UNIVERSIDAD DE JAÉN

Grado en Ingeniería Electrónica Industrial

ELECTRÓNICA ANALÓGICA

Transistores
Tabla de Contenidos
1. Estructura y funcionamiento del BJT
2. BJT en DC
3. Estructura y funcionamiento del MOSFET
4. MOSFET en DC
5. Otros FET

Bibliografía
• [Sedra-Smith 4, 5]

Transistores 2
Estructura y funcionamiento del BJT Bipolar Junction Transistor

Figure 6.1 A simplified structure of the npn transistor.

Figure 6.12 Circuit symbols for BJTs.

Figure 6.2 A simplified structure of the pnp transistor.

Transistores 3
Estructura y funcionamiento del BJT Bipolar Junction Transistor

Transistores 4
Estructura y funcionamiento del BJT BJT-npn en activa
Figure 6.3 Current flow in an npn transistor biased to operate in the active mode. (Reverse current components due to drift of thermally generated minority
carriers are not shown.)

Transistores 5
Estructura y funcionamiento del BJT BJT-npn en activa

Transistores 6
Estructura y funcionamiento del BJT Tecnología planar

Figure 6.7 Cross-section of an npn BJT.

Transistores 7
Estructura y funcionamiento del BJT BJT-npn en activa

Modelos de gran señal

Figure 6.5 Large-signal equivalent-circuit models of the npn BJT operating in the forward active mode.

Transistores 8
Estructura y funcionamiento del BJT BJT-npn en saturación

Figure 6.9 Modeling the operation of an npn transistor in saturation by

augmenting the model of Fig. 6.5(c) with a forward conducting diode
DC. Note that the current through DC increases iB and reduces iC.

Transistores 9
Estructura y funcionamiento del BJT BJT-pnp en activa
Figure 6.10 Current flow in a pnp transistor biased to operate in the active mode.

Figure 6.11 Two large-signal models for the

pnp transistor operating in the active mode.

Transistores 10
Estructura y funcionamiento del BJT BJT en activa

Transistores 11
Tabla de Contenidos
1. Estructura y funcionamiento del BJT
2. BJT en DC
3. Estructura y funcionamiento del MOSFET
4. MOSFET en DC
5. Otros FET

Bibliografía
• [Sedra-Smith 4, 5]

Transistores 12
BJT en DC Límite entre activa y saturación
Figure 6.13 Voltage polarities and current flow in transistors biased in the active mode.

Transistores 13
BJT en DC Curvas de entrada

Transistores 14
BJT en DC Curvas de salida

Figure 6.18 Large-signal equivalent-circuit models of an npn BJT operating in the active mode
in the common-emitter configuration with the output resistance ro included.

Transistores 15
BJT en DC Curvas de salida
Figure 6.19 Common-emitter characteristics. (a) Basic CE circuit; note that in (b) the horizontal scale is expanded around
the origin to show the saturation region in some detail. A much greater expansion of the saturation region is shown in (c).

Figure 6.20 A simplified equivalent-circuit model of the saturated transistor.

Transistores 16
BJT en DC Modelos en gran señal
Table 6.3 Conditions and Models for the
Operation of the BJT in Various Modes

Transistores 17
BJT en DC
Límites de funcionamiento

Transistores 18
Tabla de Contenidos
1. Estructura y funcionamiento del BJT
2. BJT en DC
3. Estructura y funcionamiento del MOSFET
4. MOSFET en DC
5. Otros FET

Bibliografía
• [Sedra-Smith 4, 5]

Transistores 19
Estructura y funcionamiento del MOSFET
Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor n-MOSFET de acumulación

MOSFET 20
Estructura y funcionamiento del MOSFET n-MOSFET de acumulación
Canal Figure 5.2 The enhancement-type NMOS transistor with a positive voltage applied
to the gate. An n channel is induced at the top of the substrate beneath the gate.

Transistores 21
Estructura y funcionamiento del MOSFET n-MOSFET de acumulación

Transistores 22
Estructura y funcionamiento del MOSFET n-MOSFET de acumulación
Triodo

Transistores 23
Estructura y funcionamiento del MOSFET n-MOSFET de acumulación
Triodo

Transistores 24
Estructura y funcionamiento del MOSFET n-MOSFET de acumulación
Saturación

Transistores 25
Estructura y funcionamiento del MOSFET p-MOSFET de acumulación

Transistores 26
Estructura y funcionamiento del MOSFET Símbolos
n-MOSFET Figure 5.11 (a) Circuit symbol for the n-channel enhancement-type MOSFET. (b) Modified circuit symbol with an arrowhead on the source
terminal to distinguish it from the drain and to indicate device polarity (i.e., n channel). (c) Simplified circuit symbol to be used when the
source is connected to the body or when the effect of the body on device operation is unimportant.

p-MOSFET

Figure 5.19 (a) Circuit symbol for the p-channel enhancement-type MOSFET. (b) Modified symbol with an
arrowhead on the source lead. (c) Simplified circuit symbol for the case where the source is connected to the body.

Temperatura

Transistores 27
Estructura y funcionamiento del MOSFET Familias CMOS

Figure 5.10 Cross-section of a CMOS integrated circuit. Note that the PMOS transistor is formed in a separate n-type region, known as an n
well. Another arrangement is also possible in which an n-type body is used and the n device is formed in a p well. Not shown are the
connections made to the p-type body and to the n well; the latter functions as the body terminal for the p-channel device.

Transistores 28
Tabla de Contenidos
1. Estructura y funcionamiento del BJT
2. BJT en DC
3. Estructura y funcionamiento del MOSFET
4. MOSFET en DC
5. Otros FET

Bibliografía
• [Sedra-Smith 4, 5]

Transistores 29
MOSFET en DC n-MOSFET
Table 5.1 Regions of Operation of the Enhancement NMOS Transistor

Transistores 30
MOSFET en DC n-MOSFET
Figure 5.12 The relative levels of the terminal voltages of the
enhancement NMOS transistor for operation in the triode Curvas de salida
region and in the saturation region.

Transistores 31
MOSFET en DC n-MOSFET
Curva de entrada en saturación

Modelo de gran señal en saturación

Figure 5.15 Large-signal equivalent-circuit model of an n-channel MOSFET operating in the saturation

Transistores 32
MOSFET en DC n-MOSFET

Efecto Early

Transistores 33
MOSFET en DC p-MOSFET
Table 5.2 Regions of Operation of the Enhancement PMOS Transistor

Figure 5.20 The relative levels of the terminal voltages of

the enhancement-type PMOS transistor for operation in
the triode region and in the saturation region.

Transistores 34
Tabla de Contenidos
1. Estructura y funcionamiento del BJT
2. BJT en DC
3. Estructura y funcionamiento del MOSFET
4. MOSFET en DC
5. Otros FET

Bibliografía
• [Sedra-Smith 4, 5]

Transistores 35
Otros FET Canal n
n-JFET n-MOSFET n-MOSFET de
de deplexión acumulación

Transistores 36
Otros FET

Transistores 37
Otros FET

Transistores 38
Otros FET MOSFET

Transistores 39