉𝑟𝑐⁄𝑅𝑐

Para la corriente de la base: 𝐼𝑏 = 𝑉𝑟𝑏⁄𝑅𝑏
Para beta: 𝛽 = 𝐼𝑐 ⁄𝐼𝑏

Entonces

𝑉𝑟𝑐⁄𝑅𝑐 6 𝑉 ⁄100 Ω
𝛽= = ≅ 162.21
𝑉𝑟𝑏⁄𝑅𝑏 11.1 𝑉⁄30010 Ω
 (Nota) Si se llegara a cambiar a un transistor de las mismas
características, es posible que el beta de este tenga un valor diferente, por lo
que el valor de (Ic) pasaría a ser beta veces el valor de (Ib). Esto ocurre
porque la temperatura influye en el valor del beta (β) del transistor; al
aumentar la temperatura, aumenta el valor del beta. El punto (Q) tiende a
aproximarse al límite superior de la recta de carga (saturado).

Circuito de Polarización por Divisor de Voltaje

Circuito con 𝜷 = 𝟏𝟎𝟎

Se obtienen los valores de las tensiones en el circuito, se procede a variar

el valor del beta, simulando un aumento de la temperatura del transistor
hasta elevar tres (03) veces el valor del beta.
 Circuito con 𝜷 = 𝟑𝟎𝟎

La variación de las tensiones medidas ha sido poca en comparación con

los circuitos anteriores, la presencia de la resistencia instalada en el emisor
así como la resistencia en paralelo con respecto a (R1) hacen que el punto
(Q) permanezca más estable en la recta de carga ante cambios de
temperaturas. Por lo que se considera un sistema más estable que los dos
primeros circuitos implementados en esta práctica. Como desventaja, este
sistema amerita más componentes para su montaje.