Ingeniería Electrónica

Física de Semiconductores
Unidad No 3. “Dispositivos de Unión”
Cuadro Comparativo No. 2 “Cuadro comparativo sobre los dispositivos de Unión”

Nombre del Alumno: Gaspar Alejandro Canche Solis Semestre: 3

Nombre del Profesor: Ing. Jesús Eduardo Cárdenas Ortega Fecha: 05/Noviembre/2021
Calificación: Firma de conformidad:
(35 puntos Totales)

Competencia: Con el cumplimiento de esta actividad el alumno desarrollará las competencias, Habilidad
básica del manejo de la computadora.

Actividad: El alumno elabora un cuadro comparativo de los diferentes dispositivos de unión, usando como
parámetros de comparación las características de diseño, explicando las diferencias en el funcionamiento de los
dispositivos de unión a partir de las características de diseño y entrega evidencias en Classroom.
Los dispositivos de Unión son los siguientes.
3.1. Diodos.
3.1.1. Diodo.
3.1.2. Diodo Zener.
3.1.3. Diodo Túnel.
3.1.4. Diodo varactor.
3.1.5. Diodo PIN.
3.1.6. Diodo Schottky.
3.1.7. Diodo Avalancha.
3.1.8. Fotodetectores.
3.1.9. Foto emisores.
Diodos
Nombre Foto Características de Funcionamiento
diseño
Diodo Este tipo de diodos Es un dispositivo
(normalmente de silicio) semiconductor que
soportan elevadas permite el paso de la
temperaturas (hasta 200ºC en corriente eléctrica en
la unión), siendo su una única dirección
resistencia muy baja y la con característica
corriente en tensión inversa similares a un
muy pequeña. Se pueden interruptor
construir diodos de pequeñas
dimensiones para potencias
relativamente grandes,
desbancando así a los diodos
termoiónicos desde hace
tiempo. Sus aplicaciones van
desde elemento indispensable
en fuentes de alimentación
como en televisión, aparatos
de rayos X y microscopios
electrónicos, donde deben
rectificar tensiones altísimas.
En fuentes de alimentación se
utilizan los diodos formando
configuración en puente (con
cuatro diodos en sistemas
monofásicos), o utilizando los
puentes integrados que a tal
efecto se fabrican y que
simplifican en gran medida el
proceso de diseño de una
placa de circuito impreso.
Diodo Zener El diodo podrá cambiar de Es un diodo de silicio
una zona a la otra en ambos fuertemente dopado 1
sentidos sin que para ello el que se ha construido
diodo resulte dañado, esto es para cada función en
lo que lo diferencia de un las zonas de rupturas
diodo de unión como el que
estudiamos en la práctica
anterior y es lo que le da al
diodo zener su característica
especial. El progresivo
aumento de la polarización
inversa hace crecer el nivel
de corriente y no debe
sobrepasarse un determinado
nivel de tensión especificado
por el fabricante pues en caso
contrario se dañaría el diodo,
además siempre debemos
 tener en cuenta la máxima
potencia que puede disipar el
diodo y trabajar siempre en la
región de seguridad.
Diodo Túnel Un diodo de túnel es un gran Es un diodo
conductor en la dirección semiconductor que
opuesta. Además, la tiene una unión Pn, en
resistencia es menor para la cual se produce el
poca tensión directa. efecto túnel que da
En el actual yoP conocido origen a una
como pico de corriente conductancia
corresponde al voltaje VP, el diferencial negativa en
cambio en la relación de un cierto intervalo de
corriente a voltaje (dI / dV) las características
permanece en 0. El diodo corriente-tensión.
túnel muestra una
característica de resistencia
negativa que involucra la
corriente máxima IP y valor
mínimo y oV conocida como
la corriente del valle.
Diodo Varactor Diodos varactores están El diodo de capacidad
diseñados para proporcionar variable o Varactor
la capacitancia controlada por (Varicap) es un tipo de
voltaje a través de la diodo que basa su
operación bajo polarización funcionamiento en el
inversa. Ruptura inversa de fenómeno que hace
un diodo se define por la que la anchura de la
tensión mínima inversa barrera de potencial en
requerida para hacer la una unión PN varíe en
conducta diodo en inversa. A función de la tensión
medida que aumenta inversa aplicada entre
polarización inversa, la sus extremos. La
capacitancia disminuye; la tensión inversa mínima
tensión máxima que un diodo tiene que ser de 1 V.
varactor puede resistir se
determina por su nivel
máximo capacitancia. La
polarización inversa de la
mayoría de los diodos
varactores opera desde
alrededor de unos pocos
voltios hasta
aproximadamente 20 voltios,
con algunas excepciones
raras funcionamiento de hasta
60 voltios. A medida que
aumenta la tensión de un
diodo varactor, suministros de
energía específica deberá ser
establecida por los circuitos
de conducción del diodo.
Diodo PIN Este diodo incluye tres capas
compuestas por la región P,
una región intrínseca y una
región N. Aquí, la formación
de la región P puede hacerse
mediante el dopaje de
impurezas trivalentes hacia el
semiconductor. La región n
puede formarse mediante el
dopaje de impurezas
pentavalentes hacia el
material semiconductor. En
este caso, la región
semiconductora intrínseca no
es un material dopado.
Es una estructura de
tres capas, siendo el
intermedio
semiconductor
intrínseco, y las
externas, un tipo P y el
otro tipo N (estructura
P-I-N que da nombre al
diodo)

Diodo El lado metálico de la unión Es un dispositivo

Schottky forma el electrodo anódico y semiconductor que
el lado semiconductor es el proporciona
cátodo. Cuando está conmutaciones muy
polarizado en la dirección rápidas entre los
directa, la caída máxima de estados de conducción
voltaje directo está en el directa e inversa y muy
rango de 0,2 a 0,5 voltios, bajas tensiones
dependiendo de la corriente umbral.
directa y el tipo de diodo. La
otra característica importante
de estos diodos es su tiempo
de conmutación muy rápido. A
diferencia de los diodos
estándar que tardan en
eliminar la carga de la capa
de agotamiento cuando se
cambia de una condición de
encendido a apagado.

Diodo El diodo de avalancha está Es un dispositivo

Avalancha conectado al circuito de semiconductor
manera que es polarizado diseñado
inversamente. En otras especialmente para
palabras, su cátodo es trabajar en tensión
positivo con respecto a su inversa
ánodo. En esta configuración,
el diodo es no conductor y no
interfiere con el circuito. Si la
tensión aumenta más allá del
límite de diseño, el diodo
entra en ruptura por
avalancha, causando la
tensión perjudicial para
llevarse a cabo a tierra.
Fotodetectores Los fotodetectores son
dispositivos que responden
de una u otra forma a
cualquier tipo de radiación
óptica, incluyendo la luz
visible, infrarroja, ultra violeta,
etc. y las convierten en
señales eléctricas. Estos son
utilizados en múltiples
aplicaciones, incluyendo
instrumentación médica,
enconderse (codificadores),
censado de posiciones,
sistemas de comunicaciones
de fibra óptica, y
procesamiento de imágenes;
todo esto sin necesidad de un
contacto físico directo.
Foto emisores Las características de los
dispositivos foto emisores
condicionan en gran medida
el funcionamiento de un
sistema de comunicaciones
ópticas. Todo ello indica el
interés en disponer de
procedimientos de medida
que permitan obtener
fácilmente las características
de estos dispositivos. Para
realizar estas medidas, es
necesario disponer de
circuitos de polarización,
modulación y detección
adecuados.
Un fotodetector es un
sensor que genera una
señal eléctrica
dependiente de la luz u
otra radiación
electromagnética que
recibe. Algunos están
basados en el efecto
fotoeléctrico, otros en
el fotovoltaico, otros en
el fotoelectroquímico y
otros en la
fotoconductividad.
es un pequeño
dispositivo compuesto
por electrones y
huecos. Mediante
procesos químicos,
son estimulados para
crear una luz que
emerge de su lente y
focaliza este haz en la
dirección deseada.