Instituto Tecnológico de Tláhuac

“La esencia de la grandeza en nuestras raíces”

Carrera
Ingeniería en Sistemas Automotrices
Asignatura
Electrónica de Potencia
Docente
Sánchez Morales Luis Daniel
Alumno
León Damián Kevin Gustavo
Grupo
7U2

Ciudad de México a 14 de Septiembre del 2023

Índice

Índice Pág. 1
Índice de figuras Pág. 2
Introducción Pág. 3
1.1 Diodo de Potencia Pág. 4
1.2 Transistores de potencia Pág. 5
1.2.1.1 BJT Pág. 5
1.2.2 MOSFET Pág. 6
1.2.3 IGBT Pág. 6
1.3 Diodos de Potencia Pág. 7
1.4 Joules Pág. 18
1.5 Equilibrio térmico Pág. 19
1.6 Ley de ohm Pág. 21
1.7 Leyes de Kirchhoft Pág. 23
Conclusión Pág. 25

Pág. 1
Índice de Figuras

Imagen 1. Transistor BJT Pág. 5

Imagen 2. Mosfet Pág. 6
Imagen 3. IGBT Pág. 7

Pág. 2
Introducción

En la rama de la ingeniería se sabe que no podemos tener errores, si no

tomamos en cuenta todo el panorama podríamos provocar fallas y errores en
los problemas que se lleguen a presentar día con día.

Los temas que se verán a continuación son de utilidad para tener un repaso
ya que son temas repetitivos y que en la industria automotriz se verán en
diversos rublos. Aprender cada formula servirá para no tener complicaciones
en los problemas que se presentan.

Se verán temas como las leyes de Ohm, leyes de Kirchhoft y fórmulas para
poder resolver el voltaje, resistencia e intensidad de diversos circuitos. De
igual forma se logran ver circuitos los cuales requieren de un análisis preciso
ya que un valor ignorado desencadenara errores fatales.

Pág. 3
Desarrollo

Evaluación
Examen 50%
Asistencia 25%
Firmas 25%

Unidades
18-22 de Septiembre = 8 clases
16-20 de Octubre = 6 clases
13-17 de Noviembre = 6 clases
27-1 de Diciembre = 2 clases

1.1 Diodo de Potencia

Se caracterizan porque en estado de conducción deben ser capaces de

soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión.
En sentido inverso deben ser capaces de soportar una fuerte tensión
negativa de ánodo con una pequeña intensidad de fugas.

De igual forma es un dispositivo semiconductor que actúa esencialmente

como un interruptor unidireccional para la corriente.

Pág. 4
1.2 Transistores de Potencia

Los transistores de potencia son despóticos semiconductores que tiene

una estructura de funcionamiento igual a los transistores normales, pero
con la característica de poder percibir y generar altas potencias.

Existen 3 tipos de transistores:

-Transistor de contacto puntual
-Transistor de unión bipolar
-Transistor de efecto campo

1.2.1 BJT

Los Bipolar Juction Transistor son dispositivos semiconductores de

estado sólido que permiten controlar el paso de corriente o disminuir
voltaje a través de sus terminales.

Utilizados como interruptores electrónicos, amplificadores de señales

o como conmutadores de baja potencia. Como se muestra en la
Imagen 1.

2N

3906

B331

Imagen 1. Transistor BJT

Pág. 5
1.2.2 Mosfer

El transistor de efecto de campo metal-oxido-semiconductor o

MOSFET es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales
electrónicas.

Es el más utilizado en la industria microelectrónica ya sea en circuitos

analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar, fue
popular en otro tiempo. Como se muestra en la imagen 2.

Infineon

To-247

650V CoolSiC

MOSFET

Imagen 2. Mosfet

1.2.3 IGBT

Insulated-gate bipolar transistor es un dispositivo semiconductor que

se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de
potencia.

Pág. 6
 Posee las características de las señales de puerta de los transistores de
efecto campo con la capacidad de alta corriente bajo voltaje de
saturación del transistor bipolar.

Imagen 3. IGBT

1.3 Diodos de Potencia

Deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una caída de
tensión.
Diodo LED
-Dos pastillas de conexión larga y corta
-Larga positiva y Corta negativa
-Conectar al contrario no funcionara
Diodo ZENER
-Mantener un voltaje constante en sus terminales
-Reguladores de tensión y voltaje para determinar tensiones y
resistencias
Foto diodo
-Responde los cambios de obscuridad a iluminación y viceversa
Pág. 7
 Diodo de Potencia

Deben ser capaces de
soportar alta tensión
Son capaces de
Dispositivos
soportar una fuerte
semiconductores que
tensión negativa de
actúa como interruptor
ánodo

Una pequeña
Semiconductor intensidad de
fugas

Permite una tensión

alta, está en dos
circuitos de un
automóvil

Diodo
Diodo LED Diodo ZENER Foto Diodo
Rectificador

Pág. 8
 Es un
semiconductor el
Aplicación
cual soporta
tensión negativa

-Tensión negativo
Diodo
de Característica -Soporta altas tensiones
poten
-Pequeña Intensidad de fuga
cia

-MOSFET
Tipos
-BJT

-IGBT

Inicio

Diodos de
potencia

¿Es un dispositivo No tiene la estructura de un

semiconductor? diodo

Tiene un cátodo y un ánodo

Soporta tensión negativa Fin

Pág. 9
 Transistores de
Potencia

Funciona como un
Puede pertenecer en
interruptor en la
modo de conducción
configuración de emisor
abierta
común

Un transistor bipolar
tiene tres terminales;
base, emisor y colector Los transistores de alta
potencia son menores
de 10KHz
 Funciona como
Aplicación interruptor

Transi -Base común BC

stores Tipos -Emisor común EC
de
Potenc -Colector comun
ia
-Tiene 3 terminales
Características
-Potencia menor a 10kHz

-Puede hacer una conducción abierta

Inicio

Transistores de
potencia

Cuenta con una base, emisor, colector

Es un transistor de
potencia No cumple con los requisitos
de un transistor de potencia

Utilizado como interruptor Fin

Pág. 11
 BJT

Bipolar Juction
Transistor son
dispositivos
semiconductores

Utilizados como
Son de estado slido que interruptores eléctricos,
permite controlar el paso de amplificadores de señales o
corriente o disminuir voltaje conmutadores

Electrónico Estado solido

Controla paso de corriente

Pág. 12
 En su mayoría de
usos se utilizan
Aplicación
como interruptor
o amplificador

-Base común BC
Tipos -Emisor común EC
BJT
-Colector comun

-De estado solido

Características
-Controla el paso de corriente

-Disminuir voltaje

Inicio

Es de estado solido No tiene las condiciones

necesarias

Es un transistor bipolar
Se busca otro dispositivo

Permite controlar el caso de corriente a Fin

través de sus terminales
Pág. 13
 Mosfet

Transistor de efecto de campo

metal-oxido-semiconductor igual se
conoce como MOSFET

Utilizado en la industria
microelectrónica Utilizado en circuitos Utilizado en
analogicos circuitos digitales

Es un aparato unipolar que funciona por

medio de tensión esto debido a su
capacidad

Amplificación de señales Conmutación señales

de aplicación electrónicas
 Actúa como un interruptor
Uso proporcionando señales de un
voltaje determinado

-Utilizado en circuitos
MOSF Aplicación
integrados
ET

Este compuesto por tres piezas

Características específicas. La puerta cierra y abre la
tensión

Inicio

¿Qué es? No funciona para la aplicación

Metal-oxido-semiconductor

Amplificar o conmutar señales Fin

electronicas
Pág. 15
 IGBT

Transistor bipolar de puerta aislada es un

dispositivo semiconductor que se activa como
interruptor controlado en circuitos de electronica

Tiene diversas aplicaciones

industriales y se automatiza

Electrodomésticos Frigoríficos

Aire acondicionado Pág. 16

 Transistor bipolar semiconductor
Uso como un interruptor

Electrodomésticos
Aplicación Aire acondicionado
IGBT
Frigoríficos

Tiene diversas aplicaciones

Características industriales y de automatización

Inicio

Transistor bipolar que

cuenta con 3 terminales No es bipolar

Se busca otro transistor

¿Es semiconductor?

Aplicación industrial y automatización Fin Pág. 17

1.3 Joules
1.4 Joules
Joul: Fenómeno por el que los electrones en movimiento de una corriente
eléctrica impacta con el material
Calor: Energia que se transfiere entre dos cuerpos en contacto

∆𝑈 = 𝑄 − W

ΔU=Igual a la variación
Q=Calor que entra o sale del sistema medidos en calorías Joules
W=Trabajo efectuado por el sistema sobre este expresado en calorías

Determina la variación de la energía interna del diagrama eléctrico mostrado

a continuación en donde recibe desde la batería 50cal y se aplica al trabajo
de -100J
ΔU=Q-W
Q=50cal –(-100)
Q=150cal
Es un sistema que suministra corriente al switch genera un trabajo de -100J y
este libera 40cal hacia los alrededores ¿Cuál es la variación de la energía
interna?

Q= -40cal
W=-100J
ΔU=Q-W
Q=(-40-(-100J))
Pág. 18
Q=60.00J
Un componente eléctrico al recibir un trabajo de 170J sufre una variación de
energía interna a 80J, determina la cantidad de calor

Q=ΔU-W
=80J+(-170J)
=-90J

1.5 Equilibrio termico

La cantidad de calor (Q) que gane o pierde un cuerpo de masa (m) se
encuentra con la formula
Q=m*Ce* Δt
Q=Cantidad de calor que se gana o pierde (cal)
m=Es la masa del cuerpo en estudio (gramos)
C=Calor especifico del cuerpo (Cal/gr*C°
Δt=Variación de la temperatura (TF-Ti)(°C)
Q1=Q2
Q1=Cantidad de calor ganado
Q1=Cantidad de calor perdido
Cual será la temperatura de 2 cables de cobre en la cual los 2 tienen el mismo
peso de 0.05kg pero uno de ellos tiene una temperatura de 20°C y el otro
40°C

Pág. 19
 -Capacidad calorífica del cobre 1cal/gr*°C
-El cable que está a 20° ganara temperatura
-El cable que está a 40° perderá temperatura
Q=50gr(1cal/gr°C)(Tf-20°C)(Tf-20°C)(90°C-Ti)
(Tf-20°c)=(40°C-Ti)
(Tf-Ti)=40°C+20°C
Tf+Ti 60°C
2T=60°C
T=60/2
T=30°C

Cual sera la temperatura final entre 2 cables que derivan de la bobina, 1 tiene
un peso de 0.1kg y al abrir el switch se genera una temperatura de 77°F, el
segundo cable tiene un peso de 75gm y el encender el auto el cable se clienta
hasta los 40°C
Masa=0.1kg
Ti=77°f
masa= 74cm
T2=-40°C
Q=100gr(1cal/gr°C)(Tf-25°C)=75gr(cal/gr/g°C

(Tf-°C) =(40°C-Ti)

Tf-25°C+Tc=40°

Tf+Ti=40°C+25°C= 65°C/1.333

Pág. 20
Cual será la temperatura final de un capacitor en la cual tiene un peso de
50gm y está a 20°C antes de que encienda el motor, el componente eléctrico
está situado en la computadora en donde tiene un pesos de 110 y este llega a
40°C después de encender el moto

Masa=50gr
Ti=20°C
masa= 110gm
T2=-40°C
Q=50gr(1cal/gr°C)(Tf-20°C)=110gr(1cal/gr°C)(40°C-Ti)

50/110(Tf-20°C) =(40°C-Ti)

Tf-20°C+Ti=40°C

Tf-Ti=40°C-20°/0.4545

2T=132.01°C

T=66°C

1.6 Ley de ohm

Se usa para determinar la relación entre tensión c0orriente y resistencia

dentro de un circuito. Cuando se anuncia de forma explícita sig. que la
tensión es igual a la corriente por la resistencia o voltios=amperior=ohmios

Que voltaje se necesita para poder girar una marcha que necesita
0.2amperer de corriente y en el embobinado de la marcha cuenta con una

Pág. 21
resistencia de 750Ohm

i=0.2

r=75 v=i*r = 0.2*75 v=15

v=?

Un sensor de flujo contiene un transistor interno en la cual consume 5v de la

computadora y al realizar las mediciones con multímetro se verifica que hay
una corriente de 0.3 amper cual es la resistencia del sensor

V=5

I=0.3 V=i*R

R=? R=v/i

R=5/0.3

=16.6r

Un componente del tablero requiere 2 voltages, el de batería y 5v de la

computadora y en la cual su suministro de encuentra en serie. El
componente del tablero contiene una resistencia de 80Ohm. Cuanta
corriente fluye

v=5v

r=80 i=v/r = 17/80ohm

i=? I=0.02125

Pág. 22
1.7 Leyes de Kirchhoft
Describen el comportamiento de la corriente en un mundoy del voltaje
alrededor de la mall. La ley de nodos, en el cualquier nodo las sumas de las
corrientes que entran en ese nodo es igual a la suma de corrientes que salen.

La ley de circuito o segunda ley nos menciona que la suma algebraica de las
diferencias de potencial eléctrico en un circuito cerrado es igual a 0

En el sistema de direccionales de un automóvil se necesitan calcular las

intensidades en i1, i2 y i3, el voltaje intermedio entre ellas

Calculas las intensidades de las corrientes sobre el nodo de acuerdo a las

resistencias

9Ω 9Ω 9Ω 9Ω

v v v v

9Ω 9Ω

v v
- + - +
8v 9v

38Ω v v

v
- + - +
12v 5v

v v

17𝑣 − 𝑉𝐴 17v − VA VA − VB
= + =
27 27 38
17𝑣 VA 17 𝑉𝐴 VA
= − + − =
27 27 27 27 38
Pág. 23
 17𝑣 17v VA 𝑉𝐴 VA
= + = + +
27 27 27 38 27

27/27=1x17=17
27/27=1xVA=VA
27/38=0.7105xVA
27/27=1x17=17
27/27=1xVa=Va
17+17/27=Va+0.7105+Va/27
34=2.7105Va
35/27105=VA
VA=12.5438

Pág. 24
Conclusión

Se logran desarrollar diversas actividades las cuales se pueden utilizar en el

día a día, contemplar cada despeje en los temas es de utilidad para tener un
resultado aceptable.

De igual forma se puede visualizar que el tener un buen análisis en los

problemas es de importancia, no tomar en cuenta un valor o algún
parámetro desatara errores lineales. Tomar en cuenta las múltiples leyes de
la electrónica simplificara problemas.

Tener conocimiento básico al momento de despejar alguna fórmula lograra

un procedimiento sencillo y sin complicaciones.

Pág. 25