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Diseño AB
Diseño AB
NRC: 5046
TEMA: TALLER 5
AMPLIFICADOR DE CLASE AB
Nombre:
AMPLIFICADOR
CLASE AB
Circuito en Ltspice
El transistor TR3 actúa como una fuente de corriente que configura la corriente de
polarización de CC requerida que fluye a través de los diodos. Esto establece el voltaje
de salida inactivo como Vcc / 2. Como la señal de entrada maneja la base de TR3, actúa
como una etapa de amplificador manejando las bases de TR1 y TR2 con la mitad positiva
del ciclo de entrada manejando TR1 mientras TR2 está apagado y la mitad negativa del
ciclo de entrada manejando TR2 mientras TR1 es apagado, lo mismo que antes.
Al igual que con la mayoría de los circuitos electrónicos, existen muchas formas
diferentes de diseñar una etapa de salida de amplificadores de potencia, ya que se pueden
realizar muchas variaciones y modificaciones en un circuito de salida de amplificador
básico. El trabajo de un amplificador de potencia es entregar un nivel apreciable de
potencia de salida (tanto de corriente como de voltaje) a la carga conectada con un grado
razonable de eficiencia. Esto se puede lograr operando el (los) transistor (es) en uno de
los dos modos de operación básicos, Clase A o Clase B.
Una forma de operar un amplificador con un nivel de eficiencia razonable es usar una
etapa de salida simétrica de Clase B basada en transistores NPN y PNP complementarios.
Con un nivel adecuado de polarización directa es posible reducir cualquier distorsión de
cruce como resultado de que los dos transistores estén cortados por un breve período de
cada ciclo, y como hemos visto anteriormente, dicho circuito se conoce como Clase AB
amplificador.
Luego, al unir todo, ahora podemos diseñar un circuito de amplificador de potencia Clase
AB simple como se muestra, produciendo aproximadamente 5[W] en 8 ohmios con una
respuesta de frecuencia de aproximadamente 20Hz a 20kHz, que hace referencia a los
amplificadores de media potencia.
𝑃𝑜 = 5 [𝑊]𝑟𝑚𝑠
𝑅𝐿 = 8[Ω]
Escoja transistores NPN de audio para la potencia requerida, los mismos deben tener su
correspondiente complementario en PNP.
Realice los análisis en DC y AC correspondientes.
Bloque 1 Bloque 2
Figura 2. Circuito del amplificador clase AB, diseño con dos bloques.
Diseño del circuito:
Como podemos observar en la segunda etapa, o mejor llamado Bloque 2, los transistores Q2, Q1 y
Q3, Q4 están en una configuración Darlington, el cual causa aumentar la ganancia total
𝑄1 𝑦 𝑄2 → 𝑄𝑁
𝑄3 𝑦 𝑄4 → 𝑄𝑃
𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐶𝐸𝑄 = (3)
2
𝑉𝐶𝐶 2
𝑃𝑜(𝑐𝑎)𝑀𝐴𝑋 =
8𝑅𝐿
𝑉𝐶𝐶 = √8 ∗ (8Ω)(5𝑊)
𝑉𝐶𝐸𝑄 18𝑉
𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) ≈ 𝐼𝐿 𝑀𝐴𝑋 = 𝐼𝐶 = = = 1.125 [𝐴]
𝑅𝐿 2𝑅𝐿
Como nosotros queremos estabilizar el circuito, los valores de las resistencias de R1 y R2 serán
bajas:
𝑅1 = 𝑅2 = 0.5[Ω]
Calculamos la potencia que disiparan están resistencias:
𝑃𝐷 = 0.6328[𝑊]
Corriente de la base 𝑰𝑩
Ya que los transistores se encuentran en una conexión Darlington, las betas se multiplican, el valor
mínimo de beta del transistor utilizado 2SC3621 es de 60 y el máximo es 200, se asume que los
diodos son de silicio y tienen un voltaje umbral de 0.7[V], al igual que los transistores que tienen un
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
𝐼𝐶 0,84275[𝐴] 1,125[𝐴]
𝐼𝐵 = = = = 0.3125[𝑚𝐴]
𝛽𝑁 𝛽𝑁 65 ∗ 65
𝑅4 = 𝑅5 = 48.64[𝐾Ω]
𝐼 = 𝐼𝑃𝑂𝐿
18[𝑉] − 4 ∗ 0.7[𝑉]
𝐼𝑃𝑂𝐿 =
50[𝐾Ω]
𝐼𝑃𝑂𝐿 = 0,304[𝑚𝐴]
𝐼𝑃𝑂𝐿 = 𝐼𝐷𝐷 + 𝐼𝐵
𝐼𝐷𝐷 = 𝐼𝑃𝑂𝐿 − 𝐼𝐵
Voltaje Base-Base:
Es igual al voltaje en los diodos:
𝑉𝐵𝐵 = 𝑉𝐷1 + 𝑉𝐷2 + 𝑉𝐷3 + 𝑉𝐷4
𝑉𝐵𝐵 = 2.8[𝑉]
Cálculo de capacitores
𝑍 = 𝑅4 ||𝑅5
𝑍 = 11[𝐾Ω]
𝜒𝐶𝐵 ≪ 𝑍
1
≪𝑍
2𝜋𝑓𝑚𝑖𝑛 𝐶𝐵
1
𝐶2 ≫
2𝜋𝑓𝑚𝑖𝑛 𝑍
1
𝐶2 ≫
2𝜋(16)(11[𝐾Ω])
𝐶2 ≫ 0.904[𝜇𝐹]
𝐶2 ≥ 0.904[𝜇𝐹] ∗ 10
𝐶2 = 9[𝜇𝐹]
𝑪𝟐 = 𝟏𝟎[𝝁𝑭]
𝑪𝟑 = 𝟏𝟎[𝝁𝑭]
𝐼𝐸 𝑅𝐸 ≥ 𝑉𝑖𝑛𝑝−
𝑉𝐶𝐸 ≥ 6[𝑉]
𝑉𝐶𝐸 ≥ 𝑉𝑖𝑛𝑝+ + 𝑉𝑆𝐴𝑇 + 𝑉𝑜𝑝−
𝑉𝑜𝑝+ ≤ 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 ||𝑅𝐿 )
En vista de que no hay resistencia de carga, solo se tomará en cuenta la resistencia de colector, la
ganancia de voltaje impuesta será de 20; el transistor que se usará es el 2SC3621 que tiene una beta
mínima de 60 y un máximo de 200. Vamos a trabajar con un valor de 100
𝐼𝐶 (𝑅𝐶 ) ≥ 𝑉𝑜𝑝+
𝑉𝑜𝑝+
𝐼𝐶 ≥
𝑅𝐶
𝑉𝑅𝐶 𝑉𝑜𝑝+
≥
𝑅𝐶 𝑅𝐶
𝑉𝑅𝐶 ≥ 𝑉𝑜𝑝+
𝑉𝑜
𝐴𝑉 =
𝑉𝑖𝑛
𝑉𝑜 = 𝐴𝑉 ∗ 𝑉𝑖𝑛
𝑉𝑜 = 20 ∗ 0.565[𝑉]
𝑽𝒐 = 𝟏𝟏, 𝟑[𝑽]
𝑹𝑪 = 𝟒𝟕𝟎[𝛀]
𝑹𝒆 = 𝟔𝟖[𝛀]
𝑽𝑹𝑪 ≥ 𝟏𝟏, 𝟑[𝑽]
Podemos utilizar las diferentes tolerancias que tienen la resistencia, con ello tenemos lo siguiente:
𝑘 = 1.05 ⟶ 5%
𝑘 = 1.1 ⟶ 10%
𝑘 = 1.2 ⟶ 20%
Para diseñar el amplificador en el peor de los casos multiplicamos por el mayor porcentaje de
tolerancia que es de 1.2
𝑹𝑪 = 𝟒𝟕𝟎[𝛀]
𝑰𝑪 = 𝟐𝟖. 𝟖𝟓[𝒎𝑨]
Corriente de Base
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
𝐼𝐶
𝐼𝐵 =
𝛽
28.85[𝑚𝐴]
𝐼𝐵 =
𝟏𝟎𝟎
𝐼𝐵 = 𝟐𝟖𝟖, 𝟓[𝝁𝑨]
𝐼𝐸 𝑅𝐸1 ≥ 𝑉𝑖𝑛𝑝−
𝑉𝐸 𝑉𝑖𝑛𝑝−
≥
𝑅𝐸 𝑅𝐸1
𝑅𝐸
𝑉𝐸 ≥ 𝑉𝑖𝑛𝑝−
𝑅𝐸1
𝑉𝐸 ≥ 𝑉𝑖𝑛𝑝−
𝑉𝐸 ≥ 0.7[𝑉]
𝑉𝐸
𝐼𝐸 =
𝑅𝐸
𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 ± Δ𝑉𝐵𝐸⁄𝑇
𝐼𝐸 =
𝑅𝐸
𝑉𝐸 ± Δ𝑉𝐵𝐸⁄𝑇
𝐼𝐸 =
𝑅𝐸
𝑉
Δ𝑉𝐵𝐸⁄𝑇 = 0.1 [ ]
°𝐶
𝑉𝐸 ≫ Δ𝑉𝐵𝐸⁄𝑇
𝑉𝐸 ≥ 𝑉𝑖𝑛𝑝∗
𝑉𝐸 ≥ 0.565[𝑉]
𝑽𝑬 = 𝟐[𝑽]
𝐼𝐸 ≈ 𝐼𝐶
𝑰𝑬 = 𝟐𝟖. 𝟖𝟓[𝒎𝑨]
𝑉𝐸 2[𝑉]
𝑅𝐸 = =
𝐼𝐸 28.85[𝑚𝐴]
𝑹𝑬 = 𝟔𝟗. 𝟑𝟐[𝛀]
𝑉𝐵 = 𝑉𝐸 + 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐵 = 2 + 0.7
𝑉𝐵 = 2.7[𝑉]
𝐼2 ≫ 𝐼𝐵𝑚𝑖𝑛
𝐼𝐶
𝐼𝐵 =
𝛽
𝐼𝐶
𝐼𝐵𝑚𝑖𝑛 =
𝛽𝑚á𝑥
𝟐𝟖. 𝟖𝟓[𝒎𝑨]
𝐼𝐵𝑚𝑖𝑛 =
300
𝐼𝐵𝑚𝑖𝑛 = 96,166[𝑢𝐴]
𝐼2 = 10 ∗ 96,166[𝑢𝐴]
𝐼2 = 0,96[𝑚𝐴]
𝑉𝐵
𝑅9 =
𝐼2
2.7[𝑉]
𝑅9 =
0,96[𝑚𝐴]
𝑅9 = 2.812[𝐾Ω]
Escogemos una resistencia menor para que la corriente de base no sea tan elevada.
𝑹𝟗 = 𝟐. 𝟐[𝒌𝛀]
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵 𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵
𝑅8 = =
𝐼1 𝐼2 + 𝐼𝐵𝑚á𝑥
𝑉𝐶𝐸 ≥ 6
𝑉𝐶𝐸 ≥ 13.86[𝑉]
𝑽𝒄𝒄 = 𝟏𝟖[𝑽]
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵 𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵
𝑅8 = =
𝐼1 𝐼2 + 𝐼𝐵𝑚á𝑥
32.198[𝑉] − 2.7[𝑉]
𝑅8 =
0,96[𝑚𝐴] + 0,1154[𝑚𝐴]]
𝑅8 = 20,429[𝐾Ω]
Podemos observar que el voltaje Vcc es mucho mayor al ya calculado anteriormente sin embargo se
escoge el menor para evitar algún tipo de recorte
Para las resistencias de la base del transistor se escoge la menor para que la corriente de la base
disminuya.
𝑹𝟖 = 𝟐𝟎[𝒌𝛀]
𝜒𝐶𝐵 ≪ 𝑍𝑖𝑛
1
≪ 𝑍𝑖𝑛
2𝜋𝑓𝑚𝑖𝑛 𝐶𝐵
1
𝐶𝐵 ≫
2𝜋𝑓𝑚𝑖𝑛 𝑍𝑖𝑛
26[𝑚𝑉]
𝑟𝑒 =
𝐼𝐸
26 × 10−3 [𝑉]
𝑟𝑒 =
28.85[𝑚𝐴]
𝒓𝒆 = 0.90[Ω]
𝑍𝑖𝑛𝑇 = 17293.9[Ω]
𝑅𝑇𝐻 = 𝑅8 ||𝑅9
𝑅𝑇𝐻 = 8.2[𝑘Ω]||2.2[𝑘Ω]
𝑅𝑇𝐻 = 1734.6153[Ω]
𝑍𝑖𝑛 = 1734.6153[Ω]||17293.9[Ω]
𝐶𝐵 ≫ 6.31[𝜇𝐹]
𝐶𝐵 ≥ 6.31[𝜇𝐹] ∗ 10
𝐶𝐵 = 63.1[𝜇𝐹]
𝐶𝐵 = 56[𝑢𝐹]
𝜒𝐶𝐸 ≪ 𝑅𝐸2
𝜒𝐶𝐸 ≪ 68[Ω]
𝜒𝐶𝐸 ≪ 𝑟𝑒 + 𝑅7
1
≪ 𝑟𝑒 + 𝑅7
2𝜋𝑓𝑚𝑖𝑛 𝐶𝐸
1
𝐶𝐸 ≫
2𝜋𝑓𝑚𝑖𝑛 (𝑟𝑒 + 𝑅7 )
1
𝐶𝐸 ≫
2𝜋(16)(0.90 + 68)
𝐶𝐸 ≫ 144,37[𝜇𝐹]
𝑪𝑬 = 𝟏. 𝟒𝟒[𝒎𝑭]
Con este valor en el capacitor, la señal se ve muy afectada, por lo que consideramos otro
valor para que la señal no se afecte.
𝜒𝐶𝐶 ≪ 𝑅𝐶
1
≪ 𝑅𝐶
2𝜋𝑓𝑚𝑖𝑛 𝐶𝐶
1
𝐶𝐶 ≫
2𝜋𝑓𝑚𝑖𝑛 𝑅𝐶
1
𝐶𝐶 ≫
2𝜋(16)(470)
𝐶𝐶 ≫ 21.16[𝜇𝐹]
𝐶𝐶 = 211.6[𝜇𝐹]
Existen valores comerciales de 220 [uF] y de 100 [uF], escogeremos en de menor valor:
𝑪𝑪 = 𝟏𝟎𝟎[𝝁𝑭]