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PROGRAMA EDUCATIVO:
TÉCNICO SUPERIOR UNIVERSITARIO ENMANTENIMIENTO ÁREA
INDUSTRIAL
ASIGNATURA:
(ESTRUCTURA PROPIEDAD DE LOS MATERIALES)
PRESENTA:
HUMBERTO ROJAS GARCÍA
Vo. Bo
En una estructura, cada elemento tiene una función específica y una correlación
con los demás elementos que componen la estructura. Eso hace posible que el
sistema sea eficaz en su propósito. Por lo tanto, una estructura está diseñada para
cumplir una función
A) IÓNICO:
Los enlaces iónicos ocurren cuando un átomo gana o pierde electrones. Como
resultado de esta transferencia de electrones, se forman iones o, lo que es lo
mismo, partículas cargadas. Estos iones pueden tener carga negativa (los
conocemos como aniones) o positiva (cationes).
Una de las propiedades del enlace iónico más características tiene que ver con la
conducción de la electricidad y los estados de la materia. Aunque en estado sólido
no son conductores, esto cambia cuando están en estado líquido o en una
disolución, debido a los iones móviles.
ENLACES COVALENTES:
En el caso del enlace covalente polar, los átomos comparten electrones de forma
no equitativa, lo que significa que estos pasan más tiempo cerca de un átomo que
de otro. Por otro lado, en el enlace covalente apolar la repartición de los electrones
es más igualitaria.
Veamos cómo se forma un enlace covalente al mismo tiempo que conocemos uno
de los ejemplos de enlaces covalentes más comunes: el agua. Como sabes el
agua es una molécula formada por dos átomos de hidrógeno (H) y uno de oxígeno
(O), que da lugar al compuesto químico H2O. En este caso, se forma un enlace
covalente porque cada átomo de hidrógeno comparte un electrón con el átomo de
oxígeno. A su vez, este último comparte un electrón con cada uno de los átomos
de hidrógeno.
Propiedades del enlace covalente
ENLACE METÁLICO:
Los enlaces metálicos se forman entre átomos de metales. En estos casos los
átomos se organizan en una estructura conocida como el mar de electrones.
La estructura del enlace metálico se debe a que los átomos de los metales tienen
pocos electrones en la última capa, que pierden fácilmente. Como resultado, se
convierten en cationes que se distribuyen por el espacio formando una especie de
red, mientras que los electrones que han perdido crean a su alrededor una nube
de electrones que puede moverse por toda la red. Así los cationes, con carga
positiva, queden unidos mediante la nube de electrones, con carga negativa, que
los envuelve.
Los metales son los elementos más abundantes en la tabla periódica, por lo que te
será sencillo encontrar ejemplos de enlaces metálicos. Algunos de los más
comunes son el hierro, el aluminio o el cobre.
Esta peculiar estructura en red explica muchas de las propiedades del enlace
metálico. Por ejemplo, como los electrones pueden moverse con mucha facilidad,
los metales son buenos conductores de la electricidad. También explica la alta
maleabilidad y ductilidad de los metales. Otra de las propiedades de los metales
más características es su elevado punto de fusión, razón por la que a temperatura
ambiente los encontramos en estado sólido.
FORMA DE LAS ESTRUCTURAS
Alta densidad
En esta definición quedan fuera los plásticos (ya que son materiales orgánicos) y
los metales (por la definición de «no metálicos»).
Las lagunas y los intersticiales son una consecuencia de la energía (de vibración)
de la red, que aumenta con la temperatura. La concentración de lagunas o
intersticiales puede expresarse, en una forma simple, a través de una ley del tipo de
Arrhenius, en la forma donde Ea es la energía de activación de la formación de la
laguna o el intersticial. El factor pre-exponencial para los semiconductores simples
puede ser considerado como la densidad atómica del material. En la Tabla 1.2 se
dan algunos valores de estos parámetros. Es muy fácil calcular el insignificante
número de este tipo de defectos a la temperatura ambiente.
Parámetros de defectos puntuales
A estos defectos hay que añadir, y para los semiconductores binarios, ternarios …,
los llamados defectos de antisitio o antiestructurales que corresponden a
situaciones en las que un sitio de un átomo está ocupado por otro de naturaleza
distinta (por ejemplo, en lugar de un átomo de Galio, hay uno de Arsénico).
Finalmente y de naturaleza puntual es también el defecto creado por la presencia
de impurezas que pueden ocupar un lugar sustitucional o intersticial. Y también
formar complejos o asociaciones con otros defectos puntuales. Las impurezas,
dada su naturaleza diferente de la del cristal, se conocen también como defectos
extrínsecos, por contraposición a los otros o intrínsecos.
DEFECTOS SUPERFICIALES
Cuando los defectos se extienden a una superficie importante del cris tal, se
llaman defectos superficiales. Principalmente son las fronteras de grano y las
superficies laterales. Las primeras separan dos zonas del cris tal que no guardan
relación en su orientación cristalográfica y que reciben el nombre de granos y son
inclusiones de microcristales en el monocristal.
Las segundas son las superficies que limitan el cristal finito y que presentan, en el
mejor de los casos, enlaces atómicos rotos y una ruptura de la periodicidad del
cristal. En los capítulos que siguen tendremos ocasión de ver la importancia de los
elementos de simetría de los cristales y, en particular, la de la periodicidad. Todos
los defectos, de una forma o de otra, rompen esta periodicidad. Y, muy
principalmente, las superficies laterales (un cristal perfectamente periódico debería
ser infinito).
Los defectos cambian, en mayor o menor medida, las propiedades del cristal y su
importancia en los aspectos electrónicos de los semiconductores es diferente. Los
defectos asociados a las impurezas son necesarios e imprescindibles cuando
pueden ser controlados, porque son defectos que generalmente demuestran una
actividad eléctrica, capturando o emitiendo electrones. Es decir son capaces de
aparecer como centros cargados en el cristal. Este comportamiento también está
asociado a algunos defectos puntuales extrínsecos como las lagunas. En cambio
otros defectos no exhiben actividad eléctrica. Pero todos, de una manera u otra
interfieren en el proceso de la conducción eléctrica y en algunos casos en la
tecnología de fabricación de dispositivos y circuitos, variando la cinética del
proceso y disminuyendo su rendimiento. De ahí el interés de controlar la calidad
del material