Análisis y Diseño de Sistemas Electrónicos 1

Laboratorio I - Diseño de circuito

AMPLIFICADOR CON TRANSISTORES
BJT
Andrés E. Gonzalez1, Natalia S. Mora2, Zuaneth P. Pedroza3, Óscar L. Villero4
1,2,3,4
Estudiantes del programa de Ingeniería Electrónica, Universidad Popular del Cesar.

 tiene una mejor respuesta a alta frecuencia es el preferido y

En el siguiente informe, se encuentra la documentación a detalle
del proceso que se llevó a cabo para la realización de una práctica
de laboratorio propuesta en la guía número uno, que tiene como
tema, diseñar un circuito con un transistor BJT que opere en la
región de amplificación, teniendo en cuenta las relaciones
matemáticas que describen el comportamiento de estos
dispositivos, con base en el cual, se elaboró el cálculo teórico de
las variables, siguiendo las especificaciones de la guía de
laboratorio.
Índice de Términos – Amplificador de señal, unión bipolar, BJT.
I. MARCO TEÓRICO
por tanto el más utilizado. En la siguiente figura se
muestran ambos transistores y su símbolo electrónico.
El transistor bipolar puede tener tres estados distintos de
funcionamiento.
Corte: En este caso la corriente de base es nula (o casi), es
decir, IB = 0, por lo tanto:
IC= β·IB= β·0 = 0
IC= 0
En este caso, el transistor no conduce en absoluto. No está
funcionando. Se dice que el transistor se comporta como un
interruptor abierto.
Activa: En este caso el transistor conduce parcialmente
siguiendo la segunda expresión (IC= β·IB). La corriente del
colector es directamente proporcional a la corriente de la base.
Saturación: En este caso, el transistor conduce totalmente y
se comporta como un interruptor cerrado. Este estado se
alcanza cuando la corriente por la base (IB) alcanza un valor
alto. En este caso la expresión IC= β·IB ya no tiene sentido
pues, por mucho que aumente el valor de la corriente de base
(IB), no aumenta el valor de la corriente de colector.

Fig. 1. Transistor BJT (a) NPN, PNP (d) y símbolos (b y d respectivamente).

Estructura del transistor bipolar.

Son tres capas de semiconductor dopado colocadas
alternativamente en secuencia n-p-n o p-n-p. El emisor
está fuertemente dopado (n+), la base es estrecha y menos
dopada (p) y el colector es el de mayor tamaño (para poder
disipar el calor que generan los portadores al perder
energía por pasar de la base al colector) y dopado
"moderadamente" o poco dopado (n o n−). El transistor Fig. 2. Estados del transistor.
p-n-p es el complementario del n-p-n, pero dado que el n-p-n
II. PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA
Documento recibido en Febrero de 2021. A nivel mundial, los transistores se pueden conseguir en la
Andrés E. González, UNIVERSIDAD POPULAR DEL CESAR, Ingeniería
Electrónica (andresegonzalez@unicesar.edu.co). mayoría de los elementos electrónicos, ya que estos son los
Natalia S. Mora, UNIVERSIDAD POPULAR DEL CESAR, Ingeniería Electrónica que permiten el funcionamiento desde relojes de mano, hasta
(nsmora@unicesar.edu.co).
Zuaneth P. Pedroza, UNIVERSIDAD POPULAR DEL CESAR, Ingeniería los poderosos supercomputadores. En Colombia, la mayor
Electrónica (zpedroza@unicesar.edu.co). parte de la población tiene acceso a tecnologías que se aplican
Oscar L. Villero, UNIVERSIDAD POPULAR DEL CESAR, Ingeniería Electrónica
(olvillero@unicesar.edu.co).
con transistores. En el Cesar, la Universidad Popular del
 Análisis y Diseño de Sistemas Electrónicos 2

Cesar, capacita a los estudiantes de ingeniería electrónica en el

manejo e implementación de los transistores como solución
eficiente a cualquier problemática que pueda surgir. En la
materia de Sistemas Electrónicos, se propone afianzar este
conocimiento, por lo tanto, los estudiantes deben realizar el Inicialmente calculamos las corrientes a partir del Beta del
diseño de un circuito que trabaje en la región de amplificación, transistor y la corriente en el colector:
con datos especificados en el diseño:

III. OBJETIVOS
 Diseñar y construir un circuito en la región de
amplificación del BJT. Despejamos VCC y reemplazamos el valor de VCE para
determinar el voltaje de la fuente de alimentación:
 Determinar el comportamiento real de un transistor BJT.

( )
IV. PROCEDIMIENTO
Inicialmente consultamos la hoja de especificaciones Una vez obtenido el valor de VCC se reemplaza en la
(Datasheet) del transistor BJT 2N2222 para determinar el ecuación propuesta como una de las condiciones del circuito:
rango de valores de β, considerando que IC=11mA y
VCE=11V. ( )

Haciendo uso de esta información, calculamos la diferencia

potencial de VRE y aplicamos Ley de Ohm para hallar el valor
de la resistencia:

Así mismo, teniendo en cuenta que VCE es igual a la

diferencia entre VC y VE, calculamos el valor de VC:
Fig. 3. Ganancia mínima y máxima.

En este caso, para el transistor 2N2222 escogimos el valor

máximo de ganancia
A partir del voltaje en el colector es posible hallar la diferencia
potencial de la resistencia RC y el valor que esta debe tener:

Para hallar el valor de R2 debemos tener en cuenta una de las

condiciones del circuito mediante la cual podemos determinar
los valores que puede tener este dispositivo pasivo:

Fig. 4. Circuito propuesto.

Le asignamos a la resistencia R2 el valor de 5kΩ.
Para diseñar el circuito amplificador con base al diagrama que
Recordando que para un transistor NPN el voltaje promedio de
se muestra en la figura se tuvieron en cuenta los siguientes
VBE equivale a 0.7V, calculamos el voltaje en la base y a
parámetros:
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partir de allí, obtenemos los valores de voltaje y corriente en

R1 y R2:

Posteriormente, hallamos el valor de R1 para finalizar con el

diseño del circuito:

Finalmente, verificamos si el transistor no se encuentra en la Fig. 5. Simulación circuito obtenido.

región de saturación. Para confirmar que amplifica con los
valores asignados, consideramos que la corriente en el colector
debe estar dentro del intervalo de la zona activa y no
sobrepase su valor máximo:
Como se puede apreciar en la imagen, los valores obtenidos en
la simulación son muy aproximados a los calculados de forma
teórica. El pequeño margen de error que existe entre los
valores, puede ser atribuido a la programación del simulador y
calculo con decimales

VI. CONCLUSIONES

Como Ic(11mA) no es mayor a Icmax(22mA), el circuito no Teniendo en cuenta los resultados obtenidos, podemos
discernir que la configuración de un transistor BJT en la zona
está saturado y satisfactoriamente se comporta como un
amplificador. de amplificación (Punto Q), en una configuración como la
requerida en el laboratorio, depende plenamente de los valores
que poseen los elementos que interactúan con él. Al utilizar
los datos del proveedor, se pueden realizar cálculos más
precisos. Comparativamente, los cálculos realizados
V. ANÁLISIS Y DISCUSIÓN DE LOS RESULTADOS
teóricamente y los obtenidos a través de simulación, son
Tabla 1: comparación de valores aproximadamente idénticos, como se mencionó en el análisis
variable Original teórico Original simulado de resultados, estos datos difieren por factores como el cálculo
IB 36,67µA 25,3 µA con decimales y la programación del simulador.
IC 11mA 11,3mA
IE 11mA 11,4mA
VB 2.9v 2,95mA REFERENCIAS
VC 13,2v 12,9v
VE 2,2v 2,27v [1] “MULTISIM 2001: SCHEMATIC CAPTURE,
VCE 11v 10,7v SIMULATION & PROGRAMMABLE LOGIC.”
NATIONAL INSTRUMENTS, NORTH TONAWANDA,
Como se puede observar, mediante fórmulas y Análisis, se NY, 2001.
pudo encontrar los parámetros requeridos para el correcto [2] F. AYALA, “TRANSISTORES DE UNIÓN BIPOLAR
funcionamiento del circuito. El circuito, fue configurado para BJT; CONOCE SU FUNCIONAMIENTO,” CDMX
trabajar en la región de amplificación, a su vez, se ELECTRÓNICA, 18-DEC-2019. [EN LÍNEA]. DISPONIBLE
comprobaron los resultados mediante software de simulación. EN:
HTTPS://CDMXELECTRONICA.COM/TRANSISTORES-
BJT/. [FECHA DE ACCESO: 21-FEB-2021].
[3] A. M. ROLDAN, “REFERENCIAS,” TRANSISTOR BJT.
[EN LÍNEA]. DISPONIBLE EN:
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HTTP://ELECTRONICA.UGR.ES/~AMROLDAN/DEYTE/C
AP03.HTM. [FECHA DE ACCESO: 21-FEB-2021].
[4] R. L. BOYLESTAD, INTRODUCTORY CIRCUIT
ANALYSIS, 12TH ED. UPPER SADDLE RIVER, NJ:
PRENTICE HALL, 2010.
[5] ALLDATASHEET.COM, ALLDATASHEET.COM -
DATASHEET SEARCH SITE FOR ELECTRONIC
COMPONENTS AND SEMICONDUCTORS AND OTHER
SEMICONDUCTORS. [EN LÍNEA]. DISPONIBLE EN:
HTTPS://WWW.ALLDATASHEET.COM/. [FECHA DE
ACCESO: 21-FEB-2021].