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Contenidos a Evaluar:
Estructuras Cristalinas
Composición de materiales
de un diodo
El diodo está construido por dos tipos de
materiales un “P” y un “N”
Material tipo P
Este material se obtiene a través de un proceso
de dopado, en el cual se añaden átomos al
semiconductor para aumentar el número cargas
positivas o huecos.
Material tipo N
Este material también se obtiene llevando a cabo
un proceso de dopado, en este proceso también se
añaden átomos al semiconductor, pero con la
diferencia que se aumenta el número de cargas
negativas o electrones.
Polarización Directa:
Polarización Inversa:
Estos diodos tienen una capa de unión PN grande. Por lo tanto, la transformación de los voltajes de CA a CC
no tiene límites. Esto también aumenta la capacidad de avance actual y el voltaje de bloqueo inverso. Estas
señales grandes interrumpirán el punto funcional también. Debido a esto, no es adecuado para aplicaciones de
alta frecuencia.
Las principales aplicaciones de estos diodos se encuentran en dispositivos de carga de batería como los
inversores. En estos diodos, el rango de resistencia directa está en ohmios y la resistencia de bloqueo en reversa
está en megaohmios. Dado que tiene un alto rendimiento de corriente y voltaje, estos pueden usarse en
dispositivos eléctricos que se utilizan para suprimir voltajes de pico altos.
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3. Diodo Zener
Es un elemento pasivo que funciona bajo el principio de degradación Zener. Primero producido por Clarence
Zener en 1934. Es similar al diodo normal en la dirección de polarizacion, también permite la corriente en
sentido inverso cuando el voltaje aplicado alcanza la tensión de ruptura. Está diseñado para evitar que los otros
dispositivos semiconductores tengan impulsos de voltaje momentáneos. Actúa como regulador de voltaje.
Estos diodos convierte la energía eléctrica en energía luminosa. La primera producción comenzó en 1968. Se
somete a un proceso de electroluminiscencia en el que los agujeros y los electrones se recombinan para producir
energía en forma de luz en condiciones de polarización directa.
Anteriormente se usaban como indicadores de encendido pero ahora se estan usando en aplicaciones de
iluminacion en casas y en el lugar de trabajo. Se usa principalmente en aplicaciones como iluminación de
aviación, señales de tráfico, flashes de cámara etc.
También se conoce como diodo de regulación de corriente o diodo de corriente constante o diodo limitador
de corriente o transistor conectado a diodo. La función del diodo es regular el voltaje a una corriente particular.
Funciona como un limitador de corriente de dos terminales. En este el JFET actúa como limitador de
corriente para lograr alta impedancia de salida. El símbolo del diodo de corriente constante se muestra a
continuación.
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6. Diodo Schottky
En este tipo de diodo, la unión se forma poniendo en contacto el material semiconductor con el metal.
Debido a esto, la caída de voltaje directa se reduce al minimo. El material semiconductor es un silicio de tipo N
que actúa como un ánodo y el metal actúa como un cátodo cuyos materiales son cromo, platino, tungsteno, etc.
Debido a la unión metálica, estos diodos tienen una alta capacidad de conducción de corriente, el tiempo de
conmutación se reduce. Por lo tanto, los diodos Schottky tiene un mayor uso en aplicaciones de conmutación.
Debido principalmente a la unión metal-semiconductor, la caída de tensión es baja, lo que a su vez aumenta el
rendimiento del diodo y reduce la pérdida de potencia. Por lo tanto, estos se utilizan en aplicaciones de
rectificador de alta frecuencia. El símbolo del diodo Schottky es el que se muestra a continuación.
También se llama diodo de desconexión o diodo de almacenamiento de carga. Estos son los tipos especiales
de diodos que almacenan la carga del pulso positivo y los usan en el pulso negativo de las señales sinusoidales.
El tiempo de subida del impulso actual es igual al tiempo de ajuste. Debido a este fenómeno, tiene pulsos de
recuperación de velocidad.
Las aplicaciones de estos diodos están en multiplicadores de orden superior y en circuitos de conformación
de impulsos. La frecuencia de corte de estos diodos es muy alta y están casi en el orden de Gigahercios.
Como multiplicador, este diodo tiene un rango de frecuencia de corte de 200 a 300 GHz. En las operaciones
que funcionan a un rango de 10 GHz, estos diodos juegan un papel vital. La eficiencia es alta para
multiplicadores de orden inferior. El símbolo de este diodo se muestra a continuación.
8. Diodo Tunel
Se usa como interruptor de alta velocidad, del orden de los nano-segundos. Debido al efecto túnel tiene una
operación muy rápida en la región de frecuencia de las microondas. Es un dispositivo de dos terminales en el
que la concentración de dopantes es demasiado alta.
La respuesta transitoria está siendo limitada por la capacitancia de unión más la capacitancia de cableado
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parásito. Mayormente utilizado en osciladores y amplificadores de microondas. Actúa como el dispositivo de
conductancia más negativo. Los diodos de túnel se pueden sintonizar mecánicamente y eléctricamente. El
símbolo del diodo túnel es el que se muestra a continuación.
Circuitos oscilatorios.
Circuitos de microondas.
Resistentes a la radiación nuclear.
9. Diodo Varactor
Estos también se conocen como diodos Varicap. Actúa como condensador variable por voltaje. Las
operaciones se realizan principalmente en el estado de polarización inversa solamente. Estos diodos son muy
famosos debido a su capacidad de cambiar los rangos de capacitancia dentro del circuito en presencia de flujo
de voltaje constante.
Pueden variar la capacitancia hasta valores altos. En el diodo varactor cambiando la tensión de polarización
inversa podemos disminuir o aumentar la capa de agotamiento. Estos diodos tienen muchas aplicaciones como
oscilador controlado por voltaje para teléfonos celulares, prefiltros satelitales, etc. El símbolo del diodo varactor
se da a continuación.
Similar al LED en el que la región activa está formada por la unión p-n. El diodo láser eléctricamente es un
diodo p-i-n en el cual la región activa está en región intrínseca. Utilizado en comunicaciones de fibra óptica,
lectores de códigos de barras, punteros láser, lectura y grabación de CD/DVD/Blu-ray, impresión láser.
Tipos de diodos láser:
El funcionamiento de estos diodos es normal como diodos de unión pn, pero en el momento de la tensión
transitoria cambia su funcionamiento. En condiciones normales, la impedancia del diodo es alta. En el circuito,
el diodo ingresa a la región de degradación de la avalancha en la que se proporciona la baja impedancia.
Es espontáneamente muy rápido porque la falla de la avalancha los rangos de duración en segundos Pico. El
diodo de supresión transitoria de voltaje fijará la tensión a los niveles fijos, principalmente su voltaje de
sujeción está en un rango mínimo.
Corriente de fuga
Tensión máxima de reposo inversa
Tensión de falla
Voltaje de sujeción
Capacitancia parasitaria
Inductancia parasitaria
Cantidad de energía que puede absorber
En estos diodos, el oro se usa como dopa. Estos diodos son más rápidos que otros diodos. En estos diodos, la
corriente de fuga en polarización inversa también es menor. Incluso con la mayor caída de voltaje, permite que
el diodo funcione en frecuencias de señal. En estos diodos, el oro ayuda a una recombinación más rápida de
portadores minoritarios.
Es un diodo rectificador que tiene baja caída de voltaje directo como diodo schottky con capacidad de
manejo de sobretensión y baja corriente de fuga inversa como diodo de unión pn. Fue diseñado para alta
potencia, conmutación rápida y aplicaciones de baja pérdida. Los rectificadores Super barrera son los
rectificadores de próxima generación con mas bajo voltaje directo que el diodo schottky.
En este tipo de diodo, en la unión de dos materiales de un semiconductor genera un calor que fluye desde
una terminal a otra terminal. Este flujo se realiza en una sola dirección que es igual a la dirección del flujo de
corriente.
Este calor se produce debido a la carga eléctrica producida por la recombinación de portadores de carga
minoritarios. Esto se usa principalmente en aplicaciones de refrigeración y calefacción. Este tipo de diodos se
usa como sensor y motor térmico para enfriamiento termoeléctrico.
Esto también se conoce como bigote de gato, que es un tipo de diodo de contacto puntual. Su
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funcionamiento depende de la presión de contacto entre el cristal semiconductor y el punto.
En esto, un alambre de metal está presente y se presiona contra el cristal semiconductor. En esto, el cristal
semiconductor actúa como cátodo y el alambre de metal actúa como ánodo. Estos diodos son obsoletos por
naturaleza. Principalmente utilizado en receptores y detectores de microondas.
Este es un elemento pasivo que funciona según el principio de avería de la avalancha. Funciona en
condiciones de sesgo inverso. Produce grandes corrientes debido a la ionización producida por la unión p-n
durante la condición de polarización inversa.
Estos diodos están especialmente diseñados para someterse a una interrupción a un voltaje inverso específico
para evitar el daño.
Generación de ruido de RF: actúa como fuente de RF para puentes de analizadores de antena y
también como generadores de ruido blanco. Utilizado en equipos de radio y también en generadores de
números aleatorios de hardware.
Generación de frecuencias de microondas: En este el diodo actúa como un dispositivo de resistencia
negativa.
Detector de avalancha de un solo fotón: Estos son detectores de fotones de alta ganancia utilizados en
aplicaciones de nivel de luz.
Qué es un transistor
Se llama transistor (del inglés: transfer resistor,
“resistor de transferencia”) a un tipo de dispositivo
electrónico semiconductor, capaz de modificar una
señal eléctrica de salida como respuesta a una de
entrada, sirviendo como amplificador, conmutador,
oscilador o rectificador de la misma.
Tipos de transistores
con átomos de arsénico o fósforo (donantes de
Existen diversos tipos de transistores:
electrones), para generar así las regiones de
base, emisor y colector.
Transistor de contacto puntual. También
Transistor de efecto de campo. Se emplea
llamado “de punta de contacto”, es el tipo
en este caso una barra de silicio o algún otro
más antiguo de transistor y opera sobre una
semiconductor semejante, en cuyos
base de germanio. Fue un invento
terminales se establecen terminales óhmicos,
revolucionario, a pesar de que era difícil de
operando así por tensión positiva.
fabricar, frágil y ruidoso. Hoy en día no se le
Fototransistores. Se llaman así a los
emplea más.
transistores sensibles a la luz, en espectros
Transistor de unión bipolar. Fabricado
cercanos a la visible. De modo que se
sobre un cristal de material semiconductor,
pueden operar por medio de ondas
que se contamina de manera selectiva y
electromagnéticas a distancia
controlada
El nombre transistor se obtiene de la combinación de las palabras “transfer” y “resistor”. El motivo del
nombre se debe a que es un “resistor” que puede amplificar una señal eléctrica mientras es “transferida” de su
terminal de entrada al terminal de salida.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente en cada caso, lo indica
la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de transistor. El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los
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siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene
la flecha en el gráfico de transistor.
El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una cantidad de
corriente por una de sus patillas (base), el entregará por otra (emisor), una cantidad mayor a esta, en un factor
que se llama amplificación.
Este factor de amplificación se llama ß (beta) y es un dato propio de cada transistor. Entonces:
Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a ß (factor de amplificación) por Ib (corriente que
pasa por la patilla base).
Ic = ß x Ib
Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es igual a (ß+1) x Ib, pero se redondea al mismo valor que
Ic, sólo que la corriente en un caso entra al transistor (PNP) y en el otro caso de sale él (NPN), o
viceversa.
Según la fórmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito (Vcc), pero en la
realidad si lo hace y la corriente de base Ib aumenta ligeramente cuando se cambia Vcc.
Curva de transferencia de un transistor real para una corriente de base dada se muestra en la imagen a la
izquierda.
Curvas de transferencia del transistor bipolar para diferentes corrientes de base. Ver zonas de saturación
y de corte (imagen de la derecha)
En la imagen de la derecha las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender que a más
corriente la curva es más alta.
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Cuando la corriente de base (Ib) es cero, el transistor no conduce (Ic = 0). Igualmente se puede deducir
de la fórmula Ic = ß x Ib. El voltaje entre el colector y el emisor (VCE) es el voltaje de alimentación.
Cuando la corriente de base (Ib) es diferente de cero, el transistor conduce (Ic es diferente de cero).
Igualmente se puede deducir de la fórmula Ic = ß x Ib. El voltaje entre el colector y el emisor (VCE) es
un voltaje que está entre el mínimo (aproximadamente cero) y un máximo (aproximadamente el voltaje
de alimentación). El valor del voltaje depende del valor Ib.