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Dependencia de la Temperatura:
RT = R0 · (1 + α0 · T ) (2)
Donde:
1
= 234.5o C para el cobre recocido
α0
1
= 228.0o C para el aluminio duro
α0
Corrección por Temperatura:
1
+ T2
α
RT 2 = 0 · RT 1 (3)
1
+ T1
α0
Resistencia Efectiva: es la que representa el conductor al paso de la
corriente alterna.
Efecto Skin: en corriente alterna la densidad de corriente no es uniforme
en la superficie del conductor.
Dr. Humberto Verdejo Cálculo del parámetro Inductancia
Cálculo de parámetros de lı́neas aéreas
Cálculo de Inductancia en un conductor
Caso multiconductor
Caso de una lı́nea trifásica con transposiciones
Conceptos de RMG y DMG generalizados
Esquema general para el cálculo de parámetros
Uso de tablas para el cálculo de reactancia inductiva
En general:
dλ λ
L= ; si µ es cte: ⇒ L = [H] (4)
dt I
Consideremos un conductor por el cual circula una corriente İ y un punto
P situado a una distancia D:
I
Hx dl = Ix (5)
2πxHx = Ix (6)
además, suponiendo distribución uniforme:
πx 2 x
Ix = · I → Hx = · I (A − vuelta/m) (7)
πr 2 2πr 2
Por lo tanto, la densidad de flujo a x metros del centro del conductor:
µxI
Bx = µHx = (Wb/m2 ) (8)
2πr 2
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Conceptos de RMG y DMG generalizados
Esquema general para el cálculo de parámetros
Uso de tablas para el cálculo de reactancia inductiva
A = dx, dφ = Bx dx (9)
Por lo tanto:
µxI
dφ = dx(Wb) (10)
2πr 2
Los enlaces de flujo dλ, por metro de longitud en el elemento anular,
estarán dados por:
πx 2 µIx 3
dλ = dφ = dx(Wb − vuelta/m) (11)
πr 2 2πr 4
Dr. Humberto Verdejo Cálculo del parámetro Inductancia
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Conceptos de RMG y DMG generalizados
Esquema general para el cálculo de parámetros
Uso de tablas para el cálculo de reactancia inductiva
Por lo tanto:
r
µIx 3 µ0 · µr
Z
λint = 4
dx = ·I (12)
0 2πr 8π
Para determinar el flujo externo al conductor, consideremos el siguiente
caso:
Z D2
µI µI D2
λ12 = dx = ln (Wb − vuelta/m) (13)
D1 2πx 2π D1
µ0 D
λext = · ln (14)
2π r
n
µ0 · µr µ0 Dk X µ0 D j
λk = + ln · ik + ln · ij (16)
8π 2π rk 2π rj
j=1,j6=k
n
µ0 · µr X µ0 Dj
= ik + ln · ij (17)
8π 2π rj
j=1
µ0 X Dj (m)
λk = · ln ij [Wb/m] (18)
2π Dkj (m)
j=1
n−1
X
considerando que in = − ij y reemplazando en el término in · ln Dn
j=1
2π 1 1
· λk = i1 · ln D1 + i1 · ln + · · · + ik · ln Dk + ik · ln
µ0 Dk1 RMGk
1
+ · · · + in · ln Dn + in · ln
Dn1
1 1
= i1 · ln D1 + i1 · ln + · · · + ik · ln Dk + ik · ln + ···
Dk1 RMGk
1
+ (−i1 · ln Dn − i2 · ln Dn − · · · − i(n−1) · ln Dn ) + in · ln
Dn1
D1 Dk D(n−1)
= i1 · ln + · · · + ik · ln + · · · + i(n−1) · ln
Dn Dn Dn
1 1 1
+ i1 · ln + · · · + ik · ln + · · · + in · ln
Dk1 RMGk Dkn
n
µ0 X 1
λk = · ij · ln , [Wb/m] (19)
2π Dkj
j=1
1 Conductor 1
µ0 1 1
λ1 = · i1 · ln + i2 · ln
2π RMG1 D12
pero, i2 = −i1 ; con lo cual:
µ0 D12 λ1 µ0 D12
λ1 = ·i1 ·ln [Wb/m]; L1 = = ·ln [H/m]
2π RMG1 i1 2π RMG1
2 Conductor 2
µ0 1 1
λ2 = · i1 · ln + i2 · ln
2π D21 RMG2
pero, i1 = −i2 ; con lo cual:
µ0 D21 λ2 µ0 D21
λ2 = ·i2 ·ln [Wb/m]; L2 = = ·ln [H/m]
2π RMG2 i2 2π RMG2
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Esquema general para el cálculo de parámetros
Uso de tablas para el cálculo de reactancia inductiva
Consideremos el conductor 3:
1
λ3 = · λ3(I ) + λ3(II ) + λ3(III )
3
" #
µ0 1 1 1
λ3(I ) = · i1 · ln + i2 · ln + i3 · ln
2π D31 D32 RMG
" #
µ0 1 1 1
λ3(II ) = · i1 · ln + i2 · ln + i3 · ln
2π D12 D31 RMG
" #
µ0 1 1 1
λ3(III ) = · i1 · ln + i2 · ln + i3 · ln
2π D23 D12 RMG
" ! ! #
1 µ0 1 1 1
λ3 = · · i1 · ln + i2 · ln + i3 · 3 ln
3 2π D12 · D23 · D31 D12 · D23 · D31 RMG
" ! #
1 µ0 1 1
= · · −i3 · ln + i3 · 3 ln
3 2π D12 · D23 · D31 RMG
µ0 3D ·D ·D
p "
Wb
#
12 23 31
= · i3 · ln
2π RMG m − conductor
µ0 I 1 1 1
λj = · · ln + · · · + ln + · · · + ln
2π N Dj1 RMGj DjN
µ0 I 1 1 1
− · · ln + · · · + ln + · · · + ln
2π M Dj10 Djk DjM
de donde:
λj
Lj =
I /N
p
µ0 m
Dj10 · · · Djk · · · DjM
= · N · ln p
2π N
Dj1 · · · RMGj · · · DjN
N
X Lj Lpromedio
Lpromedio = ⇒ LA = (20)
N N
j=1
q
µ0 NM (D 0 · · · D1M ) · · · (D 0 · · · DjM ) · · · (D 0 · · · DNM )
11 j1 N1
LA = · ln
2π 2
q
N RMG N · (D · · · D )2 · (D · · · D )2 · · · (D 2 2
12 1N 23 2N j(j+1) · · · DjN ) · · · (D(N−1)N )
Definimos: q
DMG = NM (D · · · D1M ) · · · (D 0 · · · DjM ) · · · (D 0 · · · DNM )
110 j1 N1
r
2
RMG = N r N · (D12 · · · D1N )2 · (D23 · · · D2N )2 · · · (Dj(j+1) · · · DjN )2 · · · (D(N−1)N )2
1conductor
µ0 DMGAB
LA = · ln (21)
2π RMGA
Figure:
p √
x= d2 + d2 = d · 2
42
p
RMG = r 4 · (d12 · d13 · d14 )2 · (d23 · d24 )2 · (d34 )2
q
42
√ √
= r 4 · (d · d · d 2)2 · (d 2 · d)2 · (d)2
q
16
√ √
= r 4 · (d 3 · 2)2 · (d 2 · 2)2 · d 2
√
16
= r4 · d6 · 2 · d2 · 2 · d2
√
16
= r 4 · d 12 · 4
q
16
√
= r 4 · (d 3 )4 · ( 2)4
√
q
4
= r · d3 · 2
Figure:
Figure:
Distancias Equivalentes
p
3
DMGeq = DAB · DBC · DCA
p
3
RMGeq = RMGA · RMGB · RMGC
Luego:
µ0 DMGeq
XL = · ln (24)
2π RMGeq
DMG
XL = KL · f · log(Ω/unidad de longitud/conductor)
RMG
1
= KL · f · log + KL · f · log DMG (Ω/unidad de longitud/cond
RMG
= Xa + Xd
1
Xa = KL · f · log (25)
RMG
Reactancia propia del conductor a 1m de separación en (Ω/km) o a
1pie de separación en (Ω/milla)
Transformación de unidades
f2
Xa (Ω/km)a f2 = 0.001493 · f2 + 0.6214 ·
· Xa (Ω/Milla)a f1
f1
f1
Xa (Ω/Milla)a f1 = −0.002402 · f1 + 1.609 · · Xa (Ω/Km)a f2
f2