ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

DEPARTAMENTO DE AUTOMATIZACIÓN Y CONTROL INDUSTRIAL

Electrónica de Potencia
Laboratorio

X Preparatorio Informe
(Marque con una X según corresponda)

Práctica #: 2
Tema: Caracterización de diodos de potencia.

- Pablo David Armas Arroba.

Realizado por

GRUPO: GR2-4

(Espacio Reservado para instructor)

Fecha de entrega: ____ / ____ / ____ f. _________________________

Año mes día Recibido por:

Sanción: ____________________________________________________

PERÍODO ACADÉMICO
2022 – A
TRABAJO PREPARATORIO

1. Consultar los siguientes términos característicos de los diodos con su significado y

descripción.
▪ VRRM - Peak Repetitive Reverse Voltage:
Es el valor máximo instantáneo para el voltaje inverso del diodo. [1]

▪ IF(AV) - Average Rectified Forward Current:

La corriente del diodo cuando se encuentra en etapa de conducción como un
rectificador de media onda. [1]

▪ VF – Forward Voltage:
Es la caída de voltaje que tiene el diodo en polarización directa. [1]

▪ IRR – Full Load Reverse Current:

Es la máxima corriente inversa que puede soportar el diodo. [1]

2. Consultar en las hojas de datos del fabricante las características principales

incluyendo el tiempo de encendido y tiempo de apagado para los siguientes diodos:
propósitos generales, de recuperación rápida, diodo Schottky y diodo de SiC. Hacer
un cuadro comparativo.

▪ Diodos de propósitos generales:

Tienen un tiempo de recuperación inversa alto de aproximadamente 25µ, siendo
utilizados para aplicaciones de baja velocidad. Trabajan con corrientes desde 1A
hasta los miles de amperios, y voltajes que van desde los 50V hasta los 5kV. [2]

▪ Diodos de recuperación rápida:

Tienen un tiempo de recuperación bajo, habitualmente menor a 5µ. Su uso se da
regularmente para el diseño de convertidores cd-cd y cd-ca. Los rangos de
operaciones para la corriente son de menos de 1A hasta los ciento de amperios, con
voltajes desde los 50V hasta los 3kV. [2]

▪ Diodo Schottky:
En estos diodos se elimina o minimiza el problema de carga de la unión pn. Este
tipo de diodos tienen una salida de voltaje directa muy baja y una corriente de fuga
alta. El voltaje permitido es máximo de 100V con corrientes de 1 a 300A. son
generalmente usados en fuentes de corriente directa de bajo voltaje y altas
corrientes. [2]

▪ Diodo de SiC:
Los diodos de carburo silicio tienen una baja resistencia al encendido, con una
velocidad muy alta de conmutación, por lo general menor a los 300ns, recuperación
reversa rápida. Son aplicados generalmente en conversores solares, convertidores
de cc-cc, fuentes en conmutación, etc. [3]

En la Tabla 1 se realiza una comparación entre los cuatro tipos de diodos descritos.
En la Tabla 2 se observan los valores dados por los fabricantes.
 TABLA 1. Comparación de los tipos de diodos de potencia.
Tipo Velocidad de Corriente Voltaje
conmutación
Propósitos Bajo Muy alto Muy alto
generales
Recuperación rápida Alto Alto Alto
Schottky Muy alto Alto Bajo
SiC Muy alto Alto Bajo

TABLA 2. Valores de los tipos de diodos de potencia. [4]

Característica Diodo de Diodo de Diodo Diodo de SiC
propósito recuperación Schottky
general rápida
IF(AV) 1.0 [A] 1.0 [A] 3.0 [A] 10-20 [A]
VRRM 50 – 1000 [V] 1000 [V] 20, 30, 40 [V] 1200 [V]
IFSM 30 [A] 75 [A] 80 [A] 75-150 [A]
VF 1.1 [V] 1.2 [V] 0.475, 0.5, 1.7 [V]
0.525 [V]
IR 5.0 [uA] 5-100 [uA] 2 [mA] 250-500 [uA]
Trr 500 [ns]

3. Buscar en PSpice la numeración de diodos de propósitos generales, de

recuperación rápida, y diodo Schottky, los mismos que serán utilizados en la
simulación. Presentar las numeraciones de los diodos.

Dentro de PSpice tenemos los diodos:

▪ Propósito general: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006, 1N4007,

etc.[5]

▪ De recuperación rápida: 1N3879, 1N3880, 1N3881, 1N3882, 1N3883, 1N3889,

1N3890, 1N3891, 1N3892. [5]

▪ Schottky: 10BQ015, 10BQ040, 10BQ100, 10CTQ150, 15CGQ100, 180NQ045,

18TQ045, 1N5711. [5]

4. Indicar en un esquema las zonas de polarización directa e inversa de un diodo. Tener

en cuenta y describir los conceptos de voltaje umbral y voltaje de ruptura.

Voltaje umbral:
En la zona de polarización directa, es la tensión a partir de la cual la corriente empieza a
incrementarse rápidamente. Normalmente en el análisis de circuitos con diodos se dirige a
determinar si la tensión del diodo es mayor o menor que la tensión umbral. Si es mayor, el
diodo conduce fácilmente, si es menor, lo hace con pobreza. [6]
Para un diodo de silicio: Vk ≈ 0,7 V
Para un diodo de germanio Vk ≈ 0,3 V

Voltaje de ruptura:
Los diodos convencionales tienen una tensión de ruptura. Este es el voltaje inverso que
cuando se aplica al diodo hará que las uniones de diodos se rompan y conduzca una gran
cantidad de corriente, aunque el voltaje se aplica con una polaridad incorrecta. Un diodo no
debe conducir corriente cuando el voltaje se aplica de manera incorrecta. Sin embargo,
después de cierto punto, llamado el punto de ruptura, dará paso y conducta. [6]
Región polarización directa Región polarización inversa

La corriente 𝐼𝐷 es pequeña si
el voltaje aplicado es menor
al 𝑉𝐷 . Cuando el voltaje
aplicado es mayor a 𝑉𝐷 , la
corriente 𝐼𝐷 es alta.
La corriente inversa es casi
nula porque el voltaje 𝑉𝐷 es
negativo.

FIGURA 1. Regiones de polarización del diodo. [7]

5. Presentar las evidencias de la simulación de los circuitos solicitados en el numeral
6.

Circuito 1:
Diodo de propósitos generales:

Diodo de conmutación rápida:

Circuito 2:

FRECUENCIA 60Hz:

Diodo de propósitos generales:

 Trr=4.88us
Irr=3mA

Diodo de recuperación rápida:

 Trr=720ns
Irr=3mA
FRECUENCIA 1kHz:

Diodo de propósitos generales:

 Trr=4.77us
Irr=3mA

Diodo de recuperación rápida:

Trr=753.56ns
Irr=2.91mA
REFERENCIAS
[1] EETech Media, “Diode Ratings | Diodes and Rectifiers | Electronics Textbook.”
https://www.allaboutcircuits.com/textbook/semiconductors/chpt-3/diode-ratings/ (accessed Jun. 01, 2022).
[2] M. Rashid, Electrónica de potencia. Circuitos, dispositivos y aplicaciones., 2da ed. 1993.
[3] “Diodos de carburo de silicio (SiC) de 1200 V - Rohm | DigiKey.” https://www.digikey.com/es/product-highlight/r/rohm-
semi/1200v-silicon-carbide-sic-diodes (accessed Jun. 01, 2022).
[4] “Datasheet, Data Sheet pdf, hoja de datos, hojas de datos.” http://www.datasheetcatalog.net/es/ (accessed Jun. 02, 2022).
[5] “Schottky | PSpice.” https://www.pspice.com/discrete/diodes/schottky#block-system-main (accessed Jun. 01, 2022).
[6] A. Sánchez, “Apuntes de Clase Eléctrónica de Potencia 2022A,” 2022.
[7] F. Lizárraga, “Práctica 2. Diodos Características y Funcionamiento.” Accessed: Jun. 01, 2022. [Online]. Available:
https://lizarragablog.wordpress.com/2014/03/26/practica-2-diodos-caracteristicas-y-funcionamiento/