Nombre de la institución

Universidad del sur

Nombre del alumno

Jesús Isabel Hernández Moreno

Nombre de la asignatura
Circuitos eléctricos y electrónicos.

Nombre de la licenciatura y cuatrimestre.

Licenciatura en ingeniería en sistemas computacionales
2do cuatrimestre

Lugar y fecha
Tuxtla Gutiérrez Chiapas 18 de marzo del 2022

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Índice
introducción …………………………………………………………………… 3
ventajas y desventajas …………………………………………………………… 4
bibliografía …………………………………………………………………………. 7

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Introducción
Los circuitos eléctricos o electrónicos son un conjunto de componentes que se encuentran
interconectados entre sí formando como mínimo un camino cerrado por el cual puede circular
el flujo de corriente. Dicho circuito puede estar conformado por diferentes tipos de elementos
como fuentes, interruptores, condensadores, bobinas, diodos, motores, etc.

El funcionamiento de estos circuitos eléctricos varía dependiendo de los elementos que lo

compongan, así como del tipo de fuente que se esté utilizando para alimentar el circuito, por
ejemplo un circuito que contenga un condensador va a funcionar de una forma si su
alimentación es una fuente de corriente continua y de otra forma diferente si su alimentación
es una fuente de corriente alterna
Un circuito eléctrico es aquel que contiene elementos pasivos y activos conectados entre sí;
es una interconexión de elementos eléctricos unidos entre sí en una vía cerrada para que
pueda fluir la corriente eléctrica constantemente. Por un lado los circuitos se usan en la
generación, transmisión y consumo de la potencia eléctrica y la energía, y por otro lado se
emplean en la codificación, decodificación, almacenamiento, transmisión y procesamiento
de datos. Las variables básicas en un circuito eléctrico son la corriente y el voltaje. Estas
variables describen el flujo de carga a través de los elementos de un circuito y la energía
requerida para que la carga fluya.

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 Componentes Ventajas DESVENTAJAS
Amplio ancho de banda Baja eficiencia por debajo de unos 10
GHz
Alta fiabilidad
Estabilidad pobre - la frecuencia varía
Bajo costo de fabricación con el sesgo y la temperatura
Diodos Rendimiento de ruido justo (no utiliza el Ruido de FM alto para algunas
principio de avalancha). aplicaciones
Voltaje de funcionamiento relativamente Pequeño rango de sintonía
bajo

Ligeros: de fácil portabilidad Tiempo de vida: La vida útil de los

dispositivos orgánicos es inferior a los
Flexibilidad: menos frágiles que los tradicionales LCD. Esto es debido a la
semiconductores inorgánicos que se decoloración (bleachingen inglés) de las
depositan sobre sustratos rígidos y planos. moléculas orgánicas que emiten luz de
color.
MATERIALES La facilidad de fabricación y ensamblaje: los
SEMICONDUCTOR semiconductores son en general fácil y Desechables: La industria de
económicos de fabricar en el laboratorio. La semiconductores orgánicos considera,
ingeniería química puede desarrollar debido a su bajo costo y facilidad de
moléculas que se auto ensamblen. Estos fabricación, la posibilidad de fabricar
métodos de fabricación contrastan con el dispositivos electrónicos desechables.
proceso de fabricación más difícil y costoso Hay dudas acerca del aspecto ecológico
de las tecnologías inorgánicas; calentar a de esta fabricación.
temperaturas muy altas

Toma las características de un diodo Cuando recibe demasiada corriente

rectificador básico puede llegar a quemarse
Este diodo se comporta como un diodo
Diodos Zener. convencional en condiciones de alta corriente

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 En activa. Permite el paso de más o menos Generan un nivel de ruido muy alto con
corriente (modulada) hacia el colector y, por respecto a los FET
lo tanto, de vuelta al circuito.
Generan gran temperatura a
En corte. Impide el paso de toda la corriente. comparación de los FET
Son más fáciles de fabricar que los BJT
En saturación. Permite el paso íntegro de la
corriente. pues precisan menos pasos y permiten
integrar más dispositivos en un CI
TRANSISTOR Los BJT tienen una baja impedancia de
entrada a comparación con los EFT que
tienen una Impudencia de entrada muy
elevada.

Puede operar y conmutar los dos medios Están disponibles en clasificaciones

ciclos de una forma de onda de CA. más bajas en comparación con los
tiristores.
En comparación con la configuración de
tiristor antiparalelo que requiere dos Se requiere una consideración
disipadores de calor de tamaño ligeramente cuidadosa al seleccionar un circuito de
más pequeño, un triac necesita un único activación de compuerta ya que un triac
disipador de calor de tamaño ligeramente puede activarse en ambos adelante y
mayor. Por lo tanto, el triac ahorra espacio y condiciones de polarización inversa.
costo en aplicaciones de alimentación de CA.
TRIAC Tienen una baja calificación dv/dt en
En las aplicaciones de CC, los SCR deben comparación con los tiristores.
conectarse con un diodo paralelo para Estos tienen frecuencias de
proteger contra el voltaje inverso. Pero el conmutación muy pequeñas.
triac puede funcionar sin un diodo, es posible
un desglose seguro en cualquier dirección. Los triacs son menos confiables que
tiristores.

Requiere poca corriente de gate para disparar No pueden operar a altas frecuencias
una gran corriente directa
Pueden dispararse por ruidos de tensión
SCR. Puede bloquear ambas polaridades de una
señal de A.C. Tienen un rango limitado de operación
con respecto a la temperatura
Bloquea altas tensiones y tiene caídas en
directa pequeñas

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 Mayor variación de características
Menor sensibilidad a la temperatura
DIAC Menor potencia del circuito de disparo
Solo un pulso de alta potencia para asegurar
el disparo, el capacitador "C" es de pequeña
capacidad
No se requiere un TRIAC demasiado sensible
Son dispositivos controlados por tensión con Los FET presentan una respuesta en
una impedancia de entrada muy elevada
(107 a 1012 ohmios).
Los FET son más fáciles de fabricar que los
BJT pues precisan menos pasos y permiten
integrar más dispositivos en un CI.
FET
Los FET de potencia pueden disipar una
potencia mayor y
conmutar corrientes grandes.
Consumo en modo estático muy bajo.
Tamaño muy inferior al transistor bipolar
(actualmente del orden de media micra).
Gran capacidad de integración debido a su
MOSFET reducido tamaño.
Funcionamiento por tensión, son controlados PMOS dado tendrá un RDSontres veces
por voltaje por lo que tienen una impedencia más arriba que un N-MOSFET con las
de entrada muy alta. La intensidad que
circula por la puerta es del orden de los
nanoamperios.
Es un dispositivo con una baja potencia
muy reducida en el control
Trabajan a frecuencias pequeñas como
máximo la frecuencia de la red
monofásica
frecuencia pobre debido a la alta
capacidad de entrada.
Los FET presentan una linealidad muy
pobre, y en general son menos lineales
que los BJT.
Los FET se pueden dañar debido a
la electricidad estática. En este apartado
se estudiarán brevemente las
características de ambos dispositivos
orientadas principalmente a sus
aplicaciones analógicas.
Es el funcionamiento pobre del en-
estado (encendido): utiliza los huecos
como portadores de la carga, que tienen
una movilidad mucho más baja que
electrones.
Pues la resistencia se relaciona
directamente con la movilidad, un
mismas dimensiones.
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Bibliografía
Charles K, A. y Matteu S. (2006). Fundamentos de circuitos eléctricos, México. DF:
McGraw-
Hill interamericana.

Floyd Thomas L. (2007). Principios de Circuitos Eléctricos, 8ª. Edición. Pearson Prentice
Hall,
México

Boleystad Robert. (2009) Electrónica Teoría de Circuitos, 5ª. Edición, Prentice Hall