Electrónica Básica

Clase Práctica 5: Cálculo de parámetros sobre transistores bipolares.

Bibliografía: Dispositivos Electrónicos. 8va edición. T. Floyd.
Montaje de componentes y periféricos microinformáticos. Jesús Martín Alloza
Curso fácil de electrónica básica.
Objetivo: Calcular parámetros específicos sobre transistores.
Ejercicio 1:
a) Nombre dos tipos de BJT de acuerdo con su estructura.
b) El BJT es un dispositivo de tres terminales. Nómbrelas.
c) ¿Cuál de las tres corrientes en un transistor es la más grande?
d) Si la corriente de colector es de 1 mA y la corriente de base de 10 mA, ¿cuál es la corriente de emisor?
Ejercicio 2:
Determine la ganancia corriente, CD y la corriente de emisor IE para un transistor con IB = 50 A e IC = 3.65 mA.

Ejercicio 3:
Un transistor tiene un CD de 200. Si la corriente de base es de 50 A, determine la corriente de colector.
Ejercicio 4:
Determine IB, IC, IE, VBE, VCE y VCB para el
siguiente circuito. El transistor tiene una CD 150.

Ejercicio 5:
Determine si el transistor de la figura se
encuentra o no en saturación. Suponga V CE(sat)
0.2 V.

Ejercicio 6:
Cierto transistor tiene que ser operado con V CE 6 V. Si su valor nominal de potencia máxima es de 250 mW,
¿Cuál es la corriente colector máxima que puede manejar?
.

Ejercicio 7:
a) Para el circuito de la figura, ¿Cuál es VCE cuando
VENT 0 V?
b) ¿Qué valor mínimo de IB se requiere para llevar
a saturación este transistor si CD es de 200?
Desprecie VCE(sat)
c) Calcule el valor máximo de RB cuando VENT 5 V.