1).

- ELECTRNICA DE POTENCIA
1.1) Definicin.- La Electrnica de potencia es la disciplina que
involucra el estudio de los circuitos electrnicos usados para el
control del flujo de la energa elctrica.
Estos circuitos manejan flujos de potencia en niveles bastante altos.

1.2) Aplicaciones.- Durante muchos aos ha existido la necesidad

de controlar la potencia elctrica de los sistemas de traccin y de
controles industriales impulsados por motores elctricos.
La electrnica de potencia ha revolucionado la idea del control para
la conversin de potencia y para el control de los motores elctricos.
La electrnica de potencia combina:
la electrnica,
el control y
la energa.
El control: Se encarga del rgimen permanente y de las
caractersticas dinmicas de los sistemas de lazo cerrado.
La energa: Tiene que ver con el equipo de potencia esttica y
rotativa o giratoria, para la generacin, transmisin y distribucin de
energa elctrica.
La electrnica: Se ocupa de los dispositivos y circuitos de estado
slido requeridos en el procesamiento de seales para cumplir con
los objetivos de control deseados.
En la figura 1-1 se muestra la interrelacin de la electrnica de
potencia con la energa, la electrnica y el control.

Fig.1.1 Relacin de la Electrnica de Potencia con la energa, la

electrnica y el control
La electrnica de potencia se basa, en primer trmino, en la
conmutacin de dispositivos semiconductores de potencia.
Con el desarrollo de la tecnologa de los semiconductores de
potencia, las capacidades del manejo de la energa y la velocidad de
conmutacin de los dispositivos de potencia han mejorado
tremendamente.
El desarrollo de la tecnologa de los microprocesadores
microcomputadoras (DSPs), tiene un gran impacto sobre el control
y la sntesis de las estrategias de control para los dispositivos
semiconductores de potencia.
El equipo de electrnica de potencia moderno utiliza
semiconductores de potencia (1), que pueden compararse con el
msculo y electrnica(2), que tiene el poder y la inteligencia del
cerebro.

La electrnica de potencia ha alcanzado ya un lugar importante en la

tecnologa moderna y se utiliza ahora en una gran diversidad de
productos de alta potencia, que incluyen:
Controles de motores, de calor, de iluminacin.
Fuentes de alimentacin.
Sistemas de propulsin de vehculos.
Sistemas de corriente directa de alto voltaje (HVDC).

1.4) DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA:

Desde que se desarroll el primer tiristor de rectificador

controlado de silicio (SCR), a fines de 1957, ha habido grandes
adelantos en los dispositivos semiconductores de potencia.
Hasta 1970, los tiristores convencionales se haban utilizado en
forma exclusiva para el control de la energa en aplicaciones
industriales.
A partir de 1970, se desarrollaron varios tipos de dispositivos
semiconductores de potencia que quedaron disponibles en forma
comercial.
Estos se pueden clasificar en:

Los diodos de potencia son de tres tipos:

(a) De uso general,
(b) De alta velocidad (o de recuperacin rpida) y
(c) Schottky.

Fig.1.3 Diodos de potencia tipo laser.

Fig1.4 Varias configuraciones de SCRs.

 Fig1.5. IGBT e igbt compactos.

FIG.1.6 Capacidad de los dispositivos Semiconductores de

Potencia(V,I,F)

Fig.1.7 Capacidad de los dispositivos Semiconductores de Potencia(P,F)

 Fig.1.8 Evolucin practica de las aplicaciones de la E.P.

Tabla 1.1 Caractersticas y Smbolos De Algunos Dispositivos De

Potencia.
 2).- DIODOS
2.1) INTRODUCCIN :

Los diodos semiconductores de potencia juegan un papel

significativo en los circuitos electrnicos de potencia.
Un diodo funciona como un interruptor, a fin de llevar a cabo varias
funciones, como la de:
Interruptores en los rectificadores.
De marcha libre en los reguladores conmutados.
Inversin de carga de condensadores y
Transferencia de energa entre componentes.
Aislamiento de voltajes.
Retroalimentacin de la energa de la carga, a la fuente de
energa .
Se puede suponer para efecto de anlisis, que los diodos de potencia
son interruptores ideales, pero los diodos prcticos o reales difieren
de las caractersticas ideales y tienen ciertas limitaciones.
Los diodos de potencia son similares a los diodos de seal de unin
pn.
Sin embargo, los diodos de potencia tienen mayores capacidades en
el manejo de la energa, el voltaje y la corriente, que los diodos de
seal ordinarios.
La respuesta a la frecuencia (o velocidad de comunicacin) es baja
en comparacin de los diodos de seal.
2.2) CARACTERISTICAS DE LOS DIODOS :
Un diodo de potencia es un dispositivo de unin pn. de dos
terminales.
En la Figura 2.1 aparece un corte transversal de una unin pn. y
un smbolo de diodo.

Fig. 2.1 Smbolo del diodo y unin pn

Cuando el potencial de nodo es positivo con respecto al ctodo,
se dice que el diodo tiene polarizacin directa o positiva y el
diodo conduce.
Un diodo en conduccin tiene una cada de voltaje directa
relativamente pequea a travs de si mismo; y su magnitud
depende del proceso de manufactura y de la temperatura de la
unin.
Cuando el potencial del ctodo es positivo con respecto al nodo,
se dice que le diodo tiene polarizacin inversa.
Y bajo estas condiciones (polarizacin inversa), fluye una
pequea corriente inversa (tambin conocida como corriente de
fuga) en el rango de los micros o de los miliamperios, cuya
magnitud crece lentamente en funcin del voltaje inverso, hasta
llegar al .

Fig.2.2 Caractersticas v-i de un diodo de Potencia en rgimen

permanente.

Para fines prcticos, un diodo se puede considerar como un

interruptor ideal, cuyas caractersticas se muestran en la fig2.2b.
Las caractersticas v-i mostradas en la fig.2-2a se pueden
expresar mediante una ecuacin conocida como la ecuacin
Schockley de diodo , y esta dada por:
VD

I D I S (e nVT
1)

................................. (2-1)
donde:
ID = corriente a travs del diodo (A).
VD = voltaje del diodo con el nodo positivo con respecto al
ctodo (V).
IS = corriente de fuga (o corriente de saturacin Inversa),
tpicamente en el rango entre 10-6 y 10-5 A. (A una temperatura
especifica Is es una constante para c/diodo)

n = constante emprica conocida como coeficiente de emisin o

factor de idealidad, cuyo valor vara de 1 a 2. (dependedle material y la
construccin fsica del diodo Si=2, Ge=1 para valores reales n cae entre 1.1 y 1.8)

VT = constante llamada voltaje trmico y esta dada por:

KT
VT
q ................................ (2.2)

Donde:
q = carga del electrn: 1.6022*10-19 culombios (C)
T = temperatura absoluta en Kelvins (K = 273+C)
k = constante de Boltzmann: 1.3806*10-23 J/K
A una temperatura de unin de 25C, la ecuacin (2-2) da:
KT 1.3806 *10 23 * (273 25)
VT ( 250 C ) 25.8mV
q 1.6022 *10 19

El diodo real tiene una caracterstica como la de la fig.2.2a y se

puede dividir en tres regiones:
(1) Regin de polarizacin directa, donde VD>0
(2) Regin de polarizacin inversa, donde VD<0
(3) Regin de ruptura, donde VD< -VZK.
(2.2.1) Regin de polarizacin directa :
En la regin de polarizacin directa, VD>0.
La corriente del diodo ID es muy pequea si el voltaje del diodo
VD es menor que un valor especfico VTD (tpicamente 0.7 V).
El diodo conduce totalmente si: VD > VDT, que se conoce como
voltaje umbral, voltaje de corte, o voltaje de activacin.
Por lo tanto, el voltaje umbral es un voltaje al cual el diodo
conduce totalmente.
Consideremos un pequeo voltaje de diodo VD = 0.1 Volt., n =1 y
VT=25.8 mV.
De (2-1) encontramos que la corriente correspondiente al diodo
ID es:
VD
1) I S e 1*0.0258 1 I S (48.23 1)
0.1
I D I S (e nVT

= 48.23*IS , con 2.1% de error

Luego:
para VD>0.1V, que es por lo general el caso, ID>>IS, (2-1) se
puede aproximar, dentro de un error de 2.1%, a
V VD
I D I S (e nVT
1) I S e nVT ......................... (2-3)

(2.2.2) Regin de polarizacin inversa.

En la regin de polarizacin inversa, VD<0.

Si VD<0y VD>>VT, cosa que ocurre para VD<-0.1, el termino

de la exponencial de la ecuacin (2-1) se vuelve
despreciablemente pequeo en comparacin con la unidad, y la
corriente del diodo ID se vuelve
V
I D I S (e nVT
1) I S

Lo que indica que la corriente del diodo I D en la direccin

inversa es constante y es igual a IS.

(2.2.3) Regin de ruptura.

En la regin de ruptura, el voltaje es alto, por lo general mayor
que 1000 V.
La magnitud del voltaje inverso excede un voltaje especificado
conocido como voltaje de ruptura, VBR.
La corriente inversa aumenta rpidamente con un pequeo
cambio en el voltaje inverso ms all de VBR.
La operacin en la regin de ruptura no ser destructiva,
siempre y cuando la disipacin de la potencia est dentro del
nivel seguro especificado en la hoja de datos del fabricante.
A menudo es necesario limitar la corriente inversa en la regin de ruptura, para
mantener la disipacin de la energa dentro de valores permisibles.

Ejemplo 2-1 :
La cada de voltaje directa de un diodo de potencia es V D=1.2 V
a ID=300 A. Suponiendo que n=2 y VT=25.8 mV, encuentre la
corriente de saturacin IS.
Solucin :
Aplicando la ecuacin (2-1), podemos encontrar la corriente de
fuga (o corriente de saturacin) IS, a partir de
1.2
300 I S (e 2*25.8*10 3
1)

lo que nos da IS=2.38371*10-8 A.

2.3) CARACTERSTICAS DE LA RECUPERACIN INVERSA :

Cuando un diodo est en modo de conduccin directa y su
corriente se reduce a cero (debido al comportamiento natural
del circuito del diodo o a la aplicacin de un voltaje inverso), el
diodo contina conduciendo, debido a los portadores
minoritarios que permanecen almacenados en la unin pn y en
el material del cuerpo del semiconductor.
Los portadores minoritarios requieren de un cierto tiempo para
recombinarse con cargas opuestas y neutralizarse.
Este tiempo se conoce como tiempo de recuperacin inversa del
diodo.

Fig.2.3 Caractersticas de recuperacin Inversa.

En la figura 2-3 se muestran dos caractersticas de recuperacin
inversa de diodos de unin.
El ms comn es el tipo de recuperacin suave.
El tiempo de recuperacin inversa se denomina trr y se mide a
partir del cruce del cero inicial de la corriente del diodo con el
25% de la corriente inversa mxima (o de pico), IRR.
trr est formado por dos componentes, ta y tb.

ta est generado por el almacenamiento de carga en la

regin de agotamiento de la unin y representa el tiempo
entre el cruce por cero y la corriente inversa pico, IRR.
 tb es debido al almacenamiento de carga en el material del
cuerpo del semiconductor.
La relacin tb/ta se conoce como el factor de suavidad, SF.
Para efectos prcticos, uno debe preocuparse por el tiempo total
de recuperacin trr y por el valor pico de la corriente inversa IRR.
t rr t a t b ....................................... (2-5)
La corriente inversa pico se puede expresar como :
di
I RR t a
dt
......................................... (2-6)

El tiempo de recuperacin inversa trr, se define como el

intervalo de tiempo entre el instante en que la corriente pasa a
travs de cero, durante el cambio de la conduccin directa a la
condicin de bloqueo inverso, y el momento en que la corriente
inversa se ha reducido al 25% de su valor inverso pico iRR.
trr depende de:
la temperatura de la unin,
de la velocidad de abatimiento de la corriente directa antes
de la conmutacin.
La carga de recuperacin inversa QRR, es la cantidad de
portadores de carga que fluyen a travs del diodo en direccin
inversa debido a un cambio de la conduccin directa a la
condicin de bloqueo inverso.
Su valor queda determinado por el rea encerrada por la
trayectoria de la corriente de recuperacin inversa.
La carga de almacenamiento, que es el rea envuelta por la
trayectoria de la corriente de recuperacin, es aproximadamente
I RR t a I RR t b I RR t RR
QRR
2 2 2 .............................. (2-7)
O bien
2QRR
I RR ............................... (2-8)
t rr

(2-6) = (2-8) , nos da:

2QRR
t rr t a ............................... (2-9)
di
dt
Si tb es despreciable en comparacin con ta, que por lo general es
el caso, trr ta, y la ecuacin (2-9) se convierte en :
2QRR
trr ................................................ (2-10)
di
dt
di
I RR 2QRR
dt
................................................ (2-11)

De (2-10) y (2-11) notamos que el tiempo de recuperacin

inversa trr y la corriente de recuperacin inversa pico IRR
dependen de la carga de almacenamiento QRR y de di/dt inverso.

La carga de almacenamiento depende de:

La corriente directa del diodo IF.
La corriente de recuperacin inversa pico IRR.
La carga inversa QRR y el factor de suavidad son todos de inters
para el diseador de circuitos, y estos parmetros se incluyen en
forma comn en las hojas de especificaciones de diodos.
Si un diodo est en condiciones de polarizacin inversa, fluye
una corriente de fuga debida a los portadores minoritarios.
En ese caso, la aplicacin de un voltaje directo obligara al diodo
a conducir la corriente en la direccin directa. Sin embargo, se
requiere de un cierto tiempo, conocido como el tiempo de
recuperacin directa (o de activacin), antes de que los
portadores mayoritarios de toda la unin puedan contribuir al
flujo de corriente.
Si la velocidad de elevacin de la corriente directa es alta, y la
corriente directa est concentrada en una pequea superficie de
la unin, el diodo puede fallar.
Por lo tanto, el tiempo de recuperacin directo limita la
velocidad de elevacin de la corriente directa y la velocidad de
conmutacin.
Ejemplo 2-2
El tiempo de recuperacin inversa de un diodo es t rr=3s y la
velocidad del decremento o de la reduccin de la corriente del

diodo es di/dt=30A/s. Determine:

(a) la carga de almacenamiento QRR y
(b) la corriente inversa pico IRR.
Solucin : trr=3s y di/dt = 30 A/s.
De la ecuacin (2-10) :
1 di 2
Q RR t rr 0.5 * 30 A / s * (3 * 10 6 ) 2 135C
2 dt

De la ecuacin (2-11) :
di
I RR 2Q RR 2 * 135 * 10 6 * 30 * 10 6 90 A
dt

*******************************************************
2.4 TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA :

Idealmente, un diodo no debera de tener tiempo de

recuperacin inversa.
Sin embargo, el costo de fabricacin de un diodo semejante
aumentara.
En muchas aplicaciones, no son de importancia los efectos del
tiempo de recuperacin inversa, y se pueden utilizar diodos poco
costosos.
Dependiendo de las caractersticas de recuperacin y de las
tcnicas de fabricacin, los diodos de potencia se pueden
clasificar en tres categoras.
Las caractersticas y las limitaciones practicas de cada uno de estos tipos restringen
sus aplicaciones.

Los diodos de potencia son de tres tipos:

a) De uso general,
b) De alta velocidad (o de recuperacin rpida) y
c) Schottky.
2.4.1) Diodos de uso general :

Los diodos rectificadores de uso general.

Tienen un trr relativamente alto, tpicamente de 25s.
Se utilizan en aplicaciones de baja velocidad (hasta 1kHz).
Trabajan con corrientes desde 1 A hasta varios miles de
Amp. Con voltajes desde 50 V hasta 5 kV.
Estos diodos generalmente se fabrican por difusin.
Existen los rectificadores de tipo de aleacin usados en las
fuentes de alimentacin para mquinas de soldadura son
muy econmicos y duraderos, cuyas especificaciones
pueden llegar hasta 400 A y 1500 V.
2.4.2) Diodos de recuperacin rpida :

Se usan en circuitos convertidores cd-cd y cd-ca, donde la

velocidad de recuperacin es a menudo de importancia
crtica.
Tienen trr bajo, menor que 5 S.
Trabajan desde 1Amp hasta varios cientos de Amp.
Con tensiones desde 50 V hasta 3 kV.
Para especificaciones de voltaje por arriba de 400 V, los
diodos de recuperacin rpida por lo general se fabrican
por difusin y el tiempo de recuperacin es controlado por
difusin de oro o platino.
Para especificaciones de voltaje por debajo de 400 V, los
diodos epitaxiales proporcionan velocidades de
conmutacin mayores que las de los diodos de difusin.
(Los diodos epitaxiales tienen la base mas angosta, lo que
permite un rpido tiempo de recuperacin, tan bajo como
50 nS).

En la fig.2.4 se muestran diodos de recuperacin rpida de

varios tamaos.

Fig. 2.4 Diodos de recuperacin rpida.

2.4.3) Diodos Schottky : (Portadores de alta energia)

El efecto de recuperacin se debe nicamente a la

autocapacitancia de la unin semiconductora.
Tiene una salida de voltaje directa relativamente baja.
La corriente de fuga es mayor que la de un diodo de unin
pn.
Un diodo Schottky con un voltaje de conduccin
relativamente bajo tiene una corriente de fuga
relativamente alta, y viceversa.
Como resultado, su voltaje mximo permisible est por lo
general limitado a 100V.
Trabajan con corrientes desde 1 A a 300A.
Son ideales para las fuentes de alimentacin de alta
corriente y de bajo voltaje en corriente directa.
Sin embargo, tambin se utilizan en fuentes de
alimentacin de baja corriente para una eficiencia mayor.

Fig.2.5 Rectificadores Shottky de 20 y de 30 Amperios, duales.

Diodos de carburo de silicio:

El carburo de silicio (SiC) es un material nuevo para la

electrnica de potencia: Sus propiedades fsicas superan en
mucho a las a las del Si y a las Ga As. Por ejemplo, los diodos
Shottky de SiC fabricado por Infeneon Technologies tiene
perdidas de potencia ultra bajas y alta confiabilidad.

Cuentan con las siguientes propiedades salientes:

- Carecen de tiempo de recuperacin Inversa.

- Observan un comportamiento de conmutacin ultrarrpida.
- Su comportamiento de conmutacin no se ve afectado por la
temperatura.

La carga de almacenamiento tipica es Qrr= 21 nC, para un

diodo de 600V, 6A y de 23 nC para uno de 600V y 10A.

Las caractersticas de baja recuperacin inversa de los diodos de

SiC, implican tambin una baja corriente de recuperacin
inversa, ahorrando energa en muchas aplicaciones como fuentes
de potencia, conversin de energa solar, transportes etc.

Estos dispositivos ofrecen mayor eficiencia , un menor tamao y

alta frecuencia de conmutacin, a la vez que producen una
interferencia electromagntica (EMI) mucho menor en una gran
diversidad de aplicaciones.

Diodos Shottky de carburo de silicio:

Estos diodos cuentan con las siguientes caractersticas:

- Perdidas mnimas de conmutacin por la baja carga de

recuperacin Inversa.
- Transitorio de corriente totalmente estable, gran confiabilidad
y robustez.
- Bajos costos del sistema gracias a los reducidos requerimientos
de enfriamiento.
- Diseos de alta frecuencia y soluciones de mayor densidad de
potencia.
Especificaciones
Fig.2.6 Especificaciones de un diodo de Potencia.
 Fig.2.7 Especificaciones de un diodo de potencia.

2.5) DIODOS CONECTADOS EN SERIE :

En muchas aplicaciones de alto voltaje (Ejemplo en lneas de

transmisin HVDC), un diodo comercialmente disponible no
puede satisfacer la especificacin de voltaje requerida, por lo
que los diodos se conectan en serie para aumentar las
capacidades de bloqueo inverso.

Consideramos dos diodos conectados en serie, como se muestra

en la fig.2.8a. En la prctica, las caractersticas v-i para el mismo tipo de diodo
difieren debido a la tolerancia en su proceso de produccin . En la fig.2.8-b se
muestran dos caractersticas v-i para tales diodos.
 Fig. 2.8 Diodos conectados en serie con polarizacin inversa

En condicin de polarizacin directa, ambos diodos conducen la

misma cantidad de corriente, y la cada de voltaje directa de
cada diodo debera ser prcticamente la misma.
Sin embargo, en la condicin de bloqueo inverso, cada diodo
tiene que llevar la misma corriente de fuga y, como resultado, los
voltajes de bloqueo variarn en forma significativa.

Una solucin sencilla a este problema, tal y como se muestra en

la fig.2.9-a, es obligar a que se comparta el mismo voltaje
conectando una resistencia a travs de cada diodo.
Debido a esta distribucin de voltajes iguales, la corriente de
fuga de cada diodo sera diferente, lo cual se muestra en la
fig.2.9b.

Fig.2.9 Diodos conectados en serie, con caractersticas de

distribucin de voltaje en rgimen permanente-
En vista que la corriente de fuga debe ser compartida por un
diodo y su resistencia.

I s I s1 I R1 I s 2 I R 2 ........................... (2-12)

Pero: IR1 =VD1 /R1 e IR2 = VD2/R2.

La ecuacin (2-12) proporciona la relacin entre R1 y R2 para
una distribucin de voltaje igual, en la forma.
VD1 V
I s1 I s 2 D1 ................................. (2-13)
R1 R2
Si las resistencias son iguales, R = R1 = R2 y los dos voltajes del
diodo seran ligeramente distintos, dependiendo de las
similitudes entre las dos caractersticas v-i.

Los valores VD1 y VD2 se pueden determinar de las ecuaciones (2-

14) y (2-15):
VD1 V
I s1 I s 2 D1 ........................... (2-14)
R R
VD1 VD2 Vs ........................... (2-15)

La distribucin del voltaje bajo condiciones transitorias (o sea,

debido a cargas en conmutacin, aplicaciones iniciales de un voltaje de
entrada) se lleva a cabo conectando condensadores a travs de
cada diodo, lo que se muestra en la fig.2.10. R1 limita la
velocidad de elevacin del voltaje de bloqueo.
Fig.2.10 Diodos en serie con redes de distribucin de voltaje bajo
condiciones de rgimen permanente y transitorio.

2.6) DIODOS CONECTADOS EN PARALELO :

En aplicaciones de alta potencia, los diodo se conectan en

paralelo para aumentar la capacidad de conduccin de
corriente, a fin de alcanzar las especificaciones de corriente
deseadas.

La distribucin de corriente de los diodos estara de acuerdo con

sus respectivas cadas de voltaje directas.

Se puede obtener una distribucin uniforme de corriente

proporcionando inductancias iguales (por ejemplo en los
terminales),
O conectando resistencias de distribucin de corriente
(cosa que puede no ser prctica debido a perdidas de
energa); lo anterior se muestra en la fig.2.11.

Fig.2.11Diodos conectados en Paralelo.

Es posible minimizar este problema seleccionado diodos con
cadas de voltaje directas iguales o diodos del mismo tipo.

Las resistencias de la fig.2.11-a, ayudarn a la reparticin

de corriente en condiciones de rgimen permanente.
La reparticin de corriente en condiciones dinmicas se
puede llevar a cabo mediante la conexin de inductores
acoplados, ver fig.2.11-b.

Los inductores generaran picos de voltaje y podran resultar

costosos y voluminosos, especialmente en corrientes altas.