X.

ANEXOS

ESPECIFICACIONES TÉCNICAS DEL UJT 2N2646

1. CARACTERÍSTICAS FÍSICAS:

 LAS EVALUACIONES MÁXIMAS ABSOLUTAS A 25°C:

Potencia de Disipación 300mW

Corriente de Emisor RMS 50 ma

Corriente Pico de Emisor 2A

Voltaje Inverso de Emisor 30 V

Voltaje Interbase 35V

Rango de Temperatura de Operación -65°C to + 125°C

Rango de Temperatura de Almacenamiento -65°C to +150°C

 CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS DEL UJT 2N2646

 CURVA CARACTERÍSTICA VOLTAJE DE EMISOR VS CORRIENTE

DE EMISOR:

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS A 25 °C

PARAMETER Abreviatura Mínimo Típico Máximo Unidad

Relacipon de Apagado
0.56 0.65 0.75 -
Intrínseco (vBB=10v)
Resistencia Interbase
(VBB=3v, IE=0) RBBO 4.7 7 9.1 KΩ
Voltaje de Saturaciónd del
Emisor VE(sat) - 2 - V
(VBB=10v, IE=50mA)
Corriente Interbase
Modulada IB2(MOD) - 12 - mA
(VBB=10V,IE=50mA)
Corriente Inversa de
Emisor IEO - 0.05 12 µA
(VB2E=30v,IB1=0)
Corriente Pico de Emisor
(VBB=25v) Ip - 0.4 5 µA
Corriente de Valle
(VBB=20v, RB2=100Ω) Iv 4 6 - mA

Voltaje de Pico Máximo

SCR Condiciones de VOB1 3.0 6.5 - V
Disparo
ESPECIFICACIONES TÉCNICAS DEL SCR (BT151 500R)

CARACTERÍSTICAS FÍSICAS: El BT151 500R se proporciona

en un empaque TO220.

CONFIGURACIÓN DE LOS PINES:

PIN DESCRIPCIÓN
1 Cátodo
2 Ánodo
3 Compuerta
4 Ánodo
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS DEL BT151 500R
TC = +25°C a menos que por otra parte especifique)
Abreviatur Condiciones de Mínim Típic
Parámetro Máximo Unidad
a Medición o o
TC =
Pico de - - 10 µA
VDRM +25°C
Adelanto o IDRM,
medido
Corriente
o
Inversa de IRRM TC =
VRRM - - 2 mA
Bloque +100°C

ITM = 30A(Pico),
Voltaje
Ancho de Pulso ≤
Instantáneo VT - 1.7 2 V
1ms,
On-State
Dutty Cycle ≤ 2%

Gate Trigger
Current VD = 12V, RL =
IGT - 8 15 mA
(Continuous 30Ω
DC)

Gate Trigger
Voltage VD = 12V, RL =
VGT - 0.9 1.5 V
(Continuous 30Ω
DC)

Holding Gate Open, VD =

IH - 10 20 mA
Current 12V, IT = 150mA

Gate
VD = Rated
Controlled tgt
VDRM, ITM = 2A, - 1.6 - µs
Turn–On
IGR = 80mA
Time

VD = VDRM, ITM
Circuit = 2A, Pulse Width
Commutated tq = 50μs,
- 25 - µs
Turn–Off dv/dt = 200V/μs,
Time di/dt = 10A/μs,
TC = +75°C
VALORES MÁXIMOS

Parámetro Abreviatura Valor

Peak Repetitive Reverse Voltage;Peak VRRM, VDRM 600V

Repetitive Off–State Voltaje

Non–Repetitive Peak Reverse Voltage;

VRSM, VDSM 700V
Non–Repetitive Off–State Voltage

RMS Forward Current (All Conducting

IT(RMS) 10A
Angles, TC = +75°C)

Peak Forward Surge Current

ITSM 100A
(1 Cycle, Sine Wave, 60Hz, TC = +80°C)

Circuit Fusing Considerations

I2t 40A2s
(TJ = –65° to +100°C, t = 1 to 8.3ms)

Forward Peak gate Power (t ≤ 10µs) PGM 16W

Forward Average Gate Power PG(AV) 500mW

Operating Junction Temperature Range TJ –40° to +100°C

Storage Temperature Range Tstg –40° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case RthJC 2°C/W

 ESPECIFICACIONES TÉCNICAS DEL TRIAC BT136
I. TRIAC BT136
II. CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS DEL TRIAC BT136
 ESPECIFICACIONES TÉCNICAS DEL DIAC
I. DIAC DB3 (ECG 6408)
II. CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS DEL DIAC
DB3 (ECG6408)