DIODOS

EXPONENCIAL VT=0.6X10^-3A

V CTE

PONER FUENTE ,QUITAR FUENTE

MOD IDEAL

MALLA

MEDIA ONDA
 ONDA COMPLETA

LIMITADOR

REGULADOR CALCULOS V CTE Y PEQUEÑA SEÑAL RESPECTIVAMENTE

Pequeña señal del diodo.

Vd Vt KT
Id=Is e Vt ; r D= ; Vt = ; K=1.38 x 10−23 j/ k q=1.6 x 10−19 C VT ≈ 0.026 v
Id q
∆ Id =I d 0 +∆ Id ∆ Vout=∆Vout +Vout
*se usa cuando hay variación,se analiza el circ antes de la variación para encontrar la corriente en el diodo,ahí si se
analizaNOTA LIMITADORES: Para hallar R se usa el pico máximo de la señal de entrada con el pico más pequeño de la
señal de salida.
BJT
 BJT
NPN
REGION VBE VCE CONSECUENCIA
CORTE V BE < 0 NA I C =I E =I B=0
I B ↑ , I C ↓ → β ↓ funciona como
resistencia no amplifica
Vbe
SATURACION V BE ≥ V donbe V CE < V BE vt
Ic=Is∗e −Ibc

V BE −0.4 ≤ V CE <V donBE Activa

SATURACION
LEVE V BE ≥ V donBE
Amplifica
Vbe
Ic=Is e Vt
Ic
ACTIVA V BE ≥ V donbe V CE ≥ V BE Ib=
β

Ie= ( β +1β ) Ic
Ie=Ic+ Ib
PNP
REGION VEB VCE CONSECUENCIA
CORTE NA I C =I E =I B=0
I B ↑ , I C ↓ → β ↓ funciona como
resistencia no amplifica
SATURACION V EB ≤ V donbe V EC ≥ V EB Vbe
vt
Ic=Is∗e −Ibc
V BE −0.4 ≥ V CE >V donBE
SATURACION
LEVE V BE ≤ V donBE Activa

Amplifica
Vbe
Ic=Is e Vt
Ic
ACTIVA V EB ≤ V donbe V CE ≤ V BE Ib=
β

Ie= ( β +1β ) Ic
Ie=Ic+ Ie

MOSFET ENRIQUECIMIENTO
 MOSFET

NMOS ENREQUECIMIENTO V TH POSITIVO

REGION VGS VDS CONSECUENCIA

CORTE  V GS <|V TH|   NA  APAGADO 

RESISTENCIA 
 V GS ≥V TH V DS <V GS−V TH   V 2DS
TRIODO
[
I D =2 K ( V GS−V TH )∗V DS−
2
2 ]
I D =K ( V GS−V TH )
SATURACION  V GS ≥V TH  V DS ≥ V GS−V TH   I DON
K= 2 
( V GSON −V TH )
PMOS ENREQUECIMIENTOV TH NEGATIVO

REGION VSG VSD CONSECUENCIA

CORTE V SG <|V TH|   NA APAGADO

 RESISTENCIA 
V SG ≥|V TH|   V SD <V GS−|V TH|  V 2SD
TRIODO
[
I D =2 K ( V SG −V TH )∗V SD −
2
2 ]  

I D =K ( V DS−|V TH|)    

SATURACION  V SG ≥|V TH|  V SD ≥ V GS−|V TH|  I DON
K= 2 
( V GSON −V TH )
MOSFET AGOTAMIENTO
 MOSFET
NMOS AGOTAMIENTOV TH NEGATIVO
REGION VGS VDS CONSECUENCIA
 CORTE V GS <|V TH| NA APAGADO
V GS ≥|V TH| V DS <V GS−|V TH|  RESISTENCIA 
V 2SD
TRIODO
[
I D =2 K ( V GS−|V TH|)∗V SD −
2
  
]
V GS ≥|V TH| V DS ≥ V GS−|V TH| Amplifica
2
SATURACION V GS
(
I D =I DSS 1−
|V TH| )
PMOS AGOTAMIENTOV TH POSITIVO
REGION VSG VSD CONSECUENCIA
CORTE V GS <|V TH|  NA APAGADO
V GS ≥|V TH| V DS <V GS−|V TH|  RESISTENCIA 
V 2SD
TRIODO
[
I D =2 K ( V SG−V TH )∗V SD−
2
  
]
V GS ≥|V TH| V DS ≥ V GS−|V TH|  Amplifica

SATURACION 2
V GS
(
I D =I DSS 1−
V TH )
  Polarización de transistores
 Polarización simple (solo bjt)

Ic
V b =V cc −R B
β
 Divisor resistivo

Asumiendo I R1 ≫ I B  I R1 ≈ I R2 I R se elige pequeño ( I R ≪ I D) para no alterar

V cc R considerablemente el consumo de potencia
V B= 2

R 1+ R 2 V DD−V V DD−V
V cc−V R 1= G
= G

R 1= B
R1 + R 2 IR
I R1
V
R2 ≈ B V g ( R1+ R 2)
I R1 R 2=
V CC R 2 V DDP
V BE =
R 1+ R 2

 Divisor resistivo con degeneración

V BE =V x V GS=V x
V B −V E=V xdonde V B =R2 I R 2 y V E=I E R E V DD R
V G −V S =V x donde V G = 2
y V S =I D R D
R2 I R 2−I E R E=V x R1 + R2
Asumiendo I R 1 ≫ I B  I R 1 ≈ I R 2 V DD R
V −V B
2
−I R =V x
R1= cc R 1+ R 2 D D
I R1 Asumiendo I R ≫ I D
VB VB V −V G
R2 ≈ = R1= DD
I R1 I R2 IR
V VG
R E= E R 2=
IE IR
V cc R 2 V
V BE =Va ≈ R E= S
R1 +¿R −R E I E ¿
2 ID
V cc R2
V BE =Va ≈
β+1
R1 +¿R −R E
2 ( ) β
IC ¿

 Auto polarización

V C −V B V CC −RC I E −V B AsumiendoRG ≥ 10 k
R B= =
IB IB V DD−V X
R D=
V C =V CC−RC I E ID
Se cumple que
V D ≥V G −V TH
V X ≥ V x −V TH