ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA

PREPARATORIO # 2

TEMA: CARACTERIZACIÓN DE DIODOS DE POTENCIA

GR - 2
NOMBRE: Ramón Zambrano

1. OBJETIVOS

1.1. Comprender el comportamiento dinámico y estático de los diodos.

1. TRABAJO PREPARATORIO

1.1. Consultar los siguientes términos característicos de los diodos con su significado y
descripción:

VRRM – Peak Repetitive Reverse Voltage

El voltaje inverso pico repetitivo es el valor instantáneo máximo del voltaje inverso, incluidos todos los
voltajes transitorios repetitivos, pero excluyendo todos los voltajes transitorios no repetitivos que ocurren
en el dispositivo.[1]

IF(AV) – Average Rectified Forward Current

Es la cantidad promedio máxima de corriente que el diodo puede conducir en modo de

polarización directa. Esto es fundamentalmente una limitación térmica: cuánto calor puede
manejar la unión PN, dado que la potencia de disipación es igual a la corriente (I)
multiplicada por el voltaje y la tensión directa depende tanto de la corriente como de la
temperatura de la unión. Idealmente, esta cifra sería infinita.[1]

VF – Forward Voltage

El voltaje directo es la cantidad de voltaje necesaria para que la corriente fluya a través de
un diodo. Otro hecho que a menudo se pasa por alto es que el voltaje directo multiplicado
por la corriente a través del diodo es la cantidad de energía que se disipa en la unión del
diodo. Si esta potencia excede la potencia nominal del diodo, el diodo se quema.[2]

IRR – Full Load Reverse Current

Corriente de recuperación en reversa, se produce en un estado de conmutación cuando el

diodo se encuentra en encendido y apagado se libera una corriente negativa al momento
de apagar o dejar de alimentar el diodo luego de una carga abrupta, dicha corriente se la
denomina Full Load Reverse Current.[5]

1.2. Consultar el propósito que tienen en circuitos electrónicos los siguientes diodos:
propósitos generales, de rápida recuperación, y Schottky. Buscar en PSpice la
numeración de estos diodos los mismos que serán utilizados en la simulación.

Diodos de propósito general

Los diodos rectificadores de propósito (o uso) general tienen un tiempo de recuperación
inversa relativamente grande, en el caso típico de unos 25 µs, y se usan en aplicaciones de
baja velocidad, donde no es crítico el tiempo de recuperación (por ejemplo, en
rectificadores y convertidores de diodo, para aplicaciones con una frecuencia de entrada
baja, hasta de 1 kHz, y para convertidores conmutados por línea). Esos diodos cubren
especificaciones de corriente desde menos de 1 A y hasta varios miles de amperios, y las
especificaciones de voltaje, van de 50 V hasta 5 kV. En general, esos diodos se fabrican
por difusión. Sin embargo, los tipos de rectificadores de aleación que se usan en las fuentes
de poder para soldar, son lo más económicos y robustos, y sus capacidades pueden llegar
hasta 1500 V, 400 A. [3]

Diodos de recuperación rápida

Los diodos de recuperación rápida tienen tiempo de recuperación corto, en el caso normal
menor que 5 µs. Se usan en circuitos convertidores de corriente continua (cd ) a corriente
continua (cd ) y de corriente continua (cd) a corriente alterna (ca), donde con frecuencia
la velocidad de conmutación tiene importancia crítica. Esos diodos abarcan
especificaciones actuales de voltaje desde 50 V hasta unos 3 kV, y de menos de 1 A hasta
cientos de amperios.

Para voltajes nominales mayores que 400 V, los diodos de recuperación rápida se suelen
fabricar por difusión, y el tiempo de recuperación se controla por difusión de platino o de
oro. [3]

Fig. 1. Ejemplos Comerciales [3]

Diodos Schottky
El problema de almacenamiento de carga de una unión PN se puede eliminar o minimizar
en un diodo de Schottky. Esto se logra estableciendo un "potencial de barrera" (o "barrera
de potencial") con un contacto entre un metal y un semiconductor. Se deposita una capa
de metal sobre una capa delgada epitaxial de silicio tipo N. La barrera de potencial simula
el comportamiento de una unión PN. La acción rectificadora sólo depende de los
portadores de mayoría, y en consecuencia no queda exceso de portadores de minoría que
se recombinen. El efecto de recuperación sólo se debe a la capacitancia propia de la unión
del semiconductor.

La carga recuperada de un diodo Schottky es mucho menor que la de un diodo equivalente

de unión PN. Ya que eso sólo se debe a la capacitancia de la unión, es bastante
independiente de la di/dt inversa. [3]

Fig. 2. Representación Comercial [3]

 Su representación en OrCAD es:

Fig. 3. Librería OrCAD [6]

1.3. Indicar en un esquema las zonas de polarización directa e inversa de un diodo. Tener
en cuenta y describir los conceptos de voltaje umbral y voltaje de ruptura.

Fig. 4. zonas de polarización directa e inversa de un diodo [4]

En polarización directa, al poner la unión a una pequeña tensión (tensión umbral). Se

comporta como un conductor, a mayor tensión, mayor corriente circulará por el circuito.

En polarización inversa no es conductor hasta que no se llaga a la zona de ruptura.

En ese momento puedes comprobar en la gráfica, que aumenta mucho la intensidad,

aunque no aumentemos la tensión. Esto produce que el diodo se queme. [4]

1.4. Consultar el gráfico de la curva de recuperación de corriente inversa del diodo.

Tomar en cuenta y describir los términos de corriente de recuperación, tiempo de
recuperación y energía.
 Fig. 5. curva de recuperación de corriente inversa del diodo [5]

El periodo de recuperación (trr) se divide en ta (tiempo de recuperación, debido al

almacenamiento de cargas en la unión) y tb (tiempo de recuperación de carga, debido al
almacenamiento de cargas en el material). [5]

2. Bibliografía:

[1]. "Clasificaciones de diodos", allaboutcircuits.com. [En línea]. Disponible:

https://www.allaboutcircuits.com/textbook/semiconductors/chpt-3/diode-ratings/.
[Consultado: 21 de junio de 2021].
[2]. "Voltaje directo: una descripción general | Temas de ScienceDirect",
Sciencedirect.com. [En línea]. Disponible:
https://www.sciencedirect.com/topics/engineering/forward-voltage. [Consultado: 21
de junio de 2021].
[3]. "TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA", Tecnologiaelectron.blogspot.com. [En línea].
Disponible: https://tecnologiaelectron.blogspot.com/2021/01/tipos-diodos-
potencia.html. [Consultado: 21 de junio de 2021].
[4]. "Unión PN Semiconductores PN Aprende Facil", Areatecnologia.com. [En línea].
Disponible: https://www.areatecnologia.com/electronica/union-pn.html. [Consultado:
21 de junio de 2021].
[5]. M. Baldera, "Diodos de Potencia - Generalidades y Características de Recuperación",
Youtube.com, 2019. [Online]. Disponible:
https://www.youtube.com/watch?v=yknGo5pPRqA. [Consultado: 21 de junio de
2021].
[6]. "Diodos | PSpice", Pspice.com. [En línea]. Disponible:
https://www.pspice.com/discrete/diodes. [Consultado: 21 de junio de 2021].