Asignatura:

Arquitectura del Computador

Sección:
INF-4242-SO02

Facilitador:

Fausto Lorenzo

Estudiante Matricula
Eduardo J. Romero SD-20-10798

Nombre Actividad:
Memoria RAM

Fecha entrega:
18 de junio del 2021.-
La RAM
La memoria RAM o Random Access Memory (memoria de acceso aleatorio) es un
componente que forma parte del ecosistema de hardware, pasado y presente
(quizás futuro), y que tiene como mayor finalidad crear un puente entre el sistema
operativo, software, procesador y otros dispositivos para que estos intercambien
información entre ellos.
Básicamente es la memoria principal del sistema y como tal dispone de una gran
velocidad de lectura y escritura, ya que se comunica con casi todas las partes de un
PC actual, pero al mismo tiempo sigue estando por detrás en importancia de la
memoria caché de la CPU y en parte en consonancia con otro tipo de memoria
como la ROM.
Es un tipo de memoria volátil, lo que significa que los datos que almacena se
mantendrán en ella mientras tenga la energía suficiente para funcionar
correctamente.

Historia
Las primeras computadoras usaban relés, contadores mecánicos o líneas de
retardo para las funciones principales de la memoria. Las líneas de retardo
ultrasónico eran dispositivos en serie que solo podían reproducir datos en el orden
en que fueron escritos. La memoria del tambor podía ampliarse a un costo
relativamente bajo, pero la recuperación eficiente de los elementos de la memoria
requería conocimiento del diseño físico del tambor para optimizar la velocidad. Los
pestillos construidos con triodos de tubos de vacío, y más tarde, con transistores
discretos, se utilizaron para memorias más pequeñas y rápidas, como registros.
Dichos registros eran relativamente grandes y demasiado costosos de utilizar para
grandes cantidades de datos; en general, solo se pueden proporcionar unas pocas
docenas o unos pocos cientos de bits de dicha memoria.
La primera forma práctica de memoria de acceso aleatorio fue el tubo de Williams
a partir de 1947. Almacenaba datos como puntos cargados eléctricamente en la
cara de un tubo de rayos catódicos. Dado que el haz de electrones del CRT podía
leer y escribir los puntos en el tubo en cualquier orden, la memoria era de acceso
aleatorio. La capacidad del tubo de Williams era de unos pocos cientos a alrededor
de mil bits, pero era mucho más pequeña, más rápida y con más eficiencia
energética que el uso de pestillos de tubo de vacío individuales. Desarrollado en la
Universidad de Manchester en Inglaterra, el tubo Williams proporcionó el medio en
el que se implementó el primer programa almacenado electrónicamente en la
computadora Manchester Baby, que ejecutó con éxito un programa el 21 de junio
de 1948. De hecho, en lugar de la memoria del tubo Williams Al estar diseñado
para el bebé, el bebé fue un banco de pruebas para demostrar la confiabilidad de la
memoria.
La memoria de núcleo magnético se inventó en 1947 y se desarrolló hasta
mediados de la década de 1970. Se convirtió en una forma generalizada de
memoria de acceso aleatorio, que se basaba en una serie de anillos magnetizados.
Al cambiar el sentido de magnetización de cada anillo, los datos podrían
almacenarse con un bit almacenado por anillo. Dado que cada anillo tenía una
combinación de cables de dirección para seleccionarlo, leerlo o escribirlo, era
posible acceder a cualquier ubicación de memoria en cualquier secuencia. La
memoria de núcleo magnético era la forma estándar de sistema de memoria de
computadora hasta que fue reemplazada por la memoria semiconductora MOS
(óxido de metal-silicio) de estado sólido en circuitos integrados (IC) durante la
década de 1970.
Antes del desarrollo de los circuitos integrados de memoria de solo lectura (ROM),
la memoria de acceso aleatorio permanente (o de solo lectura) a menudo se
construía utilizando matrices de diodos controladas por decodificadores de
direcciones o planos de memoria de cuerda de núcleo enrollado especialmente.
La memoria semiconductora comenzó en la década de 1960 con la memoria
bipolar, que utilizaba transistores bipolares. Si bien mejoró el rendimiento, no pudo
competir con el precio más bajo de la memoria de núcleo magnético.

Cronología

Años Eventos

1837 Charles Babbage propuso por primera vez el motor analítico, que fue
la primera computadora en usar tarjetas perforadas como memoria y
una forma de programar la computadora.
1932 Gustav Tauschek desarrolló la memoria de batería en 1932.
1942 John Atanasoff probó con éxito el ABC (Atanasoff-Berry Computer),
que fue el primer equipo en utilizar memoria de tambor de
 condensador regenerativo.
1946 Freddie Williams solicitó una patente para su dispositivo de
almacenamiento CRT (tubo de rayos catódicos) el 11 de diciembre de
1946. El dispositivo más tarde se conoció como el tubo de Williams o,
más apropiadamente, el tubo de Williams-Kilburn. El tubo solo
almacenaba 128 palabras de 40 bits y fue la primera forma práctica de
memoria de acceso aleatorio.
1946 Jan Rajchman comenzó su trabajo en el desarrollo del tubo Selectron
que era capaz de almacenar 256 bits. Debido a la popularidad de la
memoria de núcleo magnético en ese momento, el tubo Selectron
nunca se puso en producción en masa.
1947 El sistema de memoria de Freddie Williams conocido como el tubo
Williams-Kilburn estaba en funcionamiento en 1947.
1947 Frederick Viehe presentó una serie de algunas de las primeras
patentes relacionadas con la memoria de núcleo magnético. Otros que
ayudaron con el desarrollo de la memoria de núcleo magnético y la
memoria de tambor magnético incluyen a An Wang, Ken Olsen y Jay
Forrester.
1949 Jay Forrester y otros investigadores tuvieron la idea de usar memoria
de núcleo magnético en la computadora Whirlwind en 1949.
1950 El gobierno de los Estados Unidos recibió UNIVAC 1101 o ERA 1101.
Esta computadora fue considerada la primera computadora capaz de
almacenar y ejecutar un programa desde la memoria.
1951 Jay Forrester solicitó una patente para la memoria de núcleo
magnético, un tipo temprano de memoria de acceso aleatorio (RAM)
el 11 de mayo de 1951.
1952 En su tesis de maestría, Dudley Allen Buck describió la RAM
ferroeléctrica (FeRAM) que no se desarrolló hasta la década de 1980 y
principios de la de 1990.
1953 En julio de 1953 se agregó una expansión de memoria central al ENIAC.
1955 Konrad Zuse completó el Z22, el séptimo modelo de computadora y la
primera computadora que usó memoria de almacenamiento
magnético.
1955 El MIT presentó la máquina Whirlwind el 8 de marzo de 1955, una
computadora revolucionaria que fue la primera computadora digital
con RAM de núcleo magnético.
1955 A Wang se le otorgó la patente de EE. UU. N. ° 2.708.722 el 17 de
mayo de 1955 para la invención del "Dispositivo de control de
transferencia de pulsos" magnético, que hizo realidad la memoria de
núcleo magnético.
1955 Bell Labs presentó su primera computadora de transistores. Los
transistores son más rápidos, más pequeños y generan menos calor
que las cubetas de vacío tradicionales, lo que hace que estas
computadoras sean más confiables y eficientes.
1964 John Schmidt diseñó una RAM estática de canal p MOS de 64 bits
mientras estaba en Fairchild en 1964.
1964 Kenneth Olsen recibió la patente de EE. UU. N. ° 3.161.861 el 15 de
diciembre de 1964 para la memoria de núcleo magnético.
1968 El 4 de junio de 1968, el Dr. Robert Dennard en el IBM T.J. El centro de
investigación Watson recibió la patente de EE. UU. N. ° 3.387.286 que
describe una celda DRAM de un transistor. La DRAM reemplazará más
tarde la memoria de núcleo magnético en las computadoras.
1969 Charles Sie publicó una disertación en la Universidad Estatal de Iowa
donde describió y demostró la memoria de cambio de fase (PRAM).
Aunque PRAM nunca ha sido comercialmente práctico, todavía se
estaba desarrollando en empresas como Samsung.
1969 Intel lanzó su primer producto, la memoria de acceso aleatorio estática
(SRAM) bipolar de 64 bits bipolar 3101 Schottky TTL. En el mismo año,
Intel lanzó la memoria de solo lectura (ROM) bipolar 3301 Schottky de
1024 bits.
1970 Intel lanzó su primera DRAM disponible comercialmente, la Intel 1103,
en octubre de 1970. Era capaz de almacenar 1024 bits o 1 kb de
memoria.
1971 Mientras estaba en Intel, Dov Frohman inventó y patentó (n. °
3.660.819) la EPROM en 1971.
1974 Mientras estaba en Intel, a Federico Faggin se le otorgó la patente #
 3.821.715 el 28 de junio de 1974, que describe un sistema de memoria
para una computadora digital multichip.
1978 George Perlegos con Intel desarrolló Intel 2816, la primera EEPROM en
1978.
1983 Wang Laboratories creó el módulo de memoria en línea único (SIMM)
en 1983.
1984 Fujio Masuoka inventó la memoria flash en 1984.
1993 Samsung introdujo la DRAM síncrona (SDRAM) KM48SL2000 y
rápidamente se convirtió en un estándar de la industria en 1993.
1996 DDR SDRAM comenzó a venderse en 1996.
1999 RDRAM estuvo disponible para computadoras en 1999.
2003 DDR2 SDRAM comenzó a venderse en 2003.
2003 XDR DRAM comenzó a venderse en 2003.
2007 DDR3 SDRAM comenzó a venderse en junio de 2007.
2014 DDR4 SDRAM comenzó a venderse en septiembre de 2014.

FPM RAM
FPM DRAM (Fast Page Mode Dynamic Random Access Memory) es una memoria
dinámica con acceso rápido a la página que garantiza un rendimiento superior a la
memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) convencional. La principal
diferencia de la generación anterior de memoria es el soporte de direcciones
abreviadas. Si la siguiente celda solicitada está en la misma línea que la anterior, su
dirección se determina únicamente por el número de columna y el número de línea
no es necesario. ¿Cómo se logra esto? Cuando se usa la DRAM normal, la señal RAS
(Servicios de acceso remoto) se desactiva después de leer los datos para preparar
el chip para el siguiente ciclo de intercambio. El controlador FPM-DRAM mantiene
RAS en el estado bajo para eliminar la retransmisión del número de fila.
El principio de funcionamiento de la memoria FPM se basa en el supuesto de un
acceso secuencial a los datos: se supone que los datos a los que se accede están
dispuestos en serie dentro de la misma fila de la matriz de memoria. La página en
este caso es la fila de la matriz. El significado de un modo de acceso a la página es
que después de la selección de la fila y la retención de RAS, puede haber una
instalación múltiple de la dirección de la columna, cerrada por CAS. Este enfoque
permite la selección de los datos en serie dentro de una línea sin cambiar su
dirección, es decir, con la misma señal RAS. Esto acelera la transferencia de
bloques, pero solo en el caso de que todo el bloque de datos o una parte del
mismo se encuentre dentro de una sola fila de la matriz. Los bits se almacenan en
las celdas de memoria dispuestas como una matriz que consta de filas y columnas.
Como todos los otros tipos de DRAM, en la memoria IC de este tipo solo hay la
mitad de todas las salidas necesarias para indicar direcciones de datos de lectura o
escritura. El ciclo de memoria comienza con la ubicación de la primera línea, que
requiere la mitad de los bits de dirección, y luego una dirección de columna de los
datos, que es la otra mitad de la dirección. Luego, está la lectura o escritura de
datos. El modo de intercambio rápido de páginas permite direccionar la siguiente
columna, que corresponde a la siguiente en el orden de la dirección de memoria,
sin volver a especificar la fila. Esto permite reducir el tiempo de acceso para leer las
siguientes celdas de memoria, siempre que esta aún no haya llegado al final de la
línea, aumentando así la productividad. El tiempo de ciclo de la memoria FPM
DRAM es de 50 ns, lo que le permite mantener el acceso a la memoria con una
frecuencia de 30 millones de veces por segundo, o 30 MHz. Esto es suficiente para
el bus de memoria con frecuencia de reloj de 60 o 66 MHz, típico del procesador
Pentium. Entonces, para el acceso a la memoria se requiere más de un ciclo, y esto
se hace en modo batch, por lo que no es necesario indicar la dirección de la
memoria con cada acceso. Esto es posible porque el acceso a la memoria
generalmente se lleva a cabo en referencia a las celdas de memoria ordenadas, y si
no es así, los datos de acceso a la memoria adicionales no se utilizan o se ignoran.
El acceso a la memoria en modo batch suele estar indicado por la fórmula 6-3-3-3,
lo que significa que el primer acceso a la memoria requiere 6 ciclos de reloj, porque
es necesario especificar completamente la dirección, y para cada una de las tres
aplicaciones posteriores. solo se requieren 3 ciclos de reloj. Normalmente, los
ciclos de reloj se ejecutan con una velocidad de bus de memoria del procesador. A
menudo, esto corresponde a una frecuencia de reloj de 60 o 66 MHz, con la
velocidad del reloj interno del procesador, respectivamente, 120 o 133 MHz.

EDO RAM
(Extended Data Out RAM) Un chip de RAM dinámico anterior que mejoró el
rendimiento de la memoria en modo de página rápida (FPM) a mediados de la
década de 1990. Como subconjunto del modo de página rápida, podría sustituirse
por chips de modo de página. Sin embargo, si el controlador de memoria no se
diseñó para los chips EDO más rápidos, el rendimiento sigue siendo el mismo que
en el modo de página rápida.
EDO eliminó los estados de espera manteniendo activo el búfer de salida hasta que
comenzara el siguiente ciclo. BEDO (Burst EDO) fue un tipo de EDO más rápido que
ganó velocidad mediante el uso de un contador de direcciones para las siguientes
direcciones y una etapa de canalización que superponía las operaciones. La
memoria EDO fue reemplazada por SDRAM.

BEDO RAM
BEDO DRAM (Burst Extended Data Out Random Access Memory): un tipo de
memoria EDO más rápida con un resultado mejorado. BEDO RAM ganó velocidad al
usar un contador de direcciones para las siguientes direcciones y una etapa de
canalización que superponía las operaciones.
BEDO RAM lee datos de un paquete, lo que significa que después de recibir
direcciones, cada una de estas tres piezas de información se lee durante un ciclo
del temporizador, y la CPU lee el paquete de datos en un 5-1-1-1. Actualmente,
este modelo de RAM solo es compatible con los chipsets VIA tipo 580VP, 590VP,
680VP.
Al agregar un número de columna del generador de chips, los diseñadores
eliminaron el retardo CAS Delay, reduciendo el tiempo de ciclo de 15 ns,
proporcionando así un aumento del doble en la productividad. Luego de la
conversión a una celda arbitraria el chip BEDO automáticamente, sin instrucciones
del controlador aumenta el número de columnas por unidad, sin requerir su
transmisión explícita. Debido al contador de direcciones de bits limitado (los
diseñadores le asignan solo dos bits), la longitud máxima del paquete no puede
exceder las cuatro celdas.

Tipos de RAM
Hay dos tipos principales de RAM: RAM dinámica (DRAM) y RAM estática (SRAM).
DRAM (pronunciado DEE-RAM), se usa ampliamente como la memoria principal de
una computadora. Cada celda de memoria DRAM está compuesta por un transistor
y un capacitor dentro de un circuito integrado, y un bit de datos se almacena en el
capacitor. Dado que los transistores siempre pierden una pequeña cantidad, los
condensadores se descargarán lentamente, haciendo que la información
almacenada en ellos se drene; por lo tanto, la DRAM debe actualizarse (con una
nueva carga electrónica) cada pocos milisegundos para retener los datos.
SRAM (pronunciado ES-RAM) se compone de cuatro a seis transistores. Mantiene
los datos en la memoria siempre que se suministre energía al sistema, a diferencia
de la DRAM, que debe actualizarse periódicamente. Como tal, la SRAM es más
rápida pero también más cara, lo que convierte a la DRAM en la memoria más
frecuente en los sistemas informáticos.

Nomenclatura
Tenemos que prestar especial atención a la nomenclatura que se utiliza para
nombrar a las memorias RAM de tipo DDR actuales. De esta forma podremos
identificar que memoria estamos comprando y que frecuencia tiene.
Tendremos en primer lugar la capacidad de memoria disponible seguido de
“DDR(x)-(frecuencia) PC(x)-(tasa de transferencia de datos). Por ejemplo:
2 GB DDR2-1066 PC2-8500: estamos ante un módulo de RAM de 2 GB de tipo DDR2
que trabaja a una frecuencia de 1066 MHz y con una tasa de transferencia de 8500
MB/s

Módulos de RAM
Para poder entender cómo funciona la memoria virtual de un ordenador, es
necesario conocer los módulos RAM. Son 3 que tienen diferencias muy marcadas,
por lo que es momento de que leas la siguiente información que hemos preparado.
Conoce todo lo relacionado con la SIMM, DIMM y SO-DIMM.
SIMM: Los módulos considerados SIMM son el parteaguas de lo que se conoce
como memoria RAM actualmente. Su potencia de bus o bus de datos total era de
alrededor de 16 a 32 bits, por lo que se puede decir que se encuentran en
dispositivos viejos. Actualmente no son tan comunes, ya que solo se puede
encontrar en dispositivos de verdadera gama baja.
DIMM: A partir de 2008 o 2009, todos los dispositivos cambiaron a bus de datos de
64 bits, adaptando sistemas operativos y software. Este cambio ayudó a crear las
llamadas DIMM, que son las que hay actualmente en todas las PC de escritorio. Hay
varios tipos como la DDR, DDR2 y actualmente en las máquinas potentes la DDR3.
SO-DIMM: ¿Cuál era el problema con la DIMM normal? Que eran demasiado
grandes para ser introducidas en equipos portátiles. Tienen el mismo bus de datos
de 64 bits totales, pero su tamaño es perfecto para ser utilizados en portátiles o
notebooks.
Hay que mencionar que los módulos RAM son necesarios para el funcionamiento
del ordenador. Cada ordenador y arquitectura cuenta con uno diferente, por lo que
es necesario aprender el modulo correcto para evitar problemas en el futuro

Tecnologías de memoria
La tecnología de memoria actual usa una señal de sincronización para realizar las
funciones de lectura/escritura de manera que siempre está sincronizada con un
reloj del bus de memoria, a diferencia de las antiguas memorias FPM y EDO que
eran asíncronas.
Toda la industria se decantó por las tecnologías síncronas, porque permiten
construir integrados que funcionen a una frecuencia superior a 66 MHz.

SDR SDRAM
Memoria síncrona, con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan
en módulos DIMM de 168 contactos. Fue utilizada en los Pentium II y en los
Pentium III , así como en los AMD K6, AMD Athlon K7 y Duron. Está muy extendida
la creencia de que se llama SDRAM a secas, y que la denominación SDR SDRAM es
para diferenciarla de la memoria DDR, pero no es así, simplemente se extendió
muy rápido la denominación incorrecta. El nombre correcto es SDR SDRAM ya que
ambas (tanto la SDR como la DDR) son memorias síncronas dinámicas. Los tipos
disponibles son:
PC66: SDR SDRAM, funciona a un máx de 66,6 MHz.
PC100: SDR SDRAM, funciona a un máx de 100 MHz.
PC133: SDR SDRAM, funciona a un máx de 133,3 MHz.
RDRAM
Se presentan en módulos RIMM de 184 contactos. Fue utilizada en los Pentium 4 .
Era la memoria más rápida en su tiempo, pero por su elevado costo fue
rápidamente cambiada por la económica DDR. Los tipos disponibles son:
PC600: RIMM RDRAM, funciona a un máximo de 300 MHz.
PC700: RIMM RDRAM, funciona a un máximo de 350 MHz.
PC800: RIMM RDRAM, funciona a un máximo de 400 MHz.
PC1066: RIMM RDRAM, funciona a un máximo de 533 MHz.
PC1200: RIMN RDRAM, funciona a un máximo de 600 MHz.

DDR SDRAM
Memoria síncrona, envía los datos dos veces por cada ciclo de reloj. De este modo
trabaja al doble de velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la
frecuencia de reloj. Se presenta en módulos DIMM de 184 contactos en el caso de
ordenador de escritorio y en módulos de 144 contactos para los ordenadores
portátiles.
La nomenclatura utilizada para definir a los módulos de memoria de tipo DDR (esto
incluye a los formatos DDR2, DDR3 y DDR4) es la siguiente: DDRx-yyyy PCx-zzzz;
donde x representa a la generación DDR en cuestión; yyyy la frecuencia aparente o
efectiva, en Megaciclos por segundo (MHz); y zzzz la máxima tasa de transferencia
de datos por segundo, en Megabytes, que se puede lograr entre el módulo de
memoria y el controlador de memoria. La tasa de transferencia depende de dos
factores, el ancho de bus de datos (por lo general 64 bits) y la frecuencia aparente
o efectiva de trabajo. La fórmula que se utiliza para calcular la máxima tasa de
transferencia por segundo entre el módulo de memoria y su controlador, es la
siguiente:
Tasa de transferencia en MB/s = (Frecuencia DDR efectiva) × (64 bits / 8 bits por
cada byte)4
Por ejemplo:
1 GB DDR-400 PC-3200: Representa un módulo de 1 GB (Gigabyte) de tipo DDR;
con frecuencia aparente o efectiva de trabajo de 400 MHz; y una tasa de
transferencia de datos máxima de 3200 MB/s.
4 GB DDR3-2133 PC3-17000: Representa un módulo de 4 GB de tipo DDR3;
frecuencia aparente o efectiva de trabajo de 2133 MHz; y una tasa de transferencia
de datos máxima de 17000 MB/s.
Los tipos disponibles son:
PC1600 o DDR 200: funciona a un máx de 200 MHz.
PC2100 o DDR 266: funciona a un máx de 266,6 MHz.
PC2700 o DDR 333: funciona a un máx de 333,3 MHz.
PC3200 o DDR 400: funciona a un máx de 400 MHz.
PC3500 o DDR 433 funciona a un máx de 433 MHz.
PC4500 o DDR 500: funciona a una máx de 500 MHz.

DDR2 SDRAM
Módulos de memoria instalados de 256 MiB cada uno en un sistema con doble
canal.
Las memorias DDR 2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data Rate), que
permiten que los búferes de entrada/salida trabajen al doble de la frecuencia del
núcleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro
transferencias. Se presentan en módulos DIMM de 240 contactos. Los tipos
disponibles son:
PC2-3200 o DDR2-400: funciona a un máx de 400 MHz.
PC2-4200 o DDR2-533: funciona a un máx de 533,3 MHz.
PC2-5300 o DDR2-667: funciona a un máx de 666,6 MHz.
PC2-6400 o DDR2-800: funciona a un máx de 800 MHz.
PC2-8600 o DDR2-1066: funciona a un máx de 1066,6 MHz.
PC2-9000 o DDR2-1200: funciona a un máx de 1200 MHz.
DDR3 SDRAM
Las memorias DDR 3 son una mejora de las memorias DDR 2, proporcionan
significantes mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva
consigo una disminución del gasto global de consumo. Los módulos DIMM DDR 3
tienen 240 pines, el mismo número que DDR 2; sin embargo, los DIMMs son
físicamente incompatibles, debido a una ubicación diferente de la muesca. Los
tipos disponibles son:
PC3-6400 o DDR3-800: funciona a un máx de 800 MHz.
PC3-8500 o DDR3-1066: funciona a un máx de 1066,6 MHz.
PC3-10600 o DDR3-1333: funciona a un máx de 1333,3 MHz.
PC3-12800 o DDR3-1600: funciona a un máx de 1600 MHz.
PC3-14900 o DDR3-1866: funciona a un máx de 1866,6 MHz.
PC3-17000 o DDR3-2133: funciona a un máx de 2133,3 MHz.
PC3-19200 o DDR3-2400: funciona a un máx de 2400 MHz.
PC3-21300 o DDR3-2666: funciona a un máx de 2666,6 MHz.

DDR4 SDRAM
PC4-1600 o DDR4-1600: funciona a un máx de 1600 MHz.
PC4-1866 o DDR4-1866: funciona a un máx de 1866,6 MHz.
PC4-17000 o DDR4-2133: funciona a un máx de 2133,3 MHz.
PC4-19200 o DDR4-2400: funciona a un máx de 2400 MHz.
PC4-25600 o DDR4-2666: funciona a un máx de 2666,6 MHz.