Manual de Prácticas

Electrónica de Potencia
Grado en Ingeniería Electrónica Industrial y Automática
3º Curso, 2º Cuatrimestre

Curso 2019-2020

PRÁCTICA 2
SIMULACIÓN de un INVERSOR MONOFÁSICO CON
MODULACIÓN PWM SINUSOIDAL.
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Manual de prácticas. Práctica 2

PRÁCTICA 2. INVERSOR MONOFÁSICO CON

MODULACIÓN PWM SINUSOIDAL
1. Organización de la práctica
 La práctica 2, se va a realizar mediante simulación con PSIM, al que se puede acceder
según las indicaciones que se han facilitado en Aula Global.
 El enunciado de las prácticas, los resultados teóricos y de simulación que hay que
entregar, se adjuntarán en un único fichero pdf. Además del pdf, será necesario que
los alumnos del grupo suban el fichero de simulación a la “entrega” de Aula Global.
IMPORTANTE: solo el fichero con el esquemático (.psimsch), no el fichero que
contiene los resultados de simulación (.smv)
 Los profesores calificarán el fichero pdf, y en caso de duda, revisarán la simulación
enviada por los alumnos.
 Las prácticas se realizarán en grupos de 2/3 alumnos. Los mismos que en el caso de
la práctica 1.
 Durante la sesión de prácticas, será obligatorio conectarse a la sesión de Collaborate
que se abrirá a tal efecto. Esto aplica a todos los componentes de cada puesto de
laboratorio. Los profesores atenderán cuantas dudas sean necesarias durante esas
dos horas de la sesión de prácticas.
 Una vez finalizada la sesión, los alumnos dispondrán de 2 días para subir los
resultados a la entrega habilitada en Aula Global.

2. Objetivos
El objetivo general de la práctica es simular mediante el simulador PSIM un inversor
monofásico en puente completo con filtro LC y controlado por modulación PWM
sinusoidal.
Los objetivos específicos son:
1. Implementar los moduladores PWM bipolar y unipolar.
2. Diseñar un filtro LC, para atenuar los armónicos de alta frecuencia de la tensión
de salida del puente inversor.
3. Comparar las dos modulaciones en cuanto a la distorsión en la tensión de salida
de ambas modulaciones a igualdad de filtro.
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4. Comprobar las diferentes zonas de funcionamiento de la modulación (lineal,

sobremodulación y onda cuadrada).
En la Figura 1, se muestra el esquema del inversor y la numeración de los transistores de
potencia IGBT.

S1 S3
iAB L
+ Vo+
A + +
VCC vAB vO
B C R
- S2 S4 - -
Vo-

Figura 1: Inversor monofásico en puente completo con filtro LC.

3. ESPECIFICACIONES
 Tensión de entrada: VCC = 255 ÷ 406V.
 Frecuencia de conmutación de los IGBT: fSW= 10 kHz.
 Tensión de salida objetivo: VO = 230V eficaces.
 Potencia nominal: 1 kW.
 Frecuencia de la tensión sinusoidal de salida, vo: f = 50 Hz.
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Cálculos Teóricos
Cuestión 1
1. Determinar el rango del índice de modulación en amplitud, m a, y el índice de
modulación en frecuencia, mf.
2. Calcular el valor de la resistencia de carga, que consume la potencia nominal para
la tensión de salida eficaz de las especificaciones.

Cuestión 2
1. Dibuje el esquema eléctrico del modulador PWM bipolar que después utilizará
en el simulador PSIM. Utilice los amplificadores operacionales y fuentes de
tensión senoidales, triangulares cuadrada, etc. Que considere oportuno.
2. Indicar las frecuencias y amplitudes de dichas fuentes.

Modulador PWM Bipolar

3. Dibuje el esquema eléctrico del modulador PWM unipolar que después utilizará
en el simulador PSIM. Utilice los amplificadores operacionales y fuentes de
tensión senoidales, triangulares cuadrada, etc. Que considere oportuno.
4. Indicar las frecuencias y amplitudes de dichas fuentes.

Modulador PWM unipolar

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Cuestión 3
Determinar el valor de la tensión de entrada, para que el modulador PWM (bipolar o
unipolar) trabaje siempre en la zona lineal.

Cuestión 4
Considere el rango para la tensión de entrada en el que el modulador PWM (bipolar o
unipolar) trabaja siempre en la zona lineal. Para este rango de tensión de entrada, diseñe
el filtro LC (determinar los valores de la inductancia, L, y el condensador, C), para que
en el peor caso la distorsión armónica total de la tensión de salida vo, sea inferior al 5%.
Considere un coeficiente de amortiguamiento ζ=0,5.

Cuestión 5
Para Vcc = 250V y una amplitud de la onda moduladora 6 veces mayor que la amplitud
de la onda portadora, determinar la potencia cedida a la carga resistiva. Considere los
valores L y C determinados en la cuestión 4. Para el cálculo de la potencia, tenga en
cuenta el armónico fundamental y los tres siguientes armónicos.
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Resultados de simulación
Valores del filtro LC para obtener los resultados de simulación
Se debe usar el valor de resistencia obtenido en el apartado “Cuestión 1”.
Se deben usar los valores de L y C obtenidos en el apartado “Cuestión 4”.

Recomendaciones
Se recomienda a los alumnos utilizar el mismo fichero de simulación, para simular en
dos inversores diferentes, uno de ellos con modulación bipolar y otro de ellos con
modulación unipolar.

Resultado 1
Para Vcc = 406V y V O = 230V eficaces, mostrar las señales moduladora/as y la portadora
para las modulaciones unipolar y bipolar. Se debe mostrar 2 ciclos a la frecuencia de la
señal moduladora.

Modulación unipolar

Modulación bipolar
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Resultado 2
Para Vcc = 406V y el valor de ma del apartado anterior, “Resultado 1”, para las
modulaciones unipolar y bipolar, se pide:
1. Mostrar la tensión de salida del puente de IGBT, vAB.
2. Mostrar la tensión en la resistencia de carga, vO.
3. Medir el valor eficaz del armónico fundamental de la tensión en la resistencia de
carga, VO1.

Modulación unipolar V01rms =

Modulación bipolar V01rms =

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Resultado 3
Para Vcc = 406V y el valor de ma del apartado “Resultado 1”, para la modulación más
desfavorable, con la que se ha diseñado el filtro LC, se pide:
1. Mostrar la FFT de la tensión de salida del puente de IGBT, vAB, y de la tensión en
la resistencia de carga, vO.
2. Para vAB y vO, medir las amplitudes del armónico fundamental y de los armónicos
del primer grupo de armónicos. Indicad sus frecuencias, orden del armónico y
amplitud.
3. Calcular la DAT de la tensión en la resistencia de carga, vO. ¿Coinciden los valores
con los resultados obtenidos en los cálculos teóricos?. Si hay diferencia, ¿a qué
puede ser debido?.
Para realizar la FFT en PSIM, se aconseja simular un tiempo total de unos 16 ciclos de la
onda moduladora y fijar un “Print Time = 40 ms” para descartar los dos primeros
ciclos.

Modulación más desfavorable, tensión de

salida del puente de IGBT, vAB. Orden del Frecuencia Amplitud
armónico (Hz) (V)

1 50

Modulación más desfavorable, tensión en

la resistencia de carga, vO. Orden del Frecuencia Amplitud
armónico (Hz) (V)

1 50

Gráfico FFT
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Resultado 4
Para Vcc = 406V y el valor de ma del apartado “Resultado 1”, compare la modulación
unipolar y bipolar, midiendo la THD (Total Harmonic Distortion) o DAT (Distorsión
Armónica Total) directamente con PSIM mediante el bloque que se muestra en la Figura
2.

100
Vo+ K DAT
THD
Vo- rms Vo1_rms
frecuencia central 50
V Vo1
banda de paso 20

Figura 2: Medida directa, en PSIM, de la DAT y del valor eficaz del primer armónico utilizando
el bloque THD. Se sugiere consultar la ayuda de PSIM haciendo doble “click” sobre el
componente THD.

Modulación PWM DAT (%)

Bipolar
Unipolar

Gráfico DAT bipolar y DAT unipolar

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Resultado 5
Para ambas modulaciones, comprobar mediante simulación el cálculo realizado en la
“Cuestión 3”. Ajustar la tensión de entrada previamente calculada, el ma que se debe
utilizar en este caso (amplitud del generador que crea la señal moduladora) y medir en
la simulación el valor eficaz de la tensión en la resistencia de carga.
Para medir este valor eficaz, se deben emplear los elementos de la Figura 2, ajustando un
valor de 50 Hz en el parámetro “Base frequency” del componente RMS.

Gráfico RMS del primer armónico en modulación PWM bipolar y unipolar

Resultado 6
Para ambas modulaciones, considerando una tensión de entrada de Vcc = 305 V, ajuste
mediante un procedimiento de “prueba y error”, el valor de la amplitud de la onda
moduladora (ma), para que el valor eficaz del primer armónico de la tensión en la
resistencia de carga sean 230V eficaces. Indicar este valor en las tablas que se adjuntan.
1. Mostrar la tensión de salida del puente de IGBT, vAB.
2. Mostrar la tensión en la resistencia de carga, vO.
3. Medir el valor eficaz del armónico fundamental de la tensión en la resistencia de
carga, VO1, mediante el bloque RMS de la Figura 2.
Se debe mostrar 2 ciclos a la frecuencia de la señal moduladora.

Modulación unipolar ma =
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Modulación bipolar ma =

¿En qué zona está operando el inversor?

Observar a FFT de las modulaciones bipolar y unipolar en la zona de baja frecuencia
y medir la DAT. ¿Qué se observa?. ¿Ha cambiado significativamente la DAT?
¿Porqué?

Modulación PWM DAT (%)

Bipolar
Unipolar

Gráfico FFT bipolar

Gráfico FFT unipolar

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Resultado 7
Para ambas modulaciones, considerando una tensión de entrada de Vcc = 255 V, ajuste
mediante un procedimiento de “prueba y error”, el valor de la amplitud de la onda
moduladora (ma), para que el valor eficaz del primer armónico de la tensión en la
resistencia de carga sean 230V eficaces. Indicar este valor en las tablas que se adjuntan.
1. Mostrar la tensión de salida del puente de IGBT, vAB.
2. Mostrar la tensión en la resistencia de carga, vO.
3. Medir el valor eficaz del armónico fundamental de la tensión en la resistencia de
carga, VO1, mediante el bloque RMS de la Figura 2.
Se debe mostrar 2 ciclos a la frecuencia de la señal moduladora.

Modulación unipolar ma =

Modulación bipolar ma =

¿En qué zona está operando el inversor?

Observar a FFT de las modulaciones bipolar y unipolar en la zona de baja frecuencia
y medir la DAT. ¿Qué se observa?. ¿Ha cambiado significativamente la DAT?
¿Porqué?
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Modulación PWM DAT (%)

Bipolar
Unipolar

Gráfico FFT bipolar

Gráfico FFT unipolar