ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA

Alumnos:

 Bryan estrella

Grupo: GR11

Fecha: 02/05/2019

1. Tema: CARACTERIZACIÓN DE DIODOS DE POTENCIA

2. Objetivo:
2.1. Comprender el comportamiento dinámico y estático de los diodos.

3. Trabajo Preparatorio:

3.1. Consultar los siguientes términos característicos de los diodos con su significado:

o VRRM – Peak Repetitive Reverse Voltage

Voltaje inversa pico repetitivo de trabajo es el voltaje que puede soportar el diodo
continuamente sin riesgo de entrar en ruptura por avalancha.

o IF(AV) – Average Rectified Forward Current

La corriente media nominal es el promedio de la máxima corriente producida por

impulsos sinusoidales de 180° que el diodo puede tolerar.

o VF – Forward Voltage

El voltaje directo es la cantidad de voltaje necesaria para que la corriente fluya a

través del diodo, este parámetro es importante ya que si se trabaja con diodos de
determinado voltaje y no son energizados con un voltaje de entrada al voltaje directo
del diodo, este no trabajara correctamente.

o IRR – Full Load Reverse Current

La corriente inversa pico es la variación de la corriente inversa en función del tiempo

𝑑𝑖
y depende de laca depende de la variación de la corriente inversa (𝑑𝑡 𝑖𝑛𝑣𝑒𝑟𝑠𝑜) en
función del tiempo y de la carga almacena (𝑄𝑅𝑅 ), la cual depende de la corriente
directa del diodo (𝐼𝐹 ). Además, la corriente inversa pico (𝐼𝑅𝑅 ) es de interés para el
diseño de circuitos electrónicos y de potencia. Este parámetro se encuentra en la hoja
de datos elaborada por los fabricantes. [1]
 3.2. Consultar el propósito que tienen los siguientes diodos en circuitos electrónicos:
rectificador, de rápida recuperación y Schottky. Busque en PSpice la numeración de
estos diodos los mismos que serán utilizados en la simulación.

 Diodo rectificador

Los diodos rectificadores cuentan con un tiempo de recuperación inverso (trr) relativamente
alto, aproximadamente 25us, puede variar dependiendo del fabricante. Por lo que es utilizado
en aplicaciones de baja velocidad como: rectificadores, convertidores de frecuencia y en
convertidores conmutados de línea. Estos diodos toleran corrientes de hasta miles de
amperios y voltajes desde 50 V hasta aproximadamente 5kV. [1]

 1N4001 - 1N4002 - 1N4003 - 1N4004 -1N4005 - 1N4006 - 1N4007

 Diodo de rápida recuperación

Estos diodos tienen tiempo de recuperación bastante bajos alrededor de 5uF. Entre sus
aplicaciones están circuitos convertidores CD-CA y CD-CD. Aplicaciones para las cuales la
velocidad de recuperación es de especial atención. Estos diodos soportan corrientes desde
menores a uno hasta cientos de amperios y voltajes desde 50V hasta valores cercanos a 3kV.
[1]

 D1N4148 – D1N914
 1N4933 - 1N4934 - 1N4935 - 1N4936 - 1N4937

 Diodo Schottky

El diodo Schotty permite eliminar el problema de carga de una unión pn. Ya que cuenta con
una barrera de potencial entre un semiconductor y un metal. La combinación del silicio tipo n
con una capa de metal permite que la barrera de potencial simule la unión pn. Es así, que la
rectificación solo depende de los portadores mayoritarios, por lo tanto no hay portadores
minoritarios en exceso para recombinar. La carga recuperada de este diodo es menor que la de
un diodo convencional rectificador. Es decir es independiente de la variación de la corriente
𝑑𝑖
inversa (𝑑𝑡 𝑖𝑛𝑣𝑒𝑟𝑠𝑜), tiene un voltaje de conducción relativamente bajo y una corriente de
fuga relativamente alta. Su voltaje máximo generalmente esta alrededor de 100V y su
corriente varía entre 1 a 300 A. Son ideales para fuentes de alimentación de alta corriente y de
bajo voltaje en DC. [1]

 1N5829 - 1N5831

3.3. Indicar en un esquema las zonas de polarización directa e inversa de un diodo. Tener
en cuenta los conceptos de voltaje umbral y voltaje de ruptura.
 3.4. Consultar el gráfico de la curva de recuperación de corriente inversa del diodo.
Tomar en cuenta los términos de corriente de recuperación, tiempo de recuperación
y energía.

 ta : se debe al almacenamiento de la carga en la unión.

 tb: se debe al almacenamiento de cargas en la masa del materialsemiconductor.
 Factor de suavidad: ta/tb
 Tiempo de recuperación: Trr= ta+tb
 Coriiente de recuperación: Irr=ta(di/dt) [1]

Bibliography

[1] M. H. Rashid, Electronica de potencia, mexico: Prentice Hall Hispanoamerica, S.A., 1995.