EL TRANSISTOR BIPOLAR NPN CARACTERÍSTICAS BÁSICAS TERESA ESTER QUISPE RAMOS

EL TRANSISTOR BIPOLAR NPN

CARACTERÍSTICAS BÁSICAS
INFORME FINAL
Quispe Ramos Teresa Ester
teresa.quispe2@unmsm.edu.pe
Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica – UNMSM

Resumen: En esta experiencia el  Microamperímetro

alumno aprendió acerca del transistor
bipolar NPN y sus características básicas.
Todo este informe se realizó mediante
simulaciones en Multisim, No se
encontraron dificultades en la experiencia
debido a que todo fue realizado mediante
simulaciones y al realizarlo de este modo, los
resultados de los valores son más exactos
que en la práctica real.
Índices de términos: Bipolar,
Transistor.
 Miliamperímetro
 Cables de conexión diversos
 01 transistor 2N4646 o 2N3904
 Resistores: Re=220Ω, Rc=1KΩ,
R1=56KΩ, R2=22K Ω
 Condensadores: Ci=0.1μF, Co=0.1μ,
Ce=3.3μF.
 Potenciómetro de 1MΩ (P1)
 01 computadora con Multisim
B. Esquemas:

I. INTRODUCCIÓN FIGURA 5.1

La presente investigación se refiere al tema

del transistor bipolar NPN y sus
características básicas. Un transistor NPN es
impulsado (o activado) por corriente
positiva polarizada en la base para controlar
el flujo de corriente del Colector al Emisor.
Los transistores de tipo PNP están
impulsados por una corriente negativa
polarizada en la base para controlar el flujo
del Emisor al Colector.

II. MATERIALES Y MÉTODOS

A. Equipos, materiales y herramientas

utilizados:

 Osciloscopio
 Fuente de poder DC
 Multímetro

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VERIFICACIÓN DEL TRANSISTOR directa

VERIFICACIÓN DEL TRANSISTOR inversa

SIMULACIÓN con R1=68K

SIMULACIÓN con R1=56K

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SIMULACIÓN con P1 10%

SIMULACIÓN con P1 50%

SIMULACIÓN con P1 25%

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SIMULACIÓN con P1 100% C. Procedimiento:

1. Considerando los valores nominales de

los componentes utilizados, realizar la
simulación del circuito mostrado en la
figura 5.1. Considere todos los casos
indicados en el paso 3. Llenar los valores
correspondientes en las tablas 5.2, 5.3,
5.4 y 5.5
2. Verificar el estado operativo del
transistor, usando la función ohmímetro
del multímetro. Llene la tabla 5.1
3. Implementar el circuito de la figura 5.1
a. Medir las corrientes que circulan por
el colector (Ic), el emisor (Ie) y la base
(Ib) cuando el potenciómetro P1 está
ajustado para tener una resistencia
de 0Ω.
b. Medir las tensiones entre el colector–
emisor (Vce), entre base–emisor (Vbe)
y entre emisor–tierra (Ve).
c. Colocar los datos obtenidos en la
tabla 5.2
d. Cambiar R1 a 68KΩ, repetir los pasos
(a) y (b), y anotar los datos en la tabla
5.3
e. Aumentar las resistencias de P1 a
100KΩ, 250KΩ, 500KΩ, 1MΩ.
Observar lo que sucede con las
corrientes Ib y con la tensión Vc (usar
Re=0) llenar la tabla 5.4.
f. Ajustar el generador de señales a
50mVpp, 1KHz, onda sinusoidal.
SIMULACIÓN con Vs=50mVpp y R1=56K Observar la salida Vo con el
osciloscopio. Anotar en la tabla 5.5.

III. RESULTADOS

TABLA 5.1

SIMULACIÓN con Vs=50mVpp y R1=68K Resistencia Directa Inversa

Base-Emisor 37.97M máx.

Base-Colector 35.859M máx.

Colector-Emisor máx. máx.

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TABLA 5.2 son bajas, ya que en polarización directa

el transistor conduce corriente.
Valores Ic Ie Ib
Vce Vbe Ve
(R1=56KΩ) (mA) (mA) (μA) En polarización inversa se observa que
723.334 las resistencias son muy altas por lo que
Simulados 8.341 8.393 51.587 1.812 V 1.846 V
mV podemos afirmar que el transistor no
conduce corriente.

TABLA 5.3

Valores Ic Ie Ib 2. Representar la recta de carga en un

Vce Vbe Ve gráfico Ic vs Vce del circuito del
(R1=68KΩ) (mA) (mA) (μA)
717.061
experimento. Ubicar los puntos
Simulados 6.874 6.916 41.797 3.604 V
mV
1.522 V
correspondientes a las tablas 5.2, 5.3 y
5.4.

TABLA 5.4 Datos de las tablas 5.2 y 5.3

Valores Ic (mA) vs Vce (V)

Ic Ie Ib Vce Vbe Ve
Simulados
10 8.341
2.34 2.355 14.502 685.467 518.052
P1=100KΩ mA mA μA
9.142 V
mV mV 8 6.874

6
437.77 441.046 3.276 11.465 640.61 97.024
P1=250KΩ μA μA μA V mV mV 4

359.89 368.795 8.982 456.464 83.838 2

P1=500KΩ nA nA nA
12 V
mV μV 0
0 1 2 3 4
177.636 -2.776 127.567 244.89 2.722
P1=1MΩ pA pA pA
12 V
mV μV
Datos de la tabla 5.4

TABLA 5.5 Ic (mA) vs Vce (V)

Av 3
Simulados Vi Vo Av Vo
(sin Ce)
2
49.3 0.545 0.0454
R1=56KΩ mVpp Vpp
0.09
Vpp
1.09
1
59 0.34 0.0432
R1=68KΩ mVpp Vpp
0.14
Vpp
1.15 0
0 5 10 15
-1

IV. ANÁLISIS DE RESULTADOS

3. ¿En qué regiones de trabajo se
encuentran los puntos de la tabla 5.2 y
5.3?
1. Explicar el comportamiento del
transistor al hacer su verificación Los puntos de los gráficos de la Tablas
operativa con el multímetro en función 5.2 y 5.3 son los que se encuentran en la
ohmímetro. región activa o regiones de trabajo.
En la tabla 1 se observa que las
resistencias base-emisor, base-colector y
colector- emisor en polarización directa

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4. ¿Qué sucedería con el punto de  Pudimos comprobar que la corriente

operación si cambiamos R1 a 150KΩ? del colector después de cierto voltaje
Explicar los valores e indicar el valor se aproxima a la corriente del emisor.
teórico.

VI. REFERENCIAS
[1]https://sites.google.com/site/electronic
acompleta29/transistores-npn-y-pnp
[2]https://es.wikipedia.org/wiki/Transisto
r_de_uni%C3%B3n_bipolar

El punto Q se desplaza a la coordenada

(8.952; 2.945) de la línea de carga fija.

5. Indicar las diferencias más importantes

entre el circuito de este experimento
(transistor NPN) con respecto al anterior
(transistor PNP).

 El transistor NPN está actuando como

amplificador de señal y el transistor
PNP actúa como atenuador.
 Los transistores NPN actúan como un
circuito normalmente abierto, y a
mayor corriente de base, tenemos
más corriente en el colector.
 Mientras que los transistores PNP, a
mayor corriente de base la corriente
en el colector será inferior, por lo que
funciona como un circuito
normalmente cerrado.

V. CONCLUSIONES
 El funcionamiento depende de la
polarización que se le aplica en sus
terminales, ya que por una mala
polarización podría funcionar mal
todo el circuito en el que se le aplique
o el usuario no podría tener los
resultados satisfactorios.

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