Polarización de transistor BJT​.
POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT .
Carol Giseth Burgos Castañeda
est.carol.burgos@unimilitar.edu.co
Juan Sebastian Espinosa Castro
est.juan.espinosa1@unimilitar.edu.co
RESUMEN: ​En el informe de laboratorio incluye
el análisis de la polarización del transistor BJT, se
utilizan cuatro circuitos de polarización para poder
visualizar el transistor en zona de activación, la zona
de activación es la unión base-emisor donde la
polarización es directa y base-colector en
inversa.Debido a la agitación térmica los portadores de
carga del emisor pueden atravesar la barrera de
potencial emisor-base y llegar a la base.
Se usa en los materiales un transistor 2N3904 cuando
está en activación tiene una conmutación rápida,
corta apague y baja tensión de saturación, adecuado
para la conmutación y amplificación I C = Βi B .
Para analizar todo lo anterior es necesario utilizar
simuladores como multisim y tinkercad. Este es uno de
los simuladores más realistas, se utiliza transistores tipo
2N3904, resistencias de diferentes valores de acuerdo a
lo calculado, motor dc ,fuente de voltaje , cables de
conexión.
En la guía se presenta una tabla con diferentes valores
en el criterio A se tiene el valor de RC y RE, en el
criterio B se tiene el valor de VCC y por último se tiene
el criterio C donde se indica el valor de VCQ , estos
criterios se toman de acuerdo a los últimos números del
código estudiantil de los estudiantes, se realizan los
cálculos respectivos para el desarrollo de los diferentes
circuitos .
ABSTRACT :​In the laboratory report includes
the analysis of the polarization of the BJT
transistor, four polarization circuits are used to
be able to visualize the transistor in activation
zone, the activation zone is the base-emitter
junction where the polarization is direct and
base-collector in reverse. Due to thermal
agitation the emitter load carriers can cross the
emitter-base potential barrier and reach the
base.
A 2N3904 transistor is used in the materials
when it is in activation has a fast switching,
1
short turn off and low saturation voltage,
suitable for switching and amplification IC-iB .
To analyze all of the above it is necessary to
use simulators such as multisim and tinkercad.
This is one of the most realistic simulators, it
uses type 2N3904 transistors, resistors of
different values as calculated, dc motor,
voltage source, connection cables.
The guide presents a table with different values
in criterion A has the value of RC and RE,
criterion B has the value of VCC and finally
you have criterion C where the value of VCQ
is indicated, these criteria are taken according
to the latest numbers of the student code of
students , the respective calculations are
performed for the development of the different
circuits.
PALABRAS CLAVE​: ​Transistor BJT-RB VCC-VCQ.
1 INTRODUCCIÓN
Los transistores BJT tienen dos uniones
pn(dos diodos). Es altamente usado en
circuitos discretos. Posee tres terminales, cada
terminal tiene un nombre que corresponde a su
función. El emisor terminal, como su nombre
lo indica, lanza portadores de carga hacia la
base. El terminal base ejercerá control sobre
los portadores enviados.Finalmente los
portadores son recogidos por el Terminal
colector .Este tipo de transistor puede actuar
como amplificador o interruptor. Por lo que
tiene tres tipos de operación. Cuando está en
estado activo, el transistor opera como un
amplificador,saturación,el transistor opera
como un cambiar prendido y en corte el
Polarización de transistor BJT​.

transistor opera como un switch apagado por lo 2.MATERIALES Y MÉTODOS

que Ic = 0.
Para el desarrollo de esta práctica se utilizaron
transistores BJT 2N3904, resistencias, motor
DC,fuente de voltaje, caimanes, protoboard,
cables de conexión,multímetro, estos cuatro
circuitos se desarrollan en simulador multisim
y tinkercad para poder ver el funcionamiento
de cada uno de sus componentes y la finalidad
de el .

3. ANÁLISIS DE RESULTADOS

​ ransistor BJT 2N3904

Figura 1.T A. Estimación de beta

Tabla.1​ Transistor 2N3904 pines de conexión

PIN DESCRIPCIÓN

1 EMISOR

2 BASE

3 COLECTOR

El transistor fue desarrollado por John

Bardeen, William ​Shockley y Walter Brattain
en 1948 fue imaginado como un dual del tubo
de vacío, así si un tubo tenía transconductancia
este debe tener transresistencia para que llegue Figura 2:​ montaje 1, desarrollo de corrientes
a un transistor, se obtuvieron varias pruebas de
error hasta que se pudo desarrollar el correcto En la figura 2. se desarrolla I C (XMM1) e I B
funcionamiento para un transistor su primer (XMM3), donde el valor de cada una es 3.692
nombre fue transistor de unión bipolar mA y 22.124 µA.
lamentablemente este era ruidoso, no
controlaba grandes cantidades de energía y sus En el desarrollo del montaje de la figura 2, con
aplicaciones eran limitadas. los valores obtenidos de las corrientes se
encuentra el ß con la siguientes ecuación
El físico William Bradford tuvo la idea del β = I C /I B , cuyo resultado es ​ß = 167.4.
transistor de unión también de cambiar el
germanio por el silicio, los tres fisicos
recibieron premio Nobel en 1956, la historia
del transistor tuvo su fin en la década de 1960
debido a que empezaron a ser reemplazados
por circuitos integrados o microchips.

2
Polarización de transistor BJT​.

Para hallar el valor de RB de la figura 4, se

V CC − V BE
aplica la siguiente ecuación: I B = R +(ß + 1)RE
,
B
donde aprovechamos el valor de I B encontrado
en la figura 2, cuyo valor corresponde a
20.9µA. Este valor de RB correspoonde
manualmente a 476.1KΩ pero se require el
valor mas cercano a una resistencia mas
comercial, esta resistencia comercial es ​470KΩ

C. Emisor común, realimentación por colector.

Figura 3: ​montaje 1B, desarrollo de tensión

Como se muestra en la (figura 3) VCQ, VC y

VBE, los se muestran en la siguiente.
Tabla 2: ​datos de simulación y teóricos
tensión Simulación Teórico %Error

VCQ 8.231 V 8.25 V 0.23

VBE 0.698 V 0.7 V 0.28

En la (tabla 2) están los datos del montaje de

estimación ß (beta) del transistor BJT 2N3904.
B. Emisor común, polarización fija

​ misor común, realimentado por colector.

Figura 5: E

Para hallar el valor de RB de la figura 4, se

V CC − V BE
aplica la siguiente ecuación: I B = R +ß(R
B C + 1RE )
, donde aprovechamos el valor de I B
encontrado en la figura 2, cuyo valor
corresponde a 20.8µA. Este valor de RB
correspoonde manualmente a 350.6KΩ pero se
require el valor mas cercano a una resistencia
mas comercial, esta resistencia comercial es
330KΩ.

Figura 4: ​montaje de emisor común en polarización

fija.

3
Polarización de transistor BJT​.
D. Emisor común, configuración universal
​ misor común, configuración universal
Figura 6: E
Tabla 3:​ ​datos de aproximación de resistencias
Res Aproximación Teórico % Error
R1 82Ω 90Ω 8.9
R2 10Ω 10Ω 0
La tabla 3 muestra los datos de aproximación
de resistencias para emisor común en
configuración universal.
Para el desarrollo de la simulación de la figura
6, se es necesario hacer una probar el valor
aproximado el cual se rige por el siguiente
modelo ß RE ≥ 10R2 , cuyo valor de beta es
167.4 y el valor de R2 siendo necesario
escoger una valor de resistencia comercial
=10Ω, esto para hhalar de la tension V B y
terminar con la búsqueda del valor teórico y
aproximado de la R1 .
Al comprobar que el modelo aproximado se
cumple ( 167.4KΩ ≥ 100Ω ), se continúa
hallando la tensión V B en la siguiente
4
ecuación: V B = (I E * RE ) + V BE , sabiendo
que I c ≈ I E , la ecuación queda de la siguiente
manera V B = (I C * RE ) + V BE . Este valor
V B = 1.1V ,es el penúltimo dato con el cual
se halla el valor de R1 ​con la siguiente
R V
fórmula: R1 = 2v* cc − R2 , cuo valor como ya
B
mensionado en la tabla 3, este valor clculado
es de 90Ω y como se requiere que el valor de
esta resistencia sea una comercial el valor
seleccionado por aproximacion es 82Ω.
Tabla 4: ​Datos comparativos con multisim y tinkercad
Datos multisim tinkercad %error
ßA 167.4 293.5 42%
IB B 20.9µA 20.7µA 0.9%
IB C 20.8µA 17.8µA 16%
En la tabla 4 se observan los datos
comparativos con multisim y tinkercad para
las estimación de ß, corriente B en polarización
fija y corriente B en realimentación por
corrector.
4. CONCLUSIONES
Para dar un análisis aproximado en DC y ver
que si se cumplen con la mayor parte de datos,
que tienen como límite no máximo de error +/-
3%, los cuales mencionado en la tabla 2 y ,
cumplen con el tope de desviación de error.
se examina ambos comportamientos en los
diseños con amperímetro y voltímetro que nos
sirve para hallar valores aproximadamente
exactos y cercanos entre sí. el ß según el
datasheet del transistor 2N3904 es de 100 pero
este valor no es exacto ya que él ß asignada por
cálculos es de 167.4 que representa un 67.4%
de error con respecto a la hoja técnica del
transistor.
Polarización de transistor BJT​.

En cuanto a las diferencias entre los

simuladores de multisim y tinkercad, dado a
que las estimaciones de ß y corrientes I B ,
estos resultados presentan un margen de error
que se destaca por un aproximado desde 40% a
62%, cosa que cual el tinkercad muestra una
simulación más parecida al comportamiento
real del transistor y las polarizaciones
aplicadas a estos.

5. REFERENCIAS

[1]"Quién inventó el Transistor - Historia,

Origen y Evolución", ​CrioSfera Historia,​
2009:https://curiosfera-historia.com/quien-inve
nto-el-transistor/.

[2]"Transistor BJT", ​Electronica.ugr.es​, 2016.

:
http://electronica.ugr.es/~amroldan/deyte/cap0
3.

[3]"Transistor BJT corte y saturación en

emisor común - HeTPro Tutoriales",
HETPRO/TUTORIALES,​ 2015.
https://hetpro-store.com/TUTORIALES/transis
tor-bjt/.