Laboratorio de Semiconductores “Transistor”.

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Hugo Efraín Hoyos
Jorge Hernán Rojas Alarcón
Juan Alberto López García
 Grupo 30171
Punto 1: diseñar

Resumen—En este trabajo se estudia las características de un

transistor BJT NPN utilizando una fuente de voltaje de 12 voltios
aproximados y una temperatura máxima de 220 grados C, durante
el desarrollo de la actividad se utilizaron resistencias y transistores
BJT en 3 diferentes configuraciones esto con el fin de realizar
mediciones de Ic, Ib, B y Vce principalmente el objetivo principal
es mirar el comportamiento de Beta y el punto de operación del
transistor.

Abstract- In this work the characteristics of a BJT NPN

transistor are studied using a voltage source of approximate 12
3 aplicando temperatura 239 grados
volts and a maximum temperature of 220 degrees C, during the
development of the activity, resistors and BJT transistors were
used in 3 different configurations in order In making
measurements of Ic, Ib, B and Vce mainly the main objective is to
look at the behavior of Beta and the operating point of the
transistor.

I. INTRODUCCIÓN

E ste documento se realiza con el fin de encontrar el

comportamiento del transistor BJT NPN en las 3
diferentes configuraciones y revisar las diferencias que se
presentan cuando modificamos las características del transistor 4 mediciones con temperatura
en este caso por medio de temperatura y mirar tanto la curva 170 grados
característica de B Vs T y el punto de operación: Vce=5.v
Ib=1.38 mA
Ic=5.4 Ma
 Montaje 1

Transistor usado 2N22A 5 medicion sin temperatura

Punto 2 V=5.7
Ic=2.7Ma
Ib=2.3ª

6 graficar Beta Vs temperatura:

Implementacion montaje

Punto 1 Diseño.

Transistor 2N222A
 2

3. Aplicando temperatura 100 grados centígrados

7 comportamiento punto de operacion

4 mediciones con temperatura

190 grados
Vce=4.9.v
Ib=0.67 mA
 Montaje 2 Ic=0,59 Ma

Implementacion de montaje
5 medicion sin temperatura

Vce=5.9
Ic=0.32Ma
Ib=0.39Ma

6.graficar Beta Vs temperatura:

Transistor 2N222A

Punto 1: diseñar
 3

7. comportamiento de punto de operación:

 Voltaje colector emisor

 Montaje 3
3. Aplicando temperature 392 grados centígrados

 Implementación montaje: 4. mediciones con una temperatura 220 grados:


 Vce= 5,73 voltios
 Ib = 7,8mA
 IC=2,8 mA
 4

7. comportamiento de punto de operación:

5. medir B antes de aplicar y despues de aplicar

temperatura:

 Con temperatura de 220 grados:

B= Ic/Ib= 3,1mA/7,8mA= 0,40 Conclusiones

En con conclusion pordemos evidenciar que en las

configuraciones 1 y 2 el B tiene el doble que para el
 Sin temperatura: montaje 3.
Tambin podemos concluir que la corriente de base y
colector al aumentar la temperatura aumente en 1 punto
Ic=2,9mA porcentual y el voltaje de colector emisor disminuye.
Ib=7,5mA

B=Ic/Ib=2,9mA/7,5mA=0,38

6.graficar Beta Vs temperatura:

Ic Ib B temperatura
0,0026 0,007 0,37142857 35 C
0,0027 0,0071 0,38028169 148 C
0,0028 0,0072 0,38888889 160 C
0,0029 0,0074 0,39189189 190 C
0,003 0,0075 0,4 200 C
0,0031 0,0076 0,40789474 220 C