Semiconductores de Potencia

1.-Los semiconductores de potencia contribuyen al:

a) manejo de energía de forma eficiente, permiten controlar y transformar voltaje y corriente de

alto nivel

b) manejo de electricidad y que permiten controlar y transformar voltaje y corriente de alto nivel

c) manejo de energía de forma eficiente, permiten controlar y transformar voltaje y corriente de

bajo nivel

d) manejo de electricidad que permiten controlar y transformar voltaje y corriente de bajo nivel

2.-Los dispositivos semiconductores de potencia derivan del:

a) Diodo o el transistor

b) Ánodo y Cátodo

c) Resistencia y Diodo

d) Transistor y Resistencia

3.-Los semiconductores de potencia se caracterizan por que trabajan con:

a) tensiones, corrientes medias y altas

b) tensiones, corrientes bajas y altas

c) tensiones, corrientes altas y bajas

c) tensiones, corrientes medias y bajas

4.-Los dispositivos semiconductores utilizados en electrónica de potencia son:

a) Dispositivos no controlados, dispositivos semicontrolados y dispositivos totalmente controlados

b) Dispositivos no controlados, dispositivos de energía y dispositivos de potencia

c) Dispositivos totalmente controlados, dispositivos de energía y dispositivos de potencia

d) Dispositivos totalmente controlados, dispositivos de carga y dispositivos de energía

5.- Los principales tipos de semiconductores de potencia son:

a) Diodo de potencia, el transistor bipolar de unión, el MOSFET, los tiristores y el IGBT

b) Diodo de potencia, diodo de silicio, diodo zener, los tiristores y el IGBT

c) Tiristores, el MOSFET, diodo de silicio y el IGBT

d) Tiristores, diodo de potencia, IGCT y el IGBT

6.- El objetivo común del diseño de interruptores para semiconductores de potencia de alta
tensión son:

a) IGBT y IGCT

b) IGBT y MOSFET

c) IGCT y BJT

d) IGCT y MOSFET

7.- El grosor mínimo de un semiconductor de potencia está predeterminado por:

a) La capacidad deseada de bloqueo y por la intensidad del campo de ruptura del silicio

b) La capacidad deseada de bloqueo y por la intensidad del campo de ruptura de mosfet

c) La intensidad del campo de silicio y diodo zener

d) La intensidad del campo de IGCT y mosfet

8.- La principal diferencia entre el IGBT e IGCT es:

a) Crea un plasma denso cerca del cátodo mientras que el exceso de carga en el IGBT cae de forma
relativamente brusca del ánodo al cátodo

b) Crea un plasma denso cerca del ánodo mientras que el exceso de carga en el IGBT cae de forma
relativamente brusca del ánodo al cátodo

c) Crea un plasma denso cerca del ánodo mientras que el exceso de carga en el IGBT cae de forma
relativamente brusca del cátodo al ánodo

d) Crea un plasma denso cerca del cátodo mientras que el exceso de carga en el IGBT cae de forma
relativamente brusca del cátodo al ánodo

9.- Los transistores de potencia son:

a) BJT, MOSFET y IGBT

b) BJT, MOSFET y IGCT

c) MOSFET, IGBT e IGCT

d) MOSFET, BJT y IGCT

10.- Los transistores BJT son:

a) son interruptores de potencia controlados por corriente

b) son interruptores de potencia controlados por campo magnético

c) son interruptores de potencia controlados por campo electromagnético

d) son interruptores de potencia controlados por energía eólica

11.- Los diodos de potencia son:

a) Componente electrónico ampliamente utilizado en la electrónica de potencia

b) Componente electrónico ampliamente utilizado en el campo magnético

c) Componente electrónico ampliamente utilizado en la electricidad

d) Componente electrónico ampliamente utilizado en los tiristores de potencia

12.- Los diodos de potencia se caracterizan por:

a) Por soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión en estado de conducción y
en sentido inverso

b) Por soportar una alta intensidad con una alta caída de tensión en estado de conducción y en
sentido inverso

c) Por soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión en estado de conducción y
en un mismo sentido

d) Por soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión en estado de inducción y en
sentido inverso

13.- Los diodos de potencia deben ser capaces de:

a) De soportar una fuerte tensión negativa con una pequeña intensidad de fugas.

b) de soportar una baja tensión negativa con una pequeña intensidad de fugas.

c) de soportar una fuerte tensión negativa con una gran intensidad de fugas.

d) de soportar una fuerte tensión positiva con una pequeña intensidad de fugas.

14.- Los diodos de potencia en polarización directa son:

a) Son capaces de conducir una elevada corriente con una baja caída de tensión

b) Son capaces de conducir una mínima cantidad corriente con una baja caída de tensión

c) Son capaces de conducir una elevada corriente con una alta caída de tensión

d) Son capaces de conducir una mínima cantidad corriente con una alta caída de tensión

15.- Los diodos de potencia en polarización inversa deben ser capaces de:

a) Soportar una elevada tensión con una pequeña corriente de fugas

b) Soportar una baja tensión con una pequeña corriente de fugas

c) Soportar una elevada tensión con una alta cantidad de corriente de fugas

d) Soportar una naja tensión con una alta cantidad de corriente de fugas
16.- Los diodos de potencia debe ser capaces de recuperar el estado de bloqueo tras la:

a) Conducción de manera rápida y con baja corriente inversa

b) Conducción de manera rápida y con alta corriente inversa

c) Conducción de manera lenta y con baja corriente inversa

d) Conducción de manera lenta y con alta corriente inversa

17.- Las características estáticas del diodo son:

a) Parámetros en bloqueo, parámetros en conducción y modelo estático

b) Parámetros en bloqueo, parámetros en inducción y modelo estático

c) Parámetros en bloqueo, parámetros en conducción y modelo dinámico

d) Parámetros en inducción, parámetros en conducción y modelo estático

18.- Las características dinámicas del diodo son:

a) Tiempo de recuperación inverso (trr), influencia del (trr) en la conmutación y tiempo de

recuperación directo

b) Tiempo de recuperación inverso (trr), influencia del (trr) en la conmutación y tiempo de

recuperación inverso

c) Tiempo de recuperación directo (trr), influencia del (trr) en la conmutación y tiempo de

recuperación directo

d) Tiempo de recuperación directo (trr), influencia del (trr) en la conmutación y tiempo de

recuperación inverso

19.- Los transistores BJT son capaces de:

a) Conducir elevadas corrientes y soportar altas tensiones

b) Conducir elevadas corrientes y soportar bajas tensiones

c) Conducir bajas corrientes y soportar altas tensiones

d) Conducir bajas corrientes y soportar bajas tensiones

20.- El transistor Darlington es un dispositivo semiconductor que:

a) Combina dos transistores bipolares en una configuración tipo Darlington en un único

dispositivo

b) Combina dos transistores bipolares en una configuración tipo Darlington en muchos

dispositivos

c) Combina dos o más transistores bipolares en una configuración tipo Darlington en muchos
dispositivos
d) Combina dos transistores bipolares en una configuración tipo Darlington en dos dispositivos

21.- El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al:

a) De los transistores normales, teniendo como características especiales las altas tensiones e
intensidades que tienen que soportar y por tanto las altas potencias a disipar

b) De los transistores normales, teniendo como características especiales las bajas tensiones e
intensidades que tienen que soportar y por tanto las altas potencias a disipar

c) De los transistores normales, teniendo como características especiales las altas tensiones e
intensidades que tienen que soportar y por tanto las bajas potencias a disipar

d) De los transistores normales, teniendo como características especiales las bajas tensiones e
intensidades que tienen que soportar y por tanto las bajas potencias a disipar

22.- Los tres tipos de transistores de potencia son:

a) Bipolar, unipolar o FET (transistor del efecto de campo)

b) Bipolar, MOSFET y unipolar o FET (transistor del efecto de campo)

c) Bipolar, IGBT y unipolar o FET (transistor del efecto de campo)

d) Bipolar, IGBT y MOSFET

23.- El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de:

a) Entrada MOS, más la capacidad de carga en corriente de los transistores bipolares

b) Entrada MOS, más la capacidad de carga en corriente de los transistores unipolares

c) Entrada MOS, más la capacidad de carga en corriente de los transistores FET

d) Entrada MOS, más la capacidad de carga en corriente de los transistores MOSFET

24.- La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es:

a) En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para regular la corriente de
colector, mientras que en el FET el control se hace mediante la aplicación de una tensión entre
puerta y fuente

b) En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para aumentar la corriente de
colector, mientras que en el FET el control se hace mediante la aplicación de una tensión entre
puerta y fuente

c) En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para regular la corriente de
colector, mientras que en el FET el control se hace mediante la regulación de una tensión entre
puerta y fuente

d) En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para regular la corriente de
colector, mientras que en el FET el control se hace mediante la aplicación de una tensión entre
entrada y carga
25.- El transistor IGBT es un:

a) Dispositivo semiconductor que se aplica como interruptor controlado en circuitos de

electrónica de potencia

b) Dispositivo semiconductor que se aplica como interruptor regulador en circuitos de

electrónica de potencia

c) Dispositivo semiconductor que se aplica como interruptor modificando los circuitos de

electrónica de potencia

d) Dispositivo semiconductor que se aplica como regulador de voltajes en circuitos de

electrónica de potencia

26.- Los transistores IGBT pueden ser NPN o PNP y solo puede:

a) Cambiar la corriente en dirección hacia adelante es decir del colector a emisor

b) Cambiar la corriente en dirección hacia atrás es decir del colector a emisor

c) Cambiar la corriente en dirección inversa es decir del colector a emisor

d) Cambiar la corriente en dirección hacia adelante es decir del emisor al colector

27.- El transistor MOSFET tiene capacidad de:

a) De conducción de corriente en forma bidireccional, controladas hacia adelante e incontrolables

hacia atrás

b) De conducción de corriente en forma unidireccional, controladas hacia adelante e

incontrolables hacia atrás

c) De conducción de corriente en forma bidireccional, controladas hacia atras e incontrolables

hacia adelante

d) De conducción de corriente en forma unidireccional, controladas hacia atras e incontrolables

hacia adelante

28.- El transistor MOSFET tiene 3 patillas y conduce:

a) Corriente eléctrica entre dos de sus patillas cuando aplicamos tensión en la otra patilla. Es un
interruptor que se activa por tensión

b) Corriente electromagnética entre dos de sus patillas cuando aplicamos tensión en la otra patilla.
Es un interruptor que se activa por tensión

c) Corriente eléctrica entre dos de sus patillas cuando aplicamos tensión en la otra patilla. Es un
interruptor que se activa por el campo magnético

d) Corriente electromagnética entre dos de sus patillas cuando aplicamos tensión en la otra patilla.
Es un interruptor que se activa voltajes de nodos
28.- El transistor FET es un:

a) Dispositivo de tres terminales controlado por voltaje, es decir que se basa en el campo eléctrico
para controlar la conductividad de un canal

b) Dispositivo de tres terminales controlado por voltaje, es decir que se basa en el campo

magnético para controlar la conductividad de un canal

c) Dispositivo de tres terminales controlado por voltaje, es decir que se basa en el campo

electromagnético para controlar la conductividad de un canal

d) Dispositivo de cuatro terminales controlado por voltaje, es decir que se basa en el campo

eléctrico para controlar la conductividad de un canal

29.- Los transistores FET trabajan:

a) Controlando la corriente entre drenaje y fuente a través del campo eléctrico establecido
mediante la tensión aplicada al terminal de puerta

b) Controlando la corriente entre drenaje y fuente a través del campo electromagnético

establecido mediante la tensión aplicada al terminal de puerta

c) Controlando la corriente entre drenaje y fuente a través del campo eléctrico establecido
mediante la tensión aplicada al terminal de entrada

d) Controlando la corriente entre drenaje y fuente a través del campo magnético establecido
mediante la tensión aplicada al terminal de puerta

30.- Los transistores bipolares BJT son:

a) Son dispositivos semiconductores de estado sólido que permiten controlar el paso de corriente
o disminuir voltaje a través de sus terminales

b) Son dispositivos semiconductores de estado sólido que permiten controlar el paso de corriente
y aumentar el voltaje a través de sus terminales

c) Son dispositivos semiconductores de estado líquido que permiten disminuir el voltaje a través
de sus terminales

d) Son dispositivos semiconductores de estado sólido que permiten aumentar el voltaje a través
de sus terminales