UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE MÉXICO

FACULTAD DE INGENIERÍA
DIVISIÓN DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

Departamento de Ingeniería en Telecomunicaciones

Laboratorio de Circuitos de Radiofrecuencia (Clave: 6467)

Cuestionario previo # 2

Práctica 2 “Amplificador monoetapa BJT”

Semestre: 2022-2

Grupo de laboratorio: 1

Brigada: 2

Profesor de laboratorio: Dr. Ernesto Ramírez Cruz

Nombre: Rojas Hernández Mariana Guadalupe

Fecha de entrega: 26 de febrero del 2022

Calificación:

Participaciones:
 Profesor: Dr. Ernesto Ramírez Cruz Facultad de Ingeniería, UNAM.
Laboratorio de Circuitos de Radiofrecuencia Departamento de Telecomunicaciones

“Amplificador monoetapa BJT”

1. ¿Qué es un amplificador monoetapa?

La amplificación se trata de un efecto en donde una señal o información a amplificar, provista por una
fuente de exitación y aplicada a un par de terminales o terminales de entrada del elemento activo hacia un
circuito de carga conectado a las terminales de salida del mismo elemento. El elemento activo debe
requerir una energía mucho menor que la que es capaz de regular, en este caso se considera un transistor
bipolar.

2. ¿Qué tipos de transistor BJT existen y coloque una figura con su estructura?

NPN: Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre
dos capas de material dopado N. Permite mayores corrientes y velocidades de operación.

Ilustración 1. Estructura de un transistor BJT tipo NPN

PNP: Se refiere a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Consisten en una
capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Una pequeña corriente
circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.

Ilustración 2. Estructura de un transistor BJT tipo PNP

3. ¿Cuáles son las tres principales regiones de operación de un transistor BJT? Incluya una gráfica.

Región activa: En esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base
(Ib), de β (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren
conectadas en el colector y emisor. Esta región es la más importante si lo que se desea es utilizar el
transistor como un amplificador de señal.

Región de saturación: Un transistor está saturado cuando se cumple: Ic ≈ Ie = Imáx . En este caso la
magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de las resistencias conectadas
en el colector o el emisor o en ambos. Se presenta cuando la diferencia de potencial entre el colector y el
emisor desciende por debajo del valor umbral VCEsat. Cuando el transistor esta en saturación, la relación
lineal de amplificación es Ic=β·Ib (y por ende, la relación Ie=(β+1)·Ib ) no se cumple.
De forma simplificada, se puede decir que la unión CE se comporta como un cable, ya que la diferencia
de potencial entre C y E es muy próxima a cero.
 Profesor: Dr. Ernesto Ramírez Cruz Facultad de Ingeniería, UNAM.
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Región de corte: Un transistor está en corte cuando se cumple: Ic = Ie = 0. En este caso el voltaje entre el
colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentación del circuito. Este caso normalmente se
presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0). De forma simplificada, se puede decir que el la unión CE
se comporta como un circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.

Ilustración 3. Regiones de operación de un transistor BJT

4. Coloque un circuito de un amplificador en emisor común, en colector común y base común.

Ilustración 4. Circuito amplificador en emisor común

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Ilustración 4. Circuito Amplificador en colector común

Ilustración 5. Circuito amplificador en base común

5. ¿Qué es la impedancia de entrada en un amplificador?

Se define a la impedancia como la relación del voltaje efectivo y la corriente efectiva en la parte del
circuito que se esté considerando.

La impedancia de entrada es la impedancia que ofrece un amplificador a la entrada, y se calcula aplicando

la ley de Ohm entre sus extremos:

𝑉𝑒𝑛𝑡
𝑍𝑒𝑛𝑡 =
𝐼𝑒𝑛𝑡

6. ¿Qué es la impedancia de salida en un amplificador?

Es la impedancia que ofrece el amplificador a su salida:

𝑉𝑒𝑛𝑡
𝑍𝑒𝑛𝑡 =
𝐼𝑒𝑛𝑡
 Profesor: Dr. Ernesto Ramírez Cruz Facultad de Ingeniería, UNAM.
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7. ¿Qué es la ganancia de voltaje entrada en un amplificador?

Cuando un amplificador realiza la función de elevar la señal que ha sido aplicada a su entrada, se dice que
ha producido una determinada ganancia. Se puede decir que la ganancia de un amplificador es la relación
que existe entre el valor de la señal obtenida a la salida y el de la entrada. La ganancia de voltaje se obtiene
midiendo el valor de la tensión de entrada y el de salida y realizando su cociente:

𝑉𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎
𝐴𝑣 =
𝑉𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎

8. Para el siguiente amplificador monoetapa BJT se desconoce el valor de las resistencias R 2 y RC,
así como el valor de la fuente de alimentación VCC.

Fig. 1 (a) Amplificador monoetapa BJT (b) Recta de carga de DC.

Con los datos proporcionados en la gráfica de las figuras 1a y 1b, determinar:

(a) El valor de la fuente de alimentación VCC.

Vcc = 10[V]

(b) El valor de RC.

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝐼𝐶 𝑅𝐸
𝑅𝑐 =
𝐼𝐶

Para un diseño con mayor eficiencia, el punto de carga Q se tomará a la mitad de la recta de
carga, por lo que podemos decir que: Ic=4.1 [mA] y Vce=5 [V], entonces:

10 − 5 − (4.1𝑥10−3 )(220)
𝑅𝑐 = = 999.5121[Ω] ≈ 1 [𝑘Ω]
4.1𝑥10−3
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(c) El valor de R2.

𝛽𝑅𝐸 100(220)
𝑅2 = = = 2.2 [𝑘Ω]
10 10
(d) El punto de operación del circuito Q(VCE,IC).

Del inciso (b): 𝑄 = (5[𝑉], 4.1[𝑚𝐴])

(e) El valor de la ganancia de voltaje (Av)* considerando el efecto de carga (RL) y la presencia
del capacitor de bypass CE.

Primero se calcula 𝑟𝑒 :

26[𝑚𝑉]
𝑟𝑒 =
𝐼𝐸

Con 𝐼𝐶 ≈ 𝐼𝐸 :

26𝑥10−3[𝑉]
𝑟𝑒 = = 6.3414[Ω]
4.1𝑥10−3 [𝐴]

Para la ganancia de voltaje:

R C ||R L 1000||100000
AV = − =− = −156.1325
re 6.3414

(f) El valor de la ganancia de voltaje (Av)* considerando el efecto de carga (RL) y sin la presencia
del capacitor de bypass CE.

R C ||R L 1000||100000
AV = − =− = −4.3743
re + R E 6.3414 + 220

(g) El valor de la ganancia de corriente (Ai)* considerando el efecto de carga (RL) y la presencia
del capacitor de bypass CE.

R1 ||R 2 ||βre 12000||2200||(100)(6.3414)

Ai = = = 74.5661
re 6.3414

(h) El valor de la ganancia de corriente (Ai)* considerando el efecto de carga (RL) y sin la
presencia del capacitor de bypass CE.

R1 ||R 2 ||βre 12000||2200||(100)(6.3414)

Ai = = = 2.0891
re + R E 6.3414 + 220
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(i) El valor de la impedancia de entrada (Zin) considerando la presencia el capacitor de bypass

CE.

𝑍𝑖𝑛 = 𝑅1 ||𝑅2 ||(𝛽𝑟𝑒 )

𝑍𝑖𝑛 = 12000||2200||[100(6.3414)] = 472.854 [Ω]

(j) El valor de la impedancia de entrada (Zin) sin la presencia el capacitor de bypass CE.

𝑍𝑖𝑛 = 𝑅1 ||𝑅2 ||[𝛽(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸 )]

𝑍𝑖𝑛 = 12000||2200||[100(6.3414 + 220)] = 1718.0364 [Ω]

(k) El valor de la impedancia de salida (Zout) considerando la presencia el capacitor de bypass

CE.

𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝐶 = 1 [𝑘Ω]

(l) El valor de la impedancia de salida (Zin) sin la presencia el capacitor de bypass CE.
𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝐶 = 1 [𝑘Ω]

➢ Referencias bibliográficas:

Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky. Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos. Pearson
Educación, México, 2009. 233-257.

Colaboradores de Wikipedia. Transistor de unión bipolar. 2022.

https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_unión_bipolar#Regiones_operativas_del_transistor . [Consulta 24 de
febrero del 2022].

Juventino Cuellar González. Dispositivos de radiofrecuencia. UNAM. Facultad de ingeniería. [Consulta 24 de

febrero del 2022]

Ernesto Ramírez Cruz. Laboratorio de circuitos de radiofrecuencia. UNAM. Facultad de ingeniría [Consulta 24 de
febrero del 2022].