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ESTABILIDAD DE POLARIZACIÓN

INTRODUCCIÓN.- en la práctica, en el diseño de circuitos con transistores se
establece cuidadosamente el punto de reposo “Q” para que el transistor
funcione en un margen determinado y para que se cumpla la linealidad (y a
veces una excursión lineal máxima) y no se sobre pase la potencia P
Cmax
.
Diseñado el circuito, es necesario comprobar las variaciones del punto de
reposo debido a las oscilaciones de temperatura y los parámetros de un
transistor a otro. Estas variaciones deben de mantenerse dentro de límites
aceptables tal como determinan las normas o especificaciones.
Entre los parámetros independientes que pueden producir un desplazamiento
del punto Q en un transistor de unión están los siguientes.
1. La amplia variación de amplificación de corriente β (5 a 1 ó más) en un
tipo particular d transistor.
2. Variación de la corriente de corte de colector I
CBO
debido a su
dependencia de su temperatura.
3. Variación de la tensión base-emisor en reposo V
BEQ
debidas a su
dependencia de la temperatura.
4. Variaciones de las tensiones de alimentación debidas a una imperfecta
regulación.
5. Variación de las resistencias debidas a la tolerancia y/o a los efectos de
la temperatura.
Alguno de estos parámetros, por ejemplo, los efectos de temperatura, son
importantes para todos los diseños mientras otros, por ejemplo, la tolerancia de
las resistencias y la variación de β, son más importantes cuando se trata de
una producción en serie de cierto número de amplificadores idénticos.
En un FET, la tensión umbral y el parámetro de corriente k son funciones de la
temperatura, estos parámetros también varían algo entre una y otra unidad a
conciencias de la diferencias de fabricación.
En este capítulo estudiaremos todos estos factores, así como los métodos para
neutralizar el efecto de sus cambios sobre el punto de reposo.
DESPLAZAMIENTO DL PUNTO DE REPOSO DEBIDO A LA
INCERTIDUMBRE DE β
Cuando aparecieron los transistores, los diseñadores usaban las
características del emisor, como las representadas en la fig. 1, para fijar el
punto de reposo Q de un amplificador, tal como se indica, se trazaba una recta
de carga de corriente continua adecuada y el punto de reposo se establecía
para una corriente de base I
BQ
. El circuito de entrada se diseñaba para
mantener la corriente de reposo de base en ese valor.

Cuando estudiamos el amplificador en emisor común, encontramos que la
corriente de reposo del colector podía estabilizarse, contra las variaciones de β
de uno a otro transistor, utilizando una resistencia de emisor y manteniendo
una cierta relación entre las resistencias de los circuitos de base y emisor. Esta
relación viene dada por la relación.
R
b
<< βR
e
………………………….1
Veremos ahora que cuando esta desigualdad se satisface, el punto de reposo
es prácticamente independiente de las características del transistor. El circuito
empleado se ha representado en la Figura. Obsérvese que la Figura puedo
representar un circuito de emisor común, y también el circuito equivalente en
continua de la configuración de base común, y si hacemos R. igual a cero, el
circuito representa la configuración en seguidor de emisor. Así la Figura 2 y
todos los resultados que siguen pueden aplicarse igualmente a las tres formas
de conexión. Utilizando los resultados obtenidos en la Sección 2.3, tenemos:
Para la corriente de colector.
I
C
= Βi
B
+ (β + 1)I
CBQ
…………………………………..2














v
cc
R
C
+R
E

v
cc
V
BB
I
b
R
b
Para el circuito de colector utilizando la ley de Kirchhoff de tensiones:

V
cc
= I
C
R
C
+ I
e
R
e
+ V
CE
…………………………………………………..3


Para el circuito de base utilizando la ley de Kirchhoff de tensiones:

V
BB
= I
B
R
B
+ I
e
R
e
+ V
BE ………………………………………………
.4

De I
B
= I
E
__ - I
CBQ
……………………………………5

β + 1

Combinando (4, y (5). se obriene:

V
BB
= V
BE
– I
CBQ
R
b
+ I
C
(R
e
+ R
b
) ………………..6
β + 1
Utilizando ahora

I
C
= β I
E
+ I
CBQ
……………………………………7
β + 1

la corriente de colector en reposo es:

I
CQ
= β(V
BB
– V
BE
) + (β + 1)I
CBQ
(R
e
+ R
b
) …………….8
(β + 1)R
e
+ R
b


La tensión estática colector-emisor V
CEQ
se puede obtener de ecuaciones 3 y
8 estas ecuaciones se pueden simplificar considerablemente admitiendo tres
suposiciones

α = β ≈ 1 ya que β>>1 ……………………..……9a
β + 1


y como I
CBO
es muy pequeña en los transistores de silicio, también
supondremos que:

I
C
≈ β I
E
≈ I
E ……………………………………….
9b
β + 1

Además supongamos que en el numerador de 8

I
CBO
(R
e
+ R
b
) << β (V
BB
– V
BE
) ≈ V
BB
– V
BE
…………..9c

Con estos supuestos (3) se convierte en

V
CC
≈ V
CE
+ I
C
(R
c
+ R
e
) …………………………..10




y (8) en

I
CQ
≈ V
BB
– V
BE___
………………………..11a

R
e
+ R
b
/(β + 1)

si se cumple la desigualdad (1) (11) se simplifica y puesto que se supone V
BE
es igual a 0,7 para transistores de silicio.

I
CQ
≈ V
BB
– V
BE
≈ V
BB
– 0.7 ………………………..11b

R
e
R
e


Por consiguiente:
__R
b
= R
e
………………………………………..12a
Β
min
+ 1 10

R
b
≈ β
min
R
e

10

Convierte en:

I
CQ
= (V
BB
– V
BE
)+ I
CBQ
(1+ R
b
)
R
e
R
e


EJEMPLO 1.-

en el circuito de la figura sean V
CC
=10V , I
CQ
= 10 mA y V
CEQ
=
5V, R
c
= 400Ω Y 400≤β≤120 hallar los valores adecuados de :
a. R
e

b. R
b

c. con valores fijos de R
e
R
b
y V
BB
la corriente en reposo variara cuando
varié β en todo el margen total indicado
d. determinar V
BB
cuando β = 40 y 120, las magnitudes de las variaciones
de la corriente de reposo alrededor del valor nominal de 10 mA sean
iguales. Calcular también la máxima variación de la corriente del
colector.















SOLUCIÓN

Las especificaciones dan suficiente información para determinar la recta de
carga y situar el punto Q representado en la fig.











a. por la ecta de carga

R
c
+ R
e
= 10 = 500Ω
20 * 10
-3

y como R
c
= 400Ω. => R
e
= 100Ω


b. entonces:

R
b
≈ β
min
R
e
= 40(100) = 400Ω
10 10

c. para calcular el efecto de β sobre el punto Q suponemos
β ≈ β + 1 entonces:

I
CQ
≈ V
BB
– 0.7
_


R
e
+ R
b


Cuando β = 40

I
CQ
≈ V
BB
– 0.7
____
= 10mA - ΔI
CQ


100 + 400/40

Cuando β = 120

I
CQ
≈ V
BB
– 0.7
____
= 10mA + ΔI
CQ


100 + 400/120

Despejando V
BB
y ΔI
CQ
se tienen;

V
BB
= 1.76 v ΔI
CQ
= 0.33 mA.

Así pues una variación de 3:1 de β produce una desviación despreciable del
punto Q
Q
20
10
I
CQ
=10
V
CEQ

= 5
i
c
v
CE
EFECTO DE LA TEMPERATURA SOBRE EL PUNTO DE REPOSO

En la sección anterior se analizó el desplazamiento del punto Q debido a
variaciones de Q de un transistor a otro y una disposición del circuito de
polarización que minimizaba estas variaciones. Otra causa importante de la
variación del punto Q es la temperatura de trabajo del transistor. En esta
sección estudiaremos la variación del punto Q debida a que I
CBO
y V
EB
depende
de la temperatura.
Comenzaremos el análisis con la expresión exacta de la corriente de reposo de
colector ecuac. 8. Esta expresión puede simplificarse teniendo en cuenta que
normalmente βR
e
>> R
b
, de forma que R
e
+ Rb/(β + 1) ya que el circuito ha sido
estabilizado contra las variaciones de Q como se ve Luego la expresión (8) se
convierte en:

I
CQ
= (V
BB
– V
BE
)+ I
CBQ
(1+ R
b
) …………………………………1
R
e
R
e

Esta es la relación deseada entre la corriente de colector y las dos variables
dependientes de la temperatura I
CBO
y V
BE
.
En la sección anterior despreciábamos l
CBO
y utilizábamos (11á) para hallar la
corriente de reposo del colector. Las suposiciones que conducen a la expresión
(11-b) son válidas para temperatura ambiente. Para ver la validez de (4.1-llá) a
elevadas temperaturas utilizaremos 1a ecuación (1).La tensión base, emisor /r.
disminuye linealmente con Ia temperatura de acuerdo a la relación:

ΔV
BE
= V
BE1
- V
BE2
= -k(T
2
– T
1
) donde k≈ 2mV/ºC ……………………2

La corriente inversa de saturación I
CBO
se duplica aproximadamente para cada
10 ºC del aumento de la temperatura. Este hecho esta comprendido en la
formula.

I
CBO2
= I
CBO1
e
k(T2 – T1)
…………………..……………….3

Donde puesto que e
0.7
≈ 2 y k ≈ 0.07/ºC

El valor típico de I
CBO
para transistores de baja potencia a temperatura
ambiente es 1 µ/A o menos.
La variación de I
CQ
con la temperatura puede determinarse a partir de (l).
Suponiendo que sólo varían V
BE
e I
CBO
, tenemos:

Δ I
CQ
= - 1 ΔV
BE
+ (1 + R
b
) ΔI
CBO …………………………………….…………….
4

ΔT R
e
ΔT R
e

De la expresión 2 con ΔT = T
2
– T
1


ΔV
BE
= -K ………………………………….5



ΔT



Y de 3 se tiene

Δ I
CBO
= I
CBO2
- I
CBO1
= I
CBO1
(e
kΔT

-1)

………………………….6

ΔT

ΔT ΔT

Sustituyendo 5 y 6 en 4 se tiene:

Δ I
CQ
= K + (1 + R
b
)

I
CBO1
(e
kΔT
-1)

………………………….7

ΔT R
e
R
e
ΔT

DE DONDE :

Δ I
CQ
= K ΔT + (1 + R
b
)

I
CBO1
(e
kΔT
-1)

………………………….8

R
e
R
e


EJEMPLO: considerar el circuito de la fig. Con R
b
= 400Ω R
e
= 100Ω E I
CQ
=
10 mA a temperatura ambiente (25ºC) calcular la variación de I
CQ
si la
temperatura aumenta A 55ºC

SOLUCION:
Sustituyendo los valores en la ecuación 8 con ΔT = 30 ºC

Δ I
CQ
= (2 x 10
-3
)(30) + (1 + 4)

I
CBO1
(7.2) = (0.6 x 10
-3
) + 36 I
CBO1
100
Un valor típico para un transistor se silicio de baja potencia es:

I
CBO1
= 0.1 µA

Por consiguiente:

Δ I
CQ
= (0.6 + 0.0036) x 10
-3
≈ 0.6 mA.