Tecnológico de Estudios Superiores de Ixtapaluca

División de Ingeniería Electrónica

Prácticas de Laboratorio de la Materia de Diseño con transistores

Practica de laboratorio Transistor en región corte 2n22a.

Nombre: GONZALEZ MORALES VICTOR ALFREDO
1
 =20
Practica transistor BJT 1
+
1
+
1
+
1
+
1
+
1
+
1
La práctica descrita a continuación consiste en observar el 220 Ω 330 Ω 330Ω 220Ω 220 Ω 100 Ω 100 Ω
comportamiento de un transistor BJT modelo 2N2222A y su forma
de operar en la región de saturación para lo cual utilizamos los Procedemos a calcular los valores correspondientes a las
siguientes requisitos. corrientes Ib ya que Ic para este caso es de 1.72mA con ayuda de
 Transistor 2N2222A. la formula (1.2) obtenemos la corriente de base (Ib).
 Multímetro.
 Fuente CD a 5v. 3.75 v .−0.7 v
 Resistores. Ib=
 Cable UTP. 750 Ω+1020 Ω
Al conectar el transistor con un resistor de 1kΩ a la base (Rb) en Obtenidos los resistores y las respectivas corrientes, pasamos a
paralelo con una R2 de 3k Ω comprobar los cálculos a un programa de simulación de circuitos
obtuvimos una corriente en la base de 1.72mA, una corriente de llamado PROTEUS y los resultados se aproximan a los valores
colector de 86.15mA por la cual circula atreves de un resistor de reales los cuales se muestran en la figura 3 y se muestran los 3
20Ω en el colector (Rc) y observamos que los valores se valores en la tabla 1.5
aproximan a los obtenidos en la simulación.

When connecting the transistor with a resistor of 1kΩ to the base

we obtained a base current of 1.72mA, a collector current of
86.15mA through which it circulates through a 20Ω resistor in the
collector and we observe that the values are close to the obtained in
the simulation.

BJT, Ic, Ib, Resistor. Transistor, Figura 1. Circuito a

desarrollar

Comenzamos conectado los componentes como el diagrama

De la figura 1. Los problemas que se presentaron al hacer esta
conexión fue que no contamos con los resistores de los valores
pedidos , una solución fue diseñar el resistor con diversos
resistores a partir de un arreglo el cual fue en paralelo como se
muestra en la figura 2 y la formula de dicho arreglo (1.1) .
Obtenidas las resistencias Figura 2.- Montaje de circuito físicamente en protoboard.
GONZALEZ MORALES VICTOR ALFREDO. 201527939

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Tecnológico de Estudios Superiores Ixtapaluca, Ing. Electrónica.

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División de Ingeniería Electrónica
Prácticas de Laboratorio de la Materia de Diseño con transistores

GONZALEZ MORALES VICTOR ALFREDO: Ing.

Electrónica, 6° Semestre, 201527939.

Figura 3 Simulación en proteus..

Tabla 1.5.- Valores Obtenidos Por diferentes métodos.

Método Corriente Corriente Voltaje Voltaje
Ib Ic base colector
emisor
Cálculos 1.72mA 86.15mA 1.5V 1.88V
Medición 0.54mA 106.9mA 1.6V 0.9V
Simulació 1.78mA 121mA 1.67V 1.75V
n

1
Ic
1 1 1 …(1.1) Ib= … (1.2)
+ + β
R 1 R 2 Rn

I b = Corriente de la base, mA
I c = Corriente del colector, mA
V b = Voltaje de la base, V
V c = Voltaje del colector, V
Rb = Resistor de la base, Ω
Rc = Resistor del colector, Ω

REFERENCIAS Y BIBLIOGRAFÍA
Adalberto Cantú Chapa, Electrónica 2 diseño con diodos y
transistores “Universidad autónoma Metropolitana”, 1996.

Electrónica física y modelos de circuitos de transistores

Autor: Paul E. Gray

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