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Examen Unidad 3
Responde correctamente las siguientes preguntas relacionadas con los temas estudiados
en la unidad 3

1. Las siguientes configuraciones corresponder a un Transistor de Unión Bipolar

BJT: *Colector común *Base común *Emisor común puntos: 0,3
verdadero false

2. La región de corte, activa, saturación y emisor son las 4 regiones de

operación de un Transistor Bipolar de Unión BJT. puntos: 0,3
verdadero false

3. El voltaje de ruptura en un BJT, es el voltaje máximo absoluto entre dos

terminales, con la tercera terminal abierta en corto circuito o polarizada ya sea
directa o inversa. puntos: 0,3
verdadero false

4. La ruptura secundaria SB en un BJT, es un fenómeno destructivo que resulta

del flujo del voltaje y resistencia a una pequeña porción de la base, lo que
produce puntos vacíos. puntos: 0,3
verdadero false

5. La velocidad de conmutación de un BJT, se puede aumentar reduciendo el

tiempo de activación y el tiempo de des-activación. puntos: 0,3
verdadero false

6. Es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN

muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje.
puntos: 0,2
Diodo
BJT
MOSFET
JFET

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7. Es un dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación y
amplificación de señales. El nombre completo, Transistor de Efecto de Campo
de Metal-Óxido-Semiconductor. puntos: 0,2
Diodo
BJT
MOSFET
JFET

8. Es un tipo de FET que opera con una unión PN polarizada en inversa para
controlar corriente en un canal. puntos: 0,2
Diodo
BJT
MOSFET
JFET

9. Relacione correctamente los siguientes conceptos: puntos: 0,6

_____ Menciones las 3 terminales de un 1. Puerta Drenaje

BJT Fuente
_____ Mencione las 3 terminales de un 2. Puerta Drenaje
MOSFET Fuente
_____ Mencione las 3 terminales de un 3. Emisor Base
JFET Colector

10. En un BJT, si la corriente de colector es de 1 mA y la corriente de base de 10

mA, ¿cuál es la corriente de emisor? puntos: 0,3