LM 555

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LM555
SNAS548D –FEBRERO DE 2000–REVISADO EN ENERO DE 2015
Temporizador LM555
1 características 3 Descripción El LM555
1 • Reemplazo directo para SE555/NE555 • es un dispositivo altamente estable para generar retardos de tiempo u
oscilaciones precisos. Se proporcionan terminales adicionales para
Temporización desde microsegundos hasta horas •
activar o restablecer si se desea. En el modo de funcionamiento con
Funciona tanto en modo astable como monoestable • Ciclo de trabajo retardo de tiempo, el tiempo se controla con precisión mediante una
ajustable • La salida puede generar o hundir 200 mA • Salida y resistencia y un condensador externos. Para un funcionamiento estable
como oscilador, la frecuencia de funcionamiento libre y el ciclo de
suministro compatibles con TTL • Estabilidad de temperatura superior
trabajo se controlan con precisión con dos resistencias externas y un
a 0,005 % por °C • Salida normalmente encendida y normalmente condensador. El circuito se puede activar y restablecer en formas de
apagada • Disponible en paquete VSSOP de 8 pines onda descendentes, y el circuito de salida puede generar o hundir
hasta 200 mA o controlar circuitos TTL.
Información del dispositivo(1)
2 Aplicaciones •
NÚMERO DE PIEZA PAQUETE TAMAÑO DEL CUERPO (NOM)
Temporización de SOIC (8) 4,90 mm × 3,91 mm

precisión • Generación de impulsos LM555 9,81 mm × 6,35 mm
PDIP (8)
• Temporización secuencial VSSOP (8) 3,00 mm × 3,00 mm
• Generación de retardo de tiempo (1) Para ver todos los paquetes disponibles, consulte el apéndice que se puede pedir
• Modulación de ancho de pulso al final de la hoja de datos.
• Modulación de posición de pulso
• Generador de rampa lineal
Diagrama esquemático
Un AVISO IMPORTANTE al final de esta hoja de datos aborda la disponibilidad, la garantía, los cambios, el uso en aplicaciones críticas para la seguridad, asuntos de propiedad
intelectual y otras renuncias de responsabilidad importantes. DATOS DE PRODUCCION.
LM555
SNAS548D –FEBRERO DE 2000–REVISADO EN ENERO DE 2015 www.ti.com
Tabla de contenido
1 Características................................................. .......... 1 2 7.3 Descripción de la función .................................................. ....
Aplicaciones ............................... ............................. 1 3 8 7.4 Modos de funcionamiento del dispositivo......................... 9 _
Descripción .................. .......................................... 1 4 Historial de 8 Aplicación e Implementación ................................ 12 8.1 Información
revisiones ... .................................................... 2 Configuración y de la Aplicación .................. .......................... 12 8.2 Aplicación
típica ............................... ............................. 12 9
funciones de 5 pines ........................ 3 6
Recomendaciones de fuente de alimentación .................. ...... 15 10
Especificaciones .................. ....................................... 4 6.1
Calificaciones máximas absolutas .... .................................. 4 6.2 Disposición ........................................... .......................... 15 10.1
Clasificaciones ESD ............ .................................................... 4 Directrices de diseño .................. ............................. 15 10.2
6.3 Condiciones de funcionamiento recomendadas ......... 4 6.4 Ejemplo de diseño .................. .................................. 15 11
Información térmica .................. ............................... 4 Soporte de dispositivos y documentación ......... ........ 16 11.1 Marcas
6.5 Características eléctricas .......................................... 5 registradas ....................................... ..................... 16
6.6 Características típicas ............................................. 6 7 11.2 Precaución de descarga electrostática ................. 16 11.3
Descripción detallada ................................................ 8 7.1 Descripción Glosario ............... .................................................. 16
general .................................. ................... 8 12 Mecánica, Embalaje y Ordenable
Información .................................................. .......... 16
7.2 Diagrama de bloques funcionales ....................................... 8
4 Historial de revisión
Cambios de la Revisión C (marzo de 2013) a la Revisión D Página
• Se agregaron la sección Funciones y configuración de clavijas , la tabla de clasificaciones de ESD , la sección Descripción de características ,
los modos funcionales del dispositivo , la sección Aplicación e implementación , la sección Recomendaciones de fuente de alimentación , la
sección Diseño , la sección Soporte de dispositivos y documentación , y la sección Información mecánica, de empaque y de pedido . ............................ 1
Cambios de la Revisión B (marzo de 2013) a la Revisión C Página
• Se cambió el diseño de la Hoja Nacional de Datos al formato TI .................................. .................................................... .......... 13
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Vínculos de la carpeta del producto: LM555
LM555
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Configuración y funciones de 5 pines
Paquetes D, P y DGK
PDIP, SOIC y VSSOP de 8 pines
Vista superior
1 8
TIERRA +VCC
2 7
COMPARAR
DESENCADENAR R DESCARGAR
ÁTOR
CHANCLAS R
3 6
PRODUCCIÓN R COMPARAR
PRODUCCIÓN LÍMITE
ESCENARIO ÁTOR
4 REF (INT) 5 CONTROL
REINICIAR
VOLTAJE
Funciones de clavijas
ALFILER
E/S DESCRIPCIÓN
NO. NOMBRE
Control Controla los niveles de umbral y disparo. Determina el ancho de pulso de la forma de onda de salida.
5 Voltaje I También se puede usar un voltaje externo aplicado a este pin para modular la forma de onda de salida
7 Descargar I Salida de colector abierto que descarga un condensador entre intervalos (en fase con la salida).
Cambia la salida de alta a baja cuando el voltaje alcanza 2/3 del voltaje de suministro
1 TIERRA O Voltaje de referencia a tierra
3 Producción O Forma de onda impulsada por la salida
Reiniciar Pulso negativo aplicado a este pin para desactivar o restablecer el temporizador. Cuando no se utiliza para
4 I
fines de reinicio, debe conectarse a VCC para evitar disparos falsos. Compara el voltaje aplicado al terminal
Límite con un voltaje de referencia de 2/3 Vcc. La amplitud del voltaje aplicado a este terminal es responsable del
6 I
estado establecido del flipflop. Responsable de la transición del flipflop de establecido a reiniciado. La salida
2 Desencadenar
I del temporizador depende de la amplitud del pulso de disparo externo aplicado a este pin
8 V+ I Tensión de alimentación con respecto a GND
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LM555
6 Especificaciones
6.1 Valores nominales máximos absolutos sobre el
rango de temperatura de funcionamiento al aire libre (a menos que se indique lo contrario)(1)(2)
UNIDAD MÍN MÁX
LM555CM, LM555CN(4) 1180 mW
Disipación de energía(3)
LM555CMM 613 mW
Paquete PDIP Soldadura (10 segundos) 260 ºC

Soldadura 215 ºC
Información Paquetes de contorno pequeño (SOIC y fase de vapor (60 segundos)
VSSOP) Infrarrojos (15 segundos) 220 ºC
Temperatura de almacenamiento, Tstg sesenta y cinco 150 ºC
(1) Las tensiones más allá de las enumeradas en Valores nominales máximos absolutos pueden causar daños permanentes al dispositivo. Estas son calificaciones de estrés
únicamente, que no impliquen el funcionamiento funcional del dispositivo en estas o cualquier otra condición más allá de las indicadas en las Condiciones de funcionamiento
recomendadas. La exposición a condiciones nominales máximas absolutas durante períodos prolongados puede afectar la confiabilidad del dispositivo.
(2) Si se requieren dispositivos especificados para uso militar/aeroespacial, comuníquese con la oficina de ventas/distribuidores de TI para conocer la disponibilidad y las especificaciones.
(3) Para operar a temperaturas elevadas, el dispositivo debe reducirse por encima de 25 °C en función de una temperatura de unión máxima de 150 °C y una resistencia térmica
de 106 °C/W (PDIP), 170 °C/W (S0IC8) , y 204 °C/W (VSSOP) unión al ambiente.
(4) Consulte el dibujo RETS555X de las versiones militares LM555H y LM555J para conocer las especificaciones.
6.2 Clasificaciones ESD
VALOR UNIDAD
V(ESD) Descarga electrostática Modelo de cuerpo humano (HBM), según ANSI/ESDA/JEDEC JS001(1) ±500(2) V
(1) El documento JEP155 de JEDEC establece que el HBM de 500 V permite una fabricación segura con un proceso de control de ESD estándar.
(2) La información ESD listada es para el paquete SOIC.
6.3 Condiciones de operación recomendadas sobre el rango de
temperatura de operación al aire libre (a menos que se indique lo contrario)
MÍN. MÁX. UNIDAD
Voltaje de suministro 18 V
Temperatura, TA 0 70 ºC
Temperatura de unión operativa, TJ 70 ºC
6.4 Información Térmica
LM555
MÉTRICA TÉRMICA(1) PDIP SOIC VSSOP UNIDAD
8 PINES
RθJA Resistencia térmica de unión al ambiente 106 170 204 °C/W
(1) Para obtener más información sobre las métricas térmicas tradicionales y nuevas, consulte el informe de la aplicación de métricas térmicas del paquete IC , SPRA953.
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LM555
6.5 Características eléctricas (TA = 25°C,
VCC = 5 V a 15 V, a menos que se especifique lo contrario)(1)(2)
PARÁMETRO CONDICIÓNES DE LA PRUEBA TÍPICO MÍN. UNIDAD MÁX.
Voltaje de suministro 4.5 dieciséis V
Corriente de suministro VCC = 5 V, RL = ∞ 3 6
V CC = 15 V, RL = ∞ mamá
10 15
(Estado bajo) (3)
Error de sincronización, monoestable
Precisión inicial 1 %
Deriva con temperatura RA = 1 k a 100 kΩ, C = 50 ppm/ºC

0,1 μF, (4)
Precisión sobre la temperatura 1,5 %
Deriva con la oferta 0,1 % V
Error de sincronización, astable
Precisión inicial 2.25
Deriva con temperatura RA, RB = 1 k a 100 kΩ, C = 150 ppm/ºC

0,1 μF, (4)
Precisión sobre la temperatura 3,0%
Deriva con la oferta 0,30 % /V
Voltaje de umbral 0.667 x VCC
Voltaje de disparo CCV = 15 V 5 V
CCV = 5 V 1.67 V
Activar corriente 0.5 0.9 µA
Restablecer voltaje 0.4 0.5 1 V
Restablecer actual 0.1 0.4 mamá
(5)
Umbral de corriente 0.1 0.25 µA
Nivel de voltaje de control CCV = 15 V 9 10 11
V
CCV = 5 V 2.6 3.33 4
Salida de fuga alta del pin 7 1 100 n / A
pin 7 sábado (6)
Salida baja VCC = 15 V, I7 = 15 mA 180 mV
Salida baja VCC = 4,5 V, I7 = 4,5 mA VCC = 80 200 mV
Caída de voltaje de salida (baja) 15 V
ISINCO = 10 mA 0.1 0.25 V
ISINCO = 50 mA 0.4 0.75 V
ISINCO = 100 mA 2 2.5 V
ISINCO = 200 mA 2.5 V
CCV = 5 V
ISINCO = 8 mA V
ISINCO = 5 mA 0.25 0.35 V
(1) Todos los voltajes se miden con respecto al pin de tierra, a menos que se especifique lo contrario.
(2) Las clasificaciones máximas absolutas indican los límites más allá de los cuales pueden ocurrir daños al dispositivo. Las condiciones de funcionamiento recomendadas indican las
condiciones en las que el dispositivo es funcional, pero no garantizan límites de rendimiento específicos. Las características eléctricas indican las especificaciones eléctricas de CC
y CA en condiciones de prueba particulares que garantizan límites de rendimiento específicos. Esto supone que el dispositivo se encuentra dentro de las condiciones de
funcionamiento recomendadas. Las especificaciones no están garantizadas para los parámetros donde no se da un límite, sin embargo, el valor típico es una buena indicación del
rendimiento del dispositivo.
(3) Suministro de corriente cuando la salida es alta, típicamente 1 mA menos a VCC = 5 V.
(4) Probado a VCC = 5 V y VCC = 15 V.
(5) Esto determinará el valor máximo de RA + RB para operación de 15 V. El total máximo (RA + RB) es de 20 MΩ.
(6) No se necesita protección contra la corriente excesiva del pin 7, siempre que no se exceda la clasificación de disipación del paquete.
LM555
Características eléctricas (continuación)
(TA = 25 °C, VCC = 5 V a 15 V, a menos que se especifique lo contrario)(1)(2)
PARÁMETRO CONDICIÓNES DE LA PRUEBA TÍPICO MÍN. UNIDAD MÁX.
Caída de voltaje de salida (alta) IFUENTE = 200 mA, VCC = 15 V 12.5 V
IFUENTE = 100 mA, VCC = 15 V 12.75 13.3 V
CCV = 5 V 2.75 3.3 V
Tiempo de subida de salida 100 ns
Tiempo de caída de salida 100 ns
6.6 Características típicas
Figura 1. Ancho de pulso mínimo requerido para el disparo Figura 2. Corriente de suministro frente a voltaje de suministro
Figura 3. Voltaje de salida alto frente a corriente de fuente de salida Figura 4. Voltaje de salida bajo frente a corriente de sumidero de salida
LM555
Características típicas (continuación)
Figura 5. Voltaje de salida bajo frente a corriente de sumidero de salida Figura 6. Voltaje de salida bajo frente a corriente de sumidero de salida
Figura 7. Retardo de propagación de salida frente al nivel de voltaje del Figura 8. Retardo de propagación de salida frente al nivel de voltaje del
pulso de activación pulso de activación
Figura 9. Voltaje del transistor de descarga (pin 7) frente a corriente de Figura 10. Voltaje del transistor de descarga (pin 7) frente a corriente de
sumidero sumidero
LM555
7 Descripción detallada
7.1 Resumen
El LM555 es un dispositivo altamente estable para generar retardos de tiempo u oscilaciones precisos. Se proporcionan terminales
adicionales para activar o restablecer si se desea. En el modo de funcionamiento con retardo de tiempo, el tiempo se controla con
precisión mediante una resistencia y un condensador externos. Para un funcionamiento astable como oscilador, la frecuencia de
funcionamiento libre y el ciclo de trabajo se controlan con precisión con dos resistencias externas y un condensador. El circuito puede
activarse y restablecerse en formas de onda descendentes, y el circuito de salida puede generar o absorber hasta 200 mA o circuitos
TTL de activación. Los LM555 están disponibles en paquetes PDIP, SOIC y VSSOP de 8 pines y son un reemplazo directo para SE555/NE555.
7.2 Diagrama de bloques funcionales
CONTROL
LÍMITE VOLTAJE +VCC
COMPARADOR
REINICIAR
V ref (int)
DESENCADENAR
CHANCLAS COMPARADOR
DESCARGAR
PRODUCCIÓN
PRODUCCIÓN
ESCENARIO
7.3 Descripción de la función
7.3.1 Reemplazo directo para SE555/NE555 El
temporizador LM555 es un reemplazo directo para SE555 y NE555. Es compatible de pin a pin, por lo que no es necesario realizar
cambios en el esquema o el diseño. El LM555 viene en un paquete PDIP, SOIC y VSSOP de 8 pines.
7.3.2 Temporización desde microsegundos hasta horas El
LM555 tiene la capacidad de tener parámetros de temporización desde el rango de microsegundos hasta horas. El retardo de tiempo
del sistema se puede determinar mediante la constante de tiempo del valor R y C utilizado para la configuración monoestable o
astable. Hay disponible un nomógrafo para determinar fácilmente los valores de R y C para varios retardos de tiempo.
7.3.3 Funciona tanto en modo astable como monoestable
El LM555 puede funcionar tanto en modo astable como monoestable según los requisitos de la aplicación. • Modo monoestable:
El temporizador LM555 actúa como un generador de impulsos de “un disparo”. El pulso comienza cuando el temporizador LM555
recibe una señal en la entrada del disparador que cae por debajo de 1/3 del suministro de voltaje. El ancho del pulso de salida
está determinado por la constante de tiempo de una red RC. El pulso de salida termina cuando el voltaje en el
LM555
Característica Descripción (continuación)
condensador es igual a 2/3 de la tensión de alimentación. El ancho del pulso de salida puede extenderse o acortarse según la
aplicación ajustando los valores R y C. • Modo astable (funcionamiento libre): el temporizador LM555 puede operar como un
oscilador y emite un flujo continuo de pulsos rectangulares con una frecuencia específica. La frecuencia del flujo de pulsos depende de
los valores de RA, RB y C.
7.4 Modos de funcionamiento del dispositivo
7.4.1 Funcionamiento monoestable
En este modo de funcionamiento, el temporizador funciona como un disparo único (Figura 11). El condensador externo se mantiene
inicialmente descargado por un transistor dentro del temporizador. Al aplicar un pulso de disparo negativo de menos de 1/3 VCC al pin
2, se establece el flipflop que libera el cortocircuito a través del capacitor y eleva la salida.
Figura 11. Monoestable
El voltaje a través del capacitor luego aumenta exponencialmente durante un período de t = 1.1 RA C, al final del cual el voltaje es
igual a 2/3 VCC. Luego, el comparador restablece el flipflop que, a su vez, descarga el capacitor y lleva la salida a su estado bajo. La
Figura 12 muestra las formas de onda generadas en este modo de operación. Dado que la carga y el nivel de umbral del comparador
son ambos directamente proporcionales al voltaje de suministro, el intervalo de tiempo es independiente del suministro.
VCC = 5 V Seguimiento superior: Entrada 5V/Div.
TIEMPO = 0,1 ms/DIV. Seguimiento medio: Salida 5V/Div.
RA = 9,1 kΩ Seguimiento inferior: Voltaje del capacitor 2V/Div.
C = 0,01 μF
Figura 12. Formas de onda monoestables
Durante el ciclo de temporización, cuando la salida es alta, la aplicación posterior de un pulso de activación no afectará al circuito
siempre que la entrada de activación vuelva a ser alta al menos 10 μs antes del final del intervalo de temporización. Sin embargo, el
circuito puede reiniciarse durante este tiempo mediante la aplicación de un pulso negativo al terminal de reinicio (pin 4). La salida
permanecerá entonces en el estado bajo hasta que se vuelva a aplicar un pulso de activación.
Cuando la función de reinicio no está en uso, TI recomienda conectar el pin de reinicio a VCC para evitar cualquier posibilidad de
activación falsa.
LM555
Modos funcionales del dispositivo (continuación)
La Figura 13 es un nomógrafo para determinar fácilmente los valores de R, C para varios retardos de tiempo.
Figura 13. Retardo de tiempo
7.4.2 Operación astable Si el
circuito está conectado como se muestra en la Figura 14 (clavijas 2 y 6 conectadas), se disparará y funcionará libremente como un
multivibrador. El condensador externo se carga a través de RA + RB y se descarga a través de RB. Por lo tanto, el ciclo de trabajo puede
establecerse con precisión mediante la relación de estas dos resistencias.
Figura 14. Astable
En este modo de operación, el capacitor carga y descarga entre 1/3 VCC y 2/3 VCC. Al igual que en el modo disparado, los tiempos de
carga y descarga, y por tanto la frecuencia, son independientes de la tensión de alimentación.
La Figura 15 muestra las formas de onda generadas en este modo de operación.
LM555
Modos funcionales del dispositivo (continuación)
VCC = 5 V Seguimiento superior: Salida 5V/Div.
TIEMPO = 20 μs/DIV. Seguimiento inferior: Voltaje del capacitor 1V/Div.
RA = 3,9 kΩ RB
= 3 kΩ C = 0,01
μF
Figura 15. Formas de onda astables
El tiempo de carga (salida alta) viene dado por:
t1 = 0.693 (RA + RB) C (1)
Y el tiempo de descarga (salida baja) por: t2
= 0.693 (RB) C (2)
Así el período total es: T
= t1 + t2 = 0.693 (RA +2RB) C (3)
La frecuencia de oscilación es:
(4)
La figura 16 se puede utilizar para la determinación rápida de estos valores de RC.
El ciclo de trabajo es:
(5)
Figura 16. Frecuencia de funcionamiento libre
LM555
8 Aplicación e Implementación
NOTA
La información de las siguientes secciones de aplicaciones no forma parte de la especificación de componentes de TI,
y TI no garantiza su exactitud o integridad. Los clientes de TI son responsables de determinar la idoneidad de los
componentes para sus propósitos. Los clientes deben validar y probar la implementación de su diseño para confirmar
la funcionalidad del sistema.
8.1 Información de la aplicación El
temporizador LM555 se puede utilizar en varias configuraciones, pero la configuración más utilizada es en modo monoestable. Una aplicación típica
del temporizador LM555 en modo monoestable es encender un LED durante un tiempo específico. Se utiliza un botón pulsador como disparador
para emitir un pulso alto cuando el pin disparador tiene un pulso bajo.
Esta sencilla aplicación se puede modificar para adaptarse a cualquier requisito de la aplicación.
8.2 Aplicación típica
La Figura 17 muestra el esquema del LM555 que parpadea un LED en modo monoestable.
Figura 17. Esquema del modo monoestable para hacer parpadear un LED
8.2.1 Requisitos de diseño El principal
requisito de diseño para esta aplicación requiere calcular la duración del tiempo durante el cual la salida permanece alta. La duración del tiempo
depende de los valores de R y C (como se muestra en la Figura 17) y se puede calcular mediante: t = 1,1 × R × C segundos
(6)
8.2.2 Procedimiento de diseño detallado
Para permitir que el LED parpadee durante un período de tiempo considerable, se eligió un retraso de 5 segundos para esta aplicación. Usando la
Ecuación 6, RC es igual a 4.545. Si R se selecciona como 100 kΩ, C = 45,4 µF. Los valores de R = 100 kΩ y C = 47 µF se seleccionaron en función
de los valores estándar de resistencias y condensadores. Un interruptor de botón pulsador momentáneo conectado a tierra está conectado a la
entrada del disparador con un pullup de resistencia limitadora de corriente de 10 K al voltaje de suministro. Cuando se presiona el botón pulsador,
el pin del gatillo pasa a GND. Un LED está conectado al pin de salida con una resistencia limitadora de corriente en serie desde la salida del LM555
a GND. El pin de reinicio no se usa y se conectó a la tensión de alimentación.
8.2.2.1 Divisor de frecuencia
El circuito monoestable de la figura 11 se puede utilizar como divisor de frecuencia ajustando la duración del ciclo de temporización. La Figura 18
muestra las formas de onda generadas en un circuito de división por tres.
LM555
Aplicación típica (continuación)
VCC = 5 V Seguimiento superior: Entrada 4 V/Div.
TIEMPO = 20 μs/DIV. Seguimiento medio: Salida 2V/Div.
RA = 9,1 kΩ Seguimiento inferior: Condensador 2V/Div.
C = 0,01 μF
Figura 18. Divisor de frecuencia
8.2.2.2 Información adicional
El tiempo de almacenamiento del comparador inferior puede ser de hasta 10 μs cuando el pin 2 se conecta completamente a tierra para la
activación. Esto limita el ancho de pulso monoestable a un mínimo de 10 μs.
El tiempo de retardo para restablecer la salida es de 0,47 μs típico. El ancho mínimo del pulso de reinicio debe ser de 0,3 μs, por lo general.
El pin 7 cambia de corriente dentro de los 30 ns del voltaje de salida (pin 3).
8.2.3 Curvas de aplicación
Los datos que se muestran a continuación se recopilaron con el circuito utilizado en la sección de aplicaciones típicas. El LM555 se configuró en el
modo monoestable con un tiempo de retardo de 5,17 s. Las formas de onda corresponden a: • Forma de onda superior (Amarillo) – Voltaje del
capacitor • Forma de onda media (Verde) – Disparador • Forma de onda inferior (Púrpura) – Salida Cuando el pin disparador pulsa bajo, el voltaje
del capacitor comienza a cargarse y la salida sube. La salida baja tan pronto como el voltaje del capacitor alcanza 2/3 del voltaje de suministro, que
es el tiempo de retardo establecido por el valor R y C. Para este ejemplo, el tiempo de retardo es de 5,17 s.
LM555
Aplicación típica (continuación)
Figura 19. Formas de onda de disparo, voltaje del capacitor y salida en modo monoestable
LM555
9 Recomendaciones de fuente de alimentación
El LM555 requiere un suministro de voltaje de entre 4,5 V y 16 V. Es necesaria una derivación adecuada del suministro de energía para
proteger los circuitos asociados. El valor mínimo recomendado del condensador es 0,1 μF en paralelo con un condensador electrolítico
de 1 μF. Coloque los condensadores de derivación lo más cerca posible del LM555 y minimice la longitud de la pista.
10 Disposición
10.1 Pautas de diseño Las reglas
estándar de PCB se aplican al enrutamiento del LM555. El condensador de 0,1 µF en paralelo con un condensador electrolítico de 1 µF
debe estar lo más cerca posible del LM555. El condensador utilizado para el retardo de tiempo también debe colocarse lo más cerca
posible del pin de descarga. Se puede utilizar un plano de tierra en la capa inferior para proporcionar una mejor inmunidad al ruido e
integridad de la señal.
La Figura 20 es el diseño básico para varias aplicaciones. •
C1: basado en cálculos de retardo de tiempo • C2: condensador
de derivación de 0,01 µF para pin de voltaje de control • C3:
condensador cerámico de derivación de 0,1 µF • C4: condensador
de derivación electrolítico de 1 µF • R1: basado en cálculos de
retraso de tiempo • U1: LMC555
10.2 Ejemplo de diseño
Figura 20. Ejemplo de diseño
LM555
11 Soporte de dispositivos y documentación
11.1 Marcas registradas
Todas las marcas registradas son propiedad de sus respectivos dueños.
11.2 Precaución de descarga electrostática
Estos dispositivos tienen protección ESD integrada limitada. Los cables deben cortocircuitarse entre sí o el dispositivo debe colocarse en espuma conductora durante el almacenamiento o la manipulación para evitar daños electrostáticos en las
puertas MOS.
11.3 Glosario
SLYZ022 — Glosario TI.
Este glosario enumera y explica términos, siglas y definiciones.
12 Información mecánica, de embalaje y de pedido
Las siguientes páginas incluyen información mecánica, de embalaje y pedido. Esta información es la información más actual disponible para
los dispositivos designados. Estos datos están sujetos a cambios sin previo aviso y revisión de este documento. Para versiones basadas en
navegador de esta hoja de datos, consulte la navegación de la izquierda.
dieciséis Enviar comentarios sobre la documentación Copyright © 2000–2015, Texas Instruments Incorporated
ANEXO DE OPCIÓN DE PAQUETE
www.ti.com 27may2022
INFORMACIÓN DEL EMBALAJE
Dispositivo ordenable Estado Tipo de paquete Paquete Paquete de pines Plan Ecológico Acabado de plomo/ Temperatura pico MSL Temperatura operativa (°C) Marcado de dispositivos Muestras
(1) Dibujo Cantidad (2) Material de la pelota (3) (4/5)
(6)
LM555CM NRND SOIC D 8 95 no RoHS Llamar TI Nivel1235CUNLIM 0 a 70 LM

& Verde 555CM
LM555CM/NOPB ACTIVO SOIC D 8 95 RoHS y verde Nivel1260CUNLIM 0 a 70 LM

Muestras
número de serie
555CM
LM555CMM NRND VSSOP DGK 8 1000 no RoHS Llamar TI Nivel1260CUNLIM 0 a 70 Z55

& Verde
LM555CMM/NOPB VSSOP ACTIVO DGK 8 1000 RoHS y verde número de serie Nivel1260CUNLIM 0 a 70 Z55

Muestras
LM555CMMX/NOPB VSSOP ACTIVO DGK 8 3500 RoHS y verde número de serie Nivel1260CUNLIM 0 a 70 Z55

Muestras
LM555CMX NRND SOIC D 8 2500 no RoHS Llamar TI Nivel1235CUNLIM 0 a 70 LM

& Verde 555CM
LM555CMX/NOPB ACTIVO SOIC D 8 2500 RoHS y verde número de serie Nivel1260CUNLIM 0 a 70 LM

Muestras
555CM
LM555CN/NOPB ACTIVO PDIP PAG 8 40 RoHS y verde NIPDAU Nivel1NAUNLIM 0 a 70 LM

Muestras
555CN
(1)
Los valores del estado de comercialización se definen de la siguiente
manera: ACTIVO: Dispositivo del producto recomendado para nuevos diseños.
COMPRA DE VIDA: TI ha anunciado que el dispositivo será descontinuado y que está vigente un período de compra de por vida.
NRND: No recomendado para nuevos diseños. El dispositivo está en producción para brindar soporte a los clientes existentes, pero TI no recomienda usar esta pieza en un nuevo diseño.
VISTA PREVIA: El dispositivo ha sido anunciado pero no está en producción. Las muestras pueden o no estar disponibles.
OBSOLETO: TI ha descontinuado la producción del dispositivo.
(2)
RoHS: TI define "RoHS" para referirse a los productos semiconductores que cumplen con los requisitos actuales de RoHS de la UE para las 10 sustancias RoHS, incluido el requisito de que la sustancia RoHS no supere el 0,1 % en peso en
materiales homogéneos. Cuando están diseñados para soldarse a altas temperaturas, los productos "RoHS" son adecuados para su uso en procesos específicos sin plomo. TI puede hacer referencia a este tipo de productos como "libres de Pb".
Exento de RoHS: TI define "Exento de RoHS" para referirse a productos que contienen plomo pero cumplen con RoHS de la UE de conformidad con una exención específica de RoHS de la UE.
Verde: TI define "Verde" para indicar que el contenido de retardantes de llama a base de cloro (Cl) y bromo (Br) cumple con los requisitos de halógeno bajo de JS709B de <=1000 ppm umbral. Los retardantes de llama a base de trióxido de
antimonio también deben cumplir con el requisito de umbral <=1000 ppm.
(3)
MSL, temperatura pico. La clasificación del nivel de sensibilidad a la humedad según las clasificaciones estándar de la industria JEDEC y la temperatura máxima de soldadura.
(4)
Puede haber marcas adicionales relacionadas con el logotipo, la información del código de seguimiento del lote o la categoría ambiental en el dispositivo.
AnexoPágina 1
ANEXO DE OPCIÓN DE PAQUETE
www.ti.com 27may2022
(5)
Las marcas de dispositivos múltiples estarán entre paréntesis. Solo aparecerá una marca de dispositivo entre paréntesis y separada por un "~" en un dispositivo. Si una línea tiene sangría, entonces es una continuación de la línea anterior y las dos combinadas
representan la marca de dispositivo completa para ese dispositivo.
(6)
Acabado de plomo/material de la bola: los dispositivos que se pueden pedir pueden tener varias opciones de acabado de material. Las opciones de acabado están separadas por una línea reglada vertical. Los valores de acabado de plomo/material de la bola pueden ajustarse a dos
líneas si el valor final excede el ancho máximo de columna.
Información importante y descargo de responsabilidad: la información proporcionada en esta página representa el conocimiento y la creencia de TI a la fecha en que se proporciona. TI basa su conocimiento y creencia en la información proporcionada por terceros,
y no hace ninguna declaración ni garantía en cuanto a la precisión de dicha información. Se están realizando esfuerzos para integrar mejor la información de terceros. TI ha tomado y continúa tomando medidas razonables para proporcionar información
representativa y precisa, pero es posible que no haya realizado pruebas destructivas o análisis químicos en los materiales y productos químicos entrantes.
TI y los proveedores de TI consideran que cierta información es de propiedad exclusiva y, por lo tanto, es posible que los números CAS y otra información limitada no estén disponibles para su publicación.
En ningún caso, la responsabilidad de TI que surja de dicha información excederá el precio de compra total de la(s) parte(s) de TI en cuestión en este documento vendidas por TI al Cliente anualmente.
AnexoPágina 2
INFORMACIÓN DE MATERIALES DEL PAQUETE
www.ti.com 1jun2022
INFORMACIÓN DE CINTA Y CARRETE
DIMENSIONES DEL CARRETE DIMENSIONES DE LA CINTA
K0 P1
W
B0
Carrete
Diámetro
Cavidad A0
A0 Dimensión diseñada para acomodar el ancho del componente
B0 Dimensión diseñada para adaptarse a la longitud del componente
K0 Dimensión diseñada para acomodar el espesor del componente
W Ancho total de la cinta portadora
P1 Paso entre centros de cavidad sucesivos
Ancho de bobina (W1)
ASIGNACIONES DE CUADRANTE PARA LA ORIENTACIÓN DEL PIN 1 EN LA CINTA
Agujeros de rueda dentada
Q1 Q2 Q1 Q2
Q3 Q4 Q3 Q4 Dirección de alimentación del usuario
Cuadrantes de bolsillo
*Todas las dimensiones son nominales
Dispositivo Paquete Paquete Pasadores SPQ Carrete Carrete A0 B0 K0 P1 W Pin1

Tipo Dibujo Diámetro Ancho (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Cuadrante
(mm) W1 (mm)
LM555CMM VSSOP DGK 8 1000 178.0 12.4 5.3 3.4 1.4 8.0 12.0 Q1
LM555CMM/NOPB VSSOP DGK 8 1000 178.0 12.4 5.3 3.4 1.4 8.0 12.0 Q1
LM555CMMX/NOPB VSSOP DGK 8 3500 330.0 12.4 5.3 3.4 1.4 8.0 12.0 Q1
LM555CMX SOIC D 8 2500 330.0 12.4 6.5 5.4 2.0 8.0 12.0 Q1
LM555CMX/NOPB SOIC D 8 2500 330.0 12.4 6.5 5.4 2.0 8.0 12.0 Q1
Materiales del paquetePágina 1
www.ti.com 1jun2022
DIMENSIONES DE CAJA DE CINTA Y CARRETE
Ancho (mm)
H
W
L
Dispositivo Tipo de paquete Pasadores de dibujo del paquete SPQ Longitud (mm) Ancho (mm) Altura (mm)
LM555CMM VSSOP DGK 8 1000 208.0 191.0 35,0
LM555CMM/NOPB VSSOP DGK 8 1000 208.0 191.0 35,0
LM555CMMX/NOPB VSSOP DGK 8 3500 367.0 367.0 35,0
LM555CMX SOIC D 8 2500 367.0 367.0 35,0
LM555CMX/NOPB SOIC D 8 2500 367.0 367.0 35,0
www.ti.com 1jun2022
TUBO
T Tubo
altura L Longitud del tubo
W Ancho
del tubo
B Ancho de la ranura de alineación
Dispositivo Nombre del paquete Tipo de paquete Pines SPQ L (mm) W (mm) T (µm) B (mm)

LM555CM D SOIC 8 95 495 8 4064 3.05
LM555CM D SOIC 8 95 495 8 4064 3.05
LM555CM/NOPB D SOIC 8 95 495 8 4064 3.05
LM555CN/NOPB PAG PDIP 8 40 502 14 11938 4.32
ESQUEMA DEL PAQUETE
D0008A ESCALA 2.800
SOIC 1,75 mm de altura máxima
CIRCUITO INTEGRADO PEQUEÑO CONTORNO
PLANO DE ASIENTOS
.228.244 TIPO
[5.806.19]
0,004 [0,1]C
A
PIN 1 ÁREA DE IDENTIFICACIÓN
6X .050
[1.27]
8
1
.189.197 2X
[4.815.00] .150
NOTA 3 [3.81]
4X (0 15 )
4
5
8X .012.020
B .150.157 [0.310.51] .069 MÁX.
[3.813.98] 0,010 [0,25] CABINA [1.75]
NOTA 4
.005.010 TIPO
[0.130.25]
4X (0 15 )
VER DETALLE A
0,010
[0,25]
.004.010
0 8
[0.110.25]
.016.050
[0,411,27] DETALLE A
TÍPICO
(.041)
[1.04]
4214825/C 02/2019
NOTAS:
1. Las dimensiones lineales están en pulgadas [milímetros]. Las dimensiones entre paréntesis son solo para referencia. Las dimensiones de control están en pulgadas.
Dimensionamiento y tolerancia según ASME Y14.5M.
2. Este dibujo está sujeto a cambios sin previo aviso.
3. Esta dimensión no incluye las rebabas del molde, las protuberancias ni las rebabas. Las rebabas del molde, las protuberancias o las rebabas de entrada no
deben exceder 0,006 [0,15] por lado.
4. Esta dimensión no incluye interlead flash.
5. Referencia registro JEDEC MS012, variación AA.
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DISEÑO DE TABLERO DE EJEMPLO
D0008A SOIC 1,75 mm de altura máxima
8X (.061 )
[1.55]
SIMM VER
DETALLES
1
8X (.024)
[0.6] SIMM
(R.002 ) TIPO
[0.05]
5
4
6X (.050 )
[1.27]
(.213)
[5.4]
EJEMPLO DE PATRÓN DE TIERRA
SE MUESTRA EL METAL EXPUESTO
ESCALA:8X
MÁSCARA PARA SOLDAR MÁSCARA PARA SOLDAR
METAL BAJO METÁLICO
APERTURA APERTURA
MÁSCARA PARA SOLDAR
EXPUESTO
METAL EXPUESTO
METAL
.0028 MÁX. 0,0028 MÍN
[0.07] [0,07]
TODO AL REDEDOR TODO AL REDEDOR
MÁSCARA SIN SOLDADURA MÁSCARA PARA SOLDAR
DEFINIDO DEFINIDO
DETALLES DE LA MÁSCARA DE SOLDADURA
4214825/C 02/2019
NOTAS: (continuación)
6. La publicación IPC7351 puede tener diseños alternativos.
7. Las tolerancias de la máscara de soldadura entre y alrededor de los pads de señal pueden variar según el sitio de fabricación de la placa.
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EJEMPLO DE DISEÑO DE PLANTILLA
D0008A SOIC 1,75 mm de altura máxima
8X (.061 )
[1.55] SIMM
1
8
8X (.024)
[0.6] SIMM
(R.002 ) TIPO
5 [0.05]
4
6X (.050 )
[1.27]
(.213)
[5.4]
EJEMPLO DE PASTA DE SOLDADURA
BASADO EN PLANTILLA DE 0,005 PULGADAS [0,125 MM] DE
GROSOR ESCALA: 8X
4214825/C 02/2019
NOTAS: (continuación)
8. Las aberturas de corte por láser con paredes trapezoidales y esquinas redondeadas pueden ofrecer una mejor liberación de la pasta. IPC7525 puede tener alternativa
recomendaciones de diseño.
9. El sitio de ensamblaje de la placa puede tener diferentes recomendaciones para el diseño de la plantilla.
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TI PROPORCIONA DATOS TÉCNICOS Y DE CONFIABILIDAD (INCLUIDAS LAS HOJAS DE DATOS), RECURSOS DE DISEÑO (INCLUIDOS LOS DISEÑOS DE
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Producto Muestra & Técnico Herramientas & Apoyo &

Temporización de SOIC (8) 4,90 mm × 3,91 mm

• Temporización secuencial VSSOP (8) 3,00 mm × 3,00 mm

Paquete PDIP Soldadura (10 segundos) 260 ºC

Temperatura de almacenamiento, Tstg ­sesenta y cinco 150 ºC

V(ESD) Descarga electrostática Modelo de cuerpo humano (HBM), según ANSI/ESDA/JEDEC JS­001(1) ±500(2) V

MÉTRICA TÉRMICA(1) PDIP SOIC VSSOP UNIDAD

RθJA Resistencia térmica de unión al ambiente 106 170 204 °C/W

Voltaje de suministro 4.5 dieciséis V

Deriva con temperatura RA = 1 k a 100 kΩ, C = 50 ppm/ºC

Deriva con temperatura RA, RB = 1 k a 100 kΩ, C = 150 ppm/ºC

Voltaje de umbral 0.667 x VCC

Activar corriente 0.5 0.9 µA

Restablecer voltaje 0.4 0.5 1 V

Restablecer actual 0.1 0.4 mamá

Salida de fuga alta del pin 7 1 100 n / A

Salida baja VCC = 15 V, I7 = 15 mA 180 mV

Salida baja VCC = 4,5 V, I7 = 4,5 mA VCC = 80 200 mV

ISINCO = 10 mA 0.1 0.25 V

ISINCO = 50 mA 0.4 0.75 V

ISINCO = 5 mA 0.25 0.35 V

PARÁMETRO CONDICIÓNES DE LA PRUEBA TÍPICO MÍN. UNIDAD MÁX.

Caída de voltaje de salida (alta) IFUENTE = 200 mA, VCC = 15 V 12.5 V

IFUENTE = 100 mA, VCC = 15 V 12.75 13.3 V

CCV = 5 V 2.75 3.3 V

dieciséis Enviar comentarios sobre la documentación Copyright © 2000–2015, Texas Instruments Incorporated

LM555CM NRND SOIC D 8 95 no RoHS Llamar TI Nivel­1­235C­UNLIM 0 a 70 LM

LM555CM/NOPB ACTIVO SOIC D 8 95 RoHS y verde Nivel­1­260C­UNLIM 0 a 70 LM

LM555CMM NRND VSSOP DGK 8 1000 no RoHS Llamar TI Nivel­1­260C­UNLIM 0 a 70 Z55

LM555CMM/NOPB VSSOP ACTIVO DGK 8 1000 RoHS y verde número de serie Nivel­1­260C­UNLIM 0 a 70 Z55

LM555CMMX/NOPB VSSOP ACTIVO DGK 8 3500 RoHS y verde número de serie Nivel­1­260C­UNLIM 0 a 70 Z55

LM555CMX NRND SOIC D 8 2500 no RoHS Llamar TI Nivel­1­235C­UNLIM 0 a 70 LM

LM555CMX/NOPB ACTIVO SOIC D 8 2500 RoHS y verde número de serie Nivel­1­260C­UNLIM 0 a 70 LM

LM555CN/NOPB ACTIVO PDIP PAG 8 40 RoHS y verde NIPDAU Nivel­1­NA­UNLIM 0 a 70 LM

Q3 Q4 Q3 Q4 Dirección de alimentación del usuario

Dispositivo Paquete Paquete Pasadores SPQ Carrete Carrete A0 B0 K0 P1 W Pin1

LM555CMM/NOPB VSSOP DGK 8 1000 208.0 191.0 35,0

LM555CMMX/NOPB VSSOP DGK 8 3500 367.0 367.0 35,0

LM555CMX SOIC D 8 2500 367.0 367.0 35,0

LM555CMX/NOPB SOIC D 8 2500 367.0 367.0 35,0

Dispositivo Nombre del paquete Tipo de paquete Pines SPQ L (mm) W (mm) T (µm) B (mm)

También podría gustarte

Temperatura de almacenamiento, Tstg sesenta y cinco 150 ºC

V(ESD) Descarga electrostática Modelo de cuerpo humano (HBM), según ANSI/ESDA/JEDEC JS001(1) ±500(2) V

LM555CM NRND SOIC D 8 95 no RoHS Llamar TI Nivel1235CUNLIM 0 a 70 LM

LM555CM/NOPB ACTIVO SOIC D 8 95 RoHS y verde Nivel1260CUNLIM 0 a 70 LM

LM555CMM NRND VSSOP DGK 8 1000 no RoHS Llamar TI Nivel1260CUNLIM 0 a 70 Z55

LM555CMM/NOPB VSSOP ACTIVO DGK 8 1000 RoHS y verde número de serie Nivel1260CUNLIM 0 a 70 Z55

LM555CMMX/NOPB VSSOP ACTIVO DGK 8 3500 RoHS y verde número de serie Nivel1260CUNLIM 0 a 70 Z55

LM555CMX NRND SOIC D 8 2500 no RoHS Llamar TI Nivel1235CUNLIM 0 a 70 LM

LM555CMX/NOPB ACTIVO SOIC D 8 2500 RoHS y verde número de serie Nivel1260CUNLIM 0 a 70 LM

LM555CN/NOPB ACTIVO PDIP PAG 8 40 RoHS y verde NIPDAU Nivel1NAUNLIM 0 a 70 LM