DISPOSITIVOS FOTÓNICOS Y

OPTOELECTRÓNICOS

Máster Universitario en Ingeniería de Telecomunicación

Escuela Politécnica Superior

 BLOQUE II
ENERGÍA SOLAR FOTOVOLTAICA

MÁSTER UNIVERSITARIO
EN INGENIERÍA DE
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 Trabajos de evaluación
• Exposición pública: 18 y 20 de enero de 2023
• Entrega de la memoria y presentación en pdf: 2 días antes
LISTADO DE TRABAJOS
1. Nuevas tendencias en células solares: Nuevos tipos de células solares,
nuevos avances. Mejoras más significativas alcanzadas en los últimos 5
años. Se trata de realizar una búsqueda bibliográfica y situar el estado del
arte en los últimos 5 años.

2. Competitividad de la energía fotovoltaica en Europa: Búsqueda en la

legislación europea para estudiar las ayudas a la instalación de energía
solar fotovoltaica y la competitividad del KW-hora en los diferentes países
de la UE o en aquellos con contribuciones más significativas. Además se
compararía con el precio del KW-hora para otras fuentes de energía.
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LISTADO DE TRABAJOS
3. Diferencias sobre la legislación de la energía fotovoltaica para los
diferentes países europeos: Comparar el marco legislativo español con el de
algunos países europeos. Se trata de comparar cómo se trata esta energía
desde el punto de vista de la administración pública en los diferentes países
de la unión europea y analizar las directivas comunes.

4. Asociación serie/paralelo de células solares: Programar (preferentemente

en Matlab) un código que permita obtener las curvas I-V de cualquier
agrupación serie/paralelo de células solares arbitrarias no necesariamente
iguales. El objetivo sería modelar las curvas I-V de cualquier módulo solar,
y en particular estudiar el efecto del oscurecimiento de una célula así
como la solución de este problema mediante diodos de protección.
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LISTADO DE TRABAJOS
5. Estudio del almacenamiento de energía mediante hidrógeno: Estudio
teórico y/o recopilación de información sobre la generación de hidrógeno
mediante electrólisis a partir de energía solar fotovoltaica así como de la
posibilidad de obtener energía del hidrógeno mediante dos mecanismos
principales: (i) reacción exotérmica 2H2 + O2 → 2H2O y (ii) células fuel.

6. Modelado de un seguidor del punto de máxima potencia: Programar las

ecuaciones del circuito simplificado (preferentemente en Matlab) de un
seguidor del punto de máxima potencia centrándose en el conversor d.c. -
d.c. buck boost simplificado. Con ello, variando resistencias, bobinas y
condensadores se podrá visualizar la conversión d.c. - d.c., que tiene una
gran importancia de cara a operar en el punto de máxima potencia.
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LISTADO DE TRABAJOS

7. Estudio del almacenamiento de energía mediante baterías: Amplio estudio

y recopilación de información de todos los tipos de baterías actualmente
utilizados en sistemas fotovoltaicos analizando las características
principales, ventajas e inconvenientes.

8. Diseño y dimensionamiento básico de un array fotovoltaico mediante

PVWatts: Se trataría de realizar un ejemplo básico de diseño de un array
fotovoltaico calculando la corriente (a. c. y d. c.) generada por un array
fotovoltaico con una determinada potencia nominal. Para ello se usaría el
programa PVWatts, que es gratuito y está disponible en Internet, aunque
también se pueden utilizar otros programas similares.
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LISTADO DE TRABAJOS
9. Legislación española y marco europeo de la energía solar fotovoltaica:
Estudio exhaustivo de la normativa en materia de energía solar fotovoltaica
en España enmarcada en el contexto de las diversas directrices europeas en
esta materia.

10. Células solares orgánicas: Explicar su funcionamiento, ventajas e

inconvenientes. Mejoras más significativas alcanzadas en los últimos 5 años.
Realizar una búsqueda bibliográfica y situar el estado del arte en los últimos
5 años, así como visualizar el horizonte futuro para esta tecnología.

11. Células solares Gräzel: Explicar su funcionamiento, compararlas con las

células estándar de silicio y analizar las mejoras alcanzadas en los últimos
años así como las perspectivas para dicha tecnología.
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LISTADO DE TRABAJOS
12. Células solares de puntos cuánticos: Explicar su fundamento físico y
funcionamiento, compararlas con las células estándar de silicio y analizar
las mejoras logradas en los últimos años así como las perspectivas de esta
tecnología.

13. Concentradores solares luminiscentes: Explicar su funcionamiento, las

ventajas que aportan a la tecnología fotovoltaica y dar ejemplos de su uso.

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 Bibliografía
◼ “Physics of Solar Cells”, Peter Würfel, ed. Wiley-VCH

◼ “Nanostructured and photoelectrochemical systems for solar

photon conversion” M. A.Archer and A. J. Nozik, ed. Imperial

College Press

◼ Polymer Photovoltaics: A practical approach. Ed. SPIE press

◼ Cu (In1-x Gax) Se2 Based Thin Film Solar Cells, Ed. Elsevier

Press.

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 Tema 7
Principios físicos de las células solares

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 • Introducción
USO DE LOS DISTINTOS TIPOS DE ENERGÍA EN EL PLANETA (AÑO 2004)
Combustibles fósiles
- Reservas limitadas
Tipo de energía Consumo (TW) Reservas años
Carbón 3.8 2400 - Consumo de O2 en la combustión
Petróleo 5.6 316
Gas 3.5 272 - CO2 → efecto invernadero

ENERGÍAS RENOVABLES
Tipo de energía Electricidad (GW) Térmica (GW) Total (GW)
Hidroeléctrica 816 - 816
Biomasa 44 220 264
Solar 5.4 88 93.4
Eólica 59 - 59
Geotérmica 9.3 28 37.3
Oceánica (mareas, olas) 0.3 - 0.3
Total 934 336 1270

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 • Introducción
USO DE LOS DISTINTOS TIPOS DE ENERGÍA EN EL PLANETA (AÑO 2004)

LÍMITES DE LAS ENERGÍAS RENOVABLES

Tipo Energía Uso corriente Potencial técnico Límite teórico

(GW) (GW) (TW)
Hidroeléctrica 816 1600 4.8
Biomasa 264 >7900 92
Solar 93.4 >51000 124000
Eólica 59 19000 190
Geotérmica 37.3 158000 4440000
Oceánica (mareas, olas) 0.3 6000 235
Total 1270 >238000 >4560000

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 • Introducción

Energía fuente
Tasa de retorno energético =
Energía invertida

Tipo Energía Tasa de retorno energético (2015)

Hidroeléctrica 70
Eólica 20
Solar 12-30
Nuclear 20
Carbón 12
Petróleo 10
Geotérmica 10

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 • Introducción

• Fotovoltaica ENERGÍA LIMPIA. LA ÚNICA POSIBLE

Energía solar CONTAMINACIÓN SE DEBE A LA
• Térmica FABRICACIÓN DE LOS PANELES

• Basadas en semiconductores → unión PN

• Silicio monocristalino EFICIENCIA

~ 25 %
Energía fotovoltaica • Placas inorgánicas • Silicio policristalino
EFICIENCIA
• Silicio amorfo 5% - 10 %

• Paneles con vida media de 25 años

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 • Introducción
RADIACIÓN SOLAR
IRRADIANCIA ESPECTRAL
h = 6.626 10 −34 Js Constante de Planck
2hc 2
I ( ) =
1 W
 m 3  k = 1.38 10 −23 JK −1 Constante de Boltzmann
5 hc
e kT
−1
c = 3 108 ms −1 Velocidad de la luz en el vacío
LEY DE PLANCK

4R
2
 Rs 
2
IT ( ) = I ( ) =   I ( )
s
4D  D 2

• IT() ≡ Irradiancia espectral solar incidente sobre el exterior de la atmósfera terrestre

• D ≡ Distancia Tierra-Sol D = 149.6·109 m

Temperatura de la fotosfera solar
• Rs ≡ Radio del Sol Rs = 6.96·108 m T = 5778 K
• I() ≡ Irradiancia espectral emitida por la fotosfera solar (debido a su temperatura)
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 • Introducción
RADIACIÓN SOLAR
+
I 0 =  IT ( )d  1367 2
W Irradiancia solar incidente sobre el
m exterior de la atmósfera terrestre
0

https://en.wikipedia.org/wiki/Sunlight

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 • Introducción
RADIACIÓN SOLAR
• Parte de la luz solar que llega a la superficie terrestre es absorbida por la atmósfera.

• La cantidad de luz absorbida por la atmósfera depende del camino recorrido a lo

largo de ella → inclinación de los rayos del sol y altura sobre el nivel del mar.
Luz solar
Luz solar
ATMÓSFERA ATMÓSFERA a
l0
a l
l0 ph
l h
p0
TIERRA TIERRA

MASA DE AIRE RELATIVA p0 → presión a MASA DE AIRE ABSOLUTA

nivel del mar
l 1 ph 1
AM = = AM A =
l0 cos(a ) ph → presión a
la altura h
p0 cos(a )
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 • Introducción
RADIACIÓN SOLAR
• En el exterior de la atmósfera obviamente no se producen las mencionadas pérdidas
por absorción → AMA y la masa de aire relativa también se considera nula.

• Hay diversos modelos para estimar la irradiancia que llega a la superficie terrestre en
función de la masa de aire relativa (habitualmente utilizada).

I = 1.1 I 0  0.7 AM 0.678

A nivel del mar

 h(km)  h(km) 
I = 1.1 I 0  1 −   0.7
AM 0.678
+  A altura h (km)
 7.1  7 .1 

• Se suele tomar como valor de referencia AM = 1.5 → a = 48.2º e I ≃ 1000 W/m2

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 • Introducción a los Semiconductores
1782 A. Volta Introduce la palabra “semiconductor”
1833 M. Faraday Descubre que la conductividad de algunos materiales aumenta con la temperatura
1874 F. Braun Primer diodo de vacío

1897 J.J. Thomson Descubrimiento del electrón

1901 V. E. Riecke Descubre que la corriente eléctrica en los metales es debida al movimiento de los electrones

1903 J. Koenigsberg Postula que la resistividad de los semiconductores depende de la temperatura

1931 A. Wilson Propone una teoría de bandas del sólido y el concepto de impurezas donadoras y aceptoras.

1931 W. Heisenberg Concepto de hueco como quasi-partícula de carga positiva

1936 Bell T. Laboratories

Programa de búsqueda para sustituir los conmutadores electromecánicos con otros basados en
semiconductores.

1939 Shockley: dispositivo amplificador basado en semiconductores

1940 Primer fotodiodo basado en la unión pn de silicio

1947 Invención del transistor ( Bardeen, Brattain, Shockley )

1948 Primera radio de transistor

1951 Western Electric: primer transistor comercial (amplificador para auriculares para sordos)
1956 Bardeen, Brattain e Shockley reciben el premio Nobel por el descubrimiento del transistor.

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 • Introducción a los Semiconductores
- Los átomos, moléculas e iones se unen entre sí a través de enlaces químicos formando
especies con una menor energía (tendencia a la mínima energía).

- En los enlaces químicos participan electrones que están en mayor o menor medida
ligados (“atados”) a la estructura del átomo.

- Los principales tipos de enlaces químicos en un sólido cristalino son:

• Iónico: Atracción entre iones con cargas eléctricas de distinto signo.

• Covalente: Uno o más electrones se comparten entre dos átomos alcanzándose así
una configuración más estable.

• Metálico: Los átomos ceden electrones quedando así una red de iones positivos entre
los que aparece una nube de electrones libres (conductividad eléctrica) que a su vez
mantiene cohesionada la estructura.

• Intermoleculares: Puentes de hidrógeno, fuerzas de Vander Waals, etc.

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 • Introducción a los Semiconductores
CONCENTRACIONES DE PORTADORES E IMPUREZAS

LEY DE ACCIÓN DE MASAS n p = n 2

i
n ≡ número de electrones por unidad de volumen ni = concentración intrínseca
p ≡ número de huecos por unidad de volumen 3 Eg
−

1 m k*
3
2
m* ≡ Masa efectiva ni = AT e 2 2 kT

A=  2  h
2    =  Constante de Planck reducida
2
LEY DE LA NEUTRALIDAD ELÉCTRICA N A + n = ND + p
NA ≡ Concentración de impurezas aceptoras NA ≡ Concentración de impurezas donadoras
• Tipo n: NA = 0 y ND >> p → n ≃ ND p  ni2 N D−1
• Tipo p: ND = 0 y NA >> n → p ≃ NA n  ni2 N A−1
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 • Introducción a los Semiconductores
• Región de carga (primera aproximación) • Campo eléctrico (primera aproximación)
r E
E r
N De =
x 
xp REGIÓN p REGIÓN n x p REGIÓN p REGIÓN n xn
xn

− N Ae x p N Ae
• Potencial eléctrico (primera aproximación) 
V e = 1.6·10-19 C → carga elemental

V
E=−
x REGIÓN p
V0 ≡ Potencial de contacto
xp REGIÓN n xn

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 • Introducción a los Semiconductores

pp0  NA nn0  ND
Distribución de las concentraciones
de portadores de carga
np0 pn0
xp xn
qND
r

+
Xp 0 Xn Densidad de carga

-
-qNA

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 • Efecto Fotovoltaico
• Efecto fotoeléctrico: Es un fenómeno que consiste en la emisión (liberación) de
electrones de la superficie de un metal cuando ésta es iluminada con luz (Einstein).
• Los fotones de luz tienen una energía que depende de la frecuencia f o bien de la
longitud de onda  del fotón:

hc • Frecuencia f
c = f E = hf = Energía de fotón con

• Longitud de onda 
• Los fotones transfieren su energía a los electrones libres del metal → abandonan el
metal con una energía que depende no depende de la intensidad sino de f (ó ).

hc
E = hf = Fotones de luz
 Electrones liberados

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 • Efecto Fotovoltaico
• Efecto fotovoltaico: Luz incidente sobre un semiconductor genera corriente/tensión.
• Los fotones de luz incidentes sobre un semiconductor transfieren su energía a
electrones de la B. V., los cuales ganan energía saltando a la B. C. y dejando un hueco en
la B. V. → un fotón crea un par electrón – hueco → los portadores creados son
arrastrados por el campo de la unión → fotocorriente.
• El proceso inverso es la electroluminiscencia: un electrón en la B. C. se recombina
con un hueco en la B. V. perdiendo una energía que se transforma en un fotón de luz
emitida (por ejemplo en diodos LED).
• Creación de par electrón-hueco → absorbe energía
• Transiciones B. V. – B. C.
• Recombinación electrón-hueco → libera energía

• En las transiciones se ha de conservar la energía y el momento lineal

• Momento del fotón p = E/c → valor muy bajo → casi no cambia momento del electrón.

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 • Efecto Fotovoltaico
• Semiconductor de gap directo: La energía mínima de la B. C. y la energía máxima de
la B. V. ocurren aproximadamente para el mismo momento lineal → las transiciones
ocurren mayoritariamente con la mediación de un fotón → ideal para
electroluminiscencia como diodos LED y muy especialmente para diodos LASER.
• Semiconductor de gap indirecto: La energía mínima de la B. C. y la energía máxima de
la B. V. ocurren en distintos momentos lineales → ha de mediar un fonón para la
conservación del momento → más lento, median menos fotones y más fonones/calor.
GAP DIRECTO (GaAs, AlGaAs) GAP INDIRECTO (Si, Ge)
E E
B . C.
B . C.

Transición asistida
Eg Eg por fonón
p p
B . V. B . V.

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 • Efecto Fotovoltaico
• Para que se produzca el efecto fotovoltaico, en particular se ha de conservar la energía
→ la energía del fotón incidente ha de ser igual o superior al gap Eg existente entre la B.
V. y la B. C. para que se pueda producir la transición.

hc
E=
hc
 Eg  Longitud de onda
de corte superior
 Eg
• Los fotodetectores de Si y Ge son adecuados para longitudes de onda grandes
(mayores para el Ge que para el Si) debido a su Eg. En particular, son adecuados para
células solares. Sin embargo, al ser de gap indirecto no son óptimos en términos de
velocidad de detección.

• En términos de velocidad de detección, los fotodetectores de gap directo (como

InGaAs) mejoran las prestaciones. Además absorben fotones más eficientemente que
los de gap indirecto → requieren menores espesores que los de gap indirecto.

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 • Efecto Fotovoltaico
ESQUEMA DE UNA CÉLULA SOLAR

Emisor fino 0.25 μm, tipo n. Peine

de contacto, parte superior, y
lámina conductora, en la parte
inferior para cerrar el circuito.
Grosor del tipo p de 0.5 mm
• Por efecto fotovoltaico los fotones de luz crean pares electrón – hueco que son
arrastrados por el campo eléctrico en la región de carga de la unión p – n, lo cual origina
una fotocorriente (o tensión a circuito abierto) dependiendo de la luz incidente.
e ( ) e() ≡ Tasa de pares e--h+ generados (s-1)
EFICIENCIA e ( ) =
CUÁNTICA EXTERNA  f ,inc ( )
f,inc() ≡ Flujo de fotones incidentes (s-1)
e ( )
EFICIENCIA i ( ) =
CUÁNTICA INTERNA  f ,abs ( ) f,abs() ≡ Flujo de fotones absorbidos (s-1)
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 • Efecto Fotovoltaico
ESQUEMA DE UNA CÉLULA SOLAR
RESPONSIVIDAD i p ( )  A  iP() ≡ Fotocorriente por fotones de  (A)
Rd ( ) =
ESPECTRAL Pinc ( )  W  Pinc() ≡ Potencia incidente por fotones de  (W)

i p () = ee ()

e
Rd ( ) = e ( )
e = 1.6·10-19 C
Pinc ( ) =  f ,inc ( )
hc Carga elemental

hc
int ( ) int() ≡ Tasa de fotones incidentes que llegan al semiconductor tras
 ( ) =
 f ,inc ( ) reflexiones externas, absorción en el vidrio frontal, etc. (s-1)

 f ,abs ( ) = ()[1 − e−a( )d ] f ,inc ( )

a() ≡ Coeficiente de absorción para  (cm-1) e () = ()[1 − e−a( )d ]i ()
d ≡ Grosor (cm)

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 • Efecto Fotovoltaico
ESPECTRO DE ABSORCIÓN DEL Si RESPONSIVIDAD DE UNA CÉLULA DE Si

http://pveducation.org/pvcdrom/solar-cell-operation/spectral-response

Responsividad de una célula ideal  e ( ) =  i ( ) = 1 R d ( ) = 0 . 8 0 5   (  m )

Para longitudes de onda cortas el vidrio frontal absorbe la mayor parte de la radiación.
Para longitudes de onda intermedias el comportamiento se aproxima al ideal. Gap
indirecto (Si) → mediación de fonones → longitud de onda de corte superior no abrupta.

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