Universidad Técnica de Cotopaxi
Miguel Guala, Luis Iza, Edison Cañar, Byron Flores
Trabajo de investigación de los semiconductores semiconductores: GTO, BGT, MOSFET y
IGBT
 Tiristor desactivado por
compuerta (GTO).
Son semiconductores discretos que
actúan como interruptores
completamente controlables, los cuales
pueden ser encendidos y apagados en
cualquier momento con una señal de
compuerta positiva o negativa
respectivamente.
 Funcionamiento
Figura ll
Un tiristor GTO, al igual que un SCR
puede activarse mediante la aplicación
de una señal positiva de compuerta. Sin
embargo, se puede desactivar mediante
una señal negativa de compuerta. Un
GTO es un dispositivo de enganche y se
construir con especificaciones de
corriente y voltajes similares a las de un
SCR. Un GTO se activa aplicando a su
compuerta un pulso positivo corto y se
desactiva mediante un pulso negativo
corto. La simbología para identificarlo
en un circuito es la que se muestra en la
figura II
Mientras el GTO se encuentre apagado
y no exista señal en la compuerta, el
dispositivo se bloquea para cualquier
polaridad en el ánodo, pero una
corriente de fuga (IA leak) existe. Con
un voltaje de bias en directa el GTO se
bloquea hasta que un voltaje de ruptura
VAK = VB0 es alcanzado. En este
punto existe un proceso dinámico de
encendido., VAK = 3V y la corriente IA
es determinada por la carga. Cuando el
GTO se apaga y con la aplicación de
una voltaje en inversa, solo una pequeña
corriente de fuga (IA leak) existe. Una
polarización en inversa VAK puede ser
alcanzada cuando ocurra un corte. El
valor del voltaje del voltaje de ruptura
inverso depende del método de
fabricación para la creación de una
regeneración interna para facilitar el
proceso de apagado.
Con un voltaje de polarización directo
aplicado al ánodo y un pulso de
corriente positiva es aplicada al gate, el
GTO se enciende y permanece de esa
forma. Para ésta condición, existen 2
formas de apagarlo. Una forma es
reduciendo la corriente de ánodo IA por
medios externos hasta un valor menor a
la corriente de holding Ih, en la cual, la
acción regenerativa interna no es
efectiva. La segunda forma de apagarlo
es por medio de un pulso en el gate, y
este es el método más recomendable
porque proporciona un mejor control.
 Curvas características de Voltaje y Corriente, GTO

 Dimensionamiento y Control.
 Triac (BJT)
Un TRIAC o Triodo para Corriente
Alterna es un dispositivo
semiconductor, de la familia de los
tiristores. La diferencia con un tiristor
convencional es que éste es
unidireccional y el TRIAC es
bidireccional. De forma coloquial
podría decirse que elTRIAC es un
interruptor capaz de conmutar la
corriente alterna.
 Funcionamiento
Su funcionamiento básico es cerrar un
contacto entre dos terminales (ánodo 1 y
2) para dejar pasar la corriente
(corriente de salida) cuando se le aplica  Curvas características de
una pequeña corriente a otro terminal Voltaje y Corriente,
llamado "puerta" o Gate (corriente de
activación).

Se seguirá permitiendo que la corriente

fluya hasta que la corriente de salida
disminuya por debajo de un valor
determinado, llamada corriente umbral,
o se corte la corriente totalmente de
alguna forma, por ejemplo con un
interruptor o pulsador como luego
veremos.

 Dimensiones y control

Control
 Curvas características de
Voltaje y Corriente.

Mosfet
Es un dispositivo unipolar: la
conducción sólo es debida a un tipo de
portador Los usados en Electrónica de
potencia son de tipo acumulación”
de electrones) del canal P del drenaje y
de la fuente son atraídos hacia la
compuerta y pasan a través del canal N
que hay entre ellos, creando un puente
entre drenaje y fuente. La amplitud o
anchura del puente (y la cantidad de
corriente) depende de la tensión
aplicada a la compuerta. Debido a la
delgada capa de óxido que hay entre la
compuerta y el semiconductor, no hay
corriente por la compuerta. La corriente
que circula entre drenaje y fuente es
controlada por la tensión aplicada a la
compuerta.

 Funcionamiento

Principio de operación del MOSFET

Tanto en el MOSFET de canal N o el de
canal P, cuando no se aplica tensión en
la compuerta no hay flujo de corriente
entre en drenaje (Drain) y la fuente
(Source).
MOSFET de canal N, principio de
operación - Electrónica Unicrom
MOSFET de canal P, principio de
operación - Electrónica Unicrom
Para que circule corriente en un
MOSFET de canal N una tensión
positiva se debe aplicar en la
compuerta. Así los electrones del canal
N de la fuente (source) y el drenaje
(Drain) son atraídos a la compuerta () y  Curvas características de
pasan por el canal P entre ellos. El Voltaje y Corriente
movimiento de estos electrones, crea las
condiciones para que aparezca un
puente para los electrones entre el
drenaje y la fuente. La amplitud o
anchura de este puente (y la cantidad de
corriente) depende o es controlada por
la tensión aplicada a la compuerta.
En el caso del MOSFET de canal P, se
da una situación similar.
Cuando se aplica una tensión negativa
en la compuerta, los huecos (ausencia
 IGBT
El transistor bipolar de puerta aislada
(conocido por la sigla IGBT, del inglés
Insulated Gate Bipolar Transistor) es un
dispositivo semiconductor que
generalmente se aplica como interruptor
controlado en circuitos de electrónica de
potencia.
 Funcionamiento
Consideremos que el IBGT se encuentra
bloqueado inicialmente. Esto significa
que no existe ningún voltaje aplicado al
 Dimencion y control.
gate. Si un voltaje VGS es aplicado al
gate, el IGBT enciende inmediatamente,
la corriente ID es conducida y el voltaje
VDS se va desde el valor de bloqueo
hasta cero. LA corriente ID persiste
para el tiempo tON en el que la señal en
el gate es aplicada. Para encender el
IGBT, la terminal drain D debe ser
polarizada positivamente con respecto a
la terminal S. LA señal de encendido es
un voltaje positivo VG que es aplicado
al gate G. Este voltaje, si es aplicado
como un pulso de magnitud aproximada
de 15, puede causar que el tiempo de
encendido sea menor a 1 s, después de
lo cual la corriente de drain iD es igual
a la corriente de carga IL (asumida
Control
como constante). Una vez encendido, el
dispositivo se mantiene así por una
señal de voltaje en el gate. Sin embargo,
en virtud del control de voltaje la
disipación de potencia en el gate es muy
baja.
EL IGBT se apaga simplemente
removiendo la señal de voltaje VG de la
terminal gate. La transición del estado
de conducción al estado de bloqueo
puede tomar apenas 2 micro segundos,
por lo que la frecuencia de conmutación
puede estar en el rango de los 50 kHz.
EL IGBT requiere un valor límite
VGS(TH) para el estado de cambio de
encendido a apagado y viceversa. Este
es usualmente de 4 V. Arriba de este
valor el voltaje VDS cae a un valor bajo
cercano a los 2 V. Como el voltaje de
estado de encendido se mantiene bajo, Dimenconamiento y Control.
el gate debe tener un voltaje arriba de
15 V, y la corriente iD se autolimita.
El IGBT se aplica en controles de
motores eléctricos tanto de corriente
directa como de corriente alterna,
manejados a niveles de potencia que
exceden los 50 kW.

Control

 Curvas características de
Voltaje y Corriente