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Trabajo Preparatorio de
DIODO SEMICONDUCTOR
(Diciembre de 2021)
Pazmiño Marcos
marcos.pazmino@epn.edu.ec

EPN

TABLA II
ESPECIFICACIONES ELÉCTRICAS DEL DIODO IN4007. [2]
I. DESARROLLO DE LAS PREGUNTAS
SIMBOLOGÍA PARAMETRO VALOR UNIDADES

A. Consultar en un manual adecuado las

características más importantes del diodo a utilizarse 𝑉𝐹 Voltaje 1.1 V
en la práctica (1N4007). delantero

𝐼𝑅𝑅 Corriente inversa 30 𝜇𝐴

A continuación, en la TABLA I, se muestran las características a plena carga
más relevantes del diodo IN4007. máxima completa
TABLA I
CARACTERÍSTICAS DEL DIODO (IN4007) [1] 𝐼𝑅 5 a 500 𝜇𝐴
SIMBOLOGÍA PARAMETRO VALOR UNIDADES Corriente
inversa nominal
𝑉𝑅𝑅 Voltaje Pico 1000 V 𝐶𝑇 15 𝜇𝐹
𝑀 Inverso Capacitancia total

Repetitivo
𝐼𝐹𝐴𝑉 Corriente 1 A
directa B. Esquematizar un circuito con una fuente de voltaje
rectificad
directo, un resistor y un diodo 1N4007
a media
a) polarizado directamente:
𝐼𝐹𝑆𝑀 Pico delantero 30 A
no repetitivo
corriente.
𝑇𝑆𝑇𝐺 Rango de -55 a °C
temperatura de 175
almacenamiento

𝑇𝐽 Temperatura -55 a °C
de 175
funcionamient
o
de la unión

Además, se tiene la TABLA II, que muestra lo siguiente:

Fig. 1. Circuito DC con diodo (1N4007) en polarización directa.

b) polarizado inversamente:
 2

Luego, trabajando con el circuito de la FIG. 4, se tiene:

Fig. 2. Circuito DC con diodo (1N4007) en polarización inversa.

Fig. 4. Circuito DC con diodo (1N4007) en polarización directa.

C. Desarrollar y explicar detalladamente cuales serían
los valores de voltaje medidos sobre la resistencia de carga
en la Figura 3 y en la Figura 4.
En este caso, el diodo estará polarizado en inversa.
Aplicando LKV se tiene que:

−5 + 𝐼(1𝑘) − 0.7 = 0

𝐼(1𝑘) = 5 + 0.7
5.7 𝑉/1𝑘Ω
𝐼=

𝐼 = 5.7 𝑚𝐴

Luego, se tiene por Ley de Ohm, o siguiente:

𝑉1𝑘 = 5.7 𝑚𝐴 ∗ 1𝑘 Ω

𝑽𝟏𝒌 = 𝟓. 𝟕 𝑽
Fig. 3. Circuito DC con diodo polarizado directamente.

D. Desarrollar y explicar detalladamente cuál sería el

Antes de cualquier calculo, se asume de que es un diodo de Silicio. [3] valor de voltaje RMS medido sobre la resistencia de carga
Aplicando LKV se tiene que: en la Figura 4.3 (considerar un diodo ideal).

−5 + 𝐼(1𝑘) + 0.7 = 0

𝐼(1𝑘) = 5 − 0.7

𝐼 =4,3V/1k

𝐼 = 4.3 𝑚𝐴

Luego, se tiene por Ley de Ohm, o siguiente:

𝑉1𝑘 = 4.3 𝑚𝐴 ∗ 1𝑘 Ω Fig. 5. Circuito DC con diodo polarizado inversamente.

𝑽𝟏𝒌 = 𝟒. 𝟑 𝑽
Se tiene que, la forma de onda del voltaje vendrá dado de la
siguiente forma:
 3

0 < 𝑤𝑡 < 𝜋

Debido a que existe en este tramo polarización inversa, se tiene

que:

𝑉0 = 0 𝑉
Luego, para:

𝜋 < 𝑤𝑡 < 2𝜋

𝑉𝑜 = 5𝑠𝑒𝑛(120𝜋𝑡)

Ahora, para el periodo siguiente:

2𝜋 < 𝑤𝑡 < 3𝜋

En esta región nuevamente hay polarización inversa, por tanto:

𝑉0 = 0 𝑉

Luego, para siguiente rango:

3𝜋 < 𝑤𝑡 < 4𝜋

Al existir polarización directa, se tiene que:

𝑉𝑜 = 5𝑠𝑒𝑛(120𝜋𝑡)
De donde se tiene que:

𝑉𝑅𝑀𝑆 = 5 𝑉

II.BIBLIOGRAFÍA
[1] Quilmes, A. (14 de Mayo de 2012). ANGÉLICA 3Q.
Obtenido de ANGÉLICA
3Q:
https://angelika3q.blogspot.com/2010/09/polarizacion-del-
diodo-semiconductor.html

[2] Torres, A. (21 de Agosto de 2017). HARDWARELIBRE.

Obtenido de
HARDWARELIBRE: https://www.hwlibre.com/1n4007/

[3] Apaza, J. L. (19 de Octubre de 2015). TommyTrónica.

Obtenido de TommyTrónica: https://electronica-es-
facil.blogspot.com/p/polarizacion-directa-del-
diodo.html