UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN ANTONIO ABAD DEL CUSCO

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA, ELECTRÓNICA, INFORMÁTICA Y MECÁNICA

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS I

INFORME FINAL N°4

INTEGRANTES:
 JOEL HUAMAN ZARATE – 170449
 CRISTIAN RIMACHI MACCARCCO – 161771

ASESOR: Ing. CHRISTIAN VASQUEZ GAMARRA

CUSCO – PERU
2021
 OTRAS CONFIGURACIONES CIRCUITALES TRANSISTORIZADAS

OBJETIVOS

 Evaluar el comportamiento en la amplificación de señales de la configuración de emisor

seguidor y base común.
 Evaluar el análisis en DC y medir experimentalmente los parámetros de ambas
configuraciones.

PRIMERA PARTE: Circuito transistorizado de emisor seguidor.

Se desea evaluar el comportamiento de la configuración de emisor seguidor mediante una

simulación en PROTEUS. En la figura 1, se muestra el circuito de la configuración de emisor
seguidor a evaluar.

Figura 1. Configuración de emisor seguidor

Fuente: Guía de Laboratorio

Se arma el circuito de la figura 1 en el panel de montaje de PROTEUS y se procede a realizar

la simulación. En la Figura 2, se muestra la simulación en PROTEUS con el osciloscopio
conectado. El canal A esta conectado a la entrada y el canal B está conectado a la salida del
circuito.
 Figura 2. Implementación de la configuración emisor seguidor en PROTEUS

Fuente: PROTEUS

Se consideró una entrada sinusoidal de 25mV de amplitud, es decir 50mVp-p. La señal de

salida obtenida en la simulación se muestra en la figura 3, donde se muestra el osciloscopio
de PROTEUS con la señal de entrada en amarillo y la señal de salida en Azul.

Figura 3. Señal de entrada y señal de salida del circuito.

Fuente: Osciloscopio de PROTEUS.

Se puede observar en la figura 3 que la señal de salida tiene una amplitud de 0V, es decir
que la ganancia de tensión del circuito implementado en PROTEUS tiene el valor de 𝐴𝑣 = 0.
Este resultado no concuerda con las características que se describen para la configuración
de emisor seguidor ya que en [2] Boylestad menciona que la ganancia de tensión de la
configuración de emisor seguidor se aproxima a 𝐴𝑣 ≅ 1.

Revisando la teoría se observa que es necesario incluir una resistencia de emisor 𝑅𝐸 tal
como se muestra en la figura 4.

Figura 4. Configuración de emisor seguidor según BOYLESTAD

Fuente: Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos [2]

Efectuando el análisis en AC de la figura 4, se obtiene la ganancia de tensión del circuito, tal

como se muestra en la ecuación 1.

𝑅𝐸
𝐴𝑣 = … (1)
𝑅𝐸 + 𝑟𝑒

De ecuación 1, se puede deducir que la resistencia de emisor 𝑅𝐸 cumple un rol importante

en la ganancia del circuito. En el circuito de la figura 2 no existe tal resistencia, es decir que
𝑅𝐸 = 0 por lo si se aplica la ecuación 1, se obtiene 𝐴𝑣 = 0, tal como se obtiene en la
simulación. Por lo tanto, se incluye una resistencia de emisor 𝑅𝐸 = 1𝐾Ω. En la figura 5, se
muestra el circuito implementado en PROTEUS con la resistencia de emisor.
Figura 5. Implementación del circuito emisor seguidor en PROTEUS con resistencia de
emisor de valor 𝑅𝐸 = 𝑅3 = 1𝐾Ω.

Fuente: PROTEUS

Los resultados que se obtienen se aprecian mediante el osciloscopio de PROTEUS tal como
se muestra en la figura 6. La señal amarilla es la señal de entrada mientras que la señal azul
es la señal de salida. Como se puede observar, la señal de salida ya no tiene la amplitud de
cero, sino que tiene una amplitud similar a la amplitud de la señal de entrada.

Figura 6. Señal de entrada y señal de salida al incluirse la resistencia de emisor.

Fuente: Osciloscopio de PROTEUS.

En la Tabla 1, se muestra las mediciones de voltaje pico a pico a la entrada (Vi [mVpp]) y a
la salida (Vo [mVpp]) del circuito, estos valores se obtienen mediante la información que
se brinda en el osciloscopio de PROTEUS.

Tabla 1

Datos en Alterna
𝑽𝒊 [𝒎𝑽𝒑𝒑 ] 50
𝑽𝒐 [𝒎𝑽𝒑𝒑 ] 50
𝐴𝑣 1

A continuación, se desconecta la señal de entrada y se deja al circuito trabajando solo en

DC, tal como se muestra en la figura 6, de esta manera se obtienen las características en DC
del circuito de emisor seguidor. En la tabla 2, se muestran los valores de tensión y corriente
del transistor en DC.

Figura 6. Circuito de emisor seguidor en DC

Fuente: PROTEUS

Tabla 2.
Datos en Continua
𝑰𝑩 [𝝁𝑨] 44.47
𝑰𝑪 [𝒎𝑨] 8.19
𝑉𝐵𝐸 [𝑉] 0.72
𝑉𝐶𝐸 [𝑉] 0.76
SEGUNDA PARTE: Circuito transistorizado de base común.

Como segunda parte, se desea evaluar el comportamiento de la configuración de base

común mediante una simulación en PROTEUS. En la figura 7, se muestra el circuito de la
configuración de base común a evaluar.

Figura 7. Circuito transistorizado de base común.

Fuente: Guía de laboratorio

En la Figura 8, se muestra la simulación en PROTEUS con osciloscopio conectado.

donde el canal A esta conectado a la entrada y el canal B está conectado a la salida del
circuito.

Figura 8. Implementación del circuito en PROTEUS

Fuente: PROTEUS
Como parte del comportamiento del circuito en AC, se obtuvo respuestas ante
diferentes amplitudes de la señal de entrada. Si la amplitud de la señal es muy
grande, la señal que se obtiene a la salida es una señal distorsionada. En cambio, si
la señal es lo suficientemente pequeña la salida será completamente lineal, ya que el
transistor estará trabajando en la zona activa sin llegar a la zona de saturación.

Figura 9. Graficas del osciloscopio ante una entrada de 50 mVp-p.

Fuente: Osciloscopio de PROTEUS

Figura 10. Graficas del osciloscopio ante una entrada de 10 mVp-p.

Fuente: Osciloscopio de PROTEUS

En la Tabla 3, se muestra las mediciones de voltaje pico a pico a la entrada
(Vi[mVpp]) y a la salida (Vo[Vpp]) del circuito, estos valores se obtienen mediante
la información que se brinda en el osciloscopio de PROTEUS.

Tabla 3.

Datos en Alterna
Vi [mVpp] 10

Vo [Vpp] 1.68

𝐴𝑣 168

Para calcular la corriente de base “IB”, la corriente de colector “IC”, la tensión base
emisor “VBE”, Y la tensión colector emisor “VCE” se realiza un análisis en DC del
circuito de base común de la figura 7.

Figura 11. Medición de IB , IC, VBE y VCE

Fuente: PROTEUS

En la Tabla 4, se muestra la corriente de base, la corriente de colector la tensión de

base emisor y la tensión de colector emisor, valores se obtiene quitando las fuentes
de señal alterna para así obtener solo magnitudes constantes a través del circuito.
 Tales magnitudes constantes son las corriente y voltajes DC que polarizan al
transistor y lo dejan en el punto de operación adecuado.

Tabla 4.

Datos en Continua
IB [uA] 44.2
IC [mA] 8.24
VBE [V] 0.72
VCE [V] 1.47

A continuación, se presenta el desarrollo de las preguntas correspondientes al informe

final de la experiencia de laboratorio N°4.

1. Calcule el punto de operación Q de los 2 circuitos si 𝛽 = 200 y 𝑉𝐶𝐸 = 0.7𝑉

Para la configuración de emisor seguidor:

En la malla de salida:

𝐼𝐸 𝑅3 + 𝑉𝐶𝐸 = 9𝑉

9 − 𝑉𝐶𝐸 9 − 0.7
𝐼𝐸𝑄 = = = 8.3𝑚𝐴
𝑅3 1

𝐼𝐸𝑄 𝛽 200
𝐼𝐶𝑄 = 𝐼𝐸𝑄 − 𝐼𝐵𝑄 = 𝐼𝐸𝑄 − =( ) 𝐼𝐸𝑄 = 8.3 = 8.26𝑚𝐴
𝛽+1 𝛽+1 201

𝐼𝐶𝑄 8.26
𝐼𝐵𝑄 = = = 0.0413𝑚𝐴 = 41.3𝜇𝐴
𝛽 200

En la malla de entrada:

𝐼𝐸 𝑅3 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐵 𝑅1 = 9𝑉

𝑉𝐵𝐸𝑄 = 9 − 𝐼𝐵 𝑅1 − 𝐼𝐸 𝑅3 = 9 − (0.0413)(1) − (8.3)(1) = 0.66𝑉

Para la configuración de base común:

Aplicando ley de voltajes de Kirchhoff en el circuito de la figura 7 se obtendrá:

−𝑉𝐸𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸 + 𝑉𝐵𝐸 = 0

𝑉𝐸𝐸 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐸 =
𝑅𝐸

9 − 0.7
𝐼𝐸𝑄 = = 8.3 𝑚𝐴
1𝐾

Aplicando ley de voltajes de Kirchhoff a todo el perímetro externo de la red del

circuito de la figura 1 se obtendrá:

−𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐶 𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐶

Donde: 𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐸𝐸 + 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )

𝐼𝐶 8.3
𝐼𝐵 = = = 0.0415 𝑚𝐴
𝛽 200

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 9 + 9 − 0.0415(1𝐾 + 1𝐾) = 17.917 𝑉

2. Calcular la ganancia en voltaje Av de los 2 circuitos en pequeña señal usando el
26𝑚𝑉
método simplificado del transistor si 𝑉𝑖 = 50𝑚𝑉𝑝𝑝, ℎ𝑓𝑒 = 200 y ℎ𝑖𝑒 =
𝐼𝐵𝑄

Para la configuración de emisor seguidor:

26𝑚𝑉 26𝑚𝑉
ℎ𝑖𝑒 = = = 629.54Ω = 0.630𝐾Ω
𝐼𝐵𝑄 0.0413𝑚𝐴

𝑅32 = 𝑅3 ||𝑅2 = 0.5𝐾Ω

𝑖𝑒 𝑅32 + 𝑖𝑏 ℎ𝑖𝑒 = (𝑖𝑏 + ℎ𝑓𝑒 𝑖𝑏 )𝑅32 + 𝑖𝑏 ℎ𝑖𝑒 = (𝑅32 + ℎ𝑓𝑒 𝑅32 + ℎ𝑖𝑒 )𝑖𝑏 = 𝑣𝑖
𝑖𝑏 1
=
𝑣𝑖 𝑅32 + ℎ𝑓𝑒 𝑅32 + ℎ𝑖𝑒
𝑖𝑒 = 𝑖𝑏 + ℎ𝑓𝑒 𝑖𝑏 = (1 + ℎ𝑓𝑒 )𝑖𝑏
𝑖𝑒
= (1 + ℎ𝑓𝑒 )
𝑖𝑏
𝑣𝑜 = 𝑖𝑒 𝑅32
𝑣𝑜
= 𝑅32
𝑖𝑒
𝑣𝑜 𝑖𝑏 𝑖𝑒 𝑣𝑜 (1 + ℎ𝑓𝑒 )𝑅32 (1 + 200)0.5
𝐴𝑣 = = = = = 0.994
𝑣𝑖 𝑣𝑖 𝑖𝑏 𝑖𝑒 𝑅32 + ℎ𝑓𝑒 𝑅32 + ℎ𝑖𝑒 0.5 + 200(0.5) + 0.630
 Para la configuración de base común:

Figura 6. Circuito Hibrido equivalente de la configuración base

común, análisis en AC.

Fuente: Libro de teoría de circuitos y dispositivos electrónico de

BOYLESTAD [2].

Donde: 𝑉0 = −𝐼0 𝑅𝐶 = −(ℎ𝑓𝑏 𝐼𝑒 )𝑅𝐶

𝑉 𝑉
𝐼𝐶 = ℎ 𝑖 y 𝑉0 = −ℎ𝑓𝑏 ℎ 𝑖 𝑅𝐶
𝑖𝑏 𝑖𝑏

𝑉0 ℎ𝑓𝑏 𝑅𝐶
𝐴𝑣 = =
𝑉𝑖 ℎ𝑖𝑏

𝟐𝟔𝒎𝑽 26mV
𝒉𝒊𝒆 = = = 626.5 = 0.626K
𝑰𝑩𝑸 0.0415mA

𝑉0 (200)(1𝐾)
𝐴𝑣 = = = 319.48
𝑉𝑖 0.626𝐾

3. Mencionar 3 aplicaciones de cualquiera de estos circuitos.

Aplicaciones de la configuración emisor seguidor:

 Máxima transferencia de potencia
 Igualación de frecuencia
 Igualación de impedancia de fuente

Aplicaciones de la configuración base común:

Un transistor BJT en configuración base común se usa en aplicaciones VHF (very

high frequency) y UHF (ultra high frequency), ya que presenta una respuesta
excelente a altas frecuencias, esto debido a que no se ve afectado por el efecto Miller.
OBSERVACIONES

 Independientemente del tipo de configuración que se tenga, los valores de las

resistencias de una configuración pueden influir en el valor de la ganancia de tensión
del circuito.

CONCLUSIONES

 Se evaluó el comportamiento en la amplificación de señales de la configuración de

emisor seguidor y base común mediante la implementación de cada configuración en
PROTEUS.
 Se evaluó el análisis en DC y se midió experimentalmente los parámetros de ambas
configuraciones, obteniéndose resultados que caracterizan a cada configuración.

BIBLIOGRAFIA

[1] S. Sedra y C. Smith, Circuitos Microelectrónicos. 7ma Edición. Oxford University New
York. 2015.

[2] R. Boylestad y L. Nashelky. Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos.

Décima Edición. México. 2019.

[3] C. Alexander y M. Sadiku. Fundamentos de Circuitos Eléctricos. 5ta Edición. New York.
2013.