Aula Virtual Material de Apoyo de la Semana 4

MATERIAL DE APOYO DE LA SEMANA 4

Docente: Ing. Alexi L. Ruiz
Materia: Tecnología Informática I
Unidad IV: Caracterización y modelado de dispositivos MOS
4.1. Estructura MOS
Una estructura MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) es un dispositivo electrónico
formado por un sustrato de silicio dopado, sobre el cual se hace crecer una capa
de óxido (SiO2). Los elementos se contactan con dos terminales metálicas
llamadas sustrato y compuerta. La estructura se compara con
un condensador de placas paralelas, en donde se reemplaza una de las placas
por el silicio semiconductor del sustrato, y la otra por un metal, aunque en la
práctica se usa polisilicio, es decir, un policristal de silicio.

4.2. Funcionamiento

La estructura NMOS está formada por un sustrato de silicio dopado con huecos.
Al aplicar un potencial de compuerta positivo, los electrones presentes en el
sustrato (portadores minoritarios) son atraídos hacia la capa de óxido de
compuerta. Al mismo tiempo, los huecos son repelidos de la capa de óxido de
compuerta debido a que el potencial positivo los aleja. Esto ocasiona una
acumulación de electrones en la cercanía del óxido, en donde el silicio presenta
un exceso de electrones y por lo tanto es de tipo n. La inversión del dopado en
 Aula Virtual Material de Apoyo de la Semana 4

el silicio (que antes era de tipo p) es lo que le da origen al nombre de esta región.
También se produce una región de agotamiento de portadores en las cercanías
del óxido, debido a que los huecos del sustrato se recombinan con los electrones
atraídos.

De manera análoga, una estructura PMOS está formada por un sustrato de

silicio dopado con electrones. Al aplicar un potencial de compuerta negativo, los
huecos presentes en el sustrato (portadores minoritarios) son atraídos hacia la
capa de óxido de compuerta. Los electrones son repelidos del óxido de
compuerta debido a que el potencial negativo los aleja. Los huecos se acumulan
en la cercanía del óxido, en donde el silicio acumula un exceso de huecos y por
lo tanto se comporta como un material de tipo p. La recombinación de huecos y
electrones produce una región de agotamiento.

La tensión positiva aplicada en la compuerta de una estructura PMOS se

distribuye a través de las capas de materiales de acuerdo con la siguiente
ecuación.

4.3. Acumulación

En la etapa de acumulación las cargas se almacenan en el óxido por el mismo

principio de operación de un condensador, en donde el dieléctrico se polariza de
forma proporcional al campo eléctrico aplicado.

Realmente lo que ocurre es lo siguiente:

Caso nMOS:

Aplicamos un potencial negativo en la compuerta. Esto induce electrones,

atrayendo huecos a la interfase y creando un campo eléctrico. De ahí el nombre
de acumulación.

Caso pMOS:

Aplicamos un potencial positivo en la compuerta. Esto induce huecos, atrayendo

electrones a la interfase y creando un campo eléctrico.
 Aula Virtual Material de Apoyo de la Semana 4

Recordemos que el campo eléctrico va siempre de carga positiva a carga

negativa.

4.4. Agotamiento

Al incrementar el potencial de compuerta, los electrones y los huecos se

comienzan a recombinar en el semiconductor para formar la región
de agotamiento.

Caso nMOS:

Aplicamos potencial positivo a la compuerta, con lo que se acumula carga

positiva en el metal. El Semiconductor es tipo N, con lo que se atraen electrones
a la interfase y se apartan los huecos que había antes en la interfase. Se produce
un campo eléctrico en el sentido contrario al caso de Acumulación, en este caso
desde el metal al semiconductor. Como consecuencia, hay una recombinación
de electrones y huecos que produce el agotamiento del canal.

Caso pMOS:

Aplicamos potencial negativo a la compuerta. Como consecuencia se atraen

huecos a la interfase y se crea un campo eléctrico. El Semiconductor es tipo P,
 Aula Virtual Material de Apoyo de la Semana 4

por lo que los huecos son atraídos a la interfase y los electrones son repelidos.
Se produce un campo eléctrico en el sentido de la acumulación. Esto hace que
los electrones y los huecos se recombinen.

4.5. Inversión

Si se continúa aumentando la tensión de compuerta, se logra la inversión del

tipo de dopado del semiconductor.

Caso pMOS:

En este caso inducimos una tensión muy positiva, lo que induce muchos huecos
en el metal. Como el semiconductor es tipo N, lo que se consigue es un campo
eléctrico grande que va del metal al semiconductor, y por tanto una Intensidad
grande, debido a los electrones que se acercan a la interfase atraído por el
exceso de huecos del metal

Caso nMOS:

Aplicamos una tensión muy negativa que hace que el metal se llene de
electrones. Como consecuencia, los huecos del semiconductor, se ven atraídos
hacia la interfase creándose un campo eléctrico del semiconductor al metal.

4.6. Capacidad MOS

En un condensador de capacidad C, aparece una carga Q, dada por la

expresión: Q=C·V, donde V es la tensión entre armaduras. En el condensador
MOS, la tensión entre la compuerta y el sustrato hace que adquiera la carga Q,
que aparece a ambos lados del óxido. Pero en el caso del semiconductor esto
significa que la concentración de portadores bajo la compuerta varía en función
de la tensión aplicada a ésta.

Imaginemos que tenemos el sustrato de silicio tipo p, es decir, conteniendo un

exceso de huecos. Lo conectamos a 0 V, y tenemos la compuerta también
conectada a 0 V. En estas condiciones, no existe una variación en la
concentración de huecos. Cuando vamos aumentando la tensión de compuerta,
 Aula Virtual Material de Apoyo de la Semana 4

el condensador se va cargando, con carga positiva en la parte de la compuerta

y negativa en el sustrato que, en nuestro caso de semiconductor p, significa que
el número de huecos va disminuyendo hasta alcanzar la carga correspondiente
a la tensión de compuerta. Este modo de funcionamiento se llama deplexión,
vaciamiento o empobrecimiento. Podemos continuar aumentando la tensión de
compuerta hasta que ya no queden huecos en la banda de conducción y el
sustrato bajo la compuerta se vuelve aislante.

Pero, si continuamos aumentando todavía más la tensión, el condensador MOS

necesita más carga, que los huecos ya no pueden proporcionarle, por lo que
aparecen electrones en la banda de conducción, a pesar de ser el sustrato tipo
p. Este fenómeno se llama inversión y permite formar canales tipo n dentro de
semiconductores p. Cuanto más aumentamos la tensión, mayor carga
introducimos y más avanza la capa de inversión dentro del sustrato, con lo que
la zona bajo la compuerta se va haciendo cada vez más conductora.

Volvamos a poner la compuerta a 0 V y vayamos polarizándola con valores

negativos. Ahora la carga en el sustrato es positiva y el número de huecos
aumenta, con lo que la conductividad, también. Este modo de funcionamiento se
llama de acumulación o enriquecimiento, pues se aumenta el número de
portadores.

4.7. Cargas en el oxido

La descripción anterior es teórica y no se ajusta al caso real, debido a que

durante el proceso de fabricación diversas cargas quedan atrapadas en el óxido
que forma la estructura MOS. Esta carga es independiente de la tensión que se
aplique a la compuerta, pero influye sobre el comportamiento de la estructura,
ya que se debe polarizar la compuerta para compensar esta carga antes de que
el condensador MOS se comporte como se ha descrito en el párrafo anterior.

Estas cargas han sido un quebradero de cabeza para los diseñadores de

circuitos integrados MOS, pues varían incontroladamente sus condiciones de
funcionamiento. En circuitos digitales, se suaviza el problema usando tensiones
 Aula Virtual Material de Apoyo de la Semana 4

de alimentación elevadas, que se han ido reduciendo al poder controlar mejor la

cantidad de carga atrapada.

Modificando esta carga se varía la tensión a la que se produce la inversión, de

forma que se tiene estructuras que a cero voltios tienen resistencia elevada,
mientras que otras la tienen reducida.

4.8. Variaciones

Aunque el dióxido de silicio es un buen dieléctrico y se obtiene oxidando el

sustrato, existen otras estructuras similares con otros aislantes, constituyendo la
estructura MIS (Metal-Insulator-Semiconductor). También puede haber varias
capas de dieléctricos diferentes, como en el caso de las celdas MIOS.

4.9. Aplicaciones

La estructura MOS es de gran importancia dentro de los dispositivos de estado

sólido pues forma los transistores MOSFET, base de la electrónica digital actual.
Pero, además, es el pilar fundamental de los dispositivos de carga
acoplada, CCD, tan comunes en fotografía. Así mismo, funcionando como
condensador es responsable de almacenar la carga correspondiente a los bits
de las memorias dinámicas.

También se utilizan como condensadores de precisión en electrónica analógica

y microondas.