Dossier Amplificadores de Potencia

Dossier de Amplificadores de
Potencia
UAEH
I ge ieria e Teleco u icacio es
Presentan:
Jimenez Gómez Leonel
Tobón Castillo Emilio
Valdez Moreno Jesús Rosendo
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Tabla de contenido
Introducción _________________________________________________________________________ ϰ
Amplificadores de Potencia ___________________________________________________________ ϱ
Amplificador clase A ___________________________________________________________ 5

Amplificadores de clase B y clase AB push-pull. ____________________________________ 5
Amplificador clase C ___________________________________________________________ 7
Diodos _____________________________________________________________________________ ϴ
Transistores ________________________________________________________________________ ϭϰ
Prácticas __________________________________________________________________________ Ϯϭ
Caja Feliz ___________________________________________________________________ 22

Transmisor y Receptor Infrarrojo _______________________________________________ 25
Amplificador de Potencia ______________________________________________________ 30
Amplificador Push Pull ________________________________________________________ 33
Seguidor en emisor común _____________________________________________________ 38
Simulaciones _______________________________________________________________________ ϰϭ
Circuito en Serie _____________________________________________________________ 42

Diodos _____________________________________________________________________ 46
Tareas y trabajos complementarios ____________________________________________________ ϰϴ
Orígenes de SPICE___________________________________________________________ 49
Resistores de Precisión ________________________________________________________ 51
NOM – 008 _________________________________________________________________ 52
Preguntas de examen _________________________________________________________ 53
Ejercicios de Analisis ________________________________________________________________ ϱϱ
Exposiciones _______________________________________________________________________ ϲϳ
Amplificadores clase A ________________________________________________________ 67

Amplificador clase B __________________________________________________________ 71
Amplificador clase AB _________________________________________________________ 74
Amplificador clase E __________________________________________________________ 77
Glosario ___________________________________________________________________________ ϴϬ
Índice de Figuras ___________________________________________________________________ ϴϯ
Tabla de ilustraciones, sección Tareas y trabajos complementarios _________________________ ϴϰ
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Introducción
Este dossier está enfocado al trabajo con amplificadores de potencia, sus distintos tipos y
configuraciones, además de su análisis práctico y teórico; Conforma de una gran variedad de
síntesis, prácticas, resúmenes y ejercicios con el objetivo de documentar, y dar a conocer lo
aprendido en la primera parcialidad del curso.
Las síntesis y resúmenes, ponen las bases teóricas para poder comprender el tema, los
ejercicios otorgan los fundamentos del análisis matemático y las prácticas retroalimentan el
trabajo realizado, para lograr un aprendizaje íntegro y significativo.
Sin embargo dentro del trabajo práctico, se encontraron diversos acontecimientos que no
correspondían a lo establecido a nivel teórico ya sea porque en la realidad es complicado en
algunas ocasiones, encontrar dispositivos que correspondan al cien por ciento a los
parámetros teóricos, a pesar de esto se trabajó para aproximar en lo más posible a estos
valores y de esta forma obtener los resultados esperados.
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Amplificadores de Potencia
Los amplificadores de potencia son amplificadores de señales grandes.

Existen 4 clases de amplificadores de potencia:
 Clase A.
 Clase B y clase AB Push-Pull.
 Clase C.
Estas clasificaciones de amplificadores están basadas en el porcentaje del ciclo de entrada
con la cual el amplificador opera en su región lineal. Cada clase tiene una configuración de
circuito única por la forma en que debe ser operada. Se hace énfasis en la amplificación de
potencia.
Normalmente se utilizan amplificadores de potencia como la etapa final de un receptor o
transmisor de comunicaciones para proporcionar potencia de señal a altavoces o a una antena
transmisora
Amplificador clase A
Un amplificador clase A es cuando se polariza un amplificador con el fin de que siempre
opere en la región lineal donde la señal de salida es una réplica amplificada de la señal de
entrada [1]
Ilustración 1 Operación de un amplificador clase A básico. La salida se muestra

desfasada 180° con respecto a la entrada (invertida). [1]
Los amplificadores de potencia clase A son amplificadores de señal grande cuyo objetivo es
proporcionar potencia (en lugar de voltaje) a una carga. Como regla empírica, un
amplificador puede ser considerado como amplificador de potencia si su capacidad nominal
es de más de 1 W y es necesario considerar el problema de disipación de calor en los
componentes. [1]
Amplificadores de clase B y clase AB push-pull.
Cuando un amplificador se polariza en corte de modo para operar en la región lineal durante
180° del ciclo de entrada y está en corte durante 180°, es un amplificador clase B.
La forma de onda de salida se muestra con respecto a la entrada en función del tiempo (t).
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La amplificador clase B se polariza en la región de corte de modo que ICQ 0 y VCEQ VCE
(corte). Se hace que abandone la región de corte y opere en su región lineal cuando la señal
de entrada hace que el transistor conduzca. [1]
Ilustración 2 Operación de un amplificador [1]
Ilustración 3 Amplificador clase B de colector común [1]
La combinación de dos amplificadores clase B que trabajan juntos se conoce como operación
push-pull.
Existen dos formas comunes de utilizar amplificadores push-pull para reproducir la forma de
onda completa.
1. Utiliza acoplamiento mediante transformador.
Ilustración 4 Amplificador Push pull acoplado a un transformador [1]
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2. Utiliza dos transistores en simetría complementaria; estos son un par de BJT npn/pnp.
En muchas aplicaciones donde se utiliza la configuración push-pull, la resistencia de carga

es relativamente pequeña.
Ilustración 5Amplificador Push-.Pull en transistor complementario [1]
Amplificador clase C
Un amplificador clase C normalmente opera con una carga que es un circuito resonante, de
modo que la carga resistiva se utiliza sólo para ilustrar el concepto. Se polariza por debajo de
corte con una fuente de VBB negativa. El voltaje de la fuente de ca tiene un valor pico que es
ligeramente mayor que por lo que el voltaje base excede el potencial de barrera de la unión
base-emisor durante un corto tiempo cerca del pico positivo de cada ciclo.Durante este corto
lapso, el transistor se activa. Cuando se utiliza toda la recta de carga de ca, la corriente
máxima ideal en el colector es Ic(sat) y el voltaje máximo ideal en el colector es Vec(sat).
[1]
Ilustración 6 Funcionamiento del amplificador clase C [1]
[1] T. L. Floyd, Dispositivos Electronicos, Pearson, 2008.
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Diodos
Presenta: Jesús Rosendo Valdez Moreno
Es la unión de dos materiales semiconductores dopados de tipo n y de tipo p, formando una
unión p-n. Su comportamiento es no lineal y por tanto su utilización es más compleja que la
de los componentes lineales más habituales (resistencias, condensadores e inductores)
El semiconductor de tipo p tiene una concentración de huecos mucho mayor que la de

electrones y el de tipo n tiene una concentración de electrones mucho mayor que la de huecos.
Además, cada uno de estos materiales permanece eléctricamente neutro.
Permiten hacer fluir la electricidad solo en un sentido. La flecha del símbolo del diodo
muestra la dirección en la cual puede fluir la corriente. Los diodos son la versión eléctrica de
la válvula o tubo de vacío y al principio los diodos fueron llamados realmente válvulas.
Existen diferentes tipos de diodos:
 Diodos de señal (pequeña corriente)

Los diodos de señal son usados en los circuitos para procesar información (señales
eléctricas), por lo que solo son requeridos para pasar pequeñas corrientes de hasta 100 mA.
Un diodo de señal de uso general tal como el 1N4148 está hecho de silicio y tiene una caída
de tensión directa de 0,7 V.
 Diodo de protección para relés

Los diodos de señal son también usados para proteger transistores y circuitos integrados del
breve alto voltaje producido cuando la bobina de un relé es desconectada.
El diagrama muestra cómo un diodo de protección es conectado “al revés” sobre la bobina
del relé. La corriente que fluye a través de la bobina de un relé crea un campo magnético el
cual cae de repente cuando la corriente deja de circular por ella. Esta caída repentina del
campo magnético induce sobre la bobina un breve pero alto voltaje, el cual es muy probable
que dañe transistores y circuitos integrados.
El diodo de protección permite al voltaje inducido conducir una breve corriente a través de
la bobina (y el diodo) así el campo magnético se desvanece rápidamente. Esto previene que
el voltaje inducido se haga suficientemente alto como para causar algún daño a los
dispositivos.
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 Diodos rectificadores (grandes corrientes)
Los diodos rectificadores son usados en fuentes de alimentación para convertir la corriente
alterna (AC) a corriente continua (DC), un proceso conocido como rectificación. También
son usados en circuitos en los cuales han de pasar grandes corrientes a través del diodo. Todos
los diodos rectificadores están hechos de silicio y por lo tanto tienen una caída de tensión
directa de 0,7 V. La tabla muestra la máxima corriente y el máximo voltaje inverso para
algunos diodos rectificadores populares. El 1N4001 es adecuado para circuitos con más bajo
voltaje y una corriente inferior a 1ª.
 Diodo Schottky
El diodo Schottky se caracteriza por una unión metal semiconductor ligeramente dopado y
como su nombre indica también produce un efecto rectificador (si el dopado es muy fuerte
la unión es de tipo óhmica y la corriente circula en ambos sentidos). Al igual que en el diodo
de unión se forma una zona de agotamiento en la que los electrones de la zona n buscan
niveles de energía menores y, por tanto, pasan al metal. Cuando se forma la zona de
agotamiento hay un paso de electrones del metal al semiconductor, forzado por el campo
eléctrico presente, que iguala al anterior y, por tanto, no circula corriente a través del
dispositivo. En el diodo Schottky la barrera de potencial es menor que en un diodo de unión
y vale sólo 0,2 V.
 Diodo varactor (varicap)

En este diodo se ha modificado el perfil y el nivel de dopado de forma que se ha aumentado
mucho su capacidad de unión. Además esta capacidad de unión se podrá modificar según la
tensión aplicada inversamente al diodo. Así si aumentamos la tensión inversa aplicada: 1. La
zona de agotamiento aumenta, lo que aumenta la distancia neta entre cargas. 2. Se producen
más iones positivos y negativos (generamos más carga). La capacidad de unión variará por
tanto con la tensión inversa aplicada y cuanta más tensión se aplique menor capacidad
tendremos. La expresión matemática ya se vio en el punto referente a las capacidades
parásitas
Su utilización es básicamente como elemento de sintonía en receptores de FM o televisión

como parte del tanque resonante LC.
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Diodos
Presenta: Emilio Tobón Castillo
En el presente trabajo se tiene como objetivo abordar una breve explicación acerca algunos
de los tipos de diodos existentes, en cuanto a sus características, , sus modos de conexión
más comunes su principio de funcionamiento y aplicaciones de los diodos más usados en
electrónica como el caso de los diodos Varicap, Zener, LED, el Diodo Schottky, diodo Tunel,
los fotodiodos .
Un diodo (del griego "dos caminos") es un dispositivo semiconductor que permite el paso de
la corriente eléctrica en una única dirección con características similares a un interruptor. De
forma simplificada, la curva característica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por
debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce),
y por encima de ella como un corto circuito con muy pequeña resistencia eléctrica. Debido a
este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces
de convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento está
basado en los experimentos de Lee De Forest. Los primeros diodos eran válvulas grandes en
chips o tubos de vacío, también llamadas válvulas termoiónicas constituidas por dos
electrodos rodeados de vacío en un tubo de cristal, con un aspecto similar al de las lámparas
incandescentes.
El invento fue realizado en 1904 por John Ambrose Fleming, de la empresa Marconi,
basándose en observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.- Al igual que las lámparas
incandescentes, los tubos de vacío tienen un filamento (el cátodo) a través del que circula la
corriente, calentándolo por efecto Joule. El filamento está tratado con óxido de bario, de
modo que al calentarse emite electrones al vacío circundante; electrones que son conducidos
electrostáticamente hacia una placa característica corvada por un muelle doble cargada
positivamente (el ánodo), produciéndose así la conducción. Evidentemente, si el cátodo no
se calienta, no podrá ceder electrones. Por esa razón los circuitos que utilizaban válvulas de
vacío requerían un tiempo para que las válvulas se calentaran antes de poder funcionar y las
válvulas se quemaban con mucha facilidad, los diodos PN, son uniones de dos materiales
semiconductores extrínsecos tipos P y N, por lo que también reciben la denominación de
unión PN. Hay que destacar que ninguno de los dos cristales por separado tiene carga
eléctrica, ya que en cada cristal, el número de electrones y protones es el mismo, de lo que
podemos decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son neutros. Al unir ambos cristales,
se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p (Je).
Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unión,
zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial, de agotamiento, de
deplexión, de vaciado, etc. A medida que progresa el proceso de difusión, la zona de carga
espacial va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la
unión. Sin embargo, la acumulación de iones positivos en la zona n y de iones negativos en
la zona p, crea un campo eléctrico (E) que actuará sobre los electrones libres de la zona n con
una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondrá a la corriente de electrones y
terminará deteniéndolos, este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una
diferencia de tensión entre las zonas p y n esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el
caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio, al dispositivo así obtenido se le
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denomina diodo, que en un caso como el descrito, tal que no se encuentra sometido a una
diferencia de potencial externa, se dice que no está polarizado. Al extremo p, se le denomina
ánodo, representándose por la letra A, mientras que la zona n, el cátodo, se representa por la
letra K, así mismo cuenta con las siguientes características: Tensión umbral, de codo o de
partida la tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de polarización directa
coincide en valor con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no polarizado.
Corriente máxima (Imax ) es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el diodo
sin fundirse por el efecto Joule. Corriente inversa de saturación (Is ) es la pequeña corriente
que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formación de pares electrón-hueco
debido a la temperatura, admitiéndose que se duplica por cada incremento de 10º en la
temperatura. Corriente superficial de fugas es la pequeña corriente que circula por la
superficie del diodo (ver polarización inversa), esta corriente es función de la tensión aplicada
al diodo, con lo que al aumentar la tensión, aumenta la corriente superficial de fugas. Tensión
de ruptura (Vr ) es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes de darse el
efecto avalancha. Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarización inversa se
generan pares electrón-hueco que provocan la corriente inversa de saturación; si la tensión
inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energía cinética de forma que
al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conducción.
Efecto Zener (diodos muy dopados) cuanto más dopado está el material, menor es la anchura
de la zona de carga. Puesto que el campo eléctrico E puede expresarse como cociente de la
tensión V entre la distancia d, cuando el diodo esté muy dopado, y por tanto d sea pequeño,
el campo eléctrico será grande, del orden de 3·105 V/cm.
Podemos decir que el surgimiento de los Diodos ha proporcionado un gran avance a la ciencia
no solo a la electrónica sino a la ciencia de forma general porque casi todos equipos que
tenemos en la actualidad funcionan con componentes eléctricos y con presencia de diodo en
sus circuitos.
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Diodos
Análisis estructural
Presenta: Leonel Jimenez Gómez
Los sistemas electrónicos ocupan dispositivos semiconductores para su funcionamiento,

estos dispositivos son considerados como fundamentales para la creación de la electrónica
moderna ya que establecieron las bases sistemas electrónicos más compactos y eficientes.
Uno de estos dispositivos es el diodo, concebido por John Fleming en 1905, es el parteaguas
de todos estos dispositivos.
Para comprender el funcionamiento del diodo, es importante comprender su estructura desde
la raíz, partiendo del análisis de la estructura de los átomos y la interacción de las partículas
atómicas.
Como todos saben los principales materiales con la que el diodo es manufacturado es el
silicio y el germanio, además que hay algunas otras aleaciones efectivas tales como el
arseniuro de galio GaAs. Analizando estos elementos encontramos que comparten
similitudes, aunque difieren del número de electrones alrededor del núcleo Si (+14) y Ge
(+32), podemos notar que en su última capa de valencia tienen 4 electrones, esto es un punto
clave para la formación de un diodo, el cual llamaremos por ahora, unión NP.
Los elementos semiconductores como el Ge y el Si, tienen propiedades interesantes, no son
aislantes ni conductores, tienen una buena relación en cuanto a sus reacciones con la energía.
Como sabemos los átomos son intangibles, pero la unión de ellos generan materia, elementos
tangibles, el Si y el Ge, al integrarse entre átomos de su mismo elemento lo hacen formando
enlaces covalentes, los cuales dan como resultado arreglos cristalinos intrínsecos, sin
embargo estos cristales no garantizan la permanencia de los electrones en su sitio, existen
electrones que tienden a desprenderse a dejar un ‘hueco’ en la capa de valencia, para
convertirse en un electrón ‘libre’ o de conducción , hay que dejar en claro que este escenario
es teniendo condiciones normales de temperatura. Es importante destacar que los materiales
intrínsecos no conducen bien la corriente y su valor es limitado. Esto se debe al número
limitado de electrones libres presentes en la banda de conducción y huecos presentes en la
banda de valencia. El silicio intrínseco (o germanio) se debe modificar incrementando el
número de electrones libres o huecos para aumentar su conductividad y hacerlo útil, a este
proceso se le conoce como dopaje. Esto se hace añadiendo impurezas al material intrínseco
obtenido dos tipos de materiales semiconductores extrínsecos (impuros), el tipo n y el tipo p.
Para incrementar el número de electrones de banda de conducción en silicio intrínseco se
agregan átomos de impureza pentavalente. Estos son átomos son cinco electrones de valencia
tales como arsénico (As), fósforo (P), bismuto (Bi) y antimonio (Sb). Como el átomo
pentavalente cede un electrón, se conoce como átomo donador. Un electrón de conducción
creado mediante este proceso de dopado no deja un hueco en la banda de valencia porque
excede el número requerido para llenarla.
A este nuevo materia de le conoce como tipo n y dado que tiene un electrón ‘extra’ (esto
basándonos en un solo enlace), y que no genera un hueco, entonces decimos que el portador
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mayoritario de un material tipo n son los electrones y los portadores minoritarios son los
huecos.
Por lógica podemos intuir que hay un material con características contrarias al tipo n, el
material tipo p, tiene como portador mayoritario a los huecos y como minoritario a los
electrones, esto se debe que en el proceso de dopado se le colocan elementos trivalentes
átomos con tres electrones de valencia tales como boro (B), indio (In) y galio (Ga). Como el
átomo trivalente puede tomar un electrón, a menudo se hace referencia a él como átomo
aceptor.
Hasta esta parte hemos analizado los elementos que se usan para formar la estructura de un
diodo, los materiales tipo n y tipo p, se unen para formar un solo bloque (aunque es en
realidad un bloque que de dopa en una parte pentavalente y otra en trivalente), esto genera
que en el límite llamado unión p-n, el cual es el principio del funcionamiento del diodo.
Cuando se forma la unión p-n, la región n pierde electrones libres a medida que se difunden
a través de la unión. Esto crea una capa de cargas positivas cerca de la unión. A medida que
los electrones se mueven a través de ésta, la región p pierde huecos a medida que los
electrones y huecos se combinan. Esto crea una capa de cargas negativas cerca de la unión.
Estas dos capas de cargas positivas y negativas forman la región de empobrecimiento.
Hay que tener en cuenta que la región de empobrecimiento se forma muy rápido y que es
muy delgada en comparación con la región n y la región p, pero que se llega a un punto donde
los se establece el equilibrio y no hay más difusión de electrones a través de la unión. La
región de empobrecimiento actúa como barrera ante el movimiento continuado de electrones
a través de la unión.
La diferencia de potencial del campo eléctrico a través de la región de empobrecimiento es

la cantidad de voltaje requerido para mover electrones a través del campo eléctrico. Esta
diferencia de potencial se llama potencial de barrera.
El potencial de barrera de una unión p-n depende de varios factores, incluido el tipo de
material semiconductor, la cantidad de dopado y la temperatura. El potencial de barrera típico
es aproximadamente de 0.7 V para el silicio y de 0.3 V para el germanio a 25°C.
Ahora podemos mencionar que la unión p-n, es un diodo, el cual para que logre activarse, es
necesario aplicar una corriente que rompa la barrera de potencial del diodo, la barrera de
potencial es el enemigo a vencer de la corriente, una vez que lo logra hace que el diodo se
comporte como un interruptor cerrado, hasta que la misa corriente sea disminuida para que
este entre en condición de apagado (este análisis basándonos en la una polarización en
directa), también es de mencionar que en polarización en inversa la barrera de potencial
aumenta de manera considerable, por lo cual hace que la energía no pueda fluir a través del
diodo, y se comporte como un interruptor abierto, haciendo que ‘gane’ grandes cantidades
de resistividad. [1]
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Transistores
Presenta: Jesús Rosendo Valdez Moreno
Uno de los componentes electrónicos más importantes es el transistor, creado en 1951, inició
una gran revolución en la electrónica.
El transistor tiene dos funciones principales:
1. Deja pasar o corta señales eléctricas a partir de una pequeña señal de mando.
2. Funciona como amplificador de señales.
Un transistor también puede cumplir funciones de amplificador, oscilador, conmutador o

rectificador.
Un transistor puede tener 3 estados posibles en su trabajo dentro de un circuito:
CORTE: No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor
también es nula. La tensión entre Colector y Emisor es la de la batería. El transistor, entre
Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto.
SATURACION: Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la

corriente de colector considerable. En este caso el transistor entre Colector y Emisor se
comporta como un interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensión de la
batería se encuentra en la carga conectada en el Colector.
ACTIVA: Actúa como amplificador. Puede dejar pasar más o menos corriente.
Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturación se dice que trabaja en conmutación. En

definitiva, como si fuera un interruptor.
La ganancia de corriente es un parámetro también importante para los transistores ya que

relaciona la variación que sufre la corriente de colector para una variación de la corriente de
base. Los fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de características, también aparece
con la denominación hFE. Se expresa de la siguiente manera:
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En resumen:
Saturación Corte Activa
VCE ~0 ~ VCC Variable
VRC ~ VCC ~0 Variable
IC Máxima = ICEO lang=EN-GB~ 0 Variable
IB Variable =0 Variable
VBE ~ 0,8v < 0,7v ~ 0,7v
El transistor se cataloga en diferentes tipos dependiendo de sus características físicas.
Transistor bipolar:
Consta de tres cristales semiconductores (usualmente de silicio) unidos entre sí. Según como
se coloquen los cristales hay dos tipos básicos de transistores bipolares.
Ilustración 7 Configuración de Transistores NPN, PNP [1]
 Transistor NPN: en este caso un cristal P está situado entre dos cristales N. Son los
más comunes.
 Transistor PNP: en este caso un cristal N está situado entre dos cristales P
En cada uno de estos tres cristales se realiza un contacto metálico, lo que da origen a tres
terminales.
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Emisor (E): es simplemente una conexión del lado de la alimentación a través del transistor.
Lo más importante a tomar en cuenta es que existe una caída de voltaje a través del emisor.
Necesitas recordar esto cuando estés diseñando circuitos con transistores.
Colector (C): Se encarga de recoger portadores de carga.
Base (B): Controla el paso de corriente a través del transistor. Es el cristal de en medio.
Si nos fijamos en la tabla siguiente, ya podemos determinar si el transistor es NPN o PNP.
Si la punta que tenemos conectada a la base es la roja (recordemos, negativo de la batería), y

con los otros dos terminales nos da resistencia alta, el transistor es del tipo NPN; si por el
contrario, con esta punta conectada a la base, nos da resistencia baja con los otras patillas del
transistor, el transistor es del tipo PNP.
Polarización de un Transistor
Polarizar es aplicar las tensiones adecuadas a los componentes para que funcionen
correctamente.
Hay una gama muy amplia de transistores, por lo que antes de conectar deberemos identificar
sus 3 patillas y saber si es PNP o NPN. En los transistores NPN se debe conectar al polo
positivo el colector y la base, y en los PNP el colector y la base al polo negativo.
La unión BASE-EMISOR siempre polarizado directamente, y la unión COLECTOR–BASE
siempre polarizado inversamente en los dos casos.
Ilustración 8 Polarización de Transistores NPN y PNP [1]
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Transistores
En el presente ensayo se pretende realizar un resumen acerca algunos de los tipos de

transistores existentes, en cuanto a sus características, su principio de funcionamiento, sus
modos de conexión más comunes y las aplicaciones de los más usados en electrónica como
el caso de los transistores bipolares, Transistor de efecto campo (FET), el fototransistor etc…
Un transistor es un dispositivo que regula el flujo de corriente o de tensión actuando como
un interruptor o amplificador para señales electrónicas.
El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales

específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones bipolares: el emisor que
emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre
las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las válvulas, el
transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente
amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a
diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos.
De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función amplificada de la
que se inyecta en el emisor, pero el transistor solo gradúa la corriente que circula a través de
sí mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la base para que circule la
carga por el colector, según el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación o
ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor
son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia
Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los
distintos parámetros tales como corriente de base, tensión Colector Emisor, tensión Base
Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas (configuraciones) básicos para
utilización analógica de los transistores son emisor común, colector común y base común.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET,
JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la corriente que se inyecta en el terminal de base para
modular la corriente de emisor o colector, sino la tensión presente en el terminal de puerta y
gradúa la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la
conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado, por efecto de la tensión aplicada
entre Compuerta y Fuente, es el campo eléctrico presente en el canal el responsable de
impulsar los electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la
carga conectada al Drenaje (D) será función amplificada de la tensión presente entre la
compuerta y la fuente, de manera análoga al funcionamiento del tríodo.
Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integración a gran escala
disponible hoy en día; para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cientos de
miles de transistores interconectados, por centímetro cuadrado y en varias capas
superpuestas.
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Un transistor es un componente que tiene, básicamente, dos funciones:
1. Deja pasar o corta señales eléctricas a partir de una PEQUEÑA señal de mando. Como
Interruptor. Abre o cierra para cortar o dejar pasar la corriente por el circuito.
2. Funciona como un elemento Amplificador de señales. Le llega una señal pequeña que
se convierte en una grande. Pero el Transistor también puede cumplir funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificado. Los primeros transistores bipolares
de unión se fabricaron con germanio (Ge). Los transistores de Silicio (Si) actualmente
predominan, pero ciertas versiones avanzadas de microondas y de alto rendimiento ahora
emplean el compuesto semiconductor de arseniuro de galio (GaAs) y la aleación
semiconductora de silicio-germanio (SiGe). El material semiconductor a base de un
elemento (Ge y Si) se describe como elemental.
Tipos de Transistor
Transistor de contacto puntual: Primer transistor, consta de una base de germanio

semiconductor, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el
emisor y el colector
Transistor de unión bipolar: El transistor de unión, se fabrica básicamente sobre un

monocristal de Germanio o Silicio, que tienen cualidades
de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes
como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres
zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones
NP.
Transistor de efecto de campo: El transistor de efecto campo es una familia de transistores

que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un
material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por
diferencia de potencial. La mayoría de los FET están hechos usando las técnicas de procesado
de semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la
región activa o canal. Los transistores de efecto de campo más conocidos son los JFET,
MOSFET y MISFET.
Fototransistor: Sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la región
de base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de
conducción. El fototransistor es más sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia
propio del transistor.
Disipadores de calor: Un disipador es un componente metálico generalmente de aluminio

que se utilizan para evitar que los transistores bipolares se calienten y se dañen. Por ello una
manera de aumentar la potencia de un transistor es deshacerse del calor interno del
encapsulado.
Transistor de potencia : Son similares a los transistores comunes, con la diferencia que
soportan altas tensiones e intensidades que soportan, pero debido a ello también tienen que
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disipar altas potencias y su recalentamiento es prolongado; para evitar el sobre
recalentamiento se usa los disipadores.
Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño de circuitos
electrónicos de reducido tamaño, gran versatilidad y facilidad de control. Con el desarrollo
de este trabajo además de consolidar el trabajo en equipo, y consolidar nuestras capacidades
investigativas nos aportó importantes conocimientos en algunos casos en forma de cultura
general, y otras ocasiones conocimientos específicos acerca de los diodos y cada uno de los
tipos más conocidos. Podemos decir que el surgimiento de los Diodos ha proporcionado un
gran avance a la ciencia no solo a la electrónica sino a la ciencia de forma general porque
casi todos equipos que tenemos en la actualidad funcionan con componentes eléctricos y con
presencia de transistores.
19
Transistores
Estructura y Funcionamiento
La invención del transistor fue el inicio de una revolución que aún continua. Inventado en
1947 en los Laboratorios Bell, remplazando a los tubos de vacío. Todos los sistemas y
dispositivos electrónicos complejos actuales son el resultado de los primeros desarrollos de
transistores semiconductores.
La electrónica moderna se basa en el desarrollo de los materiales semiconductores como el

diodo y los transistores. La estructura básica de un transistor de unión bipolar (BJT)
determina sus características de operación. Un transistor se construye con tres regiones
semiconductoras separadas por dos uniones pn.
Existen dos tipos de transistores, un tipo se compone de dos regiones n separadas por una
región p (npn), y el otro tipo consta de dos regiones p separadas por una región n (pnp).
Algunas aplicaciones trascendentales del transistor BJT son el su uso como amplificador de
señal linear y como interruptor. El transistor tiene dos parámetros importantes, βCD (ganancia
de corriente de cd) y αCD se introducen y utilizan para analizar un circuito BJT.
La ganancia de corriente de cd de un transistor es el cociente de la corriente de cd del colector

(IC) entre la corriente de cd de la base (IB) y se expresa como beta de cd (βCD).Los valores
típicos de bCD van desde 20 hasta 200 o más, normalmente se expresa como un parámetro
híbrido (h) equivalente, hFE en hojas de datos de los transistores
El cociente de la corriente de cd del colector (IC) entre la corriente de cd del emisor (IE) es
el alfa de cd (aCD). La alfa es un parámetro menos utilizado que la beta en circuitos con
transistores. En general, los valores de aCD van desde 0.95 hasta 0.99 o más, aunque aCD
siempre es menor que 1. La razón es que IC siempre es un poco menor que IE en una cantidad
de IB. Un BJT, como cualquier otro dispositivo electrónico, tiene limitaciones en su
operación. Estas limitaciones se establecen en la forma de valores nominales máximos y
normalmente vienen especificadas en la hoja de datos del fabricante. [1]
20
Prácticas
A mplificadores de Potencia
21
Décadas de Voltaje
Divisor de voltaje
Emilio Tobón Castillo Leonel Jimenez Gómez UAEH
Fisi10100@hotmail.com leo.leoteveo@hotmail.com Electrónica Integrada
Jesús Rosendo Valdez Moreno

jrvm2496@gmail.com
Resumen. Este trabajo, describe la aplicación de los En la electrónica un concepto básico para el análisis de
circuitos divisores de voltaje, y las expresiones circuitos es el divisor de voltaje.
matemáticas usadas para su análisis, mediante la La ecuación del divisor de voltaje asume que conoce
implementación de un divisor de voltaje práctico de tres valores del circuito anterior: Voltaje de Entrada
resistencias ponderadas y con resultados de salida (Vin), y los dos valores de las resistencias (R1 y R2).
constantes, los cuales se obtuvieron en la simulación, Dado esos valores, podemos usar esta ecuación para
pero con variaciones a nivel práctico. encontrar el voltaje de salida (Vout):
Ec.1
Introducción. Un divisor de voltaje es un circuito � = �� ∗
+
simple que convierte un voltaje grande en uno más
Fig. 2 Ecuación para el divisor de voltaje
pequeño. Usando solo dos resistencias en serie, y un
voltaje de entrada, podemos crear un voltaje de salida Objetivo.
que es una fracción del de entrada. Los divisores de Obtener 6 voltajes diferentes:
voltaje son uno de los circuitos más fundamentales en  5V
la electrónica.  2.5V
 1V
Los hechos científicos y sus explicaciones.  100mV
Circuito en serie  1mV
Dos componentes están en serie si comparten un nodo  100uV
y la misma corriente fluye a través de ellos. Aquí hay  10uV
un ejemplo de un circuito con tres resistencias en serie: Con una misma entrada de voltaje (5V), y salidas
individuales, usando el divisor de voltaje.
Desarrollo.
Con base a lo establecido y realizando cálculos

correspondientes se obtuvo:
Vo (V) R1(Ω) R2(Ω)
5 100 -
Fig. 1 Circuito en Serie
2.5 6k 6k
Solo hay una forma para que la corriente fluya en el
circuito anterior. Empezando del terminal positivo de la 1 12 3
batería, el flujo de corriente primero se encontrara con
R1. Desde ahí la corriente va a fluir directamente a R2, 100m 49 1
luego a R3, y finalmente de vuelta al terminal negativo
de la batería. Nótese que solo hay un camino que la 1m 4.99k 1
corriente puede seguir. Estos componentes están en
serie.[1] 100u 49.99k 1
10u 499.99k 1
22
bastante buenas colocando resistencias en serie hasta
Tabla 1 Tabla de resistencias conforme al valor de lograr el valor deseado.
voltaje requerido Cabe de mencionar que si no se logra aproximar a las
medidas requeridas, la variación de voltaje a la salida
seria extremadamente alta, lo que alejaría de manera
significativa los resultados de la teoría a los de la
práctica, por ello se recomienda calcular estos
parámetros basados en prueba-error, pero tomando en
cuenta los valores de referencia.
Conclusiones
Se puede observar que la aplicación de los
procedimientos matemáticos para el análisis de
circuitos, es bastante sencilla y exacto, sin embargo en
la práctica en ocasiones es complicado reunir con
exactitud los valores de las resistencias (para este
ejemplo), pero se pueden hace buenas aproximaciones,
Fig. 3 Circuito propuesto para la práctica logrando así el objetivo planeado.
Resultados.
Dentro de la parte teórica, el cálculo de las resistencias Referencias
brindo un resultado exacto, en el proceso de simulación
sin embargo se puede encontrar que obtener los valores [1]
de las resistencias en la práctica es bastante complicado, Boylestad, R. L. (2011). Introduccion al Analisis
ya que los valores no se ajustan a los modelos en el de Circuitos. Pearson .
mercado, sin embargo se pueden hacer aproximaciones
Fig. 4 Simulación del circuito, con el valor de las resistencias ponderadas y los valores a la salida deseada
23
Fig. 5 Divisor de voltaje, en tabla de prueba
Mineral de la Reforma a 08 de marzo de 2017.
24 de 85
Transmisor y Receptor Infrarrojo
Tobón Castillo Emilio Jimenez Gómez Leonel Electrónica Integrada
fisi10100@gmail.com leo.leoteveo@hotmail.com UAEH
Valdez Moreno Jesús Rosendo LED de infrarrojos (IRLED)

jrvm2496@gmail.com El diodo, es un emisor de rayos infrarrojos que son una
radiación electromagnética situada en el espectro
Resumen. Este trabajo, describe la implementación de electromagnético, en el intervalo que va desde la luz
un sistema de comunicación infrarrojo, con base a un visible a las microondas.
arreglo de transistores, se probaron diversas
configuraciones en los receptores determinado el de Estos diodos se diferencian de los LED por el color de
mayor efectividad. la cápsula que los envuelve que es de color azul o gris.
[1].
Introducción. Dentro de las diversas aplicaciones de
los transistores, se pueden ocupar para el diseño de
circuitos amplificadores de señales.
Los circuitos de comunicación por infrarrojo, pueden
basarse en el uso del transistor acoplados con diodos
infrarrojos.
Fig. 7 Diagrama de un Led [3]
Sistema de Comunicación Infrarrojo
En un enlace punto a punto, el transmisor concentra su Fototransistor
potencia en, por cual este sistema es el que mayor
distancia puede alcanzar. El receptor capta luz Es un fotodetector que trabaja como un transistor
infrarroja solo de una pequeña región, produciéndose clásico, pero normalmente no tiene conexión base.
así un mínimo de distorsión. En estos transistores la base está reemplazada por un
semiconductor que cuando recibe luz, produce una
corriente y desbloquea el transistor.
En el fototransistor la corriente circula sólo en un
sentido y el bloqueo del transistor depende de la luz;
cuanta más luz hay más conduce. [1]
Fig. 8 Diagrama de Fototransistor [3]

Fig. 6 Sistema de comunicación infrarroja [3]
LED Hechos científicos y sus explicaciones
Es un dispositivo electrónico provisto de dos Un LED emite luz dentro de un intervalo especificado de
electrodos, cátodo y ánodo, que tiene la propiedad de longitudes de onda, como lo indican las curvas de salida
ser conductor en el sentido cátodo-ánodo, pero no en el espectral
inverso. Es un diodo capaz de emitir luz al ser
polarizado en el sentido directo. Produce una luz
monocromática, tiene un bajo consumo y es muy
empleado como elemento de señalización en aparatos y
circuitos electrónicos. Estos leds consumen de 3v a 4.5
dependiendo el material. [1]
Fig. 9 Operación de un LED, de caída 0.7v [3]
25 de 85
Dentro del análisis de circuitos con transistores, se Considerando los siguientes valores:
utilizaron las siguientes ecuaciones para determinar los Leds= 3.22 v
parámetros a considerar dentro de la implementación R1=� = Ω
[1] R2=� = �Ω
�� = � + � E1 Transistor 2N2222 = 0.7v
� E2
� =
� Determinamos � , � , ��
� ≈ . � E3 Aplicando E7
� − . − . − .
� = �� = Ω
= 24mA
� −� E4 �
� =
� =� − � E5 Aplicando la ley de corrientes de Kirchhoff
� =� −� E6 � − �� −� =
� =� / E7 � − . � − � �Ω =
� = . ��
Se consideró el siguiente circuito para ser usado como
transmisor. Aplique E1 para determinar ��
1. Analizando el circuito propuesto
�� = � + �
Obsérvese que se componen de 3 diodos LED (para �� = �� + . �A=28mA
esta parte del análisis consideremos los tres diodos
como (LED), un transistor 2N2222 unidos a través de
una resistencia de colector (Rc) y la base esta acoplada
a un generador de funciones mediante otra resistencia
(Rb), mientras que el emisor se pone en referencia (0V).
Fig. 11 Circuito en funcionamiento, Ic aproximada al

cálculo anterior
Fig. 10 Circuito del transmisor propuesto, con

parámetros establecidos.
26 de 85
Aplique E1 para determinar ��
�� = � + �
�� = . �� + . �A=102.3mA
Objetivo.
Implementar un sistema de comunicación infrarroja,

mediante el empleo del análisis de circuitos, además de
realizar variaciones en los parámetros del receptor para
comprobar los efectos eléctricos que se desarrollan.
Desarrollo
Esta sección se dividirá en dos partes, la configuración
del emisor y la configuración del receptor (con sus
distintos tipos de configuración).
Implementación del emisor infrarrojo
Para esta sección partiremos del circuito de la figura 8,

ocupando:
 1 transistor de propósito general 2N2222
 1 Led Azul ultra brillante
 2 emisores Infrarrojos
 Un Generador de funciones cuadradas, a 5V
Fig. 12 Nótese que Ib se aproxima al cálculo realizado pico, con 1 kHz de frecuencia
 Alimentación a 12V
Sin embargo esto es solamente demostrativo ya que
como se sabe los leds infrarrojos tiene una caída de Se conectaran conforme a lo establecido, y se probara
tensión de 1.5V aprox. Y el programa no nos permite si cumple las condiciones de encendido. Véase la figura
cambiar los parámetros de caída en los leds ni cuanta 8.
con el elemento infrarrojo.
Sustituyendo los valores reales a la práctica obtenemos.
Considerando los siguientes valores:

Led= 3.22 V
Infrarrojo = 1.5vV
R1=� = Ω
R2=� = �Ω
Transistor 2N2222 = 0.7V
Determinamos � , � , ��
Aplicando E7
� − . − .5− .5
� = �� = Ω
= 98.3mA
�
Aplicando la ley de corrientes de Kirchhoff

� − �� −� =
� − . � − � �Ω =
� = . ��
Fig. 13 Simulación del circuito emisor del sistema
27 de 85
Fig. 9 Emisor Activo, puede notar que los infrarrojos están activos (luces violetas)
Resultados.
Configuración del receptor
1. Configuración A Prarametros Valores Reales
Ic 98.3mA
Ib . ��
Ie 102.3mA
Fig. 15 Resultado del análisis
De acuerdo con las pruebas realizadas, ambas
configuraciones del receptor son pruebas, sin embargo
la configuración más efectiva es la número 1, según los
registros que arrojo el osciloscopio.
Las pruebas fueron realizadas a dos modalidades, una
de manera directa (distancia de 10cm), la otra con una
distancia aproximada a 5 m.
2. Configuracion B
Fig. 16 Emisor trasmitiendo, véase la señal enviando al

receptor (en color amarillo), acoplado a un generador de
Fig. 14 Configuración 2, considere que el diodo es un foto funciones con las especificaciones dadas.
receptor.
Véase más imágenes de evidencia en la sección de

anexos.
28 de 85
Conclusiones. Referencias:
En esta práctica se analizó el funcionamiento de los [1] Floyd, T. L. (2008). Dispositivos
infrarrojos, como es la forma en que transmiten Electronicos. Pearson.
información y que parámetros afecta al recibir la
información como por ejemplo ruido y la sensibilidad a
la distancia
Anexos
Fig. 17 Receptor Activo, puede ver que las señal recibida es más tenue a la señal de entrada, esto por la naturaleza de
los dispositivos que son afectados por la distancia.
Fig. 18 Pruebas de Transmisión a 2m, la señal de recepción en comparación con la de transmisión no es tan tenue
Mineral de la Reforma a 08 de Marzo de 2017
29 de 85
Amplificador de Potencia
Transistores
Leonel Jimenez Gómez Emilio Tobón Castillo Electrónica Integrada

leo.leoteveo@hotmail.com fisi10100@gmail.com Universidad Autónoma del Estado
de Hidalgo.
Jesús Rosendo Valdés Moreno
jrvm2496@gmail.com
Resumen: Estudio y análisis de circuitos TIP 31c

amplificadores en cascada con transistores. Para Es un Transistor bipolar de potencia, tipo NPN de
aprender a calcular de manera sencilla circuitos y propósito general.
obtener una amplificación de ganancia de voltaje
usando Transistores. Se buscó obtener la salida
deseada así como el análisis sobre la señal en cada una
de las etapas utilizando instrumentos de medición como
el osciloscopio para poder observar el cambio de la
señal de entrada y sus modificaciones a lo largo del
sistema hasta llegar al objetivo, que la salida de
nuestro sistema sea una señal amplificada, lo más
simular a la forma de salida de entrada..
Introducción.
Amplificador lineal
Un amplificador lineal amplifica una señal sin
distorsión, de tal suerte que la señal de salida es una
réplica amplificada exacta de la señal de entrada. Fig. 20 TIP 1c, el integrado y su diagrama
Para visualizar la operación de un transistor en un
circuito amplificador, a menudo es útil representarlo
con un circuito modelo. Hechos científicos y sus explicaciones
La configuración en emisor común (EC) tiene al emisor
como terminal común, o tierra, ante una señal de ca. Los Dentro del análisis de circuitos con transistores, se
amplificadores en EC tienen una alta ganancia de utilizaron las siguientes ecuaciones para determinar los
voltaje y una alta ganancia de corriente. [1] parámetros a considerar dentro de la implementación
[1]
Considere el siguiente circuito como modelo inicial en
corte del amplificador. �� = � + � E1
� E2
� =
�
� ≈ . � E3
� −� E4
� =
� =� − � E5
� =� −� E6
� =� / E7
Se consideró el siguiente circuito para ser usado como

amplificador
Fig. 19 Modelo del Amplificador
30 de 85
� = . ��
.
1. Analizando el circuito propuesto Aplique E1 para determinar ��
Obsérvese que se componen de 1 transistor con entrada �� = � + �

de voltaje en el colector acoplado a una resistencia, la �� = �� + . �A=24.3mA
base está conectada a una resistencia con la entrada de
una señal cuadrada, con los parámetros dados (Fig.4) y
el emisor a la referencias (0v). Objetivo. Analizar en la salida del circuito debemos
obtener un voltaje de 20v, en la forma de salida del
generador (cuadrada).
Desarrollo. Para obtener los resultados ideales se

deberá hacer una simulación del circuito siguiendo el
esquema de la FIG 5.
Fig. 21 Circuito Amplificador

Fig. 23 Amplificador con circuito completo para obtener una forma
de onda igual a la de entrada
Se destaca que las fuentes VCC son independientes. Es

importante no situarlas como una misma.
El equipo trabajado para esta práctica es el siguiente:

- Fuente de Voltaje KEITHLEY 2230-30-1. Dos
canales a 20 V
- Generador de funciones RIGOL DG1062. Con una
frecuencia de 1 KHz y un Vp de 5 V.
- Osciloscopio Tektronix DPO-2014B.
Fig. 22 Parámetros del generador de onda cuadrada - TIP42C. Su configuración se muestra en la FIG 3.
- Resistencia de 10kΩ, 9.κkΩ y 1kΩ, una de cada una.
Considerando los siguientes valores:
R1=� = �Ω El generador de funciones se ajusta a una frecuencia de
R2=� = �Ω 1 KHz con un Vpp de 5V. La forma de onda es
TransistorTIP31c = 0.7v cuadrada.
Armado y revisado el circuito, se conecta el
Determinamos � , � , �� osciloscopio. La primera punta de prueba se coloca en
Aplicando E7 la salida del generador. La segunda punta de prueba es
�
� = �� = �Ω
= 20mA colocada en el colector del TIP31C.
�
Se observa el comportamiento de ambas señales.

Aplicando la ley de corrientes de Kirchhoff
� − �� −� =
� − . � − � �Ω =
31 de 85
basado en un arreglo de transistores, como se estipulo
en las simulación y en la parte teórica no se tuvo ningún
contratiempo o situación que hubiese interferido con el
desarrollo de la práctica.
Fig. 24 Circuito amplificador acoplado al osciloscopio Referencias

[1] T. L. Floyd, Dispositivos Electronicos,
Pearson, 2008.
Véase la forma de onda en el osciloscopio, la señal
cuadrada azul es la señal original, la de color amarillo
es la amplificada.
Fig. 25 Forma de onda de salida, original y amplificada
Fig. 26 Circuito implementado en el laboratorio
Fig. 27 Generador de funciones, fuente de alimentación y

osciloscopio trabajando
.
Conclusiones.
Los resultados obtenidos son satisfactorios, se
demostró cómo funciona un amplificador de potencia
Mineral de la Reforma a 08 de Marzo de 2017
32 de 85
Amplificador Push Pull
Amplificador de simetría complementaria.
Leonel Jimenez Gómez Emilio Tobón Castillo Electrónica Integrada

leo.leoteveo@hotmail.com fisi10100@gmail.com Universidad Autónoma del Estado
de Hidalgo.
Jesús Rosendo Valdés Moreno
jrvm2496@gmail.com
Resumen: En esta práctica analizamos el aparecerá señal en la salida (se parece a la salida de un
funcionamiento y comportamiento del push pull, se rectificador de media onda).
hace un amplificador clase B con dos transistores, el
circuito utiliza dos transistores, 2 LEDS, bocina, para
construir el push pull, el funcionamiento del
amplificador clase B consta de dos transistores, los
resultados que obtuvimos fueron satisfactorios, la
señal de entrada senoidal, en la salida se observó el
led 1 se encendía en el primer semiciclo positivo, el led
2 encendía con el semiciclo negativo, como
complemento en la salida se colocó una bocina.
Introducción.
Un amplificador emisor común se utiliza para
amplificar señales pequeñas cuando la señal de entrada
esta amplificada y lo que se desea es ampliar la entrega
de corriente se utiliza un amplificador contrafásico o
push pull (amplificador de potencia).
Fig. 29 Amplificador clase B, trabajando en semiciclo positivo
Este amplificador está constituido por dos transistores,
uno NPN y otro PNP de las mismas características.
Q2 tendrá polarización directa en los semiciclos
positivos y a través de RL aparecerá una señal que
sigue a la entrada (están en fase). En los ciclos
positivos el transistor Q2 se pone en corte y no
aparecerá señal en la salida (se parece a la salida de un
rectificador de media onda). [1]
Fig. 28 Amplificador tipo Push-Pull
La entrada de la señal llega a la base de ambos

transistores.
Q1 tendrá polarización directa en los semiciclos

positivos y a través de RL aparecerá una señal que
sigue a la entrada (están en fase). En los ciclos
negativos el transistor Q1 se pone en corte y no
33 de 85
El análisis de los amplificadores push pull de simetría
complementaria se usó como modelo base
Fig. 30 Amplificador Clase B trabajando en semiciclo negativo
La distorsión de cruce por cero es una pequeña Fig. 32 Modelo básico de amplificador clase B, push-pull
discontinuidad en la señal de salida cuando en el
circuito basado en transistores pasa por cero, es decir, Para esto analizamos sus caracterizas eléctricas de un
cuando uno de ellos está activo (polarizado) y el otro modo gráfico, usando el siguiente esquema
está apagado, y viceversa.
En otras palabras, cuando se pasa de la zona positiva a

la negativa o viceversa en una señal alterna. En el
momento que se pasa por cero, existe un tiempo en que
ninguno de los transistores esta polarizado y la señal
se distorsiona al mantenerse continúa durante un
instante en el nivel cero. [2]
En síntesis podemos decir que la distorsión por cruce

se produce porque en cierto momento no conduce ni
Q1 ni Q2. [3]
Fig. 33 Grafico de trabajo del amplificador clase B, véase el
trabajo en saturación
Como se puede observar el arreglo de transistores

trabaja en saturación y a partir que la tensión supera
los 0.7v, comienza a trabajar ya sea (en el semiciclo
positivo) o (en el semiciclo negativo). (FLOYD,
2008)
Objetivo
Analizar el funcionamiento de los amplificadores, y la
distorsión de cruce por cero, usando un circuito push
pull con un par de transistores complementarios y dos
LEDs para verificar que el resultado sea el esperado
según la simulación correspondiente.
Fig. 31 Distorsión de cruce por cero, véase la sección de trabajo

de los transistores (por arriba de( 0.7v)
Hechos científicos y sus explicaciones
34 de 85
Desarrollo. Una vez identificados todos los materiales y equipos
Para llevar a cabo esta práctica se utilizó: pasamos a implementar el circuito de la FIG 9 en
- 1 Osciloscopio Tektronix DPO-2014B. protoboard.
- 1 Generador de funciones Rigol G1062.
- 1 Fuente de voltaje Keithley 2230-30-1.
- 1 Resistencia de 1kΩ.
- TIP42.
- TIP41.
Fig. 37 Circuito a implementar, acoplado a dos leds
Los parámetros del generador pueden verse en la fig.
Fig. 34 Generador de Funciones
Fig. 35 Generador de Funciones Rigol G1062
Fig. 38 Configuración de parámetros del generador de funciones
a)
b)
Fig. 36 a) TIP42c véase la configuración de pines, b) TIP41 véase
su configuración
35 de 85
Respuesta a la configuracion del amplificador push Despues de realzar las simulaciones se procedioa
pull, acoplados a leds. implementarde forma fisica el circuito dando como
resultado
a)
Fig. 41 Circuito amplificador a la bocina, implementado en

laboratorio
Resultados:
Podemos observar la forma de onda de salida:
Fig. 39 a) Circuito amplificador trabajando en el semiciclo

positivo, b) Amplificador trabajando en el semiciclo negativo
b)
Como se pudo apreciar en la Fig. los leds prenden de

acuerdo al actuar del amplificador, en cada uno de los Fig. 42 Vista del osciloscopio del amplificador entrada (azul) y
salida con distorsión de cruce por cero (amarillo) en la bocina
semiciclos, de esta manera se comprueba la
funcionalidad del amplificador y su cofiguracion como .
push pull. Como se logra visualizar en la fig.15, se detecta una
La segunda parte de la practica consistio en acoplar al distorsión de cruce por cero, la cual se ilustra en la
amplificador push pull a una bocina de κΩ, esto se siguiente figura.
realizo sustotuyendo el arreglo de leds y
remplazandolos por la bocina con una referencia.
De acuerdo con las especificaciones anteriores el
circutio es:
Fig. 43 Distorsión de cruce por cero en la señal de salida
Conclusiones:
Podemos observar en las FIG de la parte de resultados

que son muy parecidas con algunas variaciones
teniendo como referencia la FIG que sería la forma de
Fig. 40 Circuito amplificador acoplado a una bocina onda de salida ideal.
36 de 85
Bajo ninguna condicionante de señal, la salida está
exactamente a medio camino entre las fuentes (por
ejemplo, a 0V). Cuando este es el caso, la polarización
base-emisor de ambos transistores es cero, por lo cual
están en la región de corte y no conducen.
En el momento que se pasa por cero, existe un tiempo

en que ninguno de los transistores está polarizado y la
señal se distorsiona al mantenerse continúa durante un
instante en el nivel cero. Dicha distorsión puede ser
visualizada con ayuda del osciloscopio.
Referencias:
[1] Anónimo. (2004). Amplificador
contrafásico o Push Pull. Sitio web:
http://www.geocities.ws/tlalocman18
/pushpull.html
[2] Anónimo. (2009). Distorsión de cruce

por cero. Sitio web:
http://www.duiops.net/hifi/enciclope
dia/distorsion-de-cruce-por-cero.htm
[3] Anónimo. (desconocido).

Amplificador Push Pull. Sitio web:
http://electronicacompleta.com/lec
ciones/amplificador-push-pull/
Mineral de la Reforma, a 07 de Marzo de 2017
37 de 85
Seguidor en emisor común
Tierras flotantes
Leonel Jimenez Gomez Tobon Castillo Emilio Electrónica Integrada

Leoteveo@gmail.com Fisi1010@gmail.com Universidad Autónoma del Estado
Valdez Moreno Jesus Rosendo de Hidalgo.
Jrvm2496@gmail.com
Resumen: Este trabajo, describe el comportamiento Objetivo. Construir un circuito a través del cual se
de la configuración de seguidor de voltaje, utilizando visualizará el funcionamiento de un seguidor de
el transistor npn 2n2222A con sus respectivas emisor simple.
resistencias conectadas en la configuración de
amplificado de colector común ,se realiza la práctica Desarrollo
para determinar la salida del emisor a 100v con Se realizó el siguiente circuito en protoboard:
tierras flotantes.
Introducción..
El Seguidor de Voltaje también se conoce como:

Amplificador Seguidor de Fuente, Amplificador de
Ganancia Unitaria o Amplificador de Aislamiento. La
señal de entrada (Ve) se aplica directamente a la
Terminal no-inversora (+) del Op-Amp (Amplificador
operacional) y la señal de salida (Vs) es igual a la señal
de entrada (Ve), por lo tanto, la ganancia (Av) del
seguidor es igual a uno. .. [1]
El Seguidor de voltaje se utiliza porque su impedancia

de entrada es muy alta, por lo tanto, la corriente que
extrae el circuito de una fuente de señal externa es
despreciable. El seguidor de voltaje es de ganancia
unitaria porque su resistencia de realimentación es
igual a CERO y la señal de entrada al Op-Amp está por FIG 1. Circuito utilizado.
la entrada NO INVESORA (ver formula). En los
comparadores, ocurren los cambios a la salida porque El material y equipo utilizado para esta práctica fue:
los voltajes en ambas entradas del Op-Amp no son - 1 Transistor NPN
iguales, están cambiando (detecta cambios de - 1 Resistencia de 1 kΩ.
microvolts o más pequeños). [2] - 1 Resistencia de 10kΩ.
- 1 Generador de funciones Rigol G1062 a
Estos circuitos tratan de aprovechar las 5Hz, 5 V de voltaje pico y con una forma
características de alta impedancia de entrada y de onda cuadrada.
baja de salida de los amplificadores - 1 Fuente de voltaje Keithley 2230-30-1 a
operacionales. Se utiliza como buffer, para 24 V.
eliminar efectos de carga, pero su uso más - 1 Osciloscopio Tektronix DPO-2014B.
corriente es el de adaptador de impedancias de - Protoboard
diferentes etapas (conectar un dispositivo de gran
impedancia a otro con baja impedancia o
viceversa). [3]
38
FIG 7.Protoboard
Una vez reconocidas los valores del circuito se

procedió a su ensamble en protoboard:
FIG 8. Circuito en protoboard.
FIG 2. Configuración Transistor 2n2222A

FIG 9. Circuito en protoboard funcionando.
Resultados
Se obtiene un amplificador de colector común, a
menudo llamados seguidor emisor puesto que su salida
se toma de la resistencia del emisor, es útil como
dispositivo adaptador de impedancias, puesto que su
impedancia de entrada es mucho más alta que su
FIG 3. Resistencia de 1KΩ. impedancia de salida [5].
Asi mismo con esta configuacion obtuvimos los

resultados que necesitamos para verificar el
comportamiento de tierras flotantes , mostrado en la
sig. Figura.
FIG 4. Resistencia de 10kΩ
FIG 5. Fuente de voltaje Keithley 2230-30-1 FIG 10.señal de 100v
Conclusiones
En primer lugar, éste circuito tiene diferencias con
otros tipos, en especial por la conexión que en este
caso se trata de colector común, que comúnmente
se le llama como emisor seguidor. Y precisamente
ésta nomenclatura responde a una característica de
éste circuito, que también observamos en la
práctica. Ésta característica se refiere a la igualdad
FIG 6. Osciloscopio Tektronix DPO 2014B. en las fases de las señales de entrada y salida. En
éste tipo de transistor, se ve la muy trascendente
39
peculiaridad de que las señal de salida, al estar
conectada al emisor, no sufre desfase, por eso, en
el emisor, donde se encuentra la salida, la señal
sigue exactamente el viaje de la señal de entrada,
de ahí el nombre de emisor seguidor.
Otra característica peculiar de éste circuito que

encontramos fue que en éste circuito, tal y como
se esperaba, la señal de salida no era mucho más
grande que la de entrada, que en términos más
técnicos, nos dice que éste circuito, en ésta
configuración, presenta muy baja ganancia de
voltaje, que como se vio en la práctica se ve
reflejado en la salida, ya que ésta no es muy
amplia en voltaje, respecto a la entrada. Además
en éste circuito existe una muy alta impedancia de
entrada, lo cual puede ser de gran ayuda para el
acoplamiento de circuitos.
Referencias
[1] Floyd, T. L. (2007). Principios de
circuitos electricos. Mexico: Pearson
Educacion.
[2] Anónimo. (n.d.). DAQ circuitos. Retrieved

from Circuito seguidor de voltaje:
http://daqcircuitos.net/index.php/circuitos
-tipicos-con-amplificadores-
operacionales/circuito-seguidor-de-
tension/81-circuito-seguidor-de-tension
[3] Tovar, I. J. (n.d.). Universidad Autonoma

del estado de Baja California . Retrieved
from Seguidor de voltaje:
http://yaqui.mxl.uabc.mx/~ea_ii/sem07-
2/Practica_EAII_6.pdf
[4] Anónimo. (2016). Electronica Unicrom.

Retrieved from Amplificadores:
http://unicrom.com/amplificadores-
amplificacion/
[5] http://hyperphysics.phy-
astr.gsu.edu/hbasees/electronic/npncc.htm
l#c2; Amplificador con colector común
Mineral de la Reforma, a 07 de Marzo de 2017

40
Simulaciones
Orcad Schematics
41
Circuito en Serie
A)
Ilustración 9 Circuito con Resistencia en serie simulado en Orcad Schematics
42
Ilustración 10 Grafica del circuito a), véase el Voltaje, la Corriente, Potencia y Energía
43
B)
Ilustración 11 Circuito con Resistencia en serie simulado en Orcad Schematics
44
Ilustración 12 Grafica del circuito b), véase el Voltaje, la Corriente, Potencia y Energía
45
Diodos
C)
Ilustración 13 Circuito con Diodo (D1N4002) en directa simulado en Orcad Schematics
46
Ilustración 14 Grafica del circuito c), véase el Voltaje, la Corriente, Potencia y Energía
47
Tareas y trabajos
complementarios
48
Orígenes de SPICE
SPICE es un acrónimo inglés de Simulation Program with Integrated Circuits Emphasis (Programa
de simulación con énfasis en circuitos integrados). Fue desarrollado por la Universidad de California,
Berkeley en 19ι3 por Donald O. Pederson y Laurence W. Nagel. Es un estándar internacional cuyo
objetivo es simular circuitos electrónicos analógicos compuestos por resistencias, condensadores,
diodos, transistores, etc. La primera versión de SPICE, se desarrolló sobre las premisas establecidas
por las herramientas BIAS,1 CANCER (Computer Analysis of Nonlinear Circuits), TIME y SLIC
(Simulator for Linear Integrated Circuits) creadas por el mismo laboratorio durante principios de los
años 70. Hasta ese momento varios simuladores de circuitos eléctricos habían sido desarrollados por
el departamento de defensa de los Estados Unidos, entidad que requería evaluar la radiación de un
circuito. Cuando el director original del proyecto, el profesor Rohrer, abandonó Berkeley, el profesor
Pederson tomó el puesto de director. Este nuevo director consiguió que el programa fuera reescrito
desde su antecesor CANCER, el cual era un programa con licencia privativa, para poder poner esta
nueva versión del programa bajo dominio público.
SPICE1 tuvo su primera presentación en una conferencia de 1973. Fue programado en FORTRAN y
usaba la técnica de análisis de nodos para construir el sistema de ecuaciones del circuito. Esta técnica
de análisis tenía inconvenientes al representar inductancias, fuentes de tensión sin referencia y fuentes
controladas. Esta versión del programa contaba con pocos elementos; usaba un paso fijo para los
análisis transitorios. En el año 1975 apareció la versión.
SPICE2, con la cual se popularizó su uso. Esta versión del programa también estaba compilada en
FORTRAN, tenía más elementos, análisis transitorio con paso variable, usaba las técnicas de
integración trapezoidal o integración de Gear, conseguía las ecuaciones de los circuitos por una
técnica modificada del tradicional análisis de nodos, la que permitía resolver los inconvenientes de
su versión anterior y usaba una innovación del programa FORTRAN que permitía controlar la
memoria. Este último adelanto fue desarrollado por el estudiante de posgrado Ellis Coheb. La última
versión de SPICE en FORTRAN fue la versión 2G.6 en 1983. La siguiente versión, SPICE3, fue
desarrollada en lenguaje C por Thomas Quarless y como director A. Richard en el año de 1989.
La versión SPICE3 usaba la misma sintaxis que sus antecesoras y tenía una interfaz gráfica X
Window. Como un programa de código abierto, SPICE fue ampliamente usado. El código de SPICE
fue distribuido desde sus comienzos bajo un costo por la Universidad de Berkeley, el cual retribuía
el costo de las cintas magnéticas. El programa tenía la restricción de no poderse distribuir en países
que no eran considerados amigos por los Estados Unidos. Actualmente el programa está cubierto por
la licencia BSD. SPICE promovió y sirvió de base para otros programas de simulación en las
universidades y la industria. La primera versión comercial del SPICE fue ISPICE. La versión
comercial más destacada de SPICE incluía HSPICE y PSPICE. Las versiones académicas de SPICE
incluían XSPICE, desarrollada en el Instituto Tecnológico de Georgia, versión en la que se agregaron
códigos de análisis analógicos y digitales y Cider, que permitía simular dispositivos semiconductores.
49
Orígenes de PSpice
OrCAD es una suite de herramientas de software propio que se utiliza principalmente para la
automatización de diseño electrónico (EDA). El software es utilizado principalmente por los
ingenieros de diseño electrónico y técnicos electrónicos para crear esquemas electrónicos y
copias electrónicas para la fabricación de placas de circuito impreso.
El nombre es un acrónimo de OrCAD, lo que refleja la empresa y los orígenes de su software:
O Egon + CAD.
Historia
SPICE fue desarrollado por primera vez en la Universidad de California, Berkeley, a
principios de 1970. Posteriormente una versión mejorada SPICE 2 estaba disponible a
mediados de la década de 1970, especialmente para apoyar el diseño asistido por ordenador.
PSpice fue lanzado en enero de 1984, y fue la primera versión de la UC Berkeley SPICE
disponible en un ordenador personal IBM. PSpice más tarde incluyó un programa de visor
de forma de onda y el analizador llamado sonda. La versión 3.06 fue lanzado en 1988, y tuvo
una "versión para estudiantes" disponible permite un máximo de hasta diez transistores para
ser insertado. PSpice (incluso la versión para estudiantes) aumenta las capacidades de los
estudiantes para entender el comportamiento de los componentes electrónicos y circuitos.
OrCAD PSpice EE
OrCAD PSpice EE es un SPICE simulador de circuitos de aplicación para la simulación y
verificación de circuitos analógicos y de señal mixta. OrCAD Capture y PSpice diseñador en
conjunto proporcionan una solución completa simuation circuito y verificación con la
introducción del esquema, análogo nativa, señal mixta, y los motores de análisis.
PSpice era una versión modificada de la especia desarrollado académicamente, y fue
comercializado por microSIM en 1984. microSIM fue comprado por OrCAD una década más
tarde, en 1998.
OrCAD PSpice Designer incluye OrCAD Capture y solución de OrCAD PSpice. Una opción
de actualización de PSpice Diseñador Plus proporciona el análisis avanzado de PSpice motor
de simulación para la simulación funcional y mejora en el rendimiento y la fiabilidad del
diseño..
OrCAD EE es una versión mejorada del simulador PSpice, e incluye la optimización
automática del circuito y soporte para grabación de forma de onda, visualización, análisis,
ajuste de curvas, y post-procesamiento. Contiene una extensa biblioteca de modelos de
componentes físicos, incluyendo alrededor de 33.000 dispositivos analógicos y de señal
mixta y funciones matemáticas [1]
[1] Wikipedia, «Wikipedia inc.,» 2010. [En línea]. Available: www.wikipedia.us/P_Spice.
50
Resistores de Precisión
Las resistencias de precisión se caracterizan por tener cinco bandas en lugar de las
tradicionales cuatro. Las aplicaciones más tradicionales de estos componentes son los
Instrumentos de Medición, Máquinas Herramienta y Electro medicina, entre otros. Las
bandas se distribuyen de la siguiente manera y los valores asignados a cada banda
corresponden según la siguiente tabla y gráfica:
51
NOM – 008
1.- Los símbolos de las unidades deben ser expresados en caracteres romanos, en general, minúsculas,
con excepción de los símbolos que se derivan de nombres propios, en los cuales se utilizan caracteres
romanos en mayúsculas
Ejemplos: m, cd, K, A
2.- No se debe colocar punto después del símbolo de la unidad
3.- Los símbolos de las unidades no deben pluralizarse
Ejemplos: 8 kg, 50 kg, 9 m, 5 m
4.- El signo de multiplicación para indicar el producto de dos o más unidades debe ser de preferencia
un punto. Este punto puede suprimirse cuando la falta de separación de los símbolos de las unidades
que intervengan en el producto, no se preste a confusión.
Ejemplo: Nm o Nm, también mN pero no: mN que se confunde con milinewton, submúltiplo
de la unidad de fuerza, con la unidad de momento de una fuerza o de un par (newton metro)
5.- Cuando una unidad derivada se forma por el cociente de dos unidades, se puede utilizar una línea
inclinada, una línea horizontal o bien potencias negativas.
Ejemplo: m/s o ms-1 para designar la unidad de velocidad: metro por segundo
6.- No debe utilizarse más de una línea inclinada a menos que se agreguen paréntesis. En los casos
complicados, deben utilizarse potencias negativas o paréntesis
Ejemplos: m/s2 o ms-2, pero no: m/s/s, mkg / (s3A) o mkgs-3A-1, pero no: mkg/s3/A
7.- Los múltiplos y submúltiplos de las unidades se forman anteponiendo al nombre de éstas, los
prefijos correspondientes con excepción de los nombres de los múltiplos y submúltiplos de la unidad
de masa en los cuales los prefijos se anteponen a la palabra gramo
Ejemplo: dag, Mg (decagramo; megagramo), ks, dm (kilosegundo; decímetro)
8.- Los símbolos de los prefijos deben ser impresos en caracteres romanos (rectos), sin espacio entre
el símbolo del prefijo y el símbolo de la unidad
Ejemplo: mN (milinewton) y no: m N
9.- Si un símbolo que contiene a un prefijo está afectado de un exponente, indica que el múltiplo de
la unidad está elevado a la potencia expresada por el exponente
Ejemplo: 1 cm3 = (10-2 m)3 = 10-6 m3, 1 cm-1 = (10-2 m)-1 = 102 m-1
10.- Los prefijos compuestos deben evitarse
Ejemplo: 1 nm (un nanómetro)
Pero no: 1 mµm (un milimicrómetro)
52
Preguntas de examen
1. ¿Qué es un amplificador Push-Pull?
R: El término push-pull se refiere a un tipo común de amplificador clase B o clase AB en el cual
se utilizan dos transistores en semiciclos alternos para reproducir la forma de onda de entrada a
la salida
La combinación de dos amplificadores clase B que trabajan juntos se conoce como operación
push-pull.
Ilustración 15 Funcionamiento de un Amplificador push pull [1]
2. ¿Qué es la distorsión de cruce?

R: Cuando el voltaje de cd en la base es cero, ambos transistores se apagan y el voltaje de la señal de
entrada debe exceder VBE antes de que conduzca un transistor. Debido a esto, existe un lapso de
tiempo entre las alternancias positivas y negativas de la entrada cuando ningún transistor está
conduciendo, como muestra la ilustración 8. La distorsión resultante en la forma de onda de salida se
llama distorsión de cruce.
Ilustración 16 Distorsión de cruce, en una forma de onda [1]
3. ¿Cómo se elimina la distorsión por cruce?

R: Para superar la distorsión de cruce, la polarización se ajusta para superar apenas el VBE de los
transistores; esto produce una forma modificada de operación llamada clase AB. En la operación
clase AB, las etapas push-pull se polarizan para una leve conducción, aun cuando no esté ninguna
señal presente.
53
4. ¿Qué pasa si a una lámpara se ajusta a una frecuencia 59.9, 60.1 y 60.2 Hz?
R: véase la ilustración 15, la frecuencia de la salida del amplificador al foco muestra una frecuencia
de 59.59 Hz aprox.
Ilustración 17 Forma de onda a la salida del amplificador acoplado al foco, a una frecuencia de 59.9 del
generador de funcionres.
Al variar la frecuencia la forma de onda adopta cambios, en tiempo de ciclo y fase, sin embargo al
cambiar la frecuencia del generador en proporciones múltiples de la frecuencia original hay menos
cambios significativos, sin embargo al variarla en proporciones menores por ejemplo de 60.0Hz a
59.9 se notaron cambios uy significativos en los ámbitos mencionados.
54
Exposiciones
Amplificadores clase A
67
68
69
70
Amplificador clase B
71
72
73
Amplificador clase AB
74
75
76
Amplificador clase E
77
78
79
Glosario
Dossier
Conjunto de información y documentación sobre una persona o tema
Zona de deplexión
Las parejas de iones positivo y negativo se llaman dipolos, al aumentar los dipolos la región
cerca de la unión se vacía de portadores y se crea la llamada "Zona de deplexión”.
Disminución de la concentración de una sustancia o de líquido
Enrarecimiento
Disminución de la densidad de un cuerpo gaseoso al separarse las moléculas que lo forman.
Heurístico
La heurística (del griego εὑρίσ ε ν,1 que significa «hallar, inventar» (etimología que
comparte con eureka2 ) aparece en más de una categoría gramatical. Cuando se usa
como sustantivo, se refiere a la disciplina, el arte o la ciencia del descubrimiento. Cuando
aparece como adjetivo, se refiere a cosas más concretas, como estrategias heurísticas, reglas
heurísticas o silogismos y conclusiones heurísticas.
APA
El denominado estilo APA es el estándar elaborado por la Asociación Americana de
Psicología (American Psychological Association, APA) que los autores utilizan al momento
de presentar sus documentos o textos para las revistas publicadas por la entidad. Según la
asociación, se desarrolló para ayudar a la comprensión de lectura en las ciencias
sociales y del comportamiento, para mayor claridad de la comunicación, y para "expresar las
ideas con un mínimo de distracción y un máximo de precisión
80
BJT
El BJT (transistor de unión bipolar) se construye con tres regiones semiconductoras
separadas por dos uniones pn. Para que un BJT opere adecuadamente como amplificador, las
dos uniones pn deben estar correctamente polarizadas con voltajes de cd externos.
Conductancia
El recíproco de la resistencia es la conductancia, simbolizada mediante G. La conductancia
es una medida de la facilidad con que se establece la corriente.
Diodo Freewheel (Diodo flyback, diodo volante)
La desactivación de un relé provoca una corriente de descarga de la bobina en sentido inverso
que pone en peligro el elemento electrónico utilizado para su activación. Un diodo polarizado
inversamente cortocircuita dicha corriente y elimina el problema. El inconveniente que
presenta es que la descarga de la bobina es más lenta, así que la frecuencia a la que puede ser
activado el relé es más baja. Se le llama comúnmente diodo volante.
FET
Una de las características más importantes del FET es su alta impedancia de entrada. El
transistor de efecto de campo (FET) es un dispositivo de tres terminales que se utiliza en
varias aplicaciones que coinciden, en gran medida, con las del transistor BJT.
Impedancia
Oposición total a la corriente sinusoidal expresada en ohms.
Inversor
La función de un inversor es cambiar un voltaje de entrada de corriente continua a un voltaje
simétrico de salida de corriente alterna, con la magnitud y frecuencia deseada por el usuario
o el diseñador.
JFET
El JFET (transistor de efecto de campo de unión) es un tipo de FET que opera con una unión
pn polarizada en inversa para controlar corriente en un canal. El transistor
BJT es un dispositivo controlado por corriente, en tanto que el transistor JFET es un
dispositivo controlado por voltaje..
Opto acoplador
La señal de entrada es aplicada al fotoemisor y la salida es tomada del fotoreceptor.
Los optoacopladores son capaces de convertir una señal eléctrica en una señal luminosa
modulada y volver a convertirla en una señal eléctrica. La gran ventaja de un optoacoplador
reside en el aislamiento eléctrico que puede establecerse entre los circuitos de entrada y
salida.
81
Reactancia
Parte imaginaria de la impedancia.
Resistencia Interna
Las fuentes de tensión / voltaje, sean estas baterías, generadores, etc., no son ideales
(perfectas). Una fuente de tensión real está compuesta de una fuente de tensión ideal en serie
con una resistencia llamada resistencia interna. Esta resistencia, no existe en la realidad de
manera de que nosotros la podamos ver. Es una resistencia deducida por el comportamiento
de las fuentes de tensión reales. La resistencia interna de una fuente es una resistencia que se
coloca en un circuito eléctrico a fin de modelar el efecto que poseen las fuentes de
alimentación reales cuando a partir de ellas circula una corriente.
SCR
El SCR (Silicon Controled Rectifier / Rectificador controlado de silicio) es un dispositivo
semiconductor de 4 capas que funciona como un conmutador casi ideal. Presenta dos estados
de operación: abierto y cerrado, como si se tratase de un interruptor.
Susceptancia
Parte imaginaria de la admitancia.
Transistor
Los transistores son componentes electrónicos semiconductores de estado sólido, que tienen
como función amplificar señales o hacen de switch electrónico.
Además, hacen parte fundamental de los circuitos integrados.
Triac
Al igual que el tiristor tiene dos estados de funcionamiento: bloqueo y conducción. Conduce
la corriente entre sus terminales principales en un sentido o en el inverso, por ello, al igual
que el diac, es un dispositivo bidireccional. La aplicación de los triacs, a diferencia de los
tiristores, se encuentra básicamente en corriente alterna.
La principal utilidad de los triacs es como regulador de potencia entregada a una carga, en
corriente alterna
82
Índice de Figuras
Practica 1: Caja Feliz (Divisor de voltaje)
FIG. 1 CIRCUITO EN SERIE.............................................................................................................................. 22

FIG. 2 ECUACIÓN PARA EL DIVISOR DE VOLTAJE .......................................................................................... 22
FIG. 3 CIRCUITO PROPUESTO PARA LA PRÁCTICA ........................................................................................ 23
FIG. 4 SIMULACIÓN DEL CIRCUITO, CON EL VALOR DE LAS RESISTENCIAS PONDERADAS Y LOS VALORES A
LA SALIDA DESEADO ................................................................................................................................ 23
FIG. 5 DIVISOR DE VOLTAJE, EN TABLA DE PRUEBA ...................................................................................... 24
Practica 2: Sistema de Comunicación Infrarroja
FIG. 1 SISTEMA DE COMUNICACIÓN INFRARROJA ......................................................................................... 25

FIG. 2 DIAGRAMA DE UN LED ......................................................................................................................... 25
FIG. 3 DIAGRAMA DE FOTOTRANSISTOR ....................................................................................................... 25
FIG. 4 OPERACIÓN DE UN LED, DE CAÍDA 0.7V ............................................................................................. 25
FIG. 5 CIRCUITO DEL TRANSMISOR PROPUESTO, CON PARÁMETROS ESTABLECIDOS. ................................. 26
FIG. 6 CIRCUITO EN FUNCIONAMIENTO, IC APROXIMADA AL CÁLCULO ANTERIOR..................................... 26
FIG. 7 NÓTESE QUE IB SE APROXIMA AL CÁLCULO REALIZADO.................................................................... 27
FIG. 8 SIMULACIÓN DEL CIRCUITO EMISOR DEL SISTEMA ............................................................................ 27
FIG. 9 CONFIGURACIÓN 2, CONSIDERE QUE EL DIODO ES UN FOTO RECEPTOR. .......................................... 28
FIG. 10 RESULTADO DEL ANÁLISIS ................................................................................................................. 28
FIG. 11 EMISOR TRASMITIENDO, VÉASE LA SEÑAL ENVIANDO AL RECEPTOR (EN COLOR AMARILLO),
ACOPLADO A UN GENERADOR DE FUNCIONES CON LAS ESPECIFICACIONES DADAS. ............................. 28
FIG. 12 RECEPTOR ACTIVO, PUEDE VER QUE LAS SEÑAL RECIBIDA ES MÁS TENUE A LA SEÑAL DE ENTRADA,
ESTO POR LA NATURALEZA DE LOS DISPOSITIVOS QUE SON AFECTADOS POR LA DISTANCIA. .............. 29
FIG. 13 PRUEBAS DE TRANSMISIÓN A 2M, LA SEÑAL DE RECEPCIÓN EN COMPARACIÓN CON LA DE
TRANSMISIÓN NO ES TAN TENUE.............................................................................................................. 29
Practica 3: Amplificador de Potencia
FIG. 1 MODELO DEL AMPLIFICADOR ............................................................................................................. 30

FIG. 2 TIP 1C, EL INTEGRADO Y SU DIAGRAMA ............................................................................................. 30
FIG. 3 CIRCUITO AMPLIFICADOR ................................................................................................................... 31
FIG. 4 PARÁMETROS DEL GENERADOR DE ONDA CUADRADA ........................................................................ 31
FIG. 5 AMPLIFICADOR CON CIRCUITO COMPLETO PARA OBTENER UNA FORMA DE ONDA IGUAL A LA DE
ENTRADA .................................................................................................................................................. 31
FIG. 6 CIRCUITO AMPLIFICADOR ACOPLADO AL OSCILOSCOPIO .................................................................. 32
FIG. 7 FORMA DE ONDA DE SALIDA, ORIGINAL Y AMPLIFICADA ................................................................... 32
83
FIG. 8 CIRCUITO IMPLEMENTADO EN EL LABORATORIO .............................................................................. 32
FIG. 9 GENERADOR DE FUNCIONES, FUENTE DE ALIMENTACIÓN Y OSCILOSCOPIO TRABAJANDO .............. 32
Practica 4: Amplificador Push-Pull
FIG. 1 AMPLIFICADOR TIPO PUSH-PULL ........................................................................................................ 33

FIG. 2 AMPLIFICADOR CLASE B, TRABAJANDO EN SEMICICLO POSITIVO ..................................................... 33
FIG. 3 AMPLIFICADOR CLASE B TRABAJANDO EN SEMICICLO NEGATIVO ................................................... 34
FIG. 4 DISTORSIÓN DE CRUCE POR CERO, VÉASE LA SECCIÓN DE TRABAJO DE LOS TRANSISTORES (POR
ARRIBA DE( 0.7V) ..................................................................................................................................... 34
FIG. 5 MODELO BÁSICO DE AMPLIFICADOR CLASE B, PUSH-PULL ............................................................... 34
FIG. 6 GRAFICO DE TRABAJO DEL AMPLIFICADOR CLASE B, VÉASE EL TRABAJO EN SATURACIÓN ............ 34
FIG. 7 GENERADOR DE FUNCIONES ................................................................................................................ 35
FIG. 8 GENERADOR DE FUNCIONES RIGOL G1062 ........................................................................................ 35
FIG. 9 A) TIP42C VÉASE LA CONFIGURACIÓN DE PINES, B) TIP41 VÉASE SU CONFIGURACIÓN ................... 35
FIG. 10 CIRCUITO A IMPLEMENTAR, ACOPLADO A DOS LEDS........................................................................ 35
FIG. 11 CONFIGURACIÓN DE PARÁMETROS DEL GENERADOR DE FUNCIONES .............................................. 35
FIG. 12 A) CIRCUITO AMPLIFICADOR TRABAJANDO EN EL SEMICICLO POSITIVO, B) AMPLIFICADOR
TRABAJANDO EN EL SEMICICLO NEGATIVO ............................................................................................ 36
FIG. 13 CIRCUITO AMPLIFICADOR ACOPLADO A UNA BOCINA ...................................................................... 36
FIG. 14 CIRCUITO AMPLIFICADOR A LA BOCINA, IMPLEMENTADO EN LABORATORIO................................. 36
FIG. 15 VISTA DEL OSCILOSCOPIO DEL AMPLIFICADOR ENTRADA (AZUL) Y SALIDA CON DISTORSIÓN DE
CRUCE POR CERO (AMARILLO) EN LA BOCINA ........................................................................................ 36
FIG. 16 DISTORSIÓN DE CRUCE POR CERO EN LA SEÑAL DE SALIDA ............................................................. 36
Tabla de ilustraciones, sección Tareas y trabajos complementarios
ILUSTRACIÓN 1 OPERACIÓN DE UN AMPLIFICADOR CLASE A BÁSICO. LA SALIDA SE MUESTRA DESFASADA 180° CON RESPECTO A LA
ENTRADA (INVERTIDA). ..................................................................................................................................... 5
ILUSTRACIÓN 2 OPERACIÓN DE UN AMPLIFICADOR ......................................................................................................... 6

ILUSTRACIÓN 3 AMPLIFICADOR CLASE B DE COLECTOR COMÚN ......................................................................................... 6
ILUSTRACIÓN 4 AMPLIFICADOR PUSH PULL ACOPLADO A UN TRANSFORMADOR.................................................................... 6
ILUSTRACIÓN 5AMPLIFICADOR PUSH-.PULL EN TRANSISTOR COMPLEMENTARIO................................................................... 7
ILUSTRACIÓN 6 FUNCIONAMIENTO DEL AMPLIFICADOR CLASE C ........................................................................................ 7
ILUSTRACIÓN 7 CIRCUITO CON RESISTENCIA EN SERIE SIMULADO EN ORCAD SCHEMATICS ............................. 42
ILUSTRACIÓN 8 GRAFICA DEL CIRCUITO A), VÉASE EL VOLTAJE, LA CORRIENTE, POTENCIA Y ENERGÍA...................................... 43
ILUSTRACIÓN 9 CIRCUITO CON RESISTENCIA EN SERIE SIMULADO EN ORCAD SCHEMATICS .................................................. 44
ILUSTRACIÓN 10 GRAFICA DEL CIRCUITO B), VÉASE EL VOLTAJE, LA CORRIENTE, POTENCIA Y ENERGÍA ................................. 45
84
ILUSTRACIÓN 11 CIRCUITO CON DIODO (D1N4002) EN DIRECTA SIMULADO EN ORCAD SCHEMATICS ................................. 46
ILUSTRACIÓN 12 GRAFICA DEL CIRCUITO C), VÉASE EL VOLTAJE, LA CORRIENTE, POTENCIA Y ENERGÍA ................................. 47
ILUSTRACIÓN 13 FUNCIONAMIENTO DE UN AMPLIFICADOR PUSH PULL ............................................................ 53
ILUSTRACIÓN 14 DISTORSIÓN DE CRUCE, EN UNA FORMA DE ONDA .................................................................. 53
ILUSTRACIÓN 15 FORMA DE ONDA A LA SALIDA DEL AMPLIFICADOR ACOPLADO AL FOCO, A UNA FRECUENCIA DE 59.9 DEL
GENERADOR DE FUNCIONRES. .......................................................................................................................... 54
85

Dossier Amplificadores de Potencia

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Dossier de Amplificadores de

Amplificador clase A ___________________________________________________________ 5

Caja Feliz ___________________________________________________________________ 22

Circuito en Serie _____________________________________________________________ 42

Amplificadores clase A ________________________________________________________ 67

Los amplificadores de potencia son amplificadores de señales grandes.

Ilustración 1 Operación de un amplificador clase A básico. La salida se muestra

Ilustración 2 Operación de un amplificador [1]

Ilustración 3 Amplificador clase B de colector común [1]

Ilustración 4 Amplificador Push pull acoplado a un transformador [1]

En muchas aplicaciones donde se utiliza la configuración push-pull, la resistencia de carga

Ilustración 5Amplificador Push-.Pull en transistor complementario [1]

Ilustración 6 Funcionamiento del amplificador clase C [1]

[1] T. L. Floyd, Dispositivos Electronicos, Pearson, 2008.

El semiconductor de tipo p tiene una concentración de huecos mucho mayor que la de

Existen diferentes tipos de diodos:

 Diodos de señal (pequeña corriente)

 Diodo de protección para relés

 Diodo varactor (varicap)

Su utilización es básicamente como elemento de sintonía en receptores de FM o televisión

Presenta: Emilio Tobón Castillo

Presenta: Leonel Jimenez Gómez

Los sistemas electrónicos ocupan dispositivos semiconductores para su funcionamiento,

La diferencia de potencial del campo eléctrico a través de la región de empobrecimiento es

[1] T. L. Floyd, Dispositivos Electronicos, Pearson, 2008.

Presenta: Jesús Rosendo Valdez Moreno

El transistor tiene dos funciones principales:

Un transistor también puede cumplir funciones de amplificador, oscilador, conmutador o

SATURACION: Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la

Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturación se dice que trabaja en conmutación. En

La ganancia de corriente es un parámetro también importante para los transistores ya que

Saturación Corte Activa

VCE ~0 ~ VCC Variable

VRC ~ VCC ~0 Variable

IC Máxima = ICEO lang=EN-GB~ 0 Variable

VBE ~ 0,8v < 0,7v ~ 0,7v

El transistor se cataloga en diferentes tipos dependiendo de sus características físicas.

Ilustración 7 Configuración de Transistores NPN, PNP [1]

Colector (C): Se encarga de recoger portadores de carga.

Si nos fijamos en la tabla siguiente, ya podemos determinar si el transistor es NPN o PNP.

Si la punta que tenemos conectada a la base es la roja (recordemos, negativo de la batería), y

Ilustración 8 Polarización de Transistores NPN y PNP [1]

En el presente ensayo se pretende realizar un resumen acerca algunos de los tipos de

El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales

Transistor de contacto puntual: Primer transistor, consta de una base de germanio

Transistor de unión bipolar: El transistor de unión, se fabrica básicamente sobre un

Transistor de efecto de campo: El transistor de efecto campo es una familia de transistores

Disipadores de calor: Un disipador es un componente metálico generalmente de aluminio

Presenta: Leonel Jimenez Gómez

La electrónica moderna se basa en el desarrollo de los materiales semiconductores como el

La ganancia de corriente de cd de un transistor es el cociente de la corriente de cd del colector

[1] T. L. Floyd, Dispositivos Electronicos, Pearson, 2008.

Jesús Rosendo Valdez Moreno

Con base a lo establecido y realizando cálculos

Vo (V) R1(Ω) R2(Ω)

Mineral de la Reforma a 08 de marzo de 2017.

Valdez Moreno Jesús Rosendo LED de infrarrojos (IRLED)

Fig. 8 Diagrama de Fototransistor [3]

Fig. 9 Operación de un LED, de caída 0.7v [3]

Fig. 11 Circuito en funcionamiento, Ic aproximada al

Fig. 10 Circuito del transmisor propuesto, con

Implementar un sistema de comunicación infrarroja,