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Universidad de Cuenca, Facultad de Ingeniería, Escuela de Ingeniería Eléctrica, 17 de abril de 2018.

Practica de Laboratorio Nro. 1: Caracterización


Diodo de Potencia.
Victor Israel Zhigue Tene. victor.zhigue@ucuenca.edu.ec Universidad de Cuenca, Estudiante de
Ingeniería Eléctrica, Laboratorio de Electrónica de Potencia.

B. Objetivos Específicos:
Resumen—En el desarrollo de la presenta practica se llevó a
cabo la caracterización del diodo de potencia, iniciando con la - Familiarizar con el software de simulación Psim.
modelación del diodo usando el software Psim, basándose en el - Comprobar los datos obtenidos en simulaciones con
artículo de investigación: ‘Natan Krihely and Sam Ben Yaakov, los medidos en la experimentación.
Simulation Bits: Adding the Reverse Recovery Feature to a - Observar los estados de régimen transitorios en los
Generic Diode, 26 IEEE Power Electronics Society diodos bajo prueba.
NEWSLETTER Second Quarter 2011’. Para seguido someterlo a
- Determinar tiempo de recuperación inversa de
prueba bajo ciertas condiciones antes establecidas y observar el
comportamiento de tensión y corriente en el diodo. Como segunda
diferentes tipos de diodos.
parte se tiene el uso práctico del diodo mediante un circuito
electrónico, requiriendo dos tipos de diodos y estableciendo sus III. MARCO TEÓRICO.
respectivas comparaciones con especial enfoque en el tiempo de Diodo de Potencia. – Un diodo de potencia es un dispositivo
recuperación inversa entre un diodo normal y un diodo rápido de
de unión ‘pn’ con dos terminales, ánodo y cátodo cuando el
potencia.
potencial es positivo respecto al cátodo se dice que el diodo esta
Palabras Claves—Diodo de potencia, Tiempo de recuperación polarizado y conduce corriente. En el caso cuando el potencial
inversa, Simulación Psim, Diodo genérico. del cátodo es positivo con respecto al del ánodo se dice que el
diodo esta polarizado en inverso, por lo que no conduce
corriente significativa, simplemente pasa una pequeña cantidad
I. INTRODUCCIÓN llamada corriente de fuga o corriente de perdida. El diodo posee
una caída de tensión a través de su cuerpo la cual, dependerá de
E L desarrollo de las nuevas tecnologías en cuanto a la
electrónica de potencia cada día va aumentando su auge,
por lo cual las exigencias de las tecnologías implican mejoras
las condiciones del fabricante y de la temperatura de la unión,
regularmente este valor oscila entre 0.3 a 0.7 Voltios.
significativas en los dispositivos de control que se usan para su
desarrollo. Muestra de eso se deriva en los diodos de potencia Polarización Directa. – En esta región es vital que el voltaje
que se tiene especial enfoque en los tiempos de conmutación y del diodo sea mayor al voltaje de encendido del diodo (0.3 a 0.7
recuperación. Hasta años anteriores se tenía diodos V), para que el diodo empiece a conducir la corriente.
convencionales los cuales para anteriores aplicaciones tenían Polarización Inversa. – En esta región el voltaje del diodo es
rendimiento aceptable, pero para aplicaciones actuales se menor que cero, por lo cual el diodo se comporta idealmente
quedaron fuera de mercado, por lo que en la actualidad se como un circuito abierto, sin permitir el paso de corriente sobre
modela nuevos diodos usando softwares computacionales y él.
llevándolos a la experimentación, con el afán de comprobar el
comportamiento bajo cierto tipo de condiciones. Para esta Región de rompimiento. – En esta región el voltaje en sentido
práctica se desea verificar las diferencias en las variables inverso es superior a los 1000V, en esta región el diodo deja de
medibles y especiales de los diferentes tipos de diodos en ser funcional generalmente y no conduce de forma ideal.
especial un diodo genérico vs un diodo rápido de potencia, en
tiempos de conmutación, tiempo de recuperación inversa. Para Recuperación Inversa. – Este fenómeno se da en el momento
estos objetivos se desarrollará primero la simulación bajo las en que el estado del diodo pasa de conducción directa a corte es
condiciones mencionadas en el artículo base, y luego la decir la corriente se reduce a cero o se le ha aplicado voltaje en
experimentación y medición con los equipos de laboratorio sentido inverso, en este lapso los portadores de minoría quedan
requeridos. almacenados en la unión, por lo cual necesitan cierto tiempo
para recombinarse con cargas opuestas y quedar neutralizados.
II. OBJETIVOS A este tiempo se le denomina, tiempo de recuperación inversa.

A. Objetivo General: Tipos de Diodos de potencia. – En un diodo ideal el tiempo


- Modelar un diodo basándose en parámetros de recuperación inversa debe ser igual a cero, para poder tener
establecidos mediante artículo científico. este tipo de característica el costo de fabricación aumentaría
- Comprobar experimental los tiempos de conmutación significativamente, por lo general en varias aplicaciones el
de un diodo de potencia. tiempo de recuperación inversa no es un factor de importancia
por lo que se puede trabajar con diodos de poco costo.
Mencionado esto los diodos de potencia se pueden clasificar
bajo las características de recuperación en tres grandes grupos:
- Diodos normales de propósito general.
- Diodos de recuperación rápida.
- Diodos de Schottky.

Diodos de propósito general. – Este tipo de diodos se


caracterizan debido a que tienen un tiempo de recuperación
inversa relativamente grande que se encuentra en el rango de
los 25 𝜇𝑠, usados en aplicaciones en las cuales el tiempo de
recuperación no influye de manera directa en el rendimiento.
Limitando a trabajar con frecuencias de hasta 1𝑘𝐻𝑧, corrientes Fig 1. Circuito de prueba del diodo.
menos de 1𝐴, con tensiones que van desde 50𝑉 hasta 5𝑘𝑉.
- Obtención del artículo de investigación:
Diodos de recuperación rápida. – Este tipo de diodos tienen El artículo de investigación se lo puede encontrar en la red,
un tiempo de recuperación muy corto, generalmente menor a de manera gratuita y está disponible solamente en el idioma
los 5𝜇𝑠. En estos casos la velocidad de conmutación es de vital inglés, se facilita para el lector el siguiente enlace url:
importancia en su aplicación. Trabajan con tensiones desde http://www.ee.bgu.ac.il/~pel/pdf-files/jour129.pdf.
50𝑉 hasta 3𝑘𝑉 y menos de 1𝐴 hasta cientos de amperes. De
acuerdo a las necesidades de cada aplicación existen tipos de - Diseño del diodo de potencia en el software Psim.
diodos rápidos diferenciándose en los materiales que están Se realiza el armado del diodo de potencia en Psim según
hechos. Con tiempos muy cortos de recuperación. los datos obtenidos en el articulo de investigación. Se lo
muestra en la figura 2.
Diodos Schottky. – Por lo general en los diodos comunes se
tiene el problema de almacenamiento de carga de la unión ‘pn’,
este mismo se puede eliminar o minimizar en un diodo
Schottky, mediante la técnica de crear un potencial de barrera
con un contacto entre un metal y un semiconductor. La barrera
de potencial simula el comportamiento de la unión ‘pn’, la cual
evita que queden portadores minoritarios para que se
recombinen, creando un efecto de recuperación debido a la
capacitancia de la unión del semiconductor.

IV. DESARROLLO
A. Desarrollo Teórico.

Mediante la herramienta de simulación Psim, modele un


diodo de potencia con las características mostradas en el Fig 2. Diseño del diodo de potencia en Psim
artículo de investigación ‘Natan Krihely and Sam Ben
Yaakov, Simulation Bits: Adding the Reverse Recovery - Simulación del diodo de potencia y obtención de
Feature to a Generic Diode, 26 IEEE Power Electronics mediciones.
Society NEWSLETTER Second Quarter 2011’. Una vez
construido el modelo del diodo insértelo en el circuito a. Se muestra la corriente del diodo modelado en la
mostrado en la figura 1, compuesto por una resistencia de figura 3.
valor 19.6 Ω y una inductancia de 0.5𝑚𝐻. Utilice una fuente
cuadrada con amplitud pico a pico de 100𝑉 y voltaje
promedio cero, con frecuencia de 100𝐻𝑧 y ciclo de servicio
del 50%.
Muestre la corriente y el voltaje del diodo modelado,
establezca los comentarios del caso. Hágase énfasis en el
estudio del comportamiento durante los regímenes
transitorios.

Fig3. Corriente del Diodo


La corriente del diodo, toma la forma de la señal de En este régimen transitorio, en el cual el diodo deja
entrada, su valor llega a un pico máximo de 2.5 mA, que de trabajar, se puede observar que posee el fenómeno de
circulan en el diodo, consecuentemente será la misma recuperación inversa, mediante la simulación se puede
corriente en la resistencia, debido a que se encuentran en obtener un valor de tiempo de apagado igual a, 195𝜂𝑠,
serie. hasta estabilizar la señal.

b. Se muestra el voltaje del diodo modelado en la figura e. Tiempo de recuperación inversa.


4.

Fig7. Tiempo de recuperación inversa del diodo.

En esta grafica de la simulación se puede observar


Fig4. Voltaje del Diodo con más detalle, el fenómeno de recuperación inversa, de
la caída de tensión a la estabilización, obteniendo medida
El voltaje del diodo, tiene la misma forma de la señal de recuperación de 98𝜇𝑠, desde el pico inferior a la
de entrada, como era de esperar, este mismo tiene valores estabilización.
picos de 0.8𝑚𝑉 hasta −50𝑉. Con el efecto observable de
poseer el pico inverso, debido al tiempo de recuperación f. Corriente en el Diodo
inversa del diodo, este valor vario hasta −65𝑉, en el cual
se observa claramente el fenómeno.

- Regímenes transitorios

c. Régimen transitorio de encendido del diodo.

Fig8. Corriente en el diodo.

En la gráfica de la corriente se puede observar que


toma el valor de 2.5𝑚𝐴, conservando la forma de onda de
entrada
Fig5. Régimen transitorio de encendido del diodo. g. Corriente inicial en el diodo.
Se puede observar que el régimen de encendido del
diodo, toma una forma no ideal, con pequeñas variaciones
en la forma de subida de tensión. Y valor en tiempo cercano
a 90 𝜂𝑠. Medibles en la simulación.

d. Régimen transitorio de apagado del diodo.

Fig9. Corriente inicial en el diodo.

En esta gráfica, se puede observar la corriente que


empieza a circular por el diodo, como toma una forma
similar a la de la fuente, con pequeñas desviaciones debido
a régimen transitorio de encendido.
Fig6. Régimen transitorio de apagado del diodo.
h. Caída de corriente en el diodo.

Fig10. Caída de corriente en el diodo.

Al igual que en la tensión, ocurre de manera similar para Fig13. Tiempo de Recuperación Inversa Diodo Uno
la corriente, se puede observar la caída de corriente como,
toma una forma similar a la señal y trabaja de manera La señal mostrada en el osciloscopio, indica que el tiempo de
similar a la tensión. recuperación inversa del diodo tipo uno, 1N4001 toma el valor
de, 8.4𝜇𝑠, tiempo en que la tensión del diodo se vuelve a
B. Desarrollo Práctico. estabilizar. Valor que se encuentra en el rango aceptable de
recuperación para un diodo de propósito general. A demás de
Implemente el circuito mostrado en la figura 11, utilice un encontrarse en los rangos aceptables de su Data técnica.
generador de funciones con una frecuencia de 100 Hz, utilice
una resistencia de 200𝛺, diodo uno 1N4001, diodo dos Caso 2: Diodo 1N4748.
1N4748, observe el comportamiento del voltaje ánodo
cátodo en el diodo y la resistencia, establezca comparaciones. a. Tiempo de Recuperación Inversa en el diodo dos.
Determine el tiempo de recuperación inversa.

`
Fig11. Circuito de prueba para diodos comerciales.
Fig14. Tiempo de Recuperación Inversa Diodo Dos
a. Implementación del circuito en el Protoboard.
La señal mostrada en el osciloscopio, indica que el tiempo de
recuperación inversa del diodo tipo dos, 1N4748 toma el valor
de 140𝜂𝑠, tiempo en que la tensión del diodo se tarda en
estabilizarse. Se puede deducir que el diodo dos. 1N4748, es
más rápido que el diodo uno en el tiempo de recuperación
inversa. Dato que coincide con lo obtenido en simulaciones y
esperado según su Data técnica.

b. Tensión en el diodo.

Fig12. Implementación del circuito de prueba.

Caso 1: Diodo 1N4001

a. Tiempo de Recuperación Inversa en el diodo uno.


Para el tiempo de apagado del diodo en el régimen
transitorio, según la señal se obtiene un valor de 148𝜂𝑠,
tomados con los cursores del osciloscopio. Este valor
exactamente es el doble del valor de encendido, por lo cual se
puede tener a simple observación, que el tiempo de apagado es
menos rápido que el de encendido. Siendo en este caso
particular, usando el doble de tiempo para apagarse en
referencia de encenderse.

V. CONCLUSIONES
1. La información obtenida del articulo científico, brindó
parámetros comprobables en simulaciones mediante
Fig15. Tensión en el diodo dos software, para luego ser verificadas en la
experimentación directa.
La señal mostrada en el osciloscopio indica el tipo de señal 2. Se determinó los tiempos de conmutación en los
cuadrada de acuerdo a lo obtenido en la simulación en Psim, diferentes diodos bajo prueba, llegando a establecer
con valores de diferencia entre los picos de 5.68𝑉, con el curso que el diodo rápido tiene mejores prestaciones en
dos, en el valor de 0.88𝑉, como tensión de encendido del diodo cuanto a sus tiempos de conmutación en los diferentes
y el valor de −4.80𝑉, como valor de saturación. regímenes transitorios.
3. La herramienta de Psim, es de gran valor y utilidad
c. Tiempo de encendido del diodo. para poder trabajar con diferentes tipos de circuitos
electrónicos, ayudando a gran escala a verificación y
obtención de datos.

VI. RECOMENDACIONES
1. Leer de manera detenida y con especial cuidado el
articulo científico, debido a que errores pequeños se
ven reflejados a gran escala.
2. Obtener las Data técnicas de los diferentes diodos que
se pondrán a prueba con el afán de verificar datos
medidos y dados por el fabricante.
3. Operar con cuidado los elementos dados en el
laboratorio, de ser posible tener su manual de usuario.
.
Fig16. Tiempo de encendido del diodo.

Para el tiempo de encendido del diodo en el régimen REFERENCIAS


transitorio, se obtiene el valor de 74𝜂𝑠, medidos con los
[1] M. Rashid, Electrónica de potencia, 3rd ed. Mexico: Prentice-Hall,
cursores del osciloscopio, valor relativamente rápido, para sus 1993, pp. 53-61.
diferentes aplicaciones. Valores que coinciden con los [2] "Simulation Bits: Adding the Reverse Recovery Feature to a
obtenidos de su Data técnica y que cumplen con lo esperado en Generic Diode", IEEE Power Electronics Society NEWSLETTER, vol.
simulaciones. 26, no. 2, 2011.
[3] PSIM User Manual Powersim Inc., Version 8.0, 2009
d. Tiempo de apagado del diodo.

e.
Fig17. Tiempo de apagado del diodo
Victor I. Zhigue T. (6 de abril 1993),
Nació en Loja, Ecuador, cursó sus estudios
primarios en la ‘Unidad Educativa San
Francisco de Asís’, sus estudios
secundarios los realizó en el ‘Instituto
Superior Tecnológico Daniel Álvarez
Burneo’ graduándose de bachiller en
Físico-Matemático. Actualmente cursa el sexto ciclo de la
carrera de Ingeniería Eléctrica en la Universidad de Cuenca,
Ecuador.