Laboratorio 1

Raphael Santiago Belalcázar Pascuaza, Maykol Esteban Jiménez valencia, Juan

Camilo Guetio Delgado
Valle del cauca, institución
universitaria Antonio José
Camacho Cali, Colombia
rbelalcazar@estudiant
e.uniajc.edu.co
mestebanjimenez@estud
iante.uniajc.edu.co
jguetio@estudiante.un
iajc.edu.co

Abstract—In the following report, the development of

the laboratory on BJT polarizations is presented, which
are used to amplify very low signals in large signals, on
the other hand, the real behavior of the transistors is
observed in the different determined connections where
the current and the voltage play an important role,
theoretical and simulated calculations were carried out,
for which the results delivered are based on the multisim
online and proteus programs.

I. INTRODUCCIÓN

En el siguiente informe se presenta el desarrollo del Fig. 1. Esquema circuito 1.

laboratorio sobre polarizaciones BJT los cuales son usados
para amplificar señales muy bajas en señales amplias, por otro
lado, se observa el comportamiento real de los transistores en
las diferentes conexiones determinadas en donde la corriente y
el voltaje juegan un papel importante, se realizaron cálculos
teóricos y simulados, por lo cual los resultados entregados
están basados en los programas multisim online y proteus.
1.1 Desarrollo del circuito implementado.
1.1.1 Montaje.
Para la implementación del circuito 1 (ver fig. 2) se necesitaron
los siguientes materiales: Una fuente de alimentación DC con
varias salidas, 2 transistores 2n3904 y 2 resistencias.

II. OBJETIVOS
 Estudiar el transistor bipolar (BJT).
 Identificar el comportamiento de la corriente en
los transistores.
 Utilizar las polarizaciones del transistor para una
aplicación en particular.
 Utilizar herramientas de simulación para analizar
el comportamiento de los circuitos con
transistores.

III. DESARROLLO

Desarrollo del proyecto Fig.2. Montaje del circuito.

1. Circuito 1.
1.1.2 Mediciones.
Se tomaron las respectivas mediciones de corriente para cada
uno de los elementos que componen el circuito.
- Para el caso del transistor 1: - Para la resistencia de 1kΩ:

Fig. 3. Corrientes transistor 1.

- Para el caso del transistor 2:

Fig. 6. Corriente resistencia de 1kΩ.

1.2 Desarrollo del circuito simulado.

1.2.1 Simulación del circuito.
Para la simulación del circuito 1 se utilizó el simulador
Multisim Online (ver fig. n) el cual nos permite hacer uso de
varios elementos entre ellos los que se necesitaron para resolver
el circuito.

Fig. 4. Corrientes transistor 2.

- Para la resistencia de 10kΩ:

Fig. 7. Simulación circuito 1 en multisim.

Fig. 5. Corriente resistencia 10 kΩ.
1.2.2 Mediciones en la simulación.
Mediante el uso de los amperímetros del simulador tomamos
todas las medidas de corriente que podíamos encontrar en el malla 2
circuito (ver fig. 8).
10 K Ω(−I E 1 )+ 1 K Ω I E 2 +0.7 V =0
10 K Ω (−430 µA ) +1 K Ω I E 2++ 0.7V =0
−4.3V +1 K Ω I E 2+ 0.7 V =0
1 K Ω I E 2=4.3−0.7
I E 2 =3.6 mA
I E 2 =3.6 mA ≌ I C 1
I C 1 3.6 mA
I B 1= =
β 80
I B 1=45 µA

1.4 Tabla comparativa de resultados.

Teórico Simulado Implementado
Fig. 8 Medidas de corriente. IB1 5.37 µA 5.76 µA 2 µA
IC1 430 µA 461.28 µA 469 µA
1.3 Desarrollo del circuito mediante cálculos.
IE1 430 µA 467,05 µA 472 µA
Para poder desarrollar este circuito por medio de cálculos es
importante conocer que es lo que nos pide el ejercicio que IB 2 45 µA 42,46 µA 17 µA
encontremos y para este caso nos pide que debemos encontrar IC 2 3.6mA 3.39 mA 3.89 mA
todas las corrientes que hay en el circuito, para ello es IE 2 3.6mA 3.44 mA 3.68 mA
necesario conocer bien los componentes ya que por ejemplo IR 1 0.42 mA 0.43 mA
sabemos que por las resistencias nada más encontraremos 1 IR2 3.44mA 3.6 mA
valor de corriente sin embargo tenemos también transistores y Tabla 1. Datos circuito 1.
en estos encontramos 3 corrientes distintas las cuales son:
Corriente de base, corriente de colector y corriente de emisor. 2. Circuito 2.

Cálculos

malla 1
10 K Ω I E 1−5+0.7 V =0
( 5−0.7 ) V
I E 1=
10 K Ω
I E 1=430 µA
I E 1=430 µA ≌ I C 1
En este caso por la parte teórica IE y IC se toman como un Fig. 9. Esquema circuito 2.
mismo valor, pero solo en los cálculos teóricos.
2.1 Desarrollo del circuito implementado.
I C 1 430 µA 2.1.1 Montaje.
I B 1= = Para la implementación del circuito 2 (ver fig. 10) se
β 80
necesitaron los siguientes materiales: Una fuente de
I B 1=5.37 µA
alimentación DC con varias salidas, 3 transistores 2n3904, 5
resistencias de las cuales 2 irán conectadas a los puntos A y B
del circuito los cuales pueden tomas 2 valores que son: 0V y
5V.
 - Cuando A esta en 0V y B en 5V:

Fig. 10 Montaje del circuito 2.

2.1.2 Mediciones.
Para este caso nada más se midió Vout que es el voltaje de
colecto del tercer transistor, esta medida se realizó ubicando
una punta del multímetro en el colector del tercer transistor y
la otra punta en la tierra y se repite el proceso para cada uno de
los estados que puede tomar los puntos A y B.
- Cuando A esta en 0V y B en 0V: Fig. 12. A en 0 y B en 5.

- Cuando A esta en 5V y B en 0V:

Fig. 11. A en 0 y B en 0.

Fig. 13. A en 0 y B en 0.
- Cuando A esta en 5V y B en 5V: - Cuando A esta en 0V y B en 0V:

Fig. 16.

- Cuando A esta en 0V y B en 5V:

Fig. 14. A en 5 y B en 5.

2.2 Desarrollo del circuito simulado.

2.2.1 Simulación del circuito.
El segundo circuito fue simulado en proteus (ver Fig. 15) que
es un software de simulación bastante complejo que nos brinda
gran variedad de herramientas para la simulación.

Fig. 17.

Fig. 15. Simulación en proteus.

2.2.2 Mediciones en la simulación.

Mediante el uso de los amperímetros del simulador se tomó la
medida de Vout para cada caso que se pudiera presentar en el
circuito.
- Cuando A esta en 5V y B en 0V: 3. Circuito 3.

Fig. 20. Esquema circuito 3.

3.1 Desarrollo del circuito implementado.

Fig. 18. 3.1.1 Montaje.
Para la implementación del circuito 2 (ver fig. 21) se
- Cuando A esta en 5V y B en 5V: necesitaron los siguientes materiales: Una fuente de
alimentación DC, 3 transistores 2n3904, un transistor de
múltiples emisores que se puede construir usando dos
transistores con los cuales se debemos unir las bases y los
colectores, 4 resistencias y 3 diodos de silicio 1n4004, este
circuito al igual que el circuito 2 (ver Fig. 9) también cuenta
con los puntos variables A y B.

Fig. 21. Montaje circuito 3.

Fig. 19.
3.1.2 Mediciones.
2.3 Tabla comparativa de resultados. Las mediciones requeridas para este caso nada más fueron de
Vout, la cual se tomó ubicando una punta del multímetro en el
A B Vout Vout Vout (Implementado) punto Y que muestra el esquema y la otra punta en tierra, este
(Teórico) (Simulado) proceso se repite para cada uno de los estados que puede tomar
0V 0V 0V 35.7 mV los puntos A y B.
0V 5V 0V 35.7 mV
5V 0V 0V 35.7 mV
5V 5V 5V 5.10V
Tabla 2. Datos circuito 2.
- Cuando A esta en 0V y B en 0V: - Cuando A esta en 5V y B en 0V:

Fig. 24.
Fig. 22.
- Cuando A esta en 5V y B en 5V:
- Cuando A esta en 0V y B en 5V:

Fig. 25.

3.2 Desarrollo del circuito simulado.

Fig. 23. 2.2.1 Simulación del circuito.
Este circuito al igual que el segundo fue simulado en proteus
(ver Fig. 26)
 - Cuando A esta en 0V y B en 5V:

Fig. 26. Simulación circuito 3 en proteus.

3.2.2 Mediciones en la simulación.

Mediante el uso de los amperímetros del simulador se tomó la Fig. 28.
medida de Vout para cada caso que se pudiera presentar en el
circuito. - Cuando A esta en 5V y B en 0V:

- Cuando A esta en 0V y B en 0V:

Fig. 29.
Fig. 27.
- Cuando A esta en 5V y B en 5V:

Fig. 30.
3.3 Tabla comparativa de resultados.
A B Vout (Simulado) Vout (Implementado)
0V 0V 4.35 V 4.41 V
0V 5V 4.35 V 4.41 V
5V 0V 4.35 V 4.41 V
5V 5V 0V 0.18 V
Tabla 3. Datos circuito 3.

IV. CONCLUSIONES
Teóricamente se puede determinar que la corriente en el
colector puede ser igual o similar a la del emisor en un
transistor, pero en este laboratorio podemos determinar que
experimentalmente en el circuito 1, la corriente en el
emisor era menor a la corriente del colector debido a que
en el circuito no solo hay transistores, sino que también
podemos encontrar resistencias, es decir, las resistencias
afectan el voltaje y la corriente y por eso esto tiende a que
la corriente en el emisor y el colector no sean iguales o
similares.

V. REFERENCIAS