Tipos De Memoria

OBJETIVOS

- Dar a conocer una breve evolución histórica en forma general de

las memorias.

- Dar a conocer distintos tipos de memoria.

- Determinar las diferencias que tienen entre estos tipos de

memoria.

INDICE

PORTADA

INDICE ...........................................................................

INTRODUCCION ...........................................................

OBJETIVOS ...................................................................

CUERPO DEL INFORME ..............................................

CONCLUSION ...............................................................

BIBLIOGRAFIA ..............................................................

TABLAS Y ANEXOS ......................................................

INTRODUCCION

La memoria es un bloque fundamental del computador, cuya

misión consiste en almacenar los datos y las instrucciones. La
memoria principal, es el órgano que almacena los datos e
instrucciones de los programas en ejecución.

A veces la memoria principal no tiene la suficiente capacidad

para contener todos los datos e instrucciones, en cuyo caso se
precisan otras memorias auxiliares o secundarias, que funcionan
como periféricos del sistema y cuya información se traspasa a la
memoria principal cuando se necesita.

La memoria solo puede realizar dos operaciones básicas: lectura

y escritura. En la lectura, el dispositivo de memoria debe recibir una
dirección de la posición de la que se quiere extraer la información
depositada previamente. En la escritura, además de la dirección, se
debe suministrar la información que se desea grabar.

EVOLUCION DE LAS MEMORIAS

En las calculadoras de la década de los 30 se emplean tarjetas

perforadas como memorias. La dirección de las posiciones quedaba
determinada por la posición de ruedas dentadas. Luego se emplearon
relés electromagnéticos.
El computador ENIAC utilizaba, en 1946, válvulas electrónicas
de vacío para construir sus biestables que actuaban como punto de
memoria. Además, tenia una ROM de 4 bits construida a base de
resistencias.
Al comienzo de la década de los 50, se usaron las líneas de
retardo de mercurio con 1 Kbit por línea, como memoria. Igualmente
se empleo el tubo de Williams, que tenia una capacidad de 1200 bits y
consistía en un tubo de rayos catódicos con memoria.
En UNIVAC I introdujo en 1951 la primera unidad comercial de
banda magnética, que tenia una capacidad de 1,44 Mbit y una
velocidad de 100 pulgadas/s.
 El primer computador comercial que uso memoria principal al
tambor magnético fue el IBM 650 en 1954. Dicho tambor giraba a
12500 r.p.m y tenia una capacidad de 120 Kbits.
En 1953, el Mit dispuso de la primera memoria operativa de
ferritas, que fue muy popular hasta mediados de los años 70.
Fue IBM, en 1968, quien diseño la primera memoria comercial
de semiconductores. Tenia una capacidad de 64 bits.
También, el modelo 350 de IBM en 1956 fue quien utilizo el
primer disco con brazo móvil y cabeza flotante. Su capacidad era de
40 Mbits y su tiempo de acceso, de 500 ms.
Tecnologías nuevas, como la de burbujas magnéticas, efecto
Josephon, acoplamiento de carga, de tipo óptico y otras, compiten en
la actualidad por desplazar a las memorias de semiconductor basadas
en silicio, que ya han alcanzado capacidades superiores a 1 Mbit en
una pastilla con rapidisimo tiempo de acceso y coste razonable.

CUERPO DEL INFORME

MEMORIA DE FERRITA

Aunque hoy en día están en desuso, la practica totalidad de las

memorias principales, desde mediados de la década de los 50, hasta
los años 70, se han construido con ferritas. Una muestra de su
importancia es que es el escudo de las Facultades y Escuelas de
Informática se basa en un toro de ferrita.
El punto de memoria es un toro o anillo de ferrita, que presenta dos
direcciones de magnetización. Las primeras ferritas tenían un
diámetro exterior de 0.3 cm y las ultimas de 0.05 cm.
La conexión a los transductores se realiza mediante hilos de cobre
barnizados, que pasan por el interior de las ferritas. La conexión se
hacia con 2, 3 ó 4 hilos. Evidentemente el cosido con menos hilos era
más sencillo, pero complicaba los transductores.
Las propiedades fundamentales de estas memorias son las siguientes:
a) Memoria estática con direccionamiento cableado, tipo RAM.
b) No volátil, pues, si se deja de alimentar, las polarizaciones de
las ferritas se mantienen invariables.
c) De lectura destructiva. La escritura exige un borrado previo,
pues solamente se puede basar del “0” al ”1”.
d) Solo se considera el tiempo de ciclo( lectura + escritura)pues los
accesos siempre requieren un ciclo. La velocidad de los primeros
prototipos era de 20s y se ha llegado a modelos de 275ns.
e) La capacidad de estas memorias varia de unos pocos K a unos
pocos Megas. Se construían con modelos de 4K.
f) Valores típicos de anchos de palabra han sido 8, 16, 32 y 36.

MEMORIAS DE PELICULA DELGADA Y DE HILO PLATEADO.

Ambos tipos de memoria fueron un intento, de poco éxito comercial,

de sustituir ferritas de dos hilos por una estructura de fabricación más
sencilla, de menor tamaño y, por tanto, de mayor velocidad.
En los dispositivos de película delgada se parte de una fina capa
magnetizable sobre la que se establece una matriz de hilos
conectados a los transductores. La zona proximal al cruce de dos hilos
realiza la misma función que un toro de ferrita de dos hilos. Dicha
capa se deposita sobre un soporte y tiene un espesor de unos 10 –
4mm.
En los dispositivos de hilo plateado el material magnético se deposita
en una fina capa que recubre uno de los dos conductores. La zona de
este deposito, próxima al cruce de ambos hilos, forma el equivalente
a la ferrita.

MEMORIAS DE SEMICONDUCTORES

Este tipo de memoria se emplea actualmente, con carácter universal,

como memoria principal de los computadores.
Todas las memorias que se van a tratar en este apartado son de
direccionamiento cableado, o sea, de acceso aleatorio o RAM. Sin
embargo, dentro de estas memorias se ha desarrollado otra
terminología que resulta un poco confusa, pues repite términos
empleados con otro sentido. Se puede establecer la siguiente
clasificación:
a) de lectura y escritura(RAM)
- Estáticas.
- Dinámicos o con refresco.
b) de sólo lectura
- ROM (Read Only Memory)
- PROM (Programmable Read Only Memory)
- EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory)
- EEPROM (Electricaly Erasable Read Only Memory )
Las memorias de semiconductores se presentan en pastillas
integradas que contienen una matriz de memoria, un decodificador de
direcciones, los transductores correspondientes y el tratamiento lógico
de algunas señales de control.
Existen muchas configuraciones, pero la mayoría de estas memorias
manejan los siguientes elementos y señales.
a) Bus de Datos: es un colector o conjunto de líneas triestado que
transportan la información almacenada en memoria. El bus de
datos se puede conectar a las líneas correspondientes de varias
pastillas.
b) Bus de Direcciones: cuando se esta completo, es un conjunto de m
líneas que transportan la dirección y que permite codificar 2
posiciones de memoria. Pude estar multiplexado, de forma que
primero se transmiten m/2 bits y luego, el resto.
c) Señales de control típicas:
OE: activa la salida triestado de la memoria.
CS ó CE: activa la pastilla o chip.
WE: señal de escritura. Para realizar una escritura, además de
activarse esta señal, también lo estarán CS ó CE.
RAS ó CAS: las líneas RAS(Row Address Strobe) y CAS(Column
Address Strobe) sirven para decodificar las filas y columnas de la
RAM dinámicas.
d) Ancho de palabra típico: 1,4 u 8 bits.

MEMORIA RAM

Es la memoria de acceso aleatorio (Random Access Memory). Se

llama de acceso aleatorio porque el procesador accede a la
información que está en la memoria en cualquier punto sin tener que
acceder a la información anterior y posterior.
Es la memoria que se actualiza constantemente mientras el ordenador
está en uso y que pierde sus datos cuando el ordenador se apaga.
Hay dos tipos básicos de RAM:
DRAM (Dynamic RAM), RAM dinámica,
SRAM (Static RAM), RAM estática

Los dos tipos difieren en la tecnología que usan para almacenar los
datos. La RAM dinámica necesita ser refrescada cientos de veces por
segundo, mientras que la RAM estática no necesita ser refrescada tan
frecuentemente, lo que la hace más rápida, pero también más cara
que la RAM dinámica. Ambos tipos son volátiles, lo que significa que
pueden perder su contenido cuando se desconecta la alimentación.
En el lenguaje común, el termino RAM es sinónimo de memoria
principal, la memoria disponible para programas. Se refiere a la
memoria RAM tanto como memoria de lectura y escritura como así a
un tipo de memoria volátil.

Tipos de Memoria RAM:

1) DRAM (Dynamic Random Access Memory)
Es la memoria de acceso aleatorio dinámica. Está organizada en
direcciones de memoria (Addresses) que son reemplazadas muchas
veces por segundo.
Es la memoria de trabajo, por lo que a mayor cantidad de memoria,
más datos se pueden tener en ella y más aplicaciones pueden estar
funcionando simultáneamente, y por supuesto a mayor cantidad
mayor velocidad de proceso, pues los programas no necesitan buscar
los datos continuamente en el disco duro, el cual es muchísimo más
lento.
2) SRAM (Static Random Access Memory)
Memoria estática de acceso aleatorio es la alternativa a la DRAM. No
necesita tanta electricidad para su refresco y reemplazo de las
direcciones y funciona más rápido porque no está reemplazando
constantemente las instrucciones y los valores almacenados en ella.
La desventaja es su altísimo coste comparado con la DRAM. Puede
almacenar y recuperar los datos rápidamente y se conoce
normalmente como MEMORIA CACHE.

3) VRAM (video RAM)

Memoria de propósito especial usada por los adaptadores de vídeo. A
diferencia de la convencional memoria RAM, la VRAM puede ser
accedida por dos diferentes dispositivos de forma simultánea. Esto
permite que un monitor pueda acceder a la VRAM para las
actualizaciones de la pantalla al mismo tiempo que un procesador
gráfico suministra nuevos datos. VRAM permite mejores rendimientos
gráficos aunque es más cara que la una RAM normal.
4) SIMM ( Single In Line Memory Module)
Un tipo de encapsulado consistente en una pequeña placa de circuito
impreso que almacena chips de memoria, y que se inserta en un
zócalo SIMM en la placa madre o en la placa de memoria. Los SIMMs
son más fáciles de instalar que los antiguos chips de memoria
individuales, y a diferencia de ellos son medidos en bytes en lugar de
bits.
5) DIMM (Dual In Line Memory)
Un tipo de encapsulado, consistente en una pequeña placa de circuito
impreso que almacena chips de memoria, que se inserta en un zócalo
DIMM en la placa madre y usa generalmente un conector de 168
contactos.
6) DIP (Dual In Line Package)
Un tipo de encapsulado consistente en almacenar un chip de memoria
en una caja rectangular con dos filas de pines de conexión en cada
lado.
7) RAM Disk
Se refiere a la RAM que ha sido configurada para simular un disco
duro. Se puede acceder a los ficheros de un RAM disk de la misma
forma en la que se acceden a los de un disco duro. Sin embargo, los
RAM disk son aproximadamente miles de veces más rápidos que los
discos duros, y son particularmente útiles para aplicaciones que
precisan de frecuentes accesos a disco.
Dado que están constituidos por RAM normal. los RAM disk pierden su
contenido una vez que la computadora es apagada.
8) MEMORIA CACHE O RAM CACHE
Un caché es un sistema especial de almacenamiento de alta
velocidad. Puede ser tanto un área reservada de la memoria principal
como un dispositivo de almacenamiento de alta velocidad
independiente. Hay dos tipos de caché frecuentemente usados en las
computadoras personales: memoria caché y caché de disco. Una
memoria caché, llamada también a veces almacenamiento caché ó
RAM caché, es una parte de memoria RAM estática de alta velocidad
(SRAM) más que la lenta y barata RAM dinámica (DRAM) usada como
memoria principal.
La memoria caché es efectiva dado que los programas acceden una y
otra vez a los mismos datos o instrucciones. Guardando esta
información en SRAM, la computadora evita acceder a la lenta DRAM.

Cuando un dato es encontrado en el caché, se dice que se ha

producido un impacto (hit), siendo un caché juzgado por su tasa de
impactos (hit rate). Los sistemas de memoria caché usan una
tecnología conocida por caché inteligente en el cual el sistema puede
reconocer cierto tipo de datos usados frecuentemente.
El caché de disco trabaja sobre los mismos principios que la memoria
caché, pero en lugar de usar SRAM de alta velocidad, usa la
convencional memoria principal. Los datos más recientes del disco
duro a los que se ha accedido se almacenan en un buffer de memoria.
Cuando el programa necesita acceder a datos del disco, lo primero
que comprueba es la caché del disco para ver si los
datos ya están ahí. La caché de disco puede mejorar drásticamente el
rendimiento de las aplicaciones, dado que acceder a un byte de datos
en RAM puede ser miles de veces más rápido que acceder a un byte
del disco duro.

Tipos de Memoria CACHE

De acuerdo con el modo de traducción de las direcciones de memoria
principal a direcciones de memoria cache, estas se clasifican en los
siguientes tipos:
1. De correspondencia directa.
2. De asociación completa.
3. De asociación de conjuntos.
4. De correspondencia vectorizada.

Memoria cache de correspondencia directa.

Se establece una correspondencia entre el bloque K de la memoria
principal y el bloque k, modulo n, de la cache, siendo n el numero de
bloques de la memoria cache.
Este tipo simple y económico, por no requerir comparaciones
asociativas en las búsquedas. De todas formas, en sistemas
multiprocesador pueden registrarse graves contenciones en el caso de
que varios bloques de memoria correspondan concurrentemente en
un mismo bloque de la cache.
Una dirección de memoria consta de 3 campos:
Campo de etiqueta.
Campo de bloque.
Campo de palabra.

Memoria asociativa completa

En este modelo se establece una correspondencia entre el bloque k de
la memoria y el bloque j de la cache, en la que j puede tomar
cualquier valor.
No se produce contención de bloques y es muy flexible, pero su
implementación es cara y muy compleja, ya que el modelo se basa
completamente en la comparación asociativa de etiquetas.

Memoria cache de asociación de conjuntos

Se divide la memoria en c conjuntos de n bloques, de forma que al
bloque k de memoria corresponde uno cualquiera de los bloques de la
memoria del conjunto k, modulo c. La búsqueda se realiza
asociativamente por el campo de etiqueta y directamente por el
numero del sector. De este modo se reduce el costo frente al modelo
anterior, manteniendo gran parte de su flexibilidad y velocidad. Es la
Estructura más utilizada.

Memoria cache de correspondencia vectorizada

El modelo divide a la memoria principal y a le cache en n bloques. La
relación se establece de cualquier sector a cualquier sector, siendo
marcados los bloques no referenciados del sector como no validos.
Esta estructura también reduce costos, minimizando el núcleo de
etiquetas para la comparación asociativa.

9) SDRAM (Synchronous DRAM)

DRAM síncrona, un tipo de memoria RAM dinámica que es casi un
20% más rápida que la RAM EDO. SDRAM entrelaza dos o más
matrices de memoria interna de tal forma que mientras que se está
accediendo a una matriz, la siguiente se está preparando para el
acceso. SDRAM-II es tecnología SDRAM más rápida esperada para
1998. También conocido como DDR DRAM o DDR SDRAM (Double
Data Rate DRAM o SDRAM), permite leer y escribir datos a dos veces
la velocidad bús.
10) FPM (Fats Page Mode)
Memoria en modo paginado, el diseño más común de chips de RAM
dinámica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de
coordenadas, fila y columna. Antes del modo paginado, era leído
pulsando la fila y la columna de las líneas seleccionadas. Con el modo
pagina, la fila se selecciona solo una vez para todas las columnas
(bits) dentro de la fila, dando como resultado un rápido acceso. La
memoria en modo paginado también es llamada memoria de modo
Fast Page o memoria FPM, FPM RAM, FPM DRAM. El término "fast" fué
añadido cuando los más nuevos chips empezaron a correr a 100
nanoseconds e incluso más.
11) EDO (Extended Data Outpout)
Un tipo de chip de RAM dinámica que mejora el rendimiento del modo
de memoria Fast Page alrededor de un 10%. Al ser un subconjunto de
Fast Page, puede ser substituida por chips de modo Fast Page.
Sin embargo, si el controlador de memoria no está diseñado para los
más rápidos chips EDO, el rendimiento será el mismo que en el modo
Fast Page.
EDO elimina los estados de espera manteniendo activo el buffer de
salida hasta que comienza el próximo ciclo.
11) BEDO (Burst EDO)
Es un tipo más rápido de EDO que mejora la velocidad usando un
contador de dirección para las siguientes direcciones y un estado
'pipeline' que solapa las operaciones.
12) PB SRAM (Pipeline Burst SRAM)
Se llama 'pipeline' a una categoría de técnicas que proporcionan un
proceso simultáneo, o en paralelo dentro de la computadora, y se
refiere a las operaciones de solapamiento moviendo datos o
instrucciones en una 'tubería' conceptual con todas las fases del 'pipe'
procesando simultáneamente. Por ejemplo, mientras una instrucción
se está ejecutando, la computadora está decodificando la siguiente
instrucción. En procesadores vectoriales, pueden procesarse
simultáneamente varios pasos de operaciones de coma flotante
La PB SRAM trabaja de esta forma y se mueve en velocidades de
entre 4 y 8 nanosegundos.

TAG RAM

Este tipo de memoria almacena las direcciones de cualquier dato de

memoria DRAM que hay en la memoria caché. Si el procesador
encuentra una dirección en la TAG RAM, va a buscar los datos
directamente a la caché, si no, va a buscarlos directamente a la
memoria principal.
Cuando se habla de la CACHEABLE MEMORY en las placas para
Pentium con los chipsets 430FX, 430VX, 430HX y 430TX de Intel, nos
referimos a la cantidad de TAG RAM, es decir, la cantidad de datos de
memoria que se pueden almacenar en la caché. Una de las
desventajas del chipset 430TX frente al chipset 430HX es que solo se
pueden almacenar los datos de 64 MB de memoria RAM, con lo cual,
en ciertos casos, en las placas con este chipset se produce un
descenso del rendimiento de memoria al tener instalados más de 64
MB de memoria RAM en el equipo. Por ello, a pesar de la modernidad
del diseño, en los servidores o las estaciones gráficas quizás sería
más conveniente utilizar una placa base con el chipset 430HX de
Intel.

MEMORIA ROM

Estas letras son las siglas de Read Only Memory (memoria de solo
lectura) y eso es exactamente lo que es, una memoria que se graba
en el proceso de fabricación con una información que está ahí para
siempre, para lo bueno y lo malo. No podemos escribir en ella pero
podemos leer cada posición la veces que queramos. Se trata de la
memoria interna de la máquina, que el procesador lee para averiguar
el qué, el cuándo y el cómo de una multitud de tareas diferentes; por
ejemplo: lee las diversas instrucciones binarias que se necesitan cada
vez que se teclea un carácter por el teclado, o cada vez que se tiene
que presentar algo en pantalla.
En la ROM está almacenado también el programa interno que nos
ofrece la posibilidad de hablar con el ordenador en un lenguaje muy
similar al inglés sin tener que rompernos la cabeza con el lenguaje de
máquina (binario). Todas estas cosas suman tanta información que es
muy probable que la memoria ROM de un ordenador tenga una
capacidad de 8K a 16K, un número suficientemente grande para que
este justificado asombrarse ante la cantidad de información necesaria
para llenar tal cantidad de posiciones, especialmente cuando sabemos
que los programas ROM están escritos por expertos en ahorrar
memoria. Ello sirve para poner de manifiesto la gran cantidad de
cosas que pasan en el interior de un ordenador cuando éste está
activo.
La memoria ROM presenta algunas variaciones: las memorias PROM,
EPROM y EEPROM.

MEMORIA PROM

Para este tipo de memoria basta decir que es un tipo de memoria

ROM que se puede programar mediante un proceso especial,
posteriormente a la fabricación.
PROM viene de PROGRAMABLE READ ONLY MEMORY (memoria
programable de solo lectura ).Es un dispositivo de almacenamiento
solo de lectura que se puede reprogramar después de su manufactura
por medio de equipo externo . Los PROM son generalmente pastillas
de circuitos integrados.

Características principales de rom y prom:

- Solo permiten la lectura.
- Son de acceso aleatorio
- Son permanentes o no volátiles: la información no puede
borrarse
- Tienen un ancho de palabra de 8 bits, con salida triestado.
MEMORIA EPROM

La memoria EPROM ( la E viene de ERASABLE -borrable-) es una

ROM que se puede borrar totalmente y luego reprogramarse, aunque
en condiciones limitadas. Las EPROM son mucho más económicas que
las PROM porque pueden reutilizarse.

MEMORIA EEPROM
Aún mejores que las EPROM son las EEPROM ( EPROM eléctricamente
borrables) también llamadas EAROM (ROM eléctricamente
alterables), que pueden borrarse mediante impulsos eléctricos, sin
necesidad de que las introduzcan en un receptáculo especial para
exponerlos a luz ultravioleta.
Las ROM difieren de las memorias RAM en que el tiempo necesario
para grabar o borrar un byte es cientos de veces mayor, a pesar de
que los tiempos de lectura son muy similares.

Características principales de este tipo de memorias:

- Solo permiten la lectura.
- Son de tipo no volátil, aunque pueden borrarse.
- Son de acceso aleatorio.
- Tienen un ancho de palabra de 8 bits, con salida triestado.

MEMORIA VIRTUAL

Es una manera de reducir el acceso constante a memoria por parte

del procesador.
Cuando se está ejecutando un programa, y especialmente si se tienen
varias aplicaciones abiertas, el ordenador tiene que cargar en
memoria RAM los valores e instrucciones de dicho/s programa/s.
Pero, ¿qué ocurre cuando el programa o programas que se
están ejecutando requieren más memoria de la que tiene el
equipo?
En este caso, el procesador toma una parte del disco duro y la
convierte en memoria RAM. Es decir, se utiliza el disco duro para
almacenar direcciones de memoria, y aunque el disco duro es mucho
más lento que la memoria RAM (10-15 milisegundos para un disco
duro moderno frente a 70-10 nanosegundos para la memoria actual),
es mucho más rápido tomar los datos en formato de memoria virtual
desde el disco duro que desde las pistas y sectores donde se
almacenan los archivos de cada programa.
Los distintos modelos de memoria virtual se diferencian por sus
políticas de solapamiento y por los métodos que emplean en la
organización de la memoria. Los mas importantes son:
- Memoria Paginada
- Memoria Segmentada
- Memoria de segmentos paginados

Todos estos sistemas encuentran como problema critico que los

requerimientos de la memoria de algunos programas específicos son
difíciles de predecir, y por ello, la fracción de memoria que debe
asignarse a un programa es variable en cada caso.
Además, la política de solapamiento y compartición debe tener en
cuenta ciertas características internas de los programas que,
invariablemente, determinan la construcción modular y estructurada
de los mismos. Dichas características son:
1.- Localización Temporal: Es la tendencia de un proceso a referirse,
en un futuro próximo, a elementos utilizados recientemente. Las
variables y los stacks del proceso son ejemplos de elementos que
ejercitan esta característica.
2.- Localización espacial: es la tendencia que tiene los procesos a
referirse a elementos próximos la espacio virtual antes recorrido.
3.- Localización Secuencial: tendencia de los procesos a referenciar
elementos de la secuencia inmediata.

Para decidir que fracción de memoria principal ha de ser destruida o

cargada en disco si ha sido modificada cuando se necesita leer otra,
las reglas o criterios mas empleados son:
a) Regla FIFO. Se destruye la fracción que mas tiempo lleva en la
memoria principal para dejar un hueco en esta.
b) Regla LRU. La porción que lleva mas tiempo sin haber sido usada o
actualizada.
c) Regla LIFO. El hueco aparece en la memoria principal destruyendo
o devolviendo a disco(si se ha modificado) la parte que lleva en
memoria el menor tiempo.
d) Regla LFO. Deja hueco la porción que se ha pedido menos veces
desde que comenzó el proceso.
e) Regla RAND. Se elige una porción al azar.
f) Regla CLOCK. Cuando se coloca un bit de uso en cada entrada de
una cola FIFO y se establece un puntero que la convierte en
circular. Es una aproximación al algoritmo LRU con una cola FIFO
simple.
MEMORIA PAGINADA

Este método organiza el espacio virtual y el físico en bloques de

tamaño fijo, llamados paginas. En un momento determinado la
memoria principal contendrá algunos de los bloques lógicos. Como las
distintas posiciones de un bloque lógico y uno físico están ordenadas
de forma idéntica, simplemente hay que traducir el numero del bloque
lógico al correspondiente del bloque físico.

Los métodos de traducción son diversos, desde el mas básico de

correspondencia directa al mas complejo de correspondencia
asociativa, donde la búsqueda se realiza mediante el contenido de una
memoria asociativa que mantiene las correspondencias virtual – física
mas recientemente utilizadas. En la practica se utiliza una técnica
mixta en la que las paginas mas recientemente empleadas se
encuentran en una memoria asociativa y todas ellas en una tabla de
correspondencia directa.

Método de correspondencia directa:

La dirección virtual consta de dos campos: un numero de pagina
virtual(npv) y un desplazamiento(d), dentro de la pagina indicada.
Con el numero de la pagina virtual se accede a una entrada de una
tabla de paginas(TP) que proporciona la dirección física de la pagina y
una serie de información complementaria.
Localizada la pagina física, el desplazamiento(d) sirve para completar
la posición concreta dentro de ella.
En el momento de arranque, cada proceso activo del sistema crea en
la memoria principal una Tabla de Paginas(TP) que contiene una
entrada por cada posible pagina virtual. La configuración de las
entradas de TP consta de los siguientes campos:

1.- Bit de validación(V), que, cuando esta activado, indica que la

pagina existe. Si V=0, la pagina no existe y se creara cuando haga
falta.
2.- Bit de Modificación(M), que indica si la pagina ha sido modificada
en memoria. Este bit se utiliza en los algoritmos de reemplazo y
actualización de la memoria.
3.- Código de acceso autorizado a la pagina(CAA), que puede ser de
lectura, escritura y/o ejecución; son 2 bits.
4.- Dirección de la Pagina(DP), que contiene la dirección de la pagina
en memoria principal o la dirección de la misma en memoria virtual o
disco, según que la pagina este activa o inactiva de acuerdo con el
señalizador D.
La dirección donde comienza la Tabla de Paginas(TP) esta almacenada
en el Registro de Base de la Tabla de Paginas(RBTP). Para acceder,
sucesivamente, a las entradas de la TP se incrementa el valor
correspondiente al numero de pagina virtual(npv) al que se guarda en
RBTP.
Para calcular la dirección física en memoria se concatena DP(numero
de pagina) con el desplazamiento d. Esto, si la pagina se encuentra en
la memoria principal.
El problema de este método estriba en el que el numero de entradas
a la Tabla de Paginas(TP) ha de coincidir con el numero de paginas
virtuales, que es muy grande.

Método de correspondencia asociativa

En este caso se dispone de una tabla inversa en tecnología asociativa,

esto es, con memoria tipo CAM, que se encarga ella misma de
soportar el proceso de búsqueda a muy alta velocidad, suministrando
el numero de pagina física o indicación de que la palabra lógica
direccionada no se encuentra en memoria, en cuyo caso se elimina
una pagina de la memoria principal(si no se ha modificado) y se trae
la nueva al hueco que deja.
La memoria asociativa es aquella en la que se producen múltiples
accesos de forma simultanea. En un simple acceso se pueden
direccionar todas las posiciones que satisfacen un criterio de
selección. Dado el elevado coste de las memorias asociativas, la tabla
CAM suele ser incompleta, albergando el conjunto de paginas
“activas” en un momento determinado. Si la CAM origina falta, hay
que acudir a la TP para comprobar si esta en la memoria principal y,
en su caso, actualizar la CAM. Si da falta la TP, hay que proceder a un
cambio de pagina entre memoria principal y CAM.

MEMORIA SEGMENTADA

Este método explota el concepto de modularidad de los programas

construidos estructuralmente. Los módulos son conjuntos de
informaciones que pueden tratarse independientemente y que se
relacionan mediante llamadas interprocedimientos, constituyendo
programas que se denominan segmentos.
La segmentación es una técnica que organiza el espacio virtual en
bloques de tamaño variable, que reciben el nombre de segmentos y
que se colocan en memoria mediante algoritmos de localización de
espacio libre.
Los elementos de un segmento se identifican mediante la dirección del
segmento al que pertenecen y un desplazamiento dentro del mismo.
A semejanza con el modelo anterior, existe un Registro Base de la
Tabla de Segmentos(RBTS), que direcciona el comienzo de la Tabla de
Segmentos(TS), de las que existe una por cada proceso activo. Cada
entrada de la Tabla de Segmentos se compone de los siguientes
campos:
1.- Código de Acceso Autorizado(CAA), que indica el modo de acceso
permitido al segmento.
2.- Campo de Longitud(L), que indica la longitud del segmento.
3.- Bit de Memoria/Disco(D), que indica si el segmento esta o no en
memoria.
4.- Campo de Dirección de Segmento (DS), que contiene la dirección
absoluta del segmento en memoria o la posición del segmento en
disco, según el valor del señalizador D.

Dada la naturaleza variable en cuanto a longitud de los segmentos, se

precisa algún algoritmo que localice espacio libre para que resida el
segmento apropiado, ya que no es corriente encontrar un bloque
continuo en la memoria, para colocarlo completo. Estos algoritmos
forman parte del mecanismo de interrupción de falta de pagina y los
más relevantes son:
a) De mejor ajuste: Minimiza el desperdicio, seleccionando el mejor
agujero o fragmento inútil en el que se puede colocar el segmento.
b) De peor ajuste: Localiza el agujero que maximiza el desperdicio
al colocar el segmento.
c) De primer ajuste: Localiza el agujero con una dirección inicial
inferior en el que se puede colocar el segmento.
d) Algoritmo Buddy: Utiliza técnicas de compactación de memoria,
fusionando espacios inútiles, de forma que se configuran bloques
continuos del tamaño adecuado.

Evidentemente los segmentos pueden ser compartidos por muchos

procesos. Algunos sistemas utilizan tablas auxiliares, que apoyan la
búsqueda de segmentos compartidos, como la Tabla de Segmentos
Activos(TSA), que indica cuales son los segmentos activos en
memoria en cada instante y la Tabla de Segmentos Conocidos(TSC),
que contiene en cada entrada un nombre-segmento/numero
segmento por cada segmento ya utilizado en el proceso.
Uno de los procedimientos mas aceptados para la gestión de la
memoria virtual es el que utilizan los minicomputadores PDP-II de
Digital Equpiment Corporation. Por ej. la dirección virtual de 16 bits,
se divide en un campo de 3 bits, que selecciona uno de los 8 registros
basa de 12 bits existentes, y otro campo de 13 bits de
desplazamiento. La dirección física de 18 bits se calcula sumando el
registro base, los 7 bits de mas peso del desplazamiento precedidos
de cinco ceros, y concatenando al resultado los 6 bits menos peso del
desplazamiento. Se logra variar la longitud de los segmentos entre 64
bytes y 8 Kbytes.

MEMORIA CON SEGMENTOS PAGINADOS

Esta memoria combina las ventajas de los dos modelos anteriores.

Cada segmento se divide en paginas, de forma que, para acceder a
cualquier elemento de un segmento, el sistema acude a la Tabla de
Paginas(TP) de dicho segmento.
Si se aplica la técnica asociativa, para realizar la traducción, el
tratamiento de las interrupciones de “fallo en el acceso” debe
contemplar los siguientes aspectos:
1. Ausencia en el numero de pagina en la memoria asociativa, en
cuyo caso se obtendrá la dirección de pagina de la TP
correspondiente.

2. Ausencia de l numero de segmento en la memoria asociativa,

supone una búsqueda en la Tabla de Segmentos activos(TSA), en
el peor de los casos, en el directorio de ficheros del disco, para
recuperar el segmento y/o los atributos.
3. En sistemas multiprogramados, la activación de un nuevo proceso
que genera su propio espacio de dirección invalida las entradas
anteriores de la memoria asociativa.

CONCLUSION

Este trabajo ha servido para conocer lo que son las memorias

no solo superficialmente, sino como realizan su gestión dentro del
computador mismo, dándose cuenta que cada una es distinta a la otra
en la forma de operar, pero aun así teniendo en cuenta puntos
similares.

BIBLIOGRAFIA

- ARQUITECTURA DE COMPUTADORES
PEDRO DE MIGUEL-JOSE MIGUEL ANGULO
PAG. 135-180

- PAGINAS DE INTERNET

www.geocities.com/rafles.geo
www.sei.org