Apuntes - ELECTRÓNICA I PDF

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA MECÁNICA Y ELÉCTRICA
DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA
ACADÉMIA DE ELECTRÓNICA
ELECTRÓNICA I
Domingo Almendares Amador

2015
Electrónica I DAA
1. BREVE HISTORIA DE LOS DISPOSITIVOS DE VACÍO
La ciencia de la electrónica puede considerarse como inicio a partir del efecto de

Edison, el fenómeno fue inicialmente reportado en 1873 por Frederick Guthrie en
Bretaña, mientras realizaba experimentos con objetos cargados; el Profesor Bernd
Schuster descubrió que calentando al rojo vivo una esfera de hierro con carga negativa
ésta perdía su carga (desprendiendo iones al vacío). También observó que esto no
ocurría si la esfera estaba cargada positivamente. Otras investigaciones al respecto
incluyeron a Hittorf (1869-1883), Goldstein (1885) y Elster and Geitel (1882-1889).
El efecto fue redescubierto por Thomas Alba Edison, el 13 de febrero de 1880,

mientras trataba de descubrir la razón por la cual se rompían los filamentos y por qué el
ennegrecimiento de la ampolla de vidrio de sus lámparas incandescentes (el cristal se
oscurecía (ahumaba) cercano a la región positiva del filamento, al calentarse este),
únicamente se utilizaba energía eléctrica de corriente directa en esa época ( que
impulsaba su empleo el mismo Edison).
Edison construyó muchas bombillas experimentales, algunas con un filamento

adicional y una con una lámina metálica dentro de la lámpara, eléctricamente aislada
del filamento. Edison conectó el electrodo adicional al filamento de la lámpara a través
de un galvanómetro y notó que cuando éste electrodo era positivo con respecto al
filamento sé de flexionaba la aguja del galvanómetro que se encontraba en serie y no
sucedía lo mismo cuando era negativo.
Esta forma de fluido eléctrico manifestado por el galvanómetro (corriente) en un

solo sentido fue llamada entonces el efecto Edison (aunque el término se usa en
ocasiones para referirse a la emisión termoiónica específicamente).
En este experimento, Edison descubrió también que el flujo de la corriente
emitida por el filamento (al calentarse), se incrementaba rápidamente al aumentarle la
tensión y presentó una aplicación para un dispositivo regulador de voltaje usando este
efecto el 15 de noviembre de 1883 (Patente U.S. 307,031 - la primera patente de un
dispositivo electrónico), Propuso que a través del aparato podría pasar corriente
suficiente para operar un telégrafo sonoro.
Fue exhibido en la Exposición Internacional de Electricidad en Philadelphia en

septiembre de 1884. William Preece, un científico británico se llevó con él algunas
de las bombillas de Efecto Edison, y presentó un estudio sobre ellas en 1885, donde
se refería a la emisión termoiónica como el Efecto Edison.
En 1897 Sir Joseph John Thompson estableció la existencia de los
electrones y explicó el efecto Edison, probó la carga negativa del electrón y que éste se
desplazaba bajo el efecto del campo eléctrico, constituyendo el flujo de corriente
eléctrica (conocida como corriente electrónica), también estableció la relación de carga
a masa de un electrón encontrándose que fue constante para todos los electrones.
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Electrónica I DAA
En la figura 1.1, se ilustra el concepto de la corriente eléctrica, en el que el flujo de

electrones en el conductor, se desplaza en sentido contrario de la dirección de la
corriente convencional, la cual ha sido adoptada como el flujo de la corriente eléctrica.
.
Figura 1.1
En 1910 el Dr. Robert Milikan determinó la carga electrostática del electrón, la

cual resultó constante para todos los electrones y en combinación con la relación de
Thompson se calculó la masa del electrón y se probó que era igual para todos los
electrones.
Carga del electrón = 1.602 x 10 - 19 C.

Masa del electrón = 9.11 x 10 - 31 Kg
Sir John Ambrose Fleming, siguiendo las investigaciones de Edison, descubrió

que el Efecto Edison podría ser usado para detectar ondas de radio, el 16 de
noviembre de 1904, patentó el primer tubo electrónico, el cual fue llamado válvula de
Fleming, éste un simple diodo usado como un rectificador.
Probablemente la contribución más grande a la Electrónica fue hecha en el año

de 1906 por el Dr. Lee De Forest, al agregarle un tercer electrodo al diodo de vacío
llamado rejilla, el cual permitió el control del paso de los electrones entre electrodos,
como podrá observarse en la figura 1.2, la válvula de Fleming, amplió el control del
paso de los electrones, es decir su cantidad que depende de la tensión aplicada entre
el ánodo y el cátodo, por un control más fino, a través de la tensión negativa aplicada a
la rejilla; se está variando así la corriente de placa Esto fue muy importante para que se
fabricaran los primeros amplificadores de sonido, receptores de radio, televisores, etc.
Conforme transcurría el tiempo, con el avance tecnológico, las válvulas de vacío se
fueron perfeccionando y por lo consiguiente mejorando, apareciendo otros tipos, como
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Electrónica I DAA
los tetrodos (válvulas de cuatro electrodos), los pentodos (válvulas de cinco

electrodos), otras válvulas con atmósfera de gas para aplicaciones de alta potencia,
etc.
Dentro de los perfeccionamientos de las válvulas se puede considerar su
reducción de tamaño y el aumento de su eficiencia, que aún a la fecha tienen
aplicaciones especiales.
Figura 1.2
2. CAMPOS DE LA ELECTRÓNICA
La electrónica es la parte de la ciencia y la técnica, que se ocupa de los
fenómenos de conducción eléctrica en el vacío, en los gases y en los semiconductores;
y que recurre a los dispositivos basados en esos fenómenos.
El estudio de la electricidad básica se enriquece al considerar ciertos fenómenos

físicos inherentes con el movimiento de electrones y otro tipo de carga en los
dispositivos electrónicos; enumerándose los siguientes:
a) La extracción de electrones de un cuerpo sólido.

b) La producción de iones en gases.
c) El movimiento de electrones e iones entre electrodos.
d) El movimiento de portadores de carga eléctrica en semiconductores.
e) El control de movimiento de electrones, iones y portadores de carga eléctrica; por
medio de campo electrostático y magnético.
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LA ELECTRÓNICA TRATARÁ EN GENERAL DOS GRANDES RAMAS:
2.1 LA ELECTRÓNICA FÍSICA: que estudia los fenómenos físicos de los

materiales y dispositivos, que transportan portadores de carga eléctrica en medios
como: vacío, gases y cuerpos sólidos cristalinos (semiconductores).
2.2 LA INGENIERÍA ELECTRÓNICA: que determina las propiedades,

características y parámetros de los dispositivos electrónicos, así como su aplicación en
los circuitos eléctricos.
El moderno desarrollo de la Ingeniería Electrónica comprende los siguientes

campos:
2.2.1 La radio electrónica: la cual abarca todos los tipos de comunicación, tal
como: radiodifusión, televisión, radiolocalización, radar, radionavegación,
radioastronomía, telefonía celular, etc.
2.2.2 La Electrónica Nuclear: que comprende el campo relacionado en el
estudio de los procesos de obtención, aplicación de las partículas nucleares y sus
radiaciones; originada por el reordenamiento o la desintegración del átomo (fusión y
fisión).
2.2.3 La Electrónica Biológica: que emplea los fenómenos, dispositivos y
aparatos electrónicos; para la investigación y su desarrollo.
2.2.4 La Electrónica Geológica: ídem anterior.
2.2.5 La Electrónica Química: idem anterior.
2.2.6 La Electrónica Industrial: rama general que atiende a la ingeniería en el
campo de la industria.
En el campo industrial, la Electrónica juega un papel muy importante y de

acuerdo con las funciones específicas que desarrolla, la podemos reagrupar en:
2.2.6.1 Electrónica Energética:
Por el uso de dispositivos y circuitos electrónicos a la conversión de la energía
eléctrica, en la aplicación de los convertidores estáticos en potencias considerables
para usos industriales tales como: procesos electrolíticos, elevadores de carga,
convertidores estáticos (de corriente alterna a corriente continua, de corriente continua
a corriente continua, de corriente continua a corriente alterna y de corriente alterna a
corriente alterna), refinado de metales, galvanoplastía, accionamientos eléctricos,
transmisión de energía eléctrica en corriente continua, tracción eléctrica, etc.
2.2.6.2 Electrónica Informática:
Se aplica en el uso de los dispositivos electrónicos y sus circuitos, en los
procesos de medición, control y regulación; auxiliares imprescindibles de los sistemas
automáticos industriales.
2.2.6.3 Técnica Basada en haz Iónico., Oscilaciones Electromagnética y
Sonoras:
Acciones que intervienen en el análisis y fabricación de productos,
perfeccionando el control en los procesos industriales.
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3. CLASIFICACIÓN DE COMPONENTES ELECTRÓNICOS.
Los componentes electrónicos, son los elementos constructivos básicos de los

circuitos; en el que cada componente cumple con una función específica, dependiendo
de su tipo y de la forma como esté conectado, con el resto de los elementos que
integran el circuito completo.
Los componentes electrónicos realizan una o más de las siguientes funciones en

el manejo de la energía eléctrica: conducir, controlar, seleccionar, dirigir, interrumpir,
almacenar, y en general manipular la corriente eléctrica de muy variadas formas.
Los componentes electrónicos pueden ser activos o pasivos, dependiendo de las

funciones que realizan.
 Resistor
 
Pasivo Condensador
 Inductor


 De vacio
 Activo 
De gas
 Semiconductores
 
3.1 COMPONENTE PASIVO.
Los dispositivos pasivos o componentes lineales, llamadas así porque se

comportan linealmente con la corriente o tensión, es decir sí se incrementa o se
disminuye el nivel de tensión aplicado, la corriente también aumenta o decrece, en la
misma proporción. Quedando su comportamiento definido por una ecuación general y
en el que sus parámetros se consideran que permanecen constantes (dentro de ciertos
rangos de aplicación y límites prácticos).
En la electricidad se tienen como parámetros principales, a la corriente eléctrica y

la tensión, en la que éstas podrán ser dependientes del tiempo o no.
En general los parámetros de corriente o de tensión, en un elemento pasivo es

función uno del otro, según se tome la decisión al aplicarlo.
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En la tabla 3.1, se muestran las relaciones del parámetro de corriente que circula
por los componentes pasivos.
Tabla 3.1
Función general Función senoidal Función cosenoidal

Elemento
Variable v v = Vmax senωt v = Vmax cosωt
Resistor (R) v Vmax Vmax

iR = iR = senωt iR = cosωt
R R R
Inductor (L) 1 Vmax Vmax

iL =
L ∫
v dt iL =
ωL
( − cos ωt ) iL =
ωL
sen ωt
Capacitor (C) dv iC = ω CVmax cos ωt iC = ω CVmax ( − sen ωt )

iC = C
dt
Las gráficas de las funciones de las corrientes, derivadas de la tensión aplicada,

se representan en forma temporal (valores instantáneos), figura 3.1, teniendo como
parámetro base la tensión de la función del tipo senoidal, la cual opera como parámetro
independiente y como parámetro dependiente la corriente.
Figura 3.1
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La gráfica de las funciones de las corrientes, representadas en forma temporal

(se tienen los valores instantáneos mostrados durante todo el ciclo), figura 3.2, teniendo
como parámetro independiente la tensión aplicada como una función cosenoidal y la
corriente como una función dependiente (resultando ésta del tipo senoidal), para la
inductancia y la capacitancia.
Figura 3.2
Para la corriente tomada del tipo de función senoidal

i = Imax senωt
La caída de tensión en la inductancia, que se genera al circular la corriente es:

di
vL = L
dt
d
= L ( I max sen ωt )
dt
=ωL Imax cos ωt
De la identidad trigonométrica
cos x = sen( x + 90 )
La caída de tensión en la inductancia será:

vL = ω L I max sen( ω t + 90 )
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Del resultado anterior, tenemos que la tensión se adelanta 90º sexagecimales

(π/2 radianes) a la corriente (comparando ambas funciones senoidales), cuya gráfica se
muestra en la figura 3.3.
Figura 3.3
O también la corriente se atrasa 90º sexagecimales, con respecto a la caída de

tensión, figura 3.4.
v L = ω L I max sen ω t e i = I max sen( ω t − 90 )
Figura 3.4
La diferencia de potencial o caída de tensión en un componente pasivo se exhibe

en la tabla 3.2, para una corriente que atraviese los elementos pasivos.
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Tabla 3.2
Función general Función senoidal Función cosenoidal
Elemento
Variable i i = I max senωt i = I max cosωt
Resistor (R) v R = Ri vR = RI max senωt vR = RI max cos ω t
Inductor (L) di v L = ω LI max cos ωt vL = ω LImax ( − sen ωt )

vL = L
dt
Capacitor (C) 1 I max I max

C∫
vC = i dt vC = (− cosωt ) vC = senωt
ωC ωC
En las ecuaciones tendremos que los parámetros quedan definidos por:
La velocidad angular ω = 2 π f (rad), la reactancia inductiva XL =ω L (Ω) y la

reactancia capacitiva XC =1/ω C (Ω).
El tratamiento matemático para la determinación de los parámetros tensión o

corriente en los circuitos electrónicos, es común recurrir a la idealización y a la
aproximación, con el fin de simplificar el análisis, eliminando todo detalle innecesario; el
dispositivo que resulta es ideal, dentro de las condiciones operativas del circuito.
Por ejemplo: Se tiene un tramo de conductor con las siguientes características
reales: 1 pie (ft) de longitud de alambre calibre #22 AWG, con una resistencia de 0.016
Ω, con una inductancia de 0.24 µH y una capacitancia de 3.3pF, operando a una
frecuencia de 1 MHz., el cual tiene un diagrama equivalente tipo T, Figura 3.5
Figura 3.5
Para frecuencias de operación arriba de los 300 MHz. Se deberá tratar a la

inductancia y la capacitancia como distribuidas, cuyo tratamiento matemático se
realizará por las ecuaciones de Maxwell. En el análisis de los circuitos eléctricos que
contengan dispositivos activos, se substituirá al elemento por un diagrama equivalente
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funcional, que corresponda a las condiciones operativas dentro del circuito, para las
cuales sea válido.
3.1.1 Resistor. El cual se le ha dado el nombre de resistencia por un modismo,

teniéndose dos grandes grupos por el tipo de respuesta que presenta a una excitación:
a) Pasivos: Fijas y variables (por la manipulación de su valor).
b) Activos: Termistor, stabistor, fotoresistencia y varistor.
La resistencia eléctrica o simplemente resistencia, es la acción o efecto de
oposición que presenta un material a ser atravesado por una corriente eléctrica;
definiéndola a partir de la ley de Joule, en que la energía es la habilidad para hacer
trabajo (W), la unidad de la energía o trabajo es el Joule (J) y la potencia es expresada
en watts.
Energía W = R I 2 t (J) y Potencia P = R I 2 (W)
El valor de la resistencia expresada en ohms (Ω), es dado en el sistema

internacional de unidades (S.I.).
1 ( J ) = 1 ( Ω ) 1 (A2 ) 1 ( s )
Donde:
J (Joule), A (Amper) y s (Segundo).
Designando a P, como la potencia que aparece en la resistencia, se manifiesta

en forma de calor (no almacena energía), expresada en Joule / segundo (watt)
.
La corriente y la tensión eléctricas, están dadas por las ecuaciones:
Q( C ) W(J )
I ( A )= E (V ) =
t( s ) Q( C )
Donde: C Unidad de carga en Coulomb.
3.1.2 Cálculo del valor de resistencias.

L
En un conductor la resistencia se determina por: R=ρ
A
Donde: L es la longitud del conductor.
A es el área de la sección transversal.
ρ es la resistividad.
Tenemos que los materiales se pueden agrupar de acuerdo a su resistividad

(Resistencia específica volumétrica) en:
a) Conductores ( metales ) 10 - 9 a 10 - 6 Ω - m2 / m
b) Semiconductores 10 - 5 a 10 7 Ω - m2 / m
c) Aislantes 10 8 a 10 18 Ω - m2 / m
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La resistividad (ρ) es afectada por la temperatura, cuando se toma la resistividad

a 0º C, se expresa como (ρ0) y a una temperatura en general θº C (ρθ).
Ecuación de comportamiento:
ρθ = ρ 0 (1+ α 0 θ ) (3.1)
Donde:
α 0 = Coeficiente de temperatura de la resistencia a 0º C.
Ω- m 2 Ω- m 2
La resistividad: ρ Cu 20º C = 1.7241× 10 -8 y ρ Al 20º C = 2.828 ⋅ 10 −8
m m
gr gr
La densidad: δ Cu 20º C = 8.89 y δ Al 20º C = 2.703
cm3 cm3
Analizando la ecuación vemos que el comportamiento de la función es lineal, el
cual es tomado para un rango de temperatura (dado de acuerdo con el comportamiento
del material en cuestión).Por lo que la ecuación 3.1, en términos de la resistencia será:
[
Rθ = R0 1+ α0 tθ ] (3.2)
El coeficiente de temperatura de la resistencia (α), es definido como una cantidad
de incremento en la resistencia por grado de elevación de la temperatura, de ahí que
éste valor sea suministrado en tablas de valores, a temperaturas típicas (0º C, 20º C,
25º C, etc.).
Para el conductor de cobre:
α = 0.00425 1 ,α = 0.00393 1 yα = 0.00385 1 .
0º C ºC 20º C ºC 25º C ºC
En los metales se tiene un coeficiente de temperatura positivo, dado que al aumentarle
la temperatura se incrementa el valor de la resistencia. Algunas substancias tienen un
coeficiente de temperatura negativo, en ellas la resistencia disminuye al incrementarse
la temperatura; existen otras con coeficiente de temperatura cero y no les afecta los
cambios de temperatura a la resistencia.
La curva del comportamiento de la resistencia eléctrica de un conductor con

respecto a la temperatura, se muestra en la figura 3.6, donde T es la temperatura
inferida al cero absoluto ( en el material de cobre -234.5º C ).
Figura 3.6
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En la gráfica de la figura número 3.6, para la variación lineal de la resistencia en

función de la temperatura, por incrementos tenemos:
∆ R R 2 − R1
=
∆t t 2 − t1
Dividiendo entre R1.
∆R R 2− R 1
= ≡α1 (3.3)
∆ t R 1 ( t2 − t1 )R 1
El coeficiente de temperatura a la temperatura base t1 será α1 (ecuación 3.3).
Despejando de la ecuación 3,3 a la resistencia R2, podemos determinar el valor
de la resistencia corrigiéndola a otra temperatura final, así:
R 2 = R 1 1+ α 1 ( t 2 − t 1 )
(3.4)
Por otro lado de la misma gráfica de la figura 3.6, podemos prescindir del
coeficiente de temperatura para determinar el valor de la resistencia final, tomando las
proporciones así:
R0 R1 R2
= =
T T +t1 T +t 2
Despejando a R2
T + t2
R2 = R1 (3.5)
T + t1
En la ecuación 3.5, a la temperatura T se toma en valor absoluto (sin el signo
menos).
La especificación de la variación de la resistencia por la temperatura, es
expresada en electrónica usualmente como un coeficiente de temperatura de la
resistencia TCR (Temperature Coefficient of Resistance o Tempco), expresada en
partes por millón por grado centígrado (ppm/ºC). Ésta representa el porcentaje de carga
nominal a 25ºC, el cual puede ser positivo o negativo.
Ejemplo:
Una resistencia de un coeficiente de 4000 ppm/ºC tiene un valor de 5kΩ (5000Ω)
a 25ºC. ¿Cuál es la resistencia a 75ºC?.
La cantidad de 4 000 ppm / ºC, expresada en fracciones decimales como 4 000
-6
x 10 = 0.004 decimal/ºC; correspondiente al valor del coeficiente de temperatura de la
resistencia dada, en éste caso se refiere a los 25° C como temperatura inicial.
De la ecuación 3.4.
R 2 = R 1 1 + α 1 ( t 2 − t 1 ) 
= 5000 1+0.004 (75 - 25)  = 6000 Ω
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Electrónica I DAA
Como el coeficiente de temperatura de la resistencia, es un factor que condiciona

la magnitud de los cambios del valor de la resistencia, el signo positivo (+) indica
aumento con el incremento de la temperatura (se tiene un coeficiente de temperatura
positivo) y el signo negativo (-) indica disminución con el incremento de la temperatura
(se tiene un coeficiente de temperatura negativo). Un valor anotado en la especificación
de la resistencia NPD (Negative-Positive-Cero) indica que el valor no cambia por la
variación de la temperatura.
4. TIPOS DE RESISTENCIA.
De acuerdo con la función que desarrollan las resistencias, éstas se dividen en
fijas y variables; las resistencias fijas tienen la alternativa de fabricarse con derivaciones
en el tipo de construcción de alambre.
Y en términos de las tolerancias disponibles en el mercado, los resistores pueden
clasificarse en:
a) Propósitos generales Tolerancia de ± 5% o mayor.

b) Semiprecisión Tolerancia de ± 1 % y ± 5 %
c) Precisión Tolerancia de ± 0.5 % y ± 1 %
d) Ultraprecisión Tolerancia menor de ± 0.1 %
4.1 RESISTENCIAS DE VALOR FIJO.
4.1.1 Resistencias de carbón de composición.

Éste tipo de resistencias se construyen en cuerpos cilíndricos moldeados, huecos
con relleno de carbón aglomerado, el cual es inyectado a alta presión y elevada
temperatura. Son fabricadas en potencias de 1/4, 1/3, 1/2, 1, 2 watts, con tolerancia de
± 5 %, ± 10 % y ± 20 %. Se tienen valores disponibles de 0.1 Ω a 100 MΩ, el cual se
indica por las bandas de color impresa en el cuerpo de la resistencia. Son de uso
común, bajo costo, coeficiente térmico pequeño, rango de temperatura medianamente
estable entre 0º C y 60º C.
En su selección del valor de potencia, se deberá considerar un margen en

demasía de 5 a 10 veces el valor calculado, con el objeto de evitar el calentamiento
excesivo del componente y que afecte su operación normal (por cambio temporal de su
valor e incluso lo haga en forma permanente).
4.1.2 Resistencia de alambre devanado.

Las resistencias de éste tipo, son construidas de alambre de alta resistividad (nicromel,
manganina, constantán, etc.), con diferentes secciones transversales (en el que
normalmente se emplea de sección circular). Cuerpos cerámicos (normalmente
cilíndricos) devanados con alambre y recubiertos con aglomerado cerámico con
acabado vidriado (éste con el objeto de protegerla del medio ambiente y de darle rigidez
mecánica).
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Electrónica I DAA
Se fabrican para tres casos de aplicación:

a) De gran potencia 5 a 200 W Tol. ± 5 % a ± 10 %.
b) Empleo general 0.5 a 3 W Tol. ± 1 % a ± 5 %.
c) De gran exactitud menor a 1 W Tol. ± 0.1 % o menor.
4.1.3 Resistencia de película metálica u óxido metálico depositado.

Se recubre un cuerpo cerámico cilíndrico (normalmente) con una película metálica,
aplicada por evaporación. Éste tipo de construcción evita el efecto de autoinducción, en
el que se hace notorio su efecto a elevadas frecuencias; limitándose a pequeñas
potencias con las características de las resistencias de alambre devanado. Se logran
valores hasta de 150 MΩ.
4.1.4. Resistencias de carbón depositado.

Similar en su construcción al tipo anterior de resistencia, en el que se aplica una
película de carbón, lográndose grandes valores de resistencia, con potencias de 1/4 a
1/2 W. Cuentan con la ventaja de tener un coeficiente térmico negativo, que las hace
adecuadas para operar como compensador por temperatura en circuitos electrónicos.
4.1.5. Comportamiento como elemento de circuito.

Básicamente se rige por la ley Ohm y Joule.
V 1
R= Ω, G = S Respectivamente en unidades Ohms y
I R
Siemmens.
V2
P = RI 2 = En Watts.
R
4.1.6. Símbolo Figura 4.1.
Figura 4.1
4.1.7. Nomenclatura.
Normalmente se presenta por bandas de color impresas en el cuerpo de la
resistencia, para las resistencias de carbón y para algunas de película metálica, para
los restantes tipos de resistencias sus características van impresas en el cuerpo de la
resistencia con abreviaturas tales como:
R36=0.36 Ω, 12R7 = 12.7 Ω, 3K3 = 3 300 Ω y 6M8 = 6 800 000 Ω
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4.1.8. Código de colores para resistencias.
Las resistencias de composición especifican su valor por medio del código de

colores, que en una forma práctica nos permite identificar o conocer el valor de la
resistencia, su tolerancia, empleando para ello cuatro franjas de color.
En resistencias de película metálica, de película de carbón y alambre devanado,
se emplean cinco franjas de color en el que se especifica su valor, tolerancia y el
coeficiente térmico.
En la figura 4.2, se muestra el sistema aplicado a los resistores con mayor

aceptación en electrónica.
Se contemplan los siguientes valores típicos comerciales:
1, 1.2, 1.5, 1.8, 2.2, 2.4, 2.7, 3.3, 3.6, 3.9, 4.2, 4.7, 5.1, 5.6, 6.2, 6.8,
7.5, 8.2, 9.1 por 10n.
El valor indicado por la bandas de colores en los resistores, corresponde al valor

nominal, se determina de acuerdo con la fórmula que establece que cada valor nominal
es aproximadamente (1+2N) veces el valor nominal anterior, donde N es la magnitud de
la tolerancia base del cálculo.
En el desarrollo siguiente, se determinan valores para 10 % y 5 %:

1.0 ( 1 + 2N ) = 1.0 ( 1 + 2 × 0.1) = 1.2
1.2 (1 + 2N ) = 1.2 ( 1 + 2 × 0.1) = 1.44 ≅ 1.5
8.2 ( 1 + 2N ) = 8.2 ( 1 + 2 × 0.1) = 9.84 ≅ 10
3.9 ( 1 + 2N ) = 3.9 ( 1 + 2 × 0.05 ) = 4.29 ≅ 4.2
8.2 ( 1 + 2N ) = 8.2 ( 1 + 2 × 0.05 ) = 9.02 ≅ 9.1
Podemos observar el procedimiento para la generación de los valores nominales

exhibidos anteriormente, resaltando los del 5 %; y aclarando la existencia de otros
valores de fabricación particular.
Con respecto a la potencia, en la tabla 4.1 se muestra el tamaño físico

aproximado en unidades de pulgadas (el fabricante lo define), así:
Tabla 4.1
POTENCIA DIÁMETRO LONGITUD

Watt D L
1/4 3/32 “ 1/4 “
1/2 9/64 “ 3/8 “
1 7/32 “ 9/16 “
2 5/16 “ 11/16 “
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Figura 4.2
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4.2 RESISTENCIAS VARIABLES.
Las resistencias variables son elementos pasivos que permiten modificar su

valor, con el objeto de modificar o cambiar las características o los parámetros de
tensión y/o corriente de un circuito eléctrico; los tipos de resistencias variables los
tenemos representados por los: potenciómetros, reóstatos, y preajustables ( Preset ).
4.2.1. Símbolos más usuales (figura 4.3).
Figura 4.3
4.2.3. Nomenclatura.
La descripción de sus características por lo general van impresas en el cuerpo

del componente, en el que se da el valor de la resistencia (en ohms) y su potencia (en
watts); en otros casos el fabricante le asigna un número de catálogo.
4.2.4 Construcción.
En la fabricación de resistencias variables, en la tabla 4.3 tienen los siguientes
tipos:
Tabla 4.3
Tipo Rango tolerancia Coef. Term. Disipación

De valores W (máx.)
Carbón aglomerado 1 Ω a 22 MΩ ± 5 a 20 % 0.1 %/ºC 5
Alambre devanado 1 Ω a 100 KΩ desde 5 ppm desde 5 ppm/ºC 200
Metal depositado 0.1 Ω a 150 MΩ desde 50 ppm desde 1 ppm/ºC 1
Carbón depositado 10 Ω a 100 MΩ desde 0.5 % -150 a –500 2
ppm/ºC
Existen varias formas y tipos de resistencias variables, en el que se tendrá un

contacto deslizable, teniéndose resistencias de una o más vueltas.
Las resistencias de una vuelta el contacto se deslizará 270º sexagecimales

(geométricos), que es un desplazamiento normalizado y para más de una vuelta (2, 5,
10, 15, 20, y más) se tendrán ciclos completos.
Sí en la presentación del mecanismo de la resistencia para modificar su valor
(posición), cuenta con un vástago, se le ha dado en nombre de potenciómetro y si
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Electrónica I DAA
carece de éste el nombre de preajustable (preset), la resistencia preajustable de más de

una vuelta se le conoce con el nombre de Helipot.
La potencia especificada en una resistencia variable debe de entenderse que es

para todo el rango de ésta, por lo tanto será recomendable tomar como base a la
corriente que la atraviesa; por otro lado mencionaremos que las resistencias podrán ser
lineales o logarítmicas (respectivamente las de material de alambre devanado y de
carbón).
4.2.5 Factores a Considerar en la Selección de los resistores.
1. Valor de la resistencia y valores límites.

2. Disipación.
3. Capacidad de corriente. La máxima corriente.
4. Límite de voltaje máximo.
5. Tolerancia o precisión.
6. Coeficiente de temperatura y temperatura máxima de Operación.
7. Coeficiente de voltaje.
8. Ruido.
9. Tamaño y requerimientos de voltaje.
10. Efecto de la reactancia parásita (inductancia, capacitancia).
11. Características de estabilidad con respecto a soldadura, impacto, vibración, ciclo
térmico, humedad, altitud, aislamiento, esfuerzos mecánicos y durabilidad de las
bandas de color (bandas de asignación de características básicas).
12. Deriva.
13. Efecto de la frecuencia.
14. Temperatura máxima y factor de temperatura fijado.
15. Costo.
18
Electrónica I DAA
5. CAPACITORES e INDUCTORES
Un capacitor es formado cuando dos placas conductoras son separadas por un

aislante (dieléctrico), sí una tensión es aplicada a las placas, se forman líneas de flujo
eléctrico en el dieléctrico entre placas. La cantidad de flujo eléctrico desarrollado es una
medida del capacitor, integrado por las placas y el dieléctrico.
La unidad básica de la capacitancia en el sistema internacional (S.I.) de

unidades, es el Farad (F), ésta unidad es de gran magnitud para fines prácticos, y en
electrotecnia se usan unidades más pequeñas como: el microfarad (µF = 10-6 F), el
nanofarad (ηF = 10-9 F) y el picofarad (pF = 10-12 F).
Para una tensión de corriente directa ( V C.D.) o corriente continua (V C.C.)

aplicada a las terminales de conexión del capacitor, la carga desarrollada (Q) o cantidad
de electricidad está dada por la ecuación 5.1.
Q = CV (5.1)
Q Carga en Coulomb (C).
C Capacidad en Farad (F).
V Tensión en Volt (V).
La carga dada en función de la corriente continua, ecuación (5.2).

Q=It (5.2)
I Corriente en Amper (A).
t tiempo en segundos (s).
La cantidad de energía almacenada (W) en el capacitor es:

1
W = CV 2 (5.3)
2
W Energía en Joules (J).
Cuando la tensión aplicada al capacitor es alterna, el capacitor se carga y se

descarga alternativamente a la frecuencia de la fuente de alimentación. La respuesta
del capacitor a la excitación, se efectúa através de su reactancia.
1
Xc = (5.4)
2π fC
Cuando una tensión de directa (continua) es aplicada através de una resistencia,
figura 5.1, el tiempo requerido para la carga del condensador, es determinado por la
constante de tiempo τ = RC (τ segundo), R ohm y C Farad) siguiendo una ley
exponencial, así:
−t
vc = E( 1 − e τ
) (5.5)
19
Electrónica I DAA
Figura 5.1
En la tabla 5.1, se registran los valores de la gráfica de carga del capacitor de la

figura 5.1, en función de la tensión aplicada.
TABLA 5.1
t(s) vC (V) t(s) vC (V)
0 0.000E 0.0 0.000E
1 0.632E 0.7 0.500E
2 0.865E 1.4 0.750E
3 0.951E 2.1 0.875E
4 0.981E 2.8 0.937E
5 0.993E 3.5 0.969
Un valor usual práctico de la constante de tiempo 0.7 RC o 0.7 τ, por el hecho

de que la caída de tensión en la carga es del 50% de la tensión de la fuente de
alimentación, por otro lado se observa que la tensión plena en el condensador, se logra
prácticamente para cinco veces la constante de tiempo (5τ).
La descarga de un capacitor, se rige por la ecuación 5.6
t
−
vC = E e τ
(5.6)
La tensión decae exponencialmente, en el que el capacitor cede su energía a la

resistencia que se conecta en paralelo al capacitor, figura 5.2.
Figura 5.2
20
Electrónica I DAA
La gráfica de decaimiento de la tensión en el capacitor (figura 5.2), con valores

en la tabla 5.2, en la que observamos para que cinco veces la constante de tiempo,
tenemos prácticamente que la tensión en el capacitor es de cero Volt.
TABLA 5.2
t(s) vC (V) t(s) vC (V)
0 1.000E 0.0 1.000E
1 0.367E 0.7 0.500E
2 0.135E 1.4 0.250E
3 0.049E 2.1 0.125E
4 0.019E 2.8 0.063E
5 0.007E 3.5 0.031E
5.1 TIPOS DE CONDENSADORES (CAPACITORES).
Su nombre de mayor difusión es el de capacitor en el medio y su valor puede ser

fijo o variable, el cual depende de los materiales y su forma de construcción; también
puede ser polarizado o no polarizado.
Símbolo.
5.1.1 Breve descripción de los tipos de construcción.
Condensador de papel.
Se construye con arrollamientos de tiras de hojas de papel delgado y metal, con

un impregnante dieléctrico, son de bajo costo (baratos) y de amplia aplicación, no muy
exactos y factor de disipación no estrictos.
Condensador de papel metalizado.
Aquí el papel se ha metalizado, lográndose una mayor exactitud en el valor, a

costa de no soportar sobretensiones.
Ambos condensadores llevan impreso sus características en el cuerpo del

mismo; su valor de capacidad en microfarad (µF) y su tensión en volts (V).
21
Electrónica I DAA
Condensador de película de plástico.
En éste tipo de condensador se substituye el dieléctrico de papel por poliestireno,

mylar, polietileno, teflón, etc.; son costosos, operan en temperaturas hasta 300 ºC,
tienen resistencias de fuga elevadas y factores de disipación bajos, su valor lo lleva
impreso en el cuerpo dado en picofarad (pF) y la tensión en volt (V); se emplea en
circuitos resonantes.
Condensador de mica.
Se aplican capas alternadas de metal y mica, con una cubierta (puede ser de
plástico, vidrio o metal) para proporcionarle al conjunto rigidez mecánica, tiene un
pequeño factor de disipación y es posible predeterminar su coeficiente térmico (T)
cuando se emplea mica plateada; son de poca capacidad (por su forma de
construcción); ideal para altas frecuencias, usados en sintonía, osciladores y filtros de
ondas. Sus características están impresas en el cuerpo, dadas en picofarad (pF) y volt
(V).
Condensadores electrolíticos.
Arrollamientos de tiras de hojas de papel y de hojas de aluminio, sumergidos en

un electrolito contenidas en un envase de aluminio; la tira de aluminio está oxidada en
una de sus caras, lográndose una alta rigidez dieléctrica (107 V / m); por lo cual su
capacidad es muy grande en relación a el volumen del capacitor. Se fabrica con
polaridad marcada, la cual debe respetarse; de no ser así, la corriente de fuga es tan
grande que se calienta y se destruye.
Existe una nueva técnica de construcción en los condensadores de tantalio los

cuales son más exactos. Sus magnitudes están dadas en microfarad (µF) y la tensión
en Volt (V).
Cabe mencionar el fenómeno de la absorción dieléctrica en éste tipo de

condensador, el cual consiste en la recuperación de la carga del mismo después de
haberlos descargado momentáneamente (através de un corto circuito en sus
terminales).
Se recomienda descargar el condensador conectando una resistencia en sus

terminales, con el objeto de no someter al dieléctrico a esfuerzos innecesarios y
provocándole un envejecimiento prematuro.
Condensadores cerámicos.
Su característica está dada por la composición de la cerámica, de poca

capacidad dada en nanofarad (nF) impresa en el cuerpo, junto con su tensión de
operación en volt (V).
22
Electrónica I DAA
Condensador variable en aire.
Constituido por placas metálicas intercaladas y aisladas (aire) que al modificar su

área superpuesta (al girar sobre un eje común) modifican el valor de la capacidad. Se
fabrican en valores de 10 pF a 400 pF, su uso normal es en sintonía.
Condensador ajustable o trimmer.
Los trimmers son hechos con dieléctricos de mica, teflón, cerámica, cuarzo,
vidrio, etc.; su valor se ajusta al que va a operar en un ancho de banda dado, es usado
también en osciladores. Valores típicos 7- 45 pF y 15 - 130 pF.
Condensador pasante (by pass).
Este condensador se emplea para derivar a masa (tierra) las señales

indeseables, desde un conductor procedente de una sección blindada, que opera a alta
frecuencia; se fabrica en valores de 100 - 5000 pF.
En los condensadores la nomenclatura difiere en la presentación del tipo del

capacitor, el fabricante decide como suministrar sus características y valores,
teniéndose las opciones impresas en los cuerpos, en colores (dos) característicos o
regidos por el código de colores (franjeados) como es el caso de los condensadores de
polipropileno, policarbonato, etc.; en diversas presentaciones (gota, oblea o
paralelogramo), en la tabla 5.3 presentan algunas características importantes de los
capacitores.
TABLA 5.3 PARÁMETROS TÍPICOS DE CAPACITORES.
DIELÉCTRICO FACTOR DE POTENCIA COEFICIENTE DE

TEMPERATURA
Mylar 8 X 10-4 - 14 X 10-4 +250 ppm / ºC, 0 ºC a 70 ºC
Poliestireno alta calidad 1 X 10-4 - 2 X 10-4 -50 a 100 ppm / ºC
-4 -4
Mica alta calidad 1X10 - 7 X 10 -60 ºC a + 60 ºC
0 a 70 ppm / ºC
-4 -4
NPO Ceramic 5 X 10 - 20 X 10 0 a 30 ppm / ºC
Policarbonato 30 X 10-4 - 50 X 10-4 ± 1% no monolítico
0 ºC a 70 ºC
-4 -4
Teflón 0.5 X 10 - 1.5 X 10 -250 ppm / ºC
-60 ºC a 150 ºC
El efecto del factor de potencia en los capacitores se tomará como una
resistencia en serie (Rs) o paralelo (Rp) con un capacitor ideal y para bajos factores de
potencia Rs << 1 / ωC. Así:
F . P. 1
Rs = ; Rp =
2πfC 2π fC( F .P.)
23
Electrónica I DAA
5.1.2 El condensador como elemento de circuito.
dv
La corriente. i =C ; donde C es la capacidad en Farad (F)
dt
El condensador elemental es el plano, mejor conocido como el de placas
paralelas, figura 5.3.
Figura 5.3
Kε0 A
En el condensador plano tenemos la capacidad es: C=
d
Donde: ε0 Permitividad 8.85 X 10-12 F / m en el vacío.

K Coeficiente dieléctrico del material, (constante dieléctrica)
ε
y la constante dieléctrica K =
ε0
Por otro lado la energía almacenada será:
CV 2 Kε 0 A V 2  ε 0    V  
2
E= = =    K   ( Ad )
2 d 2  2    d  
  V  
2
ε0
  K    Características dieléctricas.
 2    d  
Ad Volumen del dieléctrico del condensador.
24
Electrónica I DAA
5.2 INDUCTORES.
Cuando circula una corriente eléctrica en un alambre o bobina (conductores), un

campo magnético es desarrollado en derredor del alambre o bobina. Cuando la
corriente se incrementa, el flujo magnético se incrementa. Un incremento en el flujo
magnético, genera una tensión en el alambre o bobina con una polaridad que se opone
al cambio de flujo. La habilidad de la bobina para oponerse a éstos cambios es llamada
auto inductancia (self-inductance) o más comúnmente inductancia; las bobinas
eléctricas son llamadas inductores, en la figura 5.4, se muestran los tipos de inductores
que se emplean.
Cuando dos o más bobinas son eslabonadas por un campo magnético común
(acopladas) la medida del flujo magnético que interactúa entre las dos bobinas es
llamada inductancia mutua.
La unidad de la inductancia (L) es llamada Henry (H) y sus submúltiplos milihenry
(mH) y microhenry (µH).
Cuando se aplica un voltaje de corriente alterna (C.A.) a los inductores, éstos

presentan una reactancia (XL) de la magnitud siguiente:
X L = 2π fL (Ω )
Donde: L = Inductancia (H).
f = Frecuencia (Hz).
Inductores:
Fijas Inductancias puras (bobinas).
 
 Variables Inductanciasmutuas (transformadores).
Símbolo:
Figura 5.4
Nomenclatura. La trae impresa en el cuerpo del dispositivo su capacidad H, mH,

corriente (A); potencia (VA) y tensión (V).
Construcción. La construcción es de alambre devanado sobre núcleos de: aire, acero al
silicio (laminado), aleación hierro-níquel macizo (50% c/u) y en polvo aglutinado, ferritas
y actualmente plásticas.
Núcleo de aire. Bobina simple arrollada sobre un núcleo no magnético; uso en

bobinas de antenas, filtros y reactancias (shocks), inductancias variables (adicionando
y modificando la posición del núcleo en el interior de la bobina).
25
Electrónica I DAA
Núcleo de acero al silicio. Arrollamiento sobre núcleo laminado (hojas de espesores de

0.2 mm a 0.5 mm), uso en reactancias, transformadores, motores. Permeabilidad
[ ]
magnética (µr) 104 H / m y densidad de flujo máxima o densidad de flujo magnético
2
βm de 1.6 Wb/m , bajas pérdidas por histérisis a 50 y 60 Hz.
Núcleo de aleación de hierro níquel.- 50% de níquel o más, permeabilidad magnética µr

105 (H/m) y densidad de flujo máxima βm = 1.5 Wb/m2 es saturable con menos
intensidad de campo magnético o fuerza magnetizante (H) Amp-vuelta/m. Uso en
amplificadores magnéticos, reactores saturables y convertidores corriente continua-
corriente continua.
Núcleos de aleaciones de hierro-níquel comprimido en polvo con algún material

[ ]
aglutinante no magnético.- Permeabilidad magnética µr - 10 a 100 H / m . Densidad
2
de flujo magnético β 0.6 Wb/m - Estable al envejecimiento y cambios de temperatura,
utilizado a frecuencias cientos de MHz., uso en filtros para inductancias muy precisas.
Ferritas.- Material cerámico compuesto de óxidos de hierro y otros elementos

magnéticos (aglutinados y comprimidos, con formas de diseño típico), permeabilidad
[ ]
magnética µr = 103 H / m , densidad de flujo máxima βm = 0.3 Wb/m2 , uso filtros,
reactores y transformadores de alta calidad; rango de frecuencia 1 KHz a 10 MHz.
La inductancia como elemento de circuito, figura 5.5.
Figura 5.5
di
v=L donde: v = Voltaje (V).. L = Inductancia (H).
dt
N2
L=
R
N = Número de espiras (vueltas). R = Reluctancia magnética
µ AN 2
=
l
A-v/Weber, µ = Permeabilidad magnética (H / m)
A = Área del circuito magnético (m2), l = Longitud del circuito
magnético (m)
1 2
W= LI W = Energía almacenada (J). I = Intensidad de corriente (A).
2
1
P= P = Permeancia magnética (Weber/A-v).
R
26
Electrónica I DAA
β = µH en la parte lineal de la curva de magnetización (Wb / m2)Tesla.

β = Inducción magnética o densidad de flujo (Wb / m2).
H = Intensidad de campo magnético (A × esp/ m).
Métodos de medición. Puente de impedancias .
Transformadores. (Bobinas acopladas).- ocurre cuando hay más de dos

arrollamientos (bobinas) devanados en un mismo núcleo.
6. COMPONENTES ACTIVOS
Los elementos activos son dispositivos no lineales, siendo aquellos dotados de
propiedades susceptibles de sufrir variaciones en función de: la corriente, la tensión, la
temperatura, la iluminación, el campo magnético, el campo electrostático, etc., o de
cualquier combinación en los mismos. Éstos componentes no lineales se encuentran
representados por los dispositivos de vacío, gas y semiconductores.
6.1 RESISTENCIAS ACTIVAS.
Estos componentes no lineales se encuentran representados por cuatro

dispositivos:
Termistor: Resistor NTC (Negative Temperature Coefficient) coeficiente de

temperatura negativo, es decir la resistencia decrece rápidamente con el incremento de
la temperatura entre valores de -3% a -6% por ºC,figura 6.1. Constituidos por materiales
de óxidos semiconductores, como por ejemplo: trióxido férrico (Fe2O3), e impurezas de
dióxido de titanio (TiO2) o dióxido de níquel (NiO). Que son aglutinados cerámicos con
óxidos de: titanio, níquel, manganeso, cobalto, cobre, etc.
Figura 6.1
Stabistor: Resistor PTC (Positive Temperature Coefficient) coeficiente de

Temperatura Positiva, aquí aumenta el valor de la resistencia por incremento de la
temperatura, con rangos de +7% a +60% por ºC, figura 6.2. Se fabrica con elementos
como: carbonato de bario, carbonato de estroncio, pentóxido de niobio y dióxido de
titanio. En el proceso de fabricación estos elementos se calcinan a una temperatura de
1,200 ºC, se pulverizan, se mezclan y se comprimen para darles una forma particular;
posteriormente se reducen en una atmósfera controlada, una vez conformados los
cuerpos del componente.
27
Electrónica I DAA
Figura 6.2
Fotoresistencia: Resistor LDR (Light Depend Resistance) resistencia que

modifica su valor por iluminación de su superficie, figura 6.3, en el que el valor de la
resistencia depende tanto de la intensidad luminosa como de la longitud de la onda de
la luz. Se fabrica con materiales semiconductores.
Figura 6.3
Varistor: Resistor VDR (Voltage Depend Resistance) resistencia que modifica su

valor para niveles de voltaje prefijados, figura 6.4, fabricados con semiconductores o
con óxido de estaño granulado; su principal uso es como supresor de transitorios de
tensión de las fuentes de alimentación, también en pequeñas potencias se emplea
como regulador de tensión en los circuitos electrónicos.
Figura 6.4.
Con referencia a los dispositivos de protección de los circuitos eléctricos tenemos

que: un fusible protege a los circuitos eléctricos contra sobre corriente y un varistor lo
protege contra sobre tensión, un ejemplo de varistor lo tenemos con el fabricante
General Electric con el número de matrícula V120LA20A en el que tenemos la
descripción siguiente:
V Varistor, 120. Valor de la tensión eficaz. LA Tipo de montaje (en éste
caso tipo oblea con dos terminales de conexión). 20ª Energía que es capaz de
suprimir, 20 J.
28
Electrónica I DAA
6.2 DISPOSITIVOS ACTIVOS.
6.2.1 Dispositivos activos de vacío.
Nombre. Símbolo. Curva característica. Uso.

Diodo. Rectificador, detector.
Triódo. Amplificador, relé

estático.
Tetrodo. Oscilador.
Pentodo. Amplificador altas

frecuencias.
Tubos de rayos catódicos, klistrón y magnetrón (amplificador, oscilador, pulsos,

etc.), válvulas multiplicadoras, tubos Geiger Müller y células fotoeléctricas (fotómetros,
mandos, alarmas, etc.), rayos X, etc.
29
Electrónica I DAA
6.2.2. Dispositivos activos gaseosos.
Nombre. Símbolo. Curva Uso.

característica.
Diodo gaseoso. Rectificador, regulador
(Fanotrón). de tensión.
Tríodo gaseoso. Rectificador controlado.

(Tiratrón) Contactores para C.A.
Tetrodo gaseoso. Rectificador controlado.

(Tiratrón de dos Contactores para C.A.
rejas).
Ignitrón. (Emisión Rectificador de potencia

por campo). galvanoplastía,
soldadura.
30
Electrónica I DAA
6.2.3. Dispositivos activos de semiconductores.
Nombre. Símbolo. Curva Uso.

característica.
Diodo Rectificador, recortador,
interruptor de circuitos
lógicos, etc.
Diodo Zener Regulador de tensión,
Unidireccional fuentes estabilizadas.
Diodo Zener Eliminar transitorios en

Bidireccional voltajes de A.C.
Diodo Tunnel Osciladores,

multivibradores.
Transistores Amplificador.
PNP
NPN
Transistor Osciladores en circuitos

monounión. (UJT) de disparo.
Diac Trigger Disparador

bidireccional.
Diodo Tiristor Dispositivos de disparo

Bidireccional para control de fase en
triacs.
SUS. (Interruptor Contadores, timers,
Unilateral de Silicio) alarmas.
31
Electrónica I DAA
Dispositivos activos de semiconductores (continuación).
Nombre Símbolo Curva Uso

característica
SBS.(Interruptor Circuitos de disparo
Bilateral de Silicio)
LAS. (Interruptor Sensor, interruptor

Activado por Luz) óptico.
LASCR (Rectificador Sensor para controlar la

controlado por luz) rectificación.
TRIAC (Tríodo Control de fase de C.A.

tiristor bidireccional)
SRC. (Rectificador Rectificación controlada,

Controlado de interruptor de C.C.
Silicio)
SCS. (Interruptor Contadores, timers,
Controlado Silicón) alarmas en C.A.
LASCS. (Interruptor Contadores, timers,

Controlado por Luz) alarmas en C.A.
32
Electrónica I DAA
7. SEMICONDUCTORES
Con el fin de comprender el comportamiento de los semiconductores, es

necesario un recordatorio de la teoría atómica y electrónica.
La composición de la materia por elementos o sus combinaciones (moléculas),
en el que la molécula es la parte de la materia que conserva sus propiedades físicas
como elemento y a su vez la molécula se reduce a su partícula más pequeña,
conservando sus propiedades en el átomo.
Elementos químicos.
El término elemento químico hace referencia a una clase de átomos, todos ellos
con el mismo número de protones en su núcleo.
Es importante diferenciar a un elemento químico de una substancia simple. El

ozono (O3) y el di oxigeno (O2) son dos sustancias simples, cada una de ellas con
propiedades diferentes. Y el elemento químico que forma estas dos sustancias simples
es el oxígeno (O). Otro ejemplo es el del elemento químico carbono, que se presenta en
la naturaleza como grafito o como diamante (estados alotrópicos).
Se conocen más de 118 elementos. Algunos se han encontrado en la naturaleza, se

(clasifican en naturales, hasta 92 elementos) formando parte de sustancias simples o de
compuestos químicos. Otros han sido creados artificialmente en los aceleradores de
partículas en reactores atómicos (después del elemento 92). Estos últimos son
inestables y sólo existen durante milésimas de segundo.
Aún cuando los átomos de los diferentes elementos tienen distintas propiedades,
todos están integrados por las mismas partículas subatómicas, dentro de las cuales las
más importantes son: el Protón, el Electrón y el Neutrón.
Modelo atómico de Bohr
Este modelo es estrictamente un modelo del átomo de hidrógeno tomando como

punto de partida el modelo de Rutherford, Niels Bohr trata de incorporar los fenómenos
de absorción y emisión de los gases, así como la nueva teoría de la cuantización de la
energía desarrollada por Max Planck y el fenómeno del efecto fotoeléctrico observado
por Albert Einstein.
“El átomo es un pequeño sistema solar con un núcleo en el centro y electrones

moviéndose alrededor del núcleo en orbitas bien definidas.” Las orbitas están
cuantizadas (los electrones pueden estar solo en ciertas orbitas)
• Cada orbita tiene una energía asociada. La más externa es la de mayor energía.
• Los electrones no radian energía (luz) mientras permanezcan en orbitas
estables.
33
Electrónica I DAA
• Los electrones pueden saltar de una a otra orbita. Si lo hace desde una de menor
energía a una de mayor energía absorbe un cuanto de energía (una cantidad)
igual a la diferencia de energía asociada a cada orbita. Si pasa de una de mayor
a una de menor, pierde energía en forma de radiación (luz).
El mayor éxito de Bohr fue dar la explicación al espectro de emisión del hidrogeno.
Pero solo la luz de este elemento. Proporciona una base para el carácter cuántico de la
luz, el fotón es emitido cuando un electrón cae de una orbita a otra, siendo un pulso de
energía radiada. Bohr no puede explicar la existencia de orbitas estables y para la
condición de cuantización. Bohr encontró que el momento angular del electrón es h/2π
por un método que no puede justificar.
El átomo es un elemento dinámico en equilibrio, en el que entran en juego fuerzas

eléctricas (electrostáticas y magnéticas), gravitacionales y dinámicas; en el que la
fuerza centrifuga de los electrones equilibra la atracción del núcleo.
En cuanto a los elementos, un átomo puede tener hasta siete capas de

electrones o niveles energéticos (correspondientes a las capas K, L, M, N, O, P y Q), de
la cual la última es la más significativa.
Capa de valencia.
La capa de electrones exterior de un átomo, recibe el nombre de capa de
valencia (del griego enganche) y los electrones que giran en ésta capa reciben el
nombre de electrones de valencia, teniéndose la regla importante que la capa no
puede tener más de ocho electrones. Ésta capa establece cual de los átomos que
constituyen a los buenos conductores, aislantes y semiconductores.
Nivel energético.
Los electrones localizados en el átomo, conforme se alejan del núcleo adquieren
un nivel energético mayor; es decir los cercanos al núcleo tienen menor energía que los
exteriores, sí se proporciona energía suficiente a un electrón de valencia, éste se
liberará del átomo y ésta energía se distribuye entre los electrones de valencia
restantes.
Átomos estables e inestables.

Átomos de cinco a siete electrones de valencia son estables, tienden a completar
su capa de valencia a ocho electrones y los constituyen los buenos aislantes.
Átomos de uno a tres electrones de valencia son inestables, tienden a estabilizar
su última órbita cediendo los electrones de valencia; constituyendo los buenos
conductores.
Átomos con ocho electrones en la última capa (saturada), son completamente estables,
siendo difícil extraerle electrones, resultando los mejores aislantes, representados por
los gases inertes (Helio, Neón, Argón, Kriptón, radón y Xenón).
Átomos con cuatro electrones de valencia estructuran los semiconductores, no
son buenos conductores, ni buenos aislantes.
34
Electrónica I DAA
7.1 NIVELES DE ENERGÍA.
De la concepción de Bohr en la que el átomo se encuentra formado por su núcleo

y girando los electrones en diferentes órbitas definidas, estas constituyen los diferentes
niveles energéticos (niveles permitidos para la estancia de los electrones). En la figura.
7.1 se muestra el diagrama de niveles de energía.
Figura 7.1
7.2 DIAGRAMA DE LAS BANDAS DE ENERGÍA.
Para facilitar la comprensión de la energía empleada en la liberación de

electrones, los materiales se representan en niveles energéticos por medio de bandas,
dados en unidades de electrón-volt (ev), convenidas en su representación a
temperatura ambiente. La figura 7.2, se ilustra en forma cualitativa la energía de los
electrones y sus diferentes bandas de materiales aislantes, semiconductores y
conductores.
Figura 7.2
Los diagramas de bandas de energía muestran los niveles energéticos (ev) que
pueden ocupar los electrones y en los que se puede observar que, no incluimos los
niveles cercanos al núcleo del átomo.
La anchura de la banda prohibida determina la cantidad de energía necesaria

para situar el electrón de valencia en la banda de conducción, el ancho de la banda de
conducción representa la cantidad de energía necesaria para liberar un electrón de su
capa (es decir del átomo).
35
Electrónica I DAA
7.3 TIPO DE UNIÓN DE LOS ÁTOMOS.
Los átomos se unen completando a ocho electrones su última capa (capa de

valencia), comportándose en forma estable cada átomo que participa en la unión,
teniéndose:
1. Unión Metálica: se efectúa en los buenos conductores, donde todos los átomos
compartan los electrones de valencia, manifestándose por él traslape de la banda de
conducción y la banda de valencia, sólo se considera para átomos del mismo tipo.
2. Unión Electrovalente o Iónica: se realiza con átomos de diferentes elementos

aceptando o cediendo uno o varios electrones de valencia; quedando ambos átomos
como iones de diferente signo los cuales se atraen enlazándose para formar su capa
de valencia compartida y lográndose de esta forma su estabilización. Ejemplo:
Cloruro de Sodio(NaCl), Oxido de cobre(Cu2 O), etc., en el que los elementos
cambian sus estados y propiedades naturales (gaseosa a sólido y conductor a
aislante, respectivamente para el cloro y el cobre).
3. Unión Coovalente: cuando átomos con cuatro electrones en la última capa (capa de
valencia) se unen para compartir un electrón; llamado también unión de par
electrónico, como es el caso del germanio y del silicio. En la unión coovalente un
par de electrones es compartido por átomos contiguos, por lo que se estabilizan los
átomos al completar su capa de valencia a ocho electrones. Se muestra como caso
especial el agua (H2 O), que se realiza en la molécula la unión coovalente, figura
7.3.
Figura 7.3
4. Unión Molecular.
5. Unión Hidrogénica.
36
Electrónica I DAA
7.4 ESTRUCTURA ÁTOMICA DE LOS SEMICONDUCTORES.
Los átomos del germanio y del silicio, se unen por medio de enlaces coovalentes
y son los materiales que más se usan en la electrónica de semiconductores; esta unión
la hacen con cuatro átomos adyacentes formando una red cúbica con átomos
centrados, llamada red de diamante, figura 7.4, una de las formas alotrópicas del
carbono.
Figura 7.4
Ésta red cristalina la llevamos a un plano para tener una mayor visión del
comportamiento del cristal figura 7.5.
Figura 7.5
La superficie del cristal no tiene las mismas características eléctricas que en el interior
debido a los enlaces no existentes.
37
Electrónica I DAA
7.5 MATERIAL SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO
El germanio y el silicio puros, son llamados semiconductores intrínsecos; lo cual

se logra através de un proceso de purificación como: el de refusión, de mesa,
crecimiento epitexial, etc.; lográndose purezas del material del 99.9%, que permiten ser
utilizados en dispositivos electrónicos.
A temperatura de 0ºK, (cero absoluto), la retícula cristalina y los niveles

energéticos se muestran en la figura 7.6.
Figura 7.6
Se observa que los electrones de valencia ocupan las uniones de par electrónico
en el cristal y en la banda de valencia se localizan los electrones de la última capa o
nivel energético.
A temperatura ambiente, el nivel energético de algunos electrones de valencia es

lo suficientemente elevado para que abandonen la unión coovalente, dejando un
espacio vacío en el lugar que ocupa el electrón; llamándole hueco con carga positiva
(por el ion o iones del núcleo).
Visto de otra manera, se han roto algunos enlaces coovalentes generándose

electrones libres dentro de la retícula cristalina y desde el punto de vista electrónico, se
tienen cargas disponibles para la conducción de carácter intrínseco (tanto positivas
como negativas). De ahí que el número de cargas disponibles para la conducción de
cargas eléctricas positivas (huecos) y negativas (electrones) son igual en número,
independientemente de la temperatura del semiconductor.
38
Electrónica I DAA
En la figura 7.7, se muestran a temperatura ambiente, el cristal del material

semiconductor de silicio y los niveles energéticos dependientes de su número atómico.
Ruptura de enlace coovalente Niveles energéticos

Figura 7.7
De las figuras 7.6 y 7.7, referente a las bandas de energía, observamos que los
huecos se localizan en la banda de valencia y los electrones en la banda de
conducción, que son los canales energéticos en el que se desplazan los electrones y
los huecos respectivamente.
La ruptura de los enlaces coovalentes es ocasionada por el incremento del nivel
de energía en la estructura del cristal, como podría ser debido al incremento de
temperatura, en el bloque del cristal semiconductor; en el que ocurre el proceso de
generación de las cargas disponibles para la conducción y la recombinación de
cargas.
Estos procesos ocurren en puntos específicos del cristal llamados centros de

recombinación, que puede ser un campo de acción de una impureza o imperfección
natural del cristal. En el silicio y el germanio, se tienen especial eficacia como centros
de recombinación, los átomos insertados de algunos metales pesados como el oro.
La influencia de la temperatura sobre el semiconductor es determinante, en

relación con la densidad de los portadores de carga libres para la conducción, la
podemos relacionar con su incremento a la generación ( G ) y con su decremento a la
recombinación ( R ) de las cargas eléctricas, en la forma siguiente:
+∆ T G>R Existe la ruptura de enlaces coovalentes y se tiene un mayor
número de cargas disponibles para la conducción.
T = cte . G = R Se logra el equilibrio de cargas y se tiene el mismo número
de cargas positivas y negativas disponibles en la conducción
−∆ T G < R Se tiene la formación de enlaces coovalentes de las cargas y
por consiguiente hay un número menor de cargas disponibles
para la conducción.
39
Electrónica I DAA
7.6 DENSIDAD ATÓMICA EN EL CRISTAL SEMICONDUCTOR.
Para Germanio:
Concentración de átomos = número de Avogadro x 1 mole / peso atómico x densidad
átomos 1 mole 5.32 g

= 6.02 × 10 23 × ×
mole 72.6 g cm 3
= 4.41 × 10 22 átomos / cm3
Para Silicio:
Concentración de átomos = número de Avogadro x densidad / Peso atómico.
6.02 × 10 23 átomo / g − átomo × 2.33 × 10 6 g / m 3

=
28.09 g / g − átomo
= 5 × 10 28 átomo / m 3
= 5 × 10 22 átomo / cm 3
En el cálculo anterior mostramos dos formas para la determinación de la

concentración de los átomos.
En el material semiconductor intrínseco se tiene que:

ni = cargas negativas disponibles para la conducción.
pi = cargas positivas disponibles para la conducción.
En donde: ni = pi
La densidad de cargas de carácter intrínseco para los semiconductores es:
Para el germanio a 25 ºC ≅ 300 ºK, ni = 2.5 x 10 13 cargas / cm3
Para el Silicio a 25 ºC ≅ 300 ºK, ni = 1.5 x 10 10 cargas / cm3
Las cargas liberadas en las rupturas de los enlaces coovalentes no están

presentes en forma indefinida (son temporales) y éstos portadores de carga se
recombinan teniendo un tiempo de existencia entre 0.01 µs y 10 µs. aproximadamente.
Por lo que respecta a la conductividad del semiconductor ésta se duplica para

incrementos de la temperatura en el germanio por cada 10 ºC y en el silicio para cada
6 ºC; y también se hace notar, que los centros de recombinación no influyen sobre la
conductividad del cristal (germanio o silicio).
40
Electrónica I DAA
7.7 CORRIENTE EN UN SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO.
Un trozo de material semiconductor intrínseco a temperatura ambiente, es

sometido a una diferencia de potencial, generándose una corriente eléctrica, integrada
por el movimiento de electrones y huecos figura 7.8.
Figura 7.8
A ésta temperatura existen cargas negativas (electrones) y positivas (huecos)

disponibles para la conducción, llamándose conducción intrínseca.
Los dos tipos de carga positiva y negativa, se mueven en sentidos opuestos

dentro del cristal del semiconductor hacia la polaridad de la fuente con la atracción de la
carga correspondiente, es decir, el borne positivo de la fuente atrae a los electrones y el
negativo atrae los huecos; por esta condición decimos que el semiconductor es bipolar.
Las curvas experimentales de la figura 7.9 nos muestran la contribución de la

corriente por los dos tipos de portadores de carga eléctrica y prácticamente las
consideraremos iguales, ( I e ≅ I h ).
Figura 7.9
41
Electrónica I DAA
7.8 MATERIAL SEMICONDUCTOR EXTRÍNSECO.
La corriente eléctrica en los semiconductores es debida a los portadores de

carga negativa (electrones) y a los portadores de carga positiva (huecos), se tiene que
en un material semiconductor intrínseco a temperatura ambiente, son iguales las
concentraciones de carga.
ni = pi ; T = cte.
ni = pi = 0; T = 0 ºK.
En un semiconductor, es posible incrementar el número de portadores de carga

de un tipo; con el objeto de producir un mayor flujo de corriente eléctrica, sí al material
semiconductor se le somete a un tratamiento especial llamado impurificado, inyectado,
contaminado, drogado o dopado.
La impurificación se lleva a cabo con átomos que tienen cinco electrones de
valencia (pentavalentes) o con átomos que tienen tres electrones de valencia
(trivalentes), para producir cargas libres de electrones o huecos, dentro de la retícula
cristalina del semiconductor. Esta impurificación es controlada para dar diferentes
características de conducción al semiconductor, la cual se realiza por diversos métodos,
siendo el de difusión el más común.
La impureza pentavalente es donadora por el hecho de donar (dar o ceder) un
electrón libre en el cristal semiconductor. En la figura 7.10 se muestra el semiconductor
tipo N.
La impureza trivalente es aceptora, en el cristal semiconductor se tienen átomos

con huecos donde se atraen electrones (aceptan). en la figura 7.11 se muestra el
semiconductor tipo P.
Impurezas donadoras (Grupo V): Arsénico, Fósforo, Antimonio y Bismuto.
Impurezas aceptoras (Grupo III): Indio, Boro, Aluminio y Galio.
La cantidad de impureza aplicada al semiconductor puro, es exigua; del orden de
un átomo por cada 106 a 1010 átomos puros; teniéndose una concentración de átomos
de 5 x 1022 átomos/cm3 en el silicio y 4.41 x 1022 átomos/cm3 en el germanio.
Semiconductor tipo N.
Figura 7.10
42
Electrónica I DAA
Semiconductor tipo P.
Figura 7.11
Además de los semiconductores extrínsecos tipo N y tipo P, de material de silicio

y germanio existen compuestos semiconductores como: Arseniuro de Galio, Sulfuro de
Zinc, Antimoniuro de Indio, Fósforo de Galio, etc.; que se usan para construir algunos
dispositivos especiales incluyendo algunos tipos de fotoceldas y los diferentes diodos
emisores de luz (led).
La adición de impurezas de tipo N disminuye el número de huecos y similarmente
con la impurificación tipo P decrece la concentración de electrones como cargas libres,
más que en un semiconductor intrínseco. Un análisis teórico nos lleva a éste resultado
bajo condiciones térmicas de equilibrio, y el producto de las concentraciones de cargas
libres positivas y negativas es constante e independiente de la cantidad de impurezas
donadoras o aceptoras. Esa relación es llamada ley de acción de masas y se
representa por la ecuación:
n p = ni2 , pi =ni
La concentración de cargas ni es función de la temperatura (densidad de cargas

intrínsecas o números de cargas por unidad de volumen).
El resultado de la impurificación del semiconductor puro, es el de incrementar la
conductividad y la de producir un semiconductor en el cual la carga eléctrica
predominante es de huecos o de electrones para el tipo P y N respectivamente.
n Número de portadores de carga de carácter extrínseco negativa.
p Número de portadores de carga de carácter extrínseco positiva.
7.9 SEMICONDUCTOR TIPO P Y TIPO N
Al agregar átomos donadores al semiconductor, los electrones extra aportan un

número mayor de cargas a las que se tendrían normalmente producidas por agitación
térmica; la carga es negativa, de ahí que reciba el nombre de semiconductor tipo N.
Para las impurezas aceptoras (huecos) adicionales a las producidas por agitación
térmica, le da un carácter positivo recibiendo el nombre de semiconductor tipo P.
Las bandas de energía quedan modificadas en el compuesto del semiconductor
tipo N y tipo P, figura 7.12.
43
Electrónica I DAA
Figura 7.12
De las bandas de energía se puede concluir que el semiconductor tipo N

conduce más fácilmente que el semiconductor tipo P, por el ancho de la banda
prohibida que tienen las cargas de impurificación.
7.10 CORRIENTE DE UN SEMICONDUCTOR EXTRÍNSECO.

Desde el punto de vista eléctrico sí a un trozo de material semiconductor
extrínseco lo sometemos a una diferencia de potencial, tendremos una conducción
extrínseca y sí consideramos que ésta ocurre a temperatura ambiente, en la figura 7.13,
se muestra la corriente de las cargas eléctricas de huecos y de electrones en el
semiconductor.
Semiconductor tipo N.
n portadores de carga mayoritarias. (e)
pi portadores de carga minoritarias. (h)
Semiconductor tipo P.
p portadores de carga mayoritarias. (h)
ni portadores de carga minoritarias. (e)

Figura 7.13
A pesar de la impurificación de los cristales del semiconductor, éstos

permanecen eléctricamente neutros, ya que no se han agregado ni quitado cargas
eléctricas al cristal.
44
Electrónica I DAA
8. DIODO SEMICONDUCTOR.
Los dispositivos electrónicos como es el caso de los diodos, han tenido un

proceso de desarrollo en los que se encuentran los siguientes tipos: de cristal
(semiconductor), óxido de cobre (metálicos), selenio (metálico), germanio (unión P-N),
silicio (unión (P-N), fanotrón (gas cátodo caliente), vapor de mercurio sin/con gas noble
(cátodo caliente), kenotrón (vacío cátodo caliente), ignitrón (cuba de mercurio) y al vacío
(cátodo caliente).
El diodo semiconductor es un dispositivo electrónico, el cual está formado por un

semiconductor tipo N y otro tipo P, los dos combinados en una sola unidad de cristal
semiconductor (un cuerpo de material semiconductor).
8.1 SÍMBOLO DEL DIODO SEMICONDUCTOR.
Figura 8.1
En el símbolo, figura 8.1, la punta de flecha indica el sentido de flujo de la

corriente convencional (correspondiente al flujo de huecos) y la barra indica el colector
(como analogía a la placa de un diodo de vacío).
8.2 TIPOS DE ENCAPSULADO DE DIODOS.
Figura 8.2.
La potencia que maneja un diodo, figura 8.2, es función de la energía que pueda
disipar, en forma de calor; directamente por medio de su superficie lateral en pequeñas
potencias o se hace necesario asociarlos a disipadores o radiadores de calor, para
medianas o gran potencia; éstos tienen limitaciones en su tamaño (por la conducción
del calor através del metal, manifestándose como resistencia térmica).
8.3 CONSTRUCCIÓN DEL DIODO DE UNIÓN.

Los diodos se construyen por los métodos de inmersión, unión de aleación,
técnica de campo interno, refusión, de mesa, difusión, etc.
45
Electrónica I DAA
Apenas fabricado el diodo, se produce una región en su unión de intercambio de

portadoras de carga de mayoría (es la unión P-N); los electrones de la región N pasan a
la región P; y los huecos de la región P pasan a la región N (cruzan la unión),
neutralizándose. Quedando iones positivos en la región N e iones negativos en la
región P, (los cuales forman parte de la red cristalina); la concentración de éstos iones
crea una d.d.p. que impiden el cruce indefinido de los portadores de carga mayoritarios;
dada una temperatura estable, se logra un equilibrio de la concentración de los
portadores de carga eléctrica, estado al que se le da el nombre de equilibrio dinámico
de la unión. Al estar en equilibrio la unión solo será cruzada por los portadores de
carga minoritarios (estos generados térmicamente), con la condición de que por cada
carga que cruce la unión de un signo dado, lo hará otra de signo contrario, así
permanecerá el equilibrio en la unión.
8.4 CARACTERÍSTICAS DE CARGA Y POTENCIAL OCURRIDAS EN

LA UNIÓN P-N DE UN DIODO SEMICONDUCTOR, CON Y SIN POLARIZACIÓN.
El flujo de huecos es un flujo de electrones de valencia, ya que el hueco forma

parte del cristal y no se mueve físicamente, conviniendo que se muevan los huecos; en
la figura 8.3, se muestran los estados de polarización del diodo semiconductor.
Considerando ambos A y K analogía con los diodos

Cristales separados. de vacío.
Aquí el proceso de difusión

en la unión, los portadores
de carga mayoritarios cruzan
La unión la unión formando la barrera
en de potencial, que es
equilibrio representado por una
batería, con la polaridad
indicada.
46
Electrónica I DAA
Los portadores de carga

mayoritarios se mueven
hacía la unión y hay
La unión polarizada recombinación (gran
directamente. corriente).
Electrones mayoritarios.
Huecos mayoritarios.
Electrones minoritarios.
Huecos minoritarios.
Los portadores de carga

mayoritaria se alejan de la
unión y crece la barrera de
La unión polarizada potencial, los portadores de
inversamente. carga minoritarios se
recombinan en la unión y
constituyen la corriente
inversa.
Figura 8.3
El flujo de huecos es un flujo de electrones de valencia, cargas positivas en la

figura 8.3, ya que el hueco forma parte del cristal y no se mueve físicamente,
conviniendo que se muevan los huecos.
8.5 CARACTERÍSTICA DEL DIODO SEMICONDUCTOR.
Figura 8.4
47
Electrónica I DAA
Descripción de las regiones del diodo semiconductor; figura 8.4.
I. Codo Pronunciado. La corriente está integrada por los portadores de carga

mayoritarios más los portadores de carga minoritarios.
II. Región Lineal o de Trabajo. La corriente es debida exclusivamente por los portadores
de carga mayoritarios.
III. Región de Avalancha por Desbordamiento Térmico. La corriente excesiva hace que
aumente la temperatura, provocando la ruptura de enlaces coovalentes,
incrementándose los portadores de carga minoritarios; hasta llegar a la destrucción
del cristal del semiconductor.
IV.Región Lineal de Polarización Inversa. En la práctica se considera una corriente
inversa (I0 ) dada a 0.8 VB R (tensión de ruptura inversa), dato que proporciona el
fabricante.
V. Codo Zener. Región de transición en la que para pequeños aumentos de tensión
inversa, se tienen aumentos significativos en la corriente, localizada después de la
tensión de ruptura inversa (V B R).
VI.Región Lineal de Polarización Inversa de alta corriente. Para incrementos de tensión
inversa de pequeña magnitud se tienen grandes incrementos en la corriente,
característica que es aprovechada para un dispositivo regulador de tensión llamado
diodo zener, el cual en su polarización normal opera polarizado inversamente. Ésta
característica no es útil en un diodo rectificador la cual queda limitada a la tensión de
ruptura inversa.
VII.Región de Avalancha por descarga. La descarga se debe al potencial excesivo
aplicada a la unión en el que se liberan cargas en forma escalonada
incrementándose la ruptura de enlaces coovalentes teniéndose la destrucción del
cristal semiconductor.
8.6 INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA EN EL DIODO.

Como se observa en la curva característica, figura 8.5, el aumento de temperatura
(T2 >T1) hace que para una misma diferencia de potencial se tenga mayor corriente
(I2 > I1).
Figura 8.5.
48
Electrónica I DAA
Al aumentar la temperatura, se liberan electrones coovalentes aumentando así

su conducción.
Para cada rango de 6º C se duplica la corriente en un semiconductor de silicio y
para cada rango de10º C en un semiconductor de germanio.
8.7 COMPARACIÓN DE LA CURVA CARACTERÍSTICA DE UN DIODO

DE GERMANIO Y OTRO DE SILICIO.
En la figura 8.6, se exhiben en un mismo sistema de ejes coordenados y se

trazan en forma cualitativa las curvas características de un diodo de germanio y otro de
silicio; haciéndose notar el valor de la tensión de umbral, en el que se manifiesta el
tamaño de la tensión de cada tipo de material semiconductor.
Figura 8.6
Como se podrá observar las tensiones de 300 mV y 700 mV para los diodos de
germanio y de silicio respectivamente, representan el voltaje de umbral propio del
material semiconductor, con el que modernamente están fabricados los diodos.
49
Electrónica I DAA
9. ANÁLISIS TEÓRICO DEL DIODO DE UNIÓN.

Al formarse la unión PN, se estableció la barrera de potencial y el cruce de
portadores de carga por la unión, constituyen una corriente eléctrica, la cual es
integrada por cuatro componentes:
1. Corriente de difusión de portadores de carga negativos (Idn), por el flujo de
electrones en el material tipo N.
2. Corriente de difusión de portadores de carga positivos (Idp), por el flujo de huecos en
el material tipo P.
3. Éstas dos corrientes (de electrones y huecos), son los portadores de carga
mayoritarios en sus respectivos materiales semiconductores (impurificados) y
forman la barrera de potencial, la cual impide el cruce indefinido de estás. Pero no
evita el cruce de portadores de carga minoritarios (generados térmicamente) que a
su vez forman dos tipos de corrientes.
4. Corriente de electrones en el material tipo P (Ign).
5. Corriente de huecos en el material tipo N (Igp)
Por cada carga que cruce la unión de tipo minoritario lo hará otra de signo
opuesto , restableciéndose el equilibrio en la unión (Equilibrio dinámico).
La corriente total de difusión:

Id = Idp + Idn (9.1)
Corriente total de generación térmica, que es la corriente de saturación:

Is = Ign + Igp (9.2)
En ausencia de la tensión aplicada a la unión PN, estando las terminales de

dispositivo en circuito abierto o a corto circuito, tenemos:
Id = Is (9.3)
Condición para tener la unión en equilibrio con la barrera de potencial

establecida.
De la física del semiconductor tenemos:
q
( VF −Vd )
kt
I dp = pe (9.4)
q
( VF −Vd )
kt
I dn = ne (9.5)
Donde p y n, es la concentración de portadores de carga de mayoría (número de

cargas/cm3), teniéndose como por ejemplo la concentración siguiente:
14 3 6
Para electrones n = 3.1×10 Q / cm y para huecos p = 2×10 Q / cm 3, la
cual dependen del grado de impurificación del semiconductor.
50
Electrónica I DAA
Las constantes de las ecuaciones 9.4 y 9.5 son:
q Carga de electrón 1.602×10 - 19 Coulomb.

K Constante de Boltzman, 1.38×10 - 23 J/ ºK.
T Temperatura en grados absolutos ºK, (ºK = 273+ ºC).
Vd = V γ Potencial de barrera en equilibrio o tensión de umbral, Volt.
VF Potencial en las terminales de conexión de la unión PN, Volt.
A la temperatura ambiente de 20º C (293º K) definimos el parámetro de voltaje

térmico (VT) como:
KT
VT = (9.6)
q
Substituyendo valores en la ecuación 9.6, el voltaje térmico a temperatura

ambiente de 20º C, o con su aproximación.
1.38 × 10 −23 × 293 293
VT = −19
=
1.602 × 10 11600
= 0.02527 V = 25.27 mV
Tensión ánodo-cátodo del diodo (terminales de conexión), ver detalle en la figura

9.1.
VF = VD + Vd
∴ VD = VF − Vd (9.7)
Como la corriente de difusión dada por la ecuación 9.1, en función de las

ecuaciones (9.4 y 9.5):
I d = I dp + I dn
VD
VT
= ( p + n )e
VD
= Ae VT
⇒ A = cte. (9.8)
La corriente de saturación ecuación 9.2.
IS = Igp + Ign
La corriente neta a través del diodo será:
ID = Id - Is (9.9)
51
Electrónica I DAA
Substituyendo en la ecuación 9.9 la ecuación 9.8.

VD
VT
I D = Ae − I s (9.10)
Para VF = 0 (sin aplicar tensión en las terminales del diodo) tenemos que la
corriente en el diodo es cero (ID = 0), por lo que la ecuación 9.10, toma el valor de :
0 =A e0 - IS , así Is = A.
Por lo tanto:
VD
VT
I D = I se − Is
VD
VT
= Is( e −1) (9.11)
Ésta es la ecuación que representa la característica de corriente-tensión del

diodo en polarización directa, figura 9.1.
En la ecuación 9.11, para una tensión VD >> VT podemos tomar a la corriente en

el diodo en forma práctica, despreciando la unidad como:
VD
VT
ID = Is e (9.12)
Figura 9.1.
Analizando el caso particular para el valor de VF de 1.5 V, en un diodo de silicio

y cuya tensión de umbral es Vd = Vγ = 0.5 V.
Tenemos la tensión entre A - K , VF = VD + Vd , VD = 1.5 - 0.5 = 1.0 V.
VD 1.0
VT
Valorizando la exponencial: e =e 0.025
= 2.35 × 10 17
Tenemos que la magnitud de la exponencial es tan grande, que restarle la unidad

no es significativo, quedando justificada la ecuación. 9.12.
52
Electrónica I DAA
Por otro lado, para la polarización inversa la tensión aplicada es negativa y la

ecuación 9.12, ya no es válida. Por lo que respecta a la corriente en el diodo es inversa,
debida a los portadores de carga minoritarios, la cual constituye la corriente de
saturación; teniéndose: I D ≅ I s = I 0
En éste caso la corriente inversa es aproximadamente constante e independiente

de la tensión aplicada (prácticamente), hasta antes de la tensión del codo Zener
limitada a una tensión inversa de ruptura (VB R).
Ejemplo:
Un diodo de germanio con una corriente de saturación de 10 µA ( Is ), conduce
una corriente de 2 mA operando a una temperatura de 20º C.
¿Cuál es la tensión del diodo en el sentido de la conducción, entre ánodo y cátodo?

VD
De la ecuación 9.11 I D = I s ( e
VT
− 1) ⇒ VT20 º C = 0.025 V (voltaje térmico)
Substituyendo valores:
VD
−3 −6
2 × 10 = 10 × 10 e 0.025
− 10 × 10 −6
VD
−5 −5
200 × 10 = 10 e 0.025
− 10 −5
V
201 × 10 −5 D
= e 0.025
10 −5
V
Ln 201 = D
0.025
∴VD = 0.025 Ln 201 = 0.1326 V
Que corresponde a la tensión del diodo (parte lineal), éste valor sumado a la
tensi{on de umbral de 0.3 V, será la diferencia de potencial entre el ánodo y el cátodo
de :
VF = VD + Vd = 0.1326 + 0.3 = 0.4326V ecuación 9.7.
Finalmente la corriente del diodo semiconductor polarizado directamente, es

aplicable el modelo matemático Shokley (en honor a William Brandof Shokley),
expresándolo por la siguiente ecuación:
VD
nVT
ID = Is( e − 1) (9.13)
Donde:
η Se define como una constante empírica, que depende del material a emplear en
la fabricación del diodo, con valores aproximados de: 1 para germanio y 2 para silicio.
Valores que están determinados en la función de probabilidad de Fermi-Dirac.
53
Electrónica I DAA
10. RESISTENCIA DEL DIODO DE UNIÓN.

La aplicación de la tensión de corriente continua a las terminales del diodo,
genera una resistencia en polarización directa y otra en polarización inversa; la cual
depende de la polaridad de la fuente aplicada a las terminales del diodo.
10.1 Resistencia de polarización directa rD .
La resistencia del diodo para ésta polarización, se integra por las resistencias de
los materiales semiconductores tipo N y el tipo P, adicionándole la resistencia de la
unión rectificante; en el que tendremos:
1. Resistencia volumétrica (caraterizándola en la curva de la figura 9.1).

VF − Vd VD
rB = = (10.1)
IF IF
En el que Vd es la tensión del umbral, tomando un valor aproximado de 700 mV
para el silicio y de 300 mV en el germanio.
2. Resistencia de la unión rectificante (unión PN).

De la ecuación 9.13, que nos da el comportamiento del diodo semiconductor,
operando en el primer cuadrante de la curva característica.
VD
nVT
ID = Is( e − 1)
para: VD >> VT
VD
nVT
I D = I se (10.2)
derivando:
D V
dI D 1 n VT
= ( I se )
dV nVT
1
= ID
nVT
Teniéndose que la inversa de la derivada es la resistencia:
dV nVT
= rj ∴ rj =
dI D ID
Y generalizando para uniones rectificantes:
nVT
rj = (10.3)
IF
Que corresponde a la resistencia incremental a favor en la unión PN (es decir en
polarización directa), de ahí que se tome ésta resistencia en la operación en corriente
alterna.
54
Electrónica I DAA
De acuerdo con la teoría de conducción en metales, el valor se encuentra entre

los siguientes rangos:
25 mV 50 mV
≤ rj ≤ (10.4)
IF IF
La resistencia total del diodo será:

rD = rB + rj (10.5)
Ejemplo:
En la manufactura de un diodo de germanio se tienen las especificaciones
siguientes: conduce 50 mA @ 1 V (polarización directa).
Determine:
1.- La resistencia volumétrica [ rB ] .

2.- La resistencia de la unión PN  r j  .
3.- La resistencia en el sentido de conducción [ rD ] .
Para 1, 50 y 100 mA de IF, tome VT = 25 mV.
Solución:
VF − Vd 1.0 − 0.3
1.- rB = = = 14 Ω
IF 50 ⋅ 10 −3
nVT
2.- rj = donde para el semiconductor de germanio n = 1
IF
25 × 10 −3
Para 1 mA, r j = = 25 Ω
1 × 10 −3
25 × 10 −3
50 mA, rj = = 0.5 Ω
50 × 10 −3
25 × 10 −3
100 mA, rj = = 0.25 Ω
100 × 10 −3
3.- rD = rj + rB
Para 1 mA, rD = 25 + 14 = 39 Ω.
50 mA, rD = 0.5 + 14 = 14.5 Ω
100 mA, rD = 0.25 + 14 = 14.25 Ω
55
Electrónica I DAA
10.2 RESISTENCIA DE POLARIZACIÓN INVERSA.
Para el diodo rectificador en polarización inversa, la tensión máxima aplicada

será la tensión de ruptura VBR, cuyo valor es dado a una temperatura de 25º C la cual
será respetada para que el dispositivo no se dañe. Una medida del efecto de la
corriente inversa de fuga, es el valor de la resistencia inversa rR , el cual es definido por:
VBR
rR ≡ (10.6)
I0
10.3 CORRIENTE DEL DIODO, POLARIZADO INVERSAMENTE.
El campo electrostático que se produce en la unión por la fuente de tensión

externa, tiene la misma dirección que el potencial de barrera (en la capa de
agotamiento), ésta capa se ensancha al aplicarle una mayor tensión y su crecimiento se
detiene cuando la diferencia de potencial en ella es igual a la tensión inversa aplicada,
en la figura 10.1, se presentan las componentes de la corriente total de diodo con
polarización inversa.
La corriente inversa tiene tres componentes que son:
1. Corriente Transitoria. Es la corriente que circula por el ajuste del ensanchamiento de
la capa de agotamiento, tiene una duración de unos pocos nanosegundos.
2. Corriente de Saturación. Es la corriente debida a los portadores de carga
minoritarios, creados dentro de la capa de agotamiento. La corriente de saturación
generada térmicamente (IS), es independiente de la tensión inversa aplicada y se
duplica para rangos de aumento de temperatura cada 6º C para silicio y cada 10º C
para el germanio.
3. Corriente de Fuga Superficial. Se considera que es debida por los enlaces de los
átomos no efectuados en la superficie del cristal semiconductor, ésta corriente de
superficie se incrementa por aumentos de la tensión aplicada.
Corriente de saturación Is.
Corriente de fuga superficial IL.
Corriente de fuga total ILT.
ILT = Is + IL (10.7)
Figura 10.1
La corriente de fuga total está dada por la ecuación 10.7, para los subíndices LT
(Loss Total ).
56
Electrónica I DAA
Problemas:
1. Despreciando la corriente transitoria para un diodo de silicio, éste operando a
una tensión inversa de 10 V, tiene una corriente inversa de 50 µA; a otra tensión inversa
de 40 V la corriente inversa es de 80 µA.
Determine la resistencia de fuga rL y la corriente de saturación Is .
De la ecuación 10.5 tenemos:

ILT = Is + IL
V 1
= I s + R ⇒ rL es constante e VIL =
rL rL
Ecuación típica de una recta que pasa por el origen y = mx y como se indicó en
su oportunidad la corriente de saturación es constante y se tendrá así:
10
50 µ A = I s + (a)
rL
40
80 µ A = I s + (b)
rL
Resolviendo el sistema de ecuaciones, restando de la ecuación b la a:
30 30
30 µ A = ∴ rL = = 1M Ω
rL 30 × 10−6
Substituyendo en a.
10
50 × 10−6 = I s + 6
= I s + 10 × 10−6
1× 10
∴ I s = (50 − 10) × 10−6 = 40 × 10−6 A = 40 µ A
2. Se tiene el siguiente arreglo de diodos de silicio figura 10.2, de las mismas

características eléctricas.
Determine la tensión en cada diodo a temperatura ambiente.
Figura 10.2.
VD
nVT
Partimos de la ecuación 9.13: ID = Is( e − 1)
Para el silicio n = 2, VT = 0.025 V a 20º C (temperatura ambiente).
57
Electrónica I DAA
Para el arreglo del circuito de la figura 10.2.
VD 1 VD 1
2 × 0.025
I D1 = I S 1( e − 1 ) = I S 1( e 0.05
− 1) = I S2
Por la serie de los diodos ID1 = IS2 = IS y VD1=VD

VD VD
Así: I D1 = I S 1( e 0.05
− 1 ) = I S 2 Desarrollando: I S e 0.05
= 2 IS
VD
Por logaritmo natural: = Ln 2 ∴ VD = 0.05Ln 2 = 0.05 × 0.693 = 0.0346 V
0.05
La tensión aplicada a las terminales del diodo: VF =VD+Vd=0.0346+0.7=0.7346 V,
que es la tensión del diodo D1. V1 =VF
Para el circuito aplicando la ley de tensión de Kirchhoff (KVL). 5V = V1 + V 2
∴ V2 = 5 − 0.7346 = 4.265V
Del resultado tenemos que prácticamente aparece toda la tensión aplicada de la
fuente, en el diodo polarizado inversamente.
3. De la curva característica del diodo de la figura 10.3, trace la curva idealizada

por tramos de recta y a partir de ésta, obtener un modelo equivalente funcional.
Figura 10.3.
De la figura 10.3 se pueden leer los valores de las tensiones Vd de umbral y

VBR. de ruptura inversa.
58
Electrónica I DAA
Por ser un diodo de germanio, la tensión de umbral es Vd = 0.3 V y la tensión

de ruptura inversa es VBR = -50.0 V.
Resistencia de polarización directa.

∆ VF
rF = rD =
∆ IF
0.1
= = 1.25 Ω
80 × 10 −3
Resistencia inversa:
∆ VR
rR =
∆ IR
50
= = 100 K Ω
0.5 × 10 −3
Resistencia de la región de ruptura rZ
∆VZ
rZ =
∆ IZ
1
= = 133 Ω
7.5 × 10 −3
Modelo obtenido del diodo rectificador para baja frecuencia, figura 10.4.
Figura 10.4.
59
Electrónica I DAA
10.4 CARACTERÍSTICAS IDEALES DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES.
En la figura 10.5 se muestran las curvas idealizadas de los diodos rectificadores,

que permiten ser empleados para análisis de circuitos, dependiendo de los diferentes
niveles de tensión a los que son sometidos.
Alta tensión Mediana tensión Baja tensión
Figura 10.5.
10.5 ESPECIFICACIONES CARACTERÍSTICAS DE LOS DIODOS

SEMICONDUCTORES, DATOS MÍNIMOS SUMINISTRADO POR EL FABRICANTE
1N270 1N1095 1N1190

Ge Si Si
VBR-Pico 100 V 500 V 600 V
IF 200 mA 750 mA 35 A
VF 1.0 V 1.2 V 1.7 V
I0 100 µA @ 50 V 5 µA @ 500 V 10 mA @ 600V
60
Electrónica I DAA
11. RECTIFICACIÓN MONOFÁSICA
Los convertidores estáticos, modernamente son circuitos basándose en

dispositivos electrónicos, que tienen la propiedad de transformar la energía eléctrica en
sus diferentes modalidades como son: Corriente Alterna a Corriente Directa, Corriente
Directa a Corriente Directa, Corriente Directa a Corriente Alterna y Corriente Alterna a
Corriente Alterna. Tenemos que la rectificación es el proceso de conversión de
energía eléctrica de Corriente Alterna en Corriente Directa; por medio de circuitos
electrónicos, teniéndose dos tipos: los monofásicos y los polifásicos.
11.1 CIRCUITO RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA.
Consideramos el circuito monofásico de rectificación de media onda. figura 11.1,

en el que tenemos un transformador ideal y carga resistiva pura, alimentado por una
fuente de corriente alterna.
Figura 11.1.
La señal temporal que se aplica al rectificador es del tipo senoidal.
vi = Vm sen ω t ; Vm = Vmax = Vp (Tensión máxima o pico o cresta).
En el circuito rectificador (figura 11.1), Vm > Vd (La tensión máxima mayor

que la tensión de umbral), para que entre en conducción el diodo que actúa como
rectificador, aplicando la segunda Ley de Kirchhoff (LVK).
vi - vD -irD - i RL = 0 ; Despejando: vi − vD = i( rD + RL )
v −v
∴ i= i D
rD + RL
Para vD = 0 despreciando la tensión del diodo y expresando la función

temporal en la variable del seno, la corriente en cualquier momento que suministra el
rectificador, podrá ser expresada en función del seno.
Vm Vm
Así: i= sen ω t ∴ I m = (11.1)
rD + RL rD + RL
61
Electrónica I DAA
La corriente de salida es una señal temporal (la cual circula por la carga), tendrá
como validez con los límites siguientes:
i = Im sen ω t para 0 ≤ωt ≤π Polarización

directa del diodo.
i=0 para π ≤ ω t ≤ 2π Polarización inversa del diodo.
En la figura 11.2, se presentan los perfiles de las ondas de entrada y salida del
rectificador monofásico de media onda, con carga resistiva.
Figura 11.2
11.1.1 Valor medio de la corriente en la carga.
La corriente que se obtiene en el rectificador es pulsante y en el que su valor útil,

es dado en valores medios.
I med = ICC para el rango de 0 a π, en el periodo T = 2 π.
62
Electrónica I DAA
Determinando por integración el valor medio de la corriente tenemos:

1 T
T ∫0
I CC = i (ωt ) d ω t
1 π
2π ∫ 0
= ( I m sen ω t ) d ω t
1 π I I
= I m [ − cos ω t ] 0 = m [ − cos π + cos0 ] = m [ −( −1) + ( 1 )]
2π 2π 2π
I
= m (11.2)
π
Haciéndolo extensivo para la tensión de salida, que se tendrá en vacío.
Vm
VCCO = (11.3)
π
11.1.2 Valor eficaz de la corriente en la carga.
Corriente eficaz. Ief = I (RMS) de 0 - π, para el periodo T=2π

1
1 T  2
I ef =  ∫ i 2 d ωt
T 0 ( ω t ) 
1
 1 π  2 1 1
∫ I m2 sen 2 ( ω t )d ω t  2
= ⇒ sen x = − cos 2x
 2π 0
 2 2
1
I 2
π 1 1  2
=
 2π
m
∫ 0
( − cos 2 ω t ) d ω t 
2 2 
1
I  12
π1 π 2
=  ∫ m
d ω t − ∫ cos( 2 ωt )2d ω t  
 2π  0 2 0 4

1 1
 I m2 1 π 1 π  2  I m2 2
=  (ω t )0 − ( sen( 2 ω t ))0   =  {π/ − 0 − 0 + 0}
 2π 2 4   4π/ 
I
= m (11.4)
2
Análogamente para la tensión en la carga, el valor eficaz será:
Vm
Vef = (11.5)
2
63
Electrónica I DAA
11.1.3 Tensión en las terminales del diodo.
En la figura 11.3, tenemos al perfil de la onda temporal aplicada a las terminales

del diodo.
Validez de las funciones.
v D = i rD 0 ≤ ω t ≤ π
vD = vi π ≤ ω t ≤ 2π
Figura 11.3.
Desarrollando para la tensión en las terminales del diodo (valor medio):
VCCD =
1 π
2π ∫ 0{ r i
D (ωt ) d ω t +
2π
∫π vi ( ω t ) d ω t }
=
1 π
2π ∫ 0 { r I
D m sen ω t d ω t +
2π
∫π Vm senω t d ω t }
1
=
2π
{ π 2π
rD I m [ − cos ω t ] 0 + Vm [ − cos ω t ] π }
1
=
2π
{ rD I m [cos0 − cos π ] + Vm [cos π − cos 2π ] }
1
=
2π
{ rD I m [1 − ( −1)] + Vm [ −1 − 1 ] }
1 1
= { 2r
/ D I m − 2V/ m } = {rD I m − Vm } ⇒ Vm = Im ( rD + RL )
2/ π π
1 1
= { rD I m − I m ( rD + RL )} = { rD I m − I m rD − I m RL }
π π
1 I m RL Im
= {− I m RL } = − ⇒ I cc = = − I cc R L (11.6)
π π π
Tensión inversa de pico (VIP).
En la gráfica de la figura 11.3, podemos observar que la tensión máxima negativa

(tensión pico), es el valor de tensión que debe soportar el diodo en forma recurrente,
conociéndose como Tensión Inversa de Pico en forma abreviada VIP.
VIP = Vm (11.6a)
64
Electrónica I DAA
11.1.4 Potencia en corriente alterna.
La potencia suministrada por el transformador en su devanado secundario, es la

potencia en corriente alterna.
1 T
T ∫0 ( ω t )
PCA = vi i( ω t ) d ω t
como vi = i( ω t )( rD + RL ) para 0 ≤ ω t ≤ π
1 π
PCA =
2π ∫ 0
( rD + RL ) i 2( ω t ) d ω t
1 π
= ( rD + RL ) ∫ I m2 sen 2ω t d ωt
2π 0
2 I m2
= ( rD + RL )I ef = ( r D + RL ) (11.7)
4
11.1.5 Potencia en corriente directa.
Es la potencia desarrollada en la carga.

PCD = I cc2 RL
I m2
= RL (11.8)
π2
También:
Vm I m
PCD = Vcc I cc =
π π
Vm I m
= (11.8a)
π2
11.1.6 Eficiencia.
PCD
η≡ 100( % )
PCA
I/ m2// RL 4( 100 )
= 2 2/ (%)
π I/ m/ ( rD + RL )
40.53
= (% ) (11.9)
 rD 
1 + 
 RL 
Sí RL >> rD η = 40.53 % que será la máxima eficacia que se obtiene por el
rectificador.
65
Electrónica I DAA
11.1.7 Regulación.
V(sin c arg a ) − V( plena c arg a )

Re g ≡ 100( % )
V( plena c arg a )
Tensión en terminales de la carga.
Vm
VCC sc = V(sin c arg a ) = , VCCpc = V( con c arg a ) = I CC RL
π
Vm
− I CC RL
VCC V 1
Re g = π 100 ⇒ I CC = = m
I CC RL rD + RL π ( rD + RL )
Vm Vm 1
− R
π π ( rD + RL ) L
= 100
Vm 1
R
π ( rD + RL ) L
RL ( rD + RL ) − RL
1−
( rD + RL ) ( rD + RL )
= 100 = 100
RL RL
( rD + RL ) ( rD + RL )
r
= D 100 (%) (11.10)
RL
11.1.8 Factor de forma en la carga.
Vef
F≡ 100 ( % )
Vmed
Vm
π
= 2 100 (%) = 100 (%) = 1.57 ⋅ 100 (%)
Vm 2
π
= 157% (11.11)
66
Electrónica I DAA
11.1.9 Índice de ondulación o factor de rizo.
Valor eficaz de los componentes armónicos

β≡ 100 (%)
Valor medio
V'
= ef 100 (%) = 121 % (11.12)
Vmed
El índice de la ondulación es una medida de las componentes alternas en la
onda rectificada.
11.1.10 Fórmula que relaciona al índice de ondulación con el factor de

forma.
β = F2 −1 (11.13)
Las variables son expresadas en decimal en la ecuación.
11.1.11 La forma de onda de salida del rectificador de media onda (rectificador

monofásico), desarrollando por series de Fourier queda integrada por una componente
de corriente continua (ω=0) y un conjunto de componentes armónicos ( ω ≠ 0 ), ecuación
11.14.
A A 2A ∞ cos n ω t
f ( ω t ) = + sen ω t −
π 2
∑
π n=2,4 ,6... ( n − 1 )( n + 1 )
A A 2 A  cos 2 ω t cos 4 ω t 
= + sen ω t −  + + ... (11.14)
π 2 π  1⋅ 3 3⋅5 
11.1.12 Especificaciones mínimas de la fuente de alimentación de corriente

directa.
1. Tensión continua de salida.

2. Regulación.
3. Corriente media y de pico en cada diodo.
4. Tensión inversa de pico en cada diodo.
5. Factor de rizo o índice de ondulación.
67
Electrónica I DAA
11.2 CIRCUITO RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA TOMA MEDIA O

CON TRANSFORMADOR DE TOMA CENTRAL.
Al efectuar el análisis del circuito de la figura 11.4, se considera al transformador

ideal (sin resistencia en sus devanados), con sus devanados secundarios balanceados
(de igual magnitud) y con una carga resistiva pura.
Figura 11.4
La señal temporal que se aplica al rectificado monofásico de toma media, es la

mitad de la tensión del devanado secundario y es del tipo senoidal ver figura 11.5.
Figura 11.5
La señal temporal aplicada al rectificador, función matemática.

vi = Vmax sen ω t ; Vm = Vmax = Vp (Tensión pico , cresta o máxima).
Que corresponde al comportamiento ideal de la tensión entregada por el

prestador de servicio del suministro de energía eléctrica, entendiéndose con esto que
está libre de deformaciones en su perfil de onda.
68
Electrónica I DAA
Las corrientes que circulan en el circuito, las podemos observar en la figura 11.6.
i1 Corriente temporal que

circula por el diodo 1, válida
para un ángulo de 0 a π rad.
i1 = Im sen (ω t)

circula por el diodo 2, válida
para un ángulo de π a 2π
rad.
i2 = Im sen (ω t - π)
i Corriente temporal que

circula por la resistencia de
carga, en un ángulo de 0 a
2π rad.
i = i1 + i2
Figura 11.6.
11.2.1 Valor medio de la corriente en la carga.
La corriente que se obtiene en el rectificador es pulsante y como se mostró

anteriormente, es la suma de las dos corrientes temporales aportadas por cada diodo
rectificador, el valor medio será:
1 T
T∫0
I CC = i (ω t ) d ω t
1 π 1 2π
= ∫ i ( ω t ) d ωt + ∫ i ( ω t ) d ωt
T 0 1 T π 2
1 π 1 2π
2π ∫ 0 2π ∫ π
= I m sen( ω t ) d ωt + I m sen( ω t − π ) d ωt
2I
= m (11.15)
π
69
Electrónica I DAA
Haciéndolo extensivo para la tensión que entrega el rectificador en vacío, cuando

la resistencia de carga tiende a infinito (RL → ∞ ).
2V m
VCCO = (11.16)
π

1
1 T 2  2
I ef =
T
∫ 0 i( ωt ) d ωt 
En el circuito de la figura 11.4, la corriente que circula por la carga es la suma de
las corrientes que circulan por cada diodo, así:
2 2 2 2
i = i1 + i2 y su cuadrado i = ( i1 + i2 ) = i1 + 2i1i2 + i 2
Que al substituirla en la integral para el valor eficaz, la solución de ésta se hace
más compleja; pero observando la figura 11.6 la cual corresponde al gráfico de la
función temporal de la corriente en la carga, observamos que ésta ha cambiado la
forma de la senoide por las conmutaciones y su periodo que la contiene; teniéndose
que el nuevo periodo es T=π y la función i = I m sen ω t es válida para este nuevo
periodo, resultando del doble de la frecuencia de la señal original a rectificar.
Por lo que tendremos:
1 Aplicando la identidad trigonométrica a la integral.

1 π  2
I ef =  ∫ ( I m2 sen 2 ωt )d ωt  2 1 1
π 0  sen A = − cos2 A
2 2
1
1 π 1 1  2
I ef =  ∫ I m2 ( − cos 2ω t ) d ωt 
π 0 2 2 
1
 I m2 π π  2
=  ( ∫ d ω t − ∫ cos 2ω t d ω t 
 2π 0 0

1
 I m2  π
1 π  2
=  ω t 0 − 2 sen 2ω t 0  
 2π  
1
 I m2  2 Im
=  ( π − 0 − 0 − 0 ) = (11.17)
 2π  2
Haciéndolo extensivo para la tensión:
Vm
Vef = (11.18)
2
70
Electrónica I DAA
11.2.3. Tensión entre las terminales de los diodos.

Analizando los valores de las tensiones máximas del circuito de la figura 11.7, del
rectificador de onda completa con toma central.
Figura 11.7
Y siguiendo las trayectorias de la corriente por malla, podemos establecer las

condiciones de operación para el semiciclo positivo de la fuente del rectificador,
tomando a los valores máximos de tensión (Vm) tenemos:
En la malla de la tensión secundaria del devanado secundario 2, despreciando la
caída de tensión en el diodo D1; v D1 = 0 ; vm1 = vRL ; iD 2 = 0
La d.d.p. en el diodo D2, vD 2 = v AK = Vm1 + Vm 2 ; Vm1 = Vm 2 = Vm
∴ v AK = 2Vm
Que será el voltaje inverso de pico.
VIP = 2Vm (11.19)
De ésta forma se puede graficar en valores instantáneos, la función temporal de
tensión que aparece en las terminales del diodo, mostrada en la figura 11.8.
Función temporal del diodo en

conducción.
vD1 = I m sen ω t × rD1
Función temporal del diodo bloqueado.

2v = vip = 2 V sen ω t
Figura 11.8 i m
De lo anterior podemos observar que, en éste circuito el diodo está sometido al

doble de la tensión negativa máxima o pico, del devanado secundario del
transformador.
71
Electrónica I DAA
La tensión media que se tiene entre las terminales de cualquiera de los diodos (
VCCD ), se tendrá:
Se considera del mismo valor la resistencia de cada diodo, rD1 = rD2 = rD
VCCD =
1
2π ∫ 0 { π
rD × I m sen ω t d ω t +
2π
∫ π 2 Vm sen ωt d ω t }
1
=
2π
{ π
rD I m [ − cos ω t ] 0 + 2Vm [ − cos ω t ] 2ππ }
1
=
2π
{
rD I m  − ( cos π − cos0 )  + 2Vm  − ( cos 2π − cos π )  }
1
=
2π
{
rD I m  − ( −1 − 1)  + 2Vm  − ( 1 + 1)  }
1
=
2π
{rD I m [ 2] + 2Vm [ −2]} X 1 ,…,X n
1
= {2rD I m − 4Vm }
2π
1 2I m 2V 2I 2V
= rD − m ⇒ I CC = m , VCCO = m
2 π π π π
Substituyendo:
1
VCCD = I CC rD −VCCO (11.19a)
2
11.2.4 Potencia en corriente alterna, la que suministra el transformador ideal.
2 2 2
PCA = I ef rD + I ef rD + ( I ef + I ef ) R L
1 1 2 2 1 2
Im Im
rD = rD = rD ; I ef + I ef = I ef = ; I ef = I ef =
1 2 1 2 2 1 2 2
72
Electrónica I DAA
2 2 2
I  I  I 
∴ PCA =  m  rD +  m  rD +  m  R L
  2   2
 2     
2 2
I   Im 
= 2 rD  m  + 
  2  RL
 2   
2 2 2
I m rD Im Im
= + RL = (rD + RL )
2 2 2
= I ef
2
(rD + RL ) (11.20)
11.2.5 Potencia en corriente directa desarrollada en la carga.
2
PCD = I CC RL = I CCVCC (11.21)
2 2
 2I   2I  2 I m  4 I m RL
=  m  R L = m
  π
 
 π  R L ( ) = 2
(11.21a)
 π     π
11.2.6 Eficiencia (η).

PCD
η= 100 (%)
PCA
4I m2 RL 2
= 100
π 2
I ( rD + RL )
2
m
Reordenando
8100
=
π 2 1 + rD
RL
81.06
=
rD
(% ) (11.22)
1+
RL
Sí R L >> rD la eficiencia aumenta y tendremos la máxima eficiencia lograda por
el rectificador de 81.06% para una resistencia infinita (en circuito abierto).
73
Electrónica I DAA
11.2.7 Regulación (Reg.).
V(sin c arg a ) − V( plena c arg a )

Re g ≡ 100 ( % )
V( plena c arg a )
Tensión en las terminales de la carga.
2V m (tensión en las terminales sin carga o en vacío).

V SC =
π
2Vm 1 2V
VPC = − I CC × 2rD = m − I CC rD (tensión a plena carga).
π 2 π
Substituyendo parámetros:
2Vm 2Vm
− + I CC rD
I CC rD
Re g = π π =
2Vm 2Vm
− I CC rD − I CC rD
π π
2Vm
Como: I CC = π
rD + RL
2Vm  1  rD
  rD
π  rD + RL  rD + RL
Reg = =
2Vm 2Vm  1  rD + RL − rD
− r
π π  rD + RL  D rD + RL
r
= D (Decimal) (11.23)
RL
Y en por ciento:
rD
% Re g = 100 (%) (11.23a)
RL
74
Electrónica I DAA
11.2.8 Factor de Forma (F).
I ef Im 2 π
F≡ = = = 1.11 (Decimal ) (11.24)
I cc 2Im π 2 2
= 111 % (11.24a)
11.2.9 Factor de rizo o índice de ondulación
2
β = F2- 1 = (1.11) - 1 = 0.482 (Decimal ) (11.25)
= 48.2% (11.25a)
11.2.10 Determinación de la fórmula que relaciona al Índice de Ondulación

con el Factor de Forma.
Tenemos que la Corriente temporal de salida de un rectificador (i) está integrada

por un valor medio de corriente continua y un valor de componentes alternas; del
desarrollo de las series de Fourier. Los componentes alternos son funciones armónicas,
que a su vez están constituidas por sinusoides de diferentes frecuencias múltiplos de la
fundamental.
+ i' , aquí podemos decir en general que: el valor eficaz de las

Así que: i = ICC
componentes armónicas (Ief ), se determinan restando los valores continuos de la
’
función básica; así:
i' = i − ICC para la función temporal.
Y el valor eficaz de esta función temporal será I´ef
 1 2π  1
I ef =  ∫ i − I CC
'
( ) 2
dα  2
 2π 0 
1
 1
) dα 
2π 2
=
 2π
∫ 0
( i − 2iICC + I
2 2
CC
 1 2π 1 2π 1 2π 1
∫ i 2 dα − ∫ ∫
2
= i dα × 2I CC + I CC dα  2
 2π 0 2π 0 2π 0

75
Electrónica I DAA
En ésta ecuación se observan a el valor eficaz y medio de la función, en el primer

y segundo término respectivamente, reordenando la función, tenemos:
1
 1 2 2π  2
I =  I ef2 − I CC × 2I CC +
'
ef I CC ∫ dα 
 2π 0

[ 2
= I ef − 2 I CC + I CC
2 2
]
1
2
= [I ]
1
2 2 2
ef
− I CC
Substituyendo el resultado del valor eficaz en la ecuación de la definición del

índice de ondulación.
'
I ef
β=
I CC
Tendremos:
I ef2 − ICC
2
β= 2
ICC
2
 I ef  I ef
=   −1 ⇒ F ≡
 I CC  I CC
= F2 − 1 (11.13)
Determinándose la fórmula que relaciona los factores de rizo e índice de

ondulación, cabe aclarar que los valores de los factores deberán operarse en fracciones
decimales.
76
Electrónica I DAA
11.3 CIRCUITO RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA TIPO PUENTE

(Llamado puente de Graetz).
Tenemos el circuito rectificador monofásico, mostrado en la figura 11.9, con

transformador ideal y carga resistiva pura.
Figura 11.9
Formas de onda en el rectificador.
La señal temporal que se aplica al rectificado monofásico de onda completa, es

la salida de la tensión del devanado secundario y en la figura 11.10, se observa que es
del tipo senoidal.
Figura 11.10
La señal temporal aplicada al rectificador, es sinusoidal la cual es expresada por
la función matemática seno.
vi = Vmax sen ωt; Vmax = Vp = Vm (Tensión pico o máxima o cresta).
Que corresponde al comportamiento ideal de la tensión entregada por el

prestador de servicio del suministro de energía eléctrica, entendiéndose con esto que
está libre de deformaciones en su perfil de onda.
77
Electrónica I DAA
La corriente que circula por el circuito, está dada por las formas de onda que se
muestran en la figura 11.11.

circula por el diodo 1 y 4,
válida para un tiempo 0 a π
rad.
i1 = Im sen (ω t)

circula por el diodo 2 y 3,
válida para un tiempo π a
2π rad.
i2 = Im sen (ω t - π)
i Corriente temporal que

circula por la resistencia de
carga, válida para un tiempo
0 a 2π rad.
i = i1 + i2
Figura 11.11
11.3.1 Corriente media en la carga ( ICC ).
La corriente que se obtiene en el rectificador es pulsante y como se mostró

anteriormente, es la suma de las dos corrientes temporales aportadas por cada par de
diodos del puente rectificador, el valor medio será:
1 T
T ∫0
I CC = i (ωt ) d ω t
1 π 1 2π
= ∫ i (ωt ) d ω t + ∫ i (ωt ) d ω t
T 0 1 T π 2
1 π 1 π
2π ∫ 0 2π ∫ 0
= I m sen( ω t ) d ω t + I m sen( ω t − π ) d ω t
2I
= m (11.15)
π
78
Electrónica I DAA
Haciéndolo extensivo para la tensión en las terminales de conexión de la carga

en vacío.
2Vm
VCCO = (11.16)
π
Que es el mismo valor determinado en el tipo de rectificador monofásico de onda
completa con transformador toma media.

1
1 T  2
I ef =  ∫ i(2ω t ) d ωt 
T 0 
En el circuito de la figura 11.9, la corriente que circula por la carga es la suma de

las corrientes que circulan para cada par de diodos, teniéndose una corriente pulsante
continua para un periodo T= π , para una función i = sen ωt así:
1
1 π  2
Ief =  ∫ ( I m2 sen 2 ω t ) d ω t 
π 0

I
= m (11.17)
2
Haciéndolo extensivo para la tensión:
Vm
Vef = (11.18)
2
Se tiene el mismo resultado que el encontrado en el rectificador con

transformador de toma central, la razón es el se tener el mismo perfil de la forma de
onda en ambos casos.
79
Electrónica I DAA
11.3.3 Tensión entre las terminales de los diodos.
Analizando los valores de las tensiones instantáneas del circuito de la figura 11.9,
tomando la trayectoria de la corriente I1 que cruza los diodos D1 y D4 para un periodo,
tendremos:
vi = v D 1 + v D 4 + v RL ; vD 1 = vD 4 = vD .
= 2v D + v RL
La gráfica que nos exhibe los valores temporales de la tensión, se muestra en la

figura 11.12, en la que podemos observar el valor del Voltaje inverso de pico.
Función temporal:
v D = I m sen ω t × rD
vip = Vmax sen ω t
Valor máximo:
VIP = Vm = Vpico = Vcresta (11.26)
Figura 11.12
Tensión media en las terminales del diodo (VCC ).

D
De la figura 11.12, determinaremos el valor medio de la tensión en las terminales

del diodo, teniendo como base los valores temporales de sus forma de onda.
1  π 2π 
VCCD = 
2π  0∫ 2v D
(ωt )
d ω t + ∫ π
vi (ω t ) d ω t 

1  π
Vm sen ω t d ω t 
2π
= ∫
2π  0
2I m rD sen ω t d ω t + ∫ π 
V
= I CC rD − m (11.27)
π
11.3.4 Potencia en corriente alterna, la que suministra el transformador ideal.
PCA = Ief21 × 2rD1 + I ef2 2 × 2rD2 + ( I ef1 + I ef2 ) 2 RL

I I
I ef 1 = I ef 2 = m ¸ I ef 1 + I ef 2 = I ef = m ; rD1 = rD2 = rD
2 2
80
Electrónica I DAA
Sustituyendo parámetros, la potencia en C.A.
2 2 2
I  I   I 
PCA =  m  2rD +  m  2rD +  m  RL
 2   2   2
2
I
= m (2rD + RL )
2
= I ef2 (2rD + RL ) (11.28)
11.3.5 Potencia en corriente directa desarrollada en la carga.
2
PCD = I CC R L = I CCVCC (11.21)
2
 2I   2I   2I 
=  m  RL =  m   m  RL
 π   π  π  ( )
4 I m2 R L
= (11.21a)
π2
11.3.6 Eficiencia (η).
PCD
η= 100 (%)
PCA
4I m2 RL 2
= 100
π 2
I ( 2rD + RL )
2
m
Reordenando
8 100
=
π 2 1 + 2rD
RL
81.06
=
2rD
(%) (11.29)
1+
RL
11.2.7 Regulación (Reg.)
V( sin c arg a ) − V( plena c arg a )

Re g ≡ 100 ( % )
V( plena c arg a )
81
Electrónica I DAA
Tensión en las terminales de la carga.
2Vm
VSC = (tensión en las terminales sin carga o en vacío).
π
2V  1 
VPC = m −  I CC × 2rD  2 (tensión a plena carga).
π 2 
2Vm
2Vm π
= − 2 I CC rD ⇒ I CC =
π 2rD + RL
2Vm  2rD 
= 1 − 
π  2rD + RL 
Substituyendo parámetros:
2Vm 2Vm  2rD 

− 1 − 
π π  2rD + RL 
Re g =
2Vm  2rD 
1 − 
π  2rD + RL 
2r
= D (Decimal ) (11.30)
RL
2r
= D 100 ( %) (11.30a)
RL
11.2.8 Factor de Forma (F).
I ef Im 2 π
F≡ = = = 1.11 (Decimal ) (11.24)
I cc 2I m π 2 2
= 111% (11.24a)
11.2.9 Factor de rizo o índice de ondulación
2
β = F2 −1 = ( 1.11) − 1 = 0.482 (Decimal) (11.25)
= 48.2% (11.25a)
82
Electrónica I DAA
12. FILTROS
Como se ha visto la tensión resultante del proceso de rectificado, en nuestro
caso de rectificación monofásica tratados en el capítulo 11 precedente (media onda y
onda completa), nos suministra una tensión pulsante (Corriente Directa), cuyo valor
instantáneo es de cero volts en cada semiperiodo, es utilizada en muchas aplicaciones
en forma satisfactoria. Pero en la mayoría de las aplicaciones, se hace necesario que la
onda sea plana o lo más plana posible. SE emplea el factor denominado índice de
ondulación (β) o también llamado factor de rizo, para valorar la calidad de rectificador.
Para mejorar el factor de rizo, es decir, lograr valores del orden de 1% o menores
en la calidad de la fuente de corriente continua, se emplean diferentes tipos de filtros;
teniéndose los siguientes:
Filtros pasivos.
a) Filtros simples basándose en capacitores o inductores.
b) Filtros compuestos: tipo L, T y Π con resistores y capacitores, o también,
inductores y capacitores.
Filtros activos.
Los que se realizan con circuitos electrónicos, ya sea con circuitos
discretos o con circuitos integrados. Estos para pequeñas potencias y que
se usan con regularidad para seleccionar el paso de ondas a
determinadas frecuencias; pasa bajos, pasa banda, pasa altos y rechaza
banda.
Los filtros empleados en rectificación basado en capacitores e inductores,
seleccionándose en función de la cantidad de energía a manejar, se muestran en la
figura 12.1, que son los filtros usados en los rectificadores monofásicos.
Tipo C Tipo L
Tipo L-C
Tipo T Tipo Π
Figura 12.1
Ahora bien, en que se basan estos tipos de filtros para efectuar la función de
aplanamiento de la forma de onda.
83
Electrónica I DAA
El filtro capacitivo: se basa en el hecho de almacenar energía eléctrica en forma

de campo eléctrico, su empleo es para pequeñas corrientes de carga (grandes RL) y se
conecta en paralelo con la carga.
Su reactancia es función del valor de la capacitancia y frecuencia.
1 1
XC = Donde: ω C <<
ωC RL
El filtro inductivo: se basa en la propiedad fundamental de una inductancia, de

oponerse a cualquier variación de la corriente que circula por ella; almacenando su
energía en forma de campo magnético, la inductancia se conecta en serie con la carga
(RL).
Su reactancia es función del valor de la inductancia del inductor.
XL =ω L Donde: ω L >> R L
Normalmente se utiliza para grandes corrientes que demande la carga.
12.1 FILTRO CAPACITIVO.
Iniciamos el análisis con el filtrado de media onda y capacitor.

En la figura 12.2, se muestra la forma de onda filtrada, forma de onda sin filtrar y
un pulso de corriente de carga del capacitor.
Figura 12.2
En la gráfica se muestra un tiempo de descarga del capacitor (t1) y un tiempo de

carga del capacitor (t2); se ha idealizado la curva del tiempo de descarga del capacitor
como una recta y cabe aclarar que en el tiempo de carga del capacitor, se suministra
energía a su vez a la resistencia de carga.
Observamos en la figura que la tensión de rizo ( Vr ) será de pico a pico, siendo

la diferencia de la tensión máxima y la tensión mínima:
Vr = Vmax − Vmin
84
Electrónica I DAA
Con el objeto de determinar las fórmulas generales aplicadas a un rectificador

monofásico con filtro capacitivo, lo aplicaremos a un ejemplo específico:
Para un rectificador de media onda, tenemos los siguientes valores: Vmed = 20 V,

Vr = 10 % Vmed , f = 60 Hz y RL = 500 Ω ; Refiriéndonos a la figura número 12.2.
Se desea conocer el valor de la capacidad del condensador para estos
magnitudes:
Vr
Vmax = Vmed + = Vmed + 5%Vmed
2
= Vmed + 0.05 × 20 = 20 + 1 = 21V
V
Vmin = Vmed − r = Vmed − 5%Vmed
2
= Vmed − 0.05 × 20 = 20 − 1 = 19V
Del diagrama fasorial correspondiente a la tensión de la fuente de alimentación,

referido a la función temporal de la figura 12.2 y representado en la figura 12.3,
tenemos:
Vmin
θ1 = sen−1
Vmax
19
= sen−1
21
−1
= sen 0 .905 = 65º
Figura 12.3
Para la frecuencia de 60 Hz el periodo será:

1 1
T= = = 0.0166 s = 16.6 ms
f 60
Ahora:
T = 360º 16.60 ms
T/2=180º 8.33 ms
T/4= 90º 4.16 ms
θ = 65º 3.00 ms
Por lo que: t1 = 8.33 + 4.16 + 3.00 ≅ 15.5 ms.
De las ecuaciones generales de carga, que tome un capacitor en función de la

corriente y la tensión tendremos:
Q=I t ; Q = CV
85
Electrónica I DAA
Igualando términos y despejando a la capacitancia tenemos:

It
CV = I t ∴ C=
V
Los valores a substituir en la ecuación serán:
VCC 20
I = I CC = = = 40 × 10 −3 A = 40 mA
RL 500
t1 = t = 15.5 × 10−3 s
V = Vr = 2 V
I CC × t 40 × 10−3 × 15.5 × 10−3
C= = = 3.1× 10−4 F = 310 µ F
Vr 2
Hemos tratado aquí al voltaje de rizo como una magnitud media, sabiendo que es
una magnitud pico a pico, cuyo valor es temporal y sólo la podemos medir con un
osciloscopio, el valor práctico deseado será el eficaz, que contiene la definición del
índice de ondulación o factor de rizo ( β ).
Idealizando como una onda triangular alterna, a la forma de onda del rizo, cuyo
valor eficaz es:
' Vr 2
Vef = Para el ejemplo. Vef' = = 0.577 V
2 3 2 3
El factor de rizo o índice de ondulación.
Vef'
β=
VCC
0.577
= = 0.02885 (Decimal)
20
= 2.9 0 0
Que será para el correspondiente valor de la tensión de rizo (Vr) del 10 % de la

tensión media.
86
Electrónica I DAA
Del desarrollo anterior, podemos concretar las fórmulas para el cálculo del valor
del capacitor en función de la tensión eficaz de rizo.
ICC
C=
fVr
I CC
= (F) (12.1)
2 3 f Vef'
Y el índice de ondulación.
Vef'
β=
VCC
I CC
2 3f C I CC 1 I CC
= = ⇒ =
VCC 2 3 fCVCC RL VCC
1
= (Decimal) (12.2)
2 3 fCRL
Podemos determinar el valor del capacitor en función del índice de ondulación.

1
C= (F) (12.3)
2 3 f β RL
Donde los parámetros para la aplicación de las ecuaciones son:

ICC Corriente media en la carga (A).
VCC Tensión media en la carga (V).
f Frecuencia de la fuente de corriente alterna (Hz).
V’ef Tensión eficaz de los componentes armónicos (V).
RL Resistencia de la carga (Ω).
En el cálculo de la capacitancia, el valor se ha determinado en forma aproximada

con respecto al tiempo, dado que el tiempo de descarga del capacitor se tomo como el
del periodo (T), introduciendo un pequeño error adicional a las consideraciones ya
establecidas; el cual para el ejemplo, aplicando la ecuación 12.3 corroboraremos cual
es la magnitud, para el rectificador de media onda.
I CC 40 × 10 −3
C= '
= = 333 × 10 −6 (F )
2 3 fVef 2 3 × 60 × 0.577
= 333 µ F
Observamos que este valor es muy próximo al determinado de 310 µF, por lo
que podemos tomarlo como bueno.
87
Electrónica I DAA
Para el filtrado del rectificador de onda completa, podemos tomar las mismas
consideraciones anteriores, aproximando el tiempo de descarga del capacitor a los 180º
sexagecimales, para un nuevo periodo, el cual se traduce en una duplicación de la
frecuencia, quedando las siguientes ecuaciones aplicables al rectificador.
Determinación del valor del capacitor:

I CC
C= (F) (12.4)
4 3 f Vef'
Para el índice de ondulación.
1
β= (Decimal) (12.5)
4 3 f C RL
Determinación del valor del capacitor en función del índice de ondulación.

1
C= (F) (12.6)
4 3 f β RL
Ejemplo:
Cierta carga tiene que ser alimentada con 200 V a 50 mA y se requiere un índice
de ondulación menor al 2 %, considere que se tiene un rectificador monofásico de
media onda, el cual opera a una frecuencia de 60 Hz. Determine el valor del capacitor
para cumplir con los requerimientos solicitados.
Determinamos inicialmente el valor de los componentes armónicos.

Vef'
β= ∴ Vef' = βVCC
VCC
= 0.02 × 200 = 4 V
Substituyendo valores en la ecuación 12.1.
I CC 50 × 10 −3
C= '
= = 60.1 × 10 −6 F
2 3 f Vef 2 3 × 60 × 4
= 60 .1 µ F
La razón de considerar los valores eficaces de los componentes armónicos, se

desprende de las mediciones que se efectúan en la carga, con el objeto de determinar
las características de los rectificadores, por el conocimiento de los valores del factor de
forma e índice de ondulación.
88
Electrónica I DAA
En la figura 12.4, se indican como se efectúan las mediciones en las terminales

de la carga.
Figura 12.4
Para el índice de ondulación.

Vef'
β= (Decimal)
VCC
El factor de forma.
Vef
F= (Decimal)
VCC
La relación del índice de ondulación y del factor de forma.
β = F 2 −1 (Decimal)
Valores de los parámetros del rectificador que permiten evaluarse por medios
experimentales, aplicado en forma general a cualquier fuente, con el objeto de
determinar la calidad de ésta; por medio de sencillas mediciones de tensión media,
eficaz y temporal.
Se ha encontrado que la aplicación del filtro tipo T con los componentes CRC,
proporcionan un nivel inferior de tensión máxima, al proporcionado con el filtro simple
con capacitor.
89
Electrónica I DAA
12.2 DETERMINACIÓN DE LA RESISTENCIA EFECTIVA DE LA FUENTE DE

ALIMENTACIÓN.
Tomando como referencia el perfil de la forma de onda rectificada y filtrada,

mostrada en la figura 12.2, substituyendo al valor eficaz de los componentes armónicos
por el valor pico, tenemos:
1
Vmax = VCC + Vr ⇒ Vr = 2 3 Vef'
2
= VCC + 3 Vef'
Y sustituyendo el valor eficaz de los componentes armónicos por el valor

derivado de la definición del índice de ondulación; Vef' = β VCC
Vmax = VCC + 3β VCC ⇒ VCC = I CC R L

= VCC + 3β ICC RL
= VCC + ( )
3β RL I CC
Resultando un parámetro correspondiente al valor de resistencia, tal que:
RO = 3 β RL (12.7)
La cual representa la resistencia efectiva de la fuente, a decir del circuito

rectificador en función del índice de ondulación y que podrá generalizarse para los
circuitos de rectificación que contengan filtros pasivos.
Para el circuito rectificador de media onda con filtro capacitivo, para su índice de
ondulación.
1 1
RO = 3 RL = (Ω) (12.8)
2 3 f C RL 2 f C
Para el circuito rectificador de onda completa con filtro capacitivo, con su índice
de ondulación.
1 1
RO = 3 RL = (Ω) (12.9)
4 3 f C RL 4fC
90
Electrónica I DAA
12.3 FILTRO INDUCTIVO.
Una inductancia ofrece relativamente una alta impedancia al paso de los

componentes armónicos de la onda rectificada (perfil de onda pulsante),mientras que
deja pasar los componentes de corriente directa (no existe oposición), pero los tamaños
de los inductores para lograr las ondas planas son relativamente voluminosos y por
ende costosos; por lo general para una aplicación específica se diseña el inductor
requerido. Un análisis de la tensión en la carga, en el que se ha empleado a un inductor
como filtro de rectificación, demuestra una disminución del valor pico de la tensión
rectificada, lo cual resulta poco ventajoso y por consiguiente poco empleada.
La combinación de elementos simples como el de resistencias, inductores y

capacitores, proporciona mejores resultados en el proceso de filtrado.
Filtro tipo L, aplicado al rectificador de onda completa.

El índice de ondulación dado en decimal.
1
β= (Decimal) (12.10)
2 ω2 L
Valores de los parámetros en las siguientes unidades:

C Capacidad (µF).
L Inductancia (H).
ω Frecuencia angular (rad).
En éste tipo de filtro para que la corriente se mantenga fluyendo continuamente

(no pulsante) y la tensión de salida cambie ligeramente con las variaciones de la carga,
se tendrá el valor de la inductancia mayor a cierto valor crítico, dado por la ecuación
12.11.
RL
LC = (H)
6π f L
RL
≅ (H) en una frecuencia de 60 Hz. (12.11)
1000 L
Filtro tipo doble L-C aplicado en el rectificador de onda completa.

0.47
Índice de ondulación. β= 2 (Decimal) (12.12)
( 4ω LC )
2
Filtro tipo Π aplicado al rectificador de onda completa.

3300
Índice de ondulación. β= (Decimal) (12.13)
C1RLC2 L
91
Electrónica I DAA
13. FUENTES REGULADAS CON DIODO ZENER
En los diodos rectificadores de propósito general (de material semiconductor de

Silicio), la impurificación de ambas capas N y P, están ligeramente impurificados
(contaminados) de tal manera que la tensión de ruptura de polarización inversa (BVR),
tiene un valor grande; éste valor de tensión es limitado a la región del codo zener que
presenta la curva característica (en el tercer cuadrante de la curva característica del
dispositivo).
La corriente de fuga es función de la resistencia inversa (rR) definida para ésta
región de operación del dispositivo, tal que:
∆V R
rR ≡
∆I R
La cual se determinará de los valores específicos de diodos, dados por los
fabricantes como:
BVR
rR ≡ (ohm)
I0
La curva característica del diodo en su zona de polarización inversa y después

del codo zener, tiene un comportamiento lineal; en el que para incrementos de tensión
relativamente pequeños ( ∆ V R = ∆ V Z ) existen incrementos significativos de corriente
inversa ( ∆ I R = ∆ I Z ) ; presentándose características de tensión regulada. Las
propiedades que presenta ésta tensión regulada, se aprovechan para crear un nuevo
dispositivo electrónico llamado diodo zener.
En el diodo zener las capas de la unión PN están altamente impurificados,

obteniéndose así valores pequeños para el voltaje de ruptura (BVR). El valor exacto del
voltaje inverso de ruptura, se puede controlar en una forma muy precisa durante el
proceso de fabricación, a éste valor de voltaje de ruptura inversa (BVR) se le llama
Voltaje Zener (VZ) y por ende a la corriente inversa en ésta zona de operación se le
llama Corriente Zener (IZ). Las tensiones zener que pueden lograr los fabricantes van
desde 2 hasta 200 volts, corrientes relativamente pequeñas hasta algunos amperes.
Símbolo del diodo Zener.
En la figura 13.1, se muestran los símbolos del diodo zener más empleados.
Figura 13.1
92
Electrónica I DAA
En la figura 13.2, se caracteriza la curva del diodo zener, El cual opera como
regulador de tensión en el tercer cuadrante, que es su operación normal estando
polarizado inversamente.
Figura 13.2
En la zona de ruptura el zener tiene un codo bastante agudo, seguido de un

aumento de corriente inversa casi vertical y el voltaje es casi constante; las hojas de
información técnica normalmente especifican el valor de VZ a una corriente particular de
prueba IZT .
I Z max
I ZT =
2
La información técnica especifica la corriente máxima del zener ( IZ max ) en

función de la potencia ( PZN ) y la tensión nominal ( VZ ).
PZN
I Z max =
VZ
También en las hojas de información técnica especifican la resistencia o
impedancia zener ( ZZ ), determinada a la misma corriente de prueba ( IZT ).
Como por ejemplo, para el diodo 1N3020:

VZ =10 V, IZT =25 mA y ZZ = 7Ω
La aplicación principal del diodo zener es como un regulador de tensión, en un

regulador de tensión el objetivo es que en la carga se tenga una tensión constante,
independientemente de las condiciones de operación de la fuente de alimentación o de
las fluctuaciones de corriente que demanda carga, cuya operación podrá representarse
satisfactoriamente mediante una curva característica idealizada, figura 13.3.
93
Electrónica I DAA
Figura 13.3
En la figura 13.3, se observa que el voltaje zener es constante, aún cuando la

corriente de zener va en aumento, esto equivale a considerar que el valor de la
resistencia zener ( rZ ), tiene un valor de cero ohms.
En la operación del diodo zener, se presentan dos casos: uno en el que se tienen
variaciones de la fuente de alimentación y otro en el cambio de la demanda de corriente
de la carga.
Con el diagrama del circuito con el diodo zener de la figura 13.4, se pueden
plantear las ecuaciones del comportamiento básico de la siguiente forma:
I1 = I Z + I L ; V1 = I 1 R + V Z
Figura 13.4
Primer caso. La tensión de entrada es constante y la corriente en la carga

varía (sin cambiar nivel de tensión en la carga), lo cual implica que la caída de tensión
en la resistencia limitadora R (VR) sea constante para una corriente I1 (también
constante). Esto es posible siempre y cuando la corriente en la carga varíe en un rango
de IZ máxima a IZ mínima , que permita que el zener regule la tensión de salida.
I Zmin ≤ I L ≤ I Zmax
Segundo caso. La corriente en la carga ( IL ) es constante, para variaciones

de la tensión de entrada ( V1 ). En este caso las variaciones de la corriente I1 por ser
función de V1, tendrán que ser absorbidas por el diodo zener.
Teniéndose que la corriente en el diodo zener decrece o aumenta, en la misma

cantidad de la corriente de entrada ( I1 ); manteniéndose constante la corriente en la
carga ( IL ).
94
Electrónica I DAA
13.1 ANÁLISIS DE LAS FUENTES REGULADAS CON DIODO ZENER
En el análisis de las fuentes de tensión constante de poca potencia, en las que

son de aplicación los diodos zener, por su simplicidad y bajo costo, se contemplan dos
condiciones de la tensión de la fuente de alimentación siguiente:
13.1.1 Ecuaciones aplicables para V1 constante y corriente en la carga

variable (valor de la resistencia de carga variable).
Determinación de la corriente de entrada, ver figura 13.4.
V1 − VZ
V1 = I1 R + VZ ∴ I 1 = (13.1)
R
La corriente máxima permisible en el diodo Zener es:
PZN
I Z max = (13.2)
VZ
La corriente en la carga tendrá una variación de:
I Lmin = I 1 − I Zmax (13.3)

I Lmax = I 1 − I Zmin (13.4)
13.1.2 Ecuaciones aplicables para la tensión de fuente variable.
La corriente en la carga es constante y tensión de entrada variable.

PZN
I Z max =
VZ
La corriente máxima de línea permitida es:
I 1 max = I L + I Zmax (13.5)
La corriente mínima de línea permitida es:

I 1 min = I L + I Zmin (13.6)
El valor máximo de V1 que permite la regulación es:

V1max = I 1max R + V Z (13.7)
El valor mínimo de V1 que permite la regulación es:

V1 min = I 1 min R + VZ (13.8)
95
Electrónica I DAA
13.4 MODELO EQUIVALENTE DEL DIODO ZENER
Del análisis teórico del diodo semiconductor y haciendo referencia a la curva

característica del diodo zener, éste se puede idealizar por tramos de segmentos de
recta y obtener un modelo equivalente funcional; en la figura 13.5 se muestra la gráfica
correspondiente.
Parámetros del diodo Zener.
∆VF
rD =
∆I F
∆VR
rR =
∆I R
∆V
rZ = Z
∆I Z
Figura 13.5
De las condiciones encontradas de polarización podemos establecer el diagrama

equivalente funcional de la figura 13.6, que nos muestra los parámetros de su
comportamiento, en un diagrama eléctrico; que sería el diagrama equivalente funcional
correspondiente a los niveles de tensión aplicada.
Figura 13.6
96
Electrónica I DAA
14.4.1 Ecuaciones aplicables a partir de la curva característica idealizada

del zener.
De la figura 13.5, podemos considerar los incrementos de las variables para el

tercer cuadrante, relacionándolo con el circuito básico del zener operando como
regulador de tensión, el cual se muestra en la figura 13.7.
Figura 13.7
El máximo voltaje en la carga, se presenta cuando la corriente a través del diodo

zener está en su valor máximo.
VL max = VZ max = VZ + ∆ VZ = VZ + I ZT × rZ (13.9)
La tensión mínima en la carga, la tenemos cuando la corriente en el zener es

mínima.
VL min = VZ min = VZ − ∆ VZ = VZ − I ZT × rZ (13.10)
Cuando tenemos el voltaje máximo en la carga (VLmax=VZmax), la corriente en la
entrada (I1) está en su valor máximo.
I 1 max = I L max + I Z max (13.11)
Y la tensión de la fuente ( V1 ) es máxima.
V1 max = I 1 max R + VZ max (13.12)
La corriente mínima en la fuente ( I1min ), será cuando la corriente del zener sea
mínima, para el caso IZmin=0.
I 1 min = I L min (13.13)
97
Electrónica I DAA
Y el voltaje de entrada (V1) es mínimo.
V1 min = I 1 min R + VZ min (13.14)
Teniéndose un cambio de la tensión en la carga de:

∆ V L = V Lmax − V Lmin (13.15)
Correspondiendo a un cambio de la tensión de entrada de:

∆ V1 = V1max − V1min (13.16)
Se hace notar que no se permitirán tensiones de entrada (V1) mayores que el

valor mayor determinado (V1max), ya que de ser así la corriente del zener será excesiva
y se sobrecalentará (se destruye normalmente el dispositivo). Por otra parte para
valores de tensión de entrada menores (V1) a los calculados (V1min), ya no se tendrá
tensión regulada del zener; decaerá la tensión en la carga en el mismo rango de
variación de la tensión de entrada, dado que no se ha llegado al valor de la tensión del
zener.
Podemos aplicar fórmulas que nos faciliten el empleo de los diodos zener, como
es el caso de poder elegir el valor de la resistencia limitadora, en la aplicación de un
diodo zener; para cuando se tienen variaciones de la tensión de alimentación (V1) y se
determina un rango del valor de la resistencia de carga. Una alternativa para elegir la
resistencia limitadora adecuada (R), se efectuará con las fórmulas 13.17 y 13.18, que
calculan la resistencia limitadora para los valores mínimos y máximos respectivamente.
Esto nos permitirá elegir un valor comercial de la resistencia limitadora, en relación a los
valores calculados, lográndose una cierta optimización de la selección de la misma
V1max − VZ
Rmin = (13.17)
I L max − I Z max
V1min − VZ
Rmax = (13.18)
I L max − I Z min
Una expresión que nos permite determinar en forma muy práctica el valor de la
resistencia limitadora, se muestra en la ecuación 13.19.
V1min − VZ
R= (13.19)
1.1 I L max
En la aplicación de ésta fórmula, se tiene un aseguramiento de que el valor de la

resistencia calculada tendrá un margen, para la corriente de carga máxima.
98
Electrónica I DAA
EJEMPLOS.
1. Determinar sí el zener del circuito de la figura 13.7, regula la tensión en la
resistencia R2 y ¿cuál es el valor de la corriente en el zener?.
Figura 13.8
Para comprobar sí es posible la regulación del zener, se tendrá que verificar que
la caída de tensión en la resistencia R2, es mayor a la tensión del zener, para lo cual se
tiene que considerar al diodo zener desconectado del circuito así:
R2 1100 1100
VZO = E= 20 = 20 = 11 V
R1 + R2 900 + 1100 2000
La tensión en la resistencia es mayor que la tensión en el diodo zener, luego
entonces, se tiene regulación. VR2 〉 VZ
La corriente en la resistencia R2 será:

VZ 10
I2 = = = 9 × 10 −3 A = 9 mA
R2 1100
La caída de tensión en la resistencia R1

VR1 = E − VZ = 20 − 10 = 10 V
La corriente en la resistencia R1
VR 1 10
I1 = = = 0.011 A = 11 m A
R 1 900
La corriente en la resistencia R2
VR 10
I2 = 2 = = 0.009 A = 9 mA
R 2 1100
Por lo tanto la corriente en el zener.
I Z = I 1 − I 2 = 11 − 9 = 2 mA
Y también se cumple con la corriente máxima del diodo zener.
I Z < I Z max dado que 2 < 8 mA
99
Electrónica I DAA
2. Para el circuito de la figura 13.9, determine los valores de la resistencia

limitadora (R1) y los valores de la resistencia de carga (RL), para que el diodo zener
opere en sus límites de corriente.
Dato. Corriente máxima en el zener 200 mA y corriente mínima en el zener 5 mA.
Figura 13.9
Tomando la condición para la carga abierta.

V ' − VZ 30 − 20 10
I Z max = = =
R1 R1 R1
Así despejando el valor de la resistencia:
10 10
∴ R1 = = = 50 Ω
I Z max 0.2
Para la corriente de la fuente.
I 1 = I Z min + I L max = I Z max
El valor de la corriente máxima en la carga.
I L max = I 1 − I Z min = 200 − 5 = 195 mA
Y en función de la corriente máxima en la carga, se determina la resistencia de
carga mínima.
VZ 20
RL min = = = 102.6 Ω
I L max 195 × 10 −3
Como se podrá ver en la gráfica de la figura 13.10, la resistencia de carga varía

de circuito abierto hasta el valor de 102.6 Ω y la corriente en la carga de 0 mA hasta
195 mA , que constituye el rango de regulación del diodo zener.
∞
Figura 13.1
100
Electrónica I DAA
3. Graficar el comportamiento de la carga, en el circuito de la figura 13.11.
Figura 13.11
Para corriente máxima en la carga (RL), con regulación VRL=VZ=10 V, se trata

como un divisor de voltaje.
RL min RL min × 50V
VRL = Vi ; 10V =
RL min + RS RL min + 1000 Ω
Despejando a RLmin y determinando la corriente máxima.
10000 + 10 RL min = 50 RL min ; 40 RLmin = 10000
10000 V 10
R L min = = 250 Ω ; I L max = Z = = 0 .04 A = 40 mA
40 R L min 250
Determinar la caída de tensión y la corriente en la resistencia limitadora.
VS 40
VR = Vi − VZ = 50 − 10 = 40V ; I S = = = 0.04 A = 40mA
S RS 1000
Para la corriente mínima en la carga.
I L = IS − IZ , cuando I Z = I Z max
I Lmin = I S − I Z max = 40 − 35 = 5 mA
V 10
RL max = Z = = 2 KΩ
I L min 5
Resultando el gráfico de la figura 13.12
Figura 13.12
El valor de resistencia de carga mínima, será en el valor de la corriente IZ = 0 ,
teniéndose el máximo de resistencia de carga para la corriente máxima del diodo zener.
101
Electrónica I DAA
14. TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR
El transistor un elemento esencial en el desarrollo de la electrónica y que en el

tipo de presentación construido por los procesos de difusión, ha permitido el desarrollo
de elementos más complejos, representados en la electrónica digital por los circuitos de
muy alta integración; por los circuitos analógicos por los amplificadores operacionales y
otros de propósito específico.
14.1 CONSTRUCCIÓN DEL TRANSISTOR.
Cuando se tienen tres capas de material semiconductor con una impurificación

alternada, una tipo P entre dos tipos N o una tipo N entre dos tipo P, se forman dos
uniones PN encontradas, obteniéndose de esta forma la estructura de un transistor
bipolar BJT (acrónimo de Bipolar Juntion Transistor). El transistor consiste en un solo
cristal de material semiconductor, en el que se emplea en la electrónica el Silicio o el
Germanio.
Representación analógica.
Símbolo esquemático.
Figura 14.1
El transistor tiene normalmente tres terminales de conexión, como se puede ver

en ambas representaciones; denominadas emisor (E), base (B) y colector (C).
En el símbolo esquemático la flecha señala el sentido de la corriente
convencional (flujo de huecos) y a su vez indica que es el emisor. Por lo cual en un
diagrama es redundante denotar las terminales con las letras E, B, y C.
Los conceptos de operación del transistor pueden entenderse mejor

considerando uno de los primeros métodos de fabricación de transistores. El cristal se
hace en forma de emparedado: una sección delgada de material tipo P entre dos
secciones gruesas de material N (llamado NPN), o una sección delgada de material N
entre dos secciones gruesas de material P (llamado PNP).
102
Electrónica I DAA
El emparedado resultante se corta en pequeñas piezas de cerca de 0.01 por 0.01

por 0.01 pulgadas, para formar los transistores. Este transistor se muestra en la Figura
14.2.
Figura 14.2 El transistor de unión.
Se le añaden contactos de soporte y puntas de conexión. Un extremo recibe el

nombre de emisor. El otro extremo se llama colector. La sección central delgada es la
base. En un transistor NPN, el emisor y el colector son de materiales tipo N y la base
está hecha de material tipo P. En un transistor PNP, el emisor y el colector son de
material tipo P y la base es de material tipo N. Tanto la estructura del NPN como la del
PNP están hechas de un cristal continuo único al igual que el diodo PN. Regularmente
se le denomina al transistor como transistor bipolar de unión, BJT.
Dentro de las funciones que desarrollan cada una de las capas del transistor es
la siguiente:
Capa de emisor. Ésta capa suministra los portadores de carga mayoritarios para
la conducción y constituye la corriente del emisor.
Capa de colector. La capa del colector capta la mayor parte de los portadores de
carga mayoritarios procedentes del emisor, constituyendo la corriente de colector.
Capa de base. Ésta capa asegura la interacción entre la capa de emisor y el
colector.
Dentro de las características generales de fabricación de este tipo de transistor,

tenemos que:
Capa de emisor. Ésta capa es altamente impurificada, para proporcionar una
gran cantidad de portadores de carga mayoritarios; de espesor mayor que la capa de la
base y menor que la capa del colector.
Capa de base. La capa es muy delgada entre las uniones, poco impurificada;
solo contiene unos pocos portadores de carga mayoritarios y minoritarios.
Capa de colector. Constituye la capa de mayor espesor de los tres y es
medianamente impurificada.
Las características de construcción de las capas del transistor, son implícitas

para que opere satisfactoriamente, por lo cual se tienen definidas las terminales de
conexión en cada una de las capas.
Al construir las uniones del transistor, se efectúa el proceso de difusión en las
uniones del transistor, a consecuencia del movimiento de portadores de carga
mayoritarios que atraviesan la unión, creando las zonas de agotamiento; en donde no
103
Electrónica I DAA
existen cargas libres para la conducción, en la figura 14.3, se muestra la evolución que
sufren las uniones del transistor, así como el estado que guardan los niveles
energéticos de las capas del transistor, en este caso el tipo NPN.
Figura 14.3
En el proceso de difusión del transistor, sus capas sufren cambios en la

distribución de cargas y éstas a su vez generan diferencias de potencial; en la figura
14.4, mostramos las condiciones resultantes de las capas del transistor.
VOE Barrera de potencial de emisor.

VOC Barrera de potencial de colector.
Figura 14.4
104
Electrónica I DAA
14.2 TENSIONES Y CORRIENTES EN EL TRANSISTOR.

La aplicación de diferencias de potencial a las uniones del transistor, por medio
de fuentes de corriente continua, esto hace que circulen corrientes através de estas;
recordando que en una unión PN, cuando le aplicamos una tensión con polaridad de la
fuente positiva al lado P y la polaridad de la fuente negativa al lado N, tenemos una
circulación de corriente grande por la polarización directa de la unión; y cuando le
aplicamos a la capa N la polaridad de la fuente positiva y al lado P la polaridad de la
fuente negativa, decimos que la unión se encuentra en polarización inversa, circulando
un corriente de una magnitud pequeña.
En la figura 14.5, se tiene que se han aplicado dos fuentes de polarización
simultánea a las uniones del transistor en corriente continua, en el que se denotan
todos los parámetros de tensión y de corriente con mayúsculas, así como los
subíndices que los acompañan; que se conviene que nos indican valores en corriente
directa; además de indicar los elementos del transistor que intervienen. Las fuentes se
denotan con doble subíndice con el objeto de diferenciarlas de las tensiones referidas a
un punto de medición específico, evitando de esta forma confusiones.
Sí ambas polarizaciones las aplicamos simultáneamente a las dos uniones de
emisor y colector respectivamente (JE y JC) y teniendo en cuenta que la capa de base
es muy delgada; en la figura tendremos:
a) b)
Figura 14.5
Refiriéndonos a la figura 14.5 a), en la polarización directa de la unión de emisor
(JE), los electrones que son los portadores de carga mayoritarios cruzan de la capa N a
la capa P y estos electrones en la capa de base tipo P pasan a ser los portadores de
carga minoritarios y como la unión de colector (JC) está polarizada inversamente los
electrones cruzan la unión de colector.
A éste proceso le llamas efecto transistor, en el que algunos electrones se
recombinan con huecos en la base, esta existencia de portadores mayoritarios es del
orden del 2% al 5% del flujo total de cargas, también vemos que la unión de emisor
presenta poca resistencia a la fuente VEE y la unión del colector presenta alta resistencia
a la fuente VCC y refiriendo estos dos efectos resistivos como entrada y salida
respectivamente. Podemos decir, que existe una transferencia de resistencia de un lado
a otro del transistor, de ahí el nombre del transistor del idioma inglés Transfer Resistor.
Por lo que respecta a las corrientes tomando como nodo al transistor tendremos:
I E = IC + I B (14.1
Ecuación válida en cualquier configuración, ya sea para el transistor del tipo NPN
o PNP.
105
Electrónica I DAA
14.3 BETA Y ALFA DE C.D. DE UN TRANSISTOR (βcd y αcd).
La beta1 de C.D. de un transistor (βcd), se define como la relación de la corriente

del colector y la corriente de base, en un punto de operación dado.
IC
β cd ≡ (14.2
IB
El subíndice cd en β significa que la razón se define para los valores de C.D. de
IC e IB.
Dado que una cantidad pequeña de corriente en la base puede controlar una
gran cantidad de corriente en el colector, βcd es un número mucho mayor que la unidad.
Despejando de la ecuación 14.2 I C = β I B ; por ésta razón un transistor es un
dispositivo controlado por corriente. Los valores de La βcd para transistores típicos
pueden variar entre 20 y 30 para transistores de beta baja, hasta 200 a 300 para
transistores de beta alta.
El alfa2de cd de un transistor, αcd, se define como la razón entre IC e IE, en un
punto de operación dado.
IC
α cd ≡ (14.3
IE
El subíndice cd en α significa que esta razón se define para valores de C.D. de IC e IE.
El valor de αcd es cercano a 1, pero ligeramente menor; por ejemplo, 0.96, 0.97,
0.995 o 0.997 son valores típicos de la ganancia en corriente.
La tensión de polarización del circuito de entrada emisor-base, por lo general es

menor a la tensión de polarización del circuito de salida colector-base (VEE << VCC);
para ambas corrientes son aproximadamente iguales ( I E ≅ I C ) y como I E − I C = I B ,
tenemos que la corriente de base ( I B ) es I B 〈〈 I E .
Por otro lado cualquier cambio en la IE se reflejará en un cambio de IC; también

VEB 〈〈VCB variaciones de tensión pequeñas de V EB habrá variaciones grandes de la
tensión VCB ; esta propiedad es aprovechada para emplearse como amplificador de
tensión;
1
Algunos fabricantes usan el símbolo hFE para β cd
2
Algunos fabricantes usan el símbolo -hFB para αcd
106
Electrónica I DAA
14.4 BANDAS DE ENERGÍA DEL TRANSISTOR POLARIZADO.
En la polarización directa de la unión de emisor y la polarización inversa de la

unión de colector del transistor, modifican las bandas de energía en la forma mostrada
en la figura 14.6.
Figura 14.6
14.5 TIPOS DE ENCAPSULADOS.
Los encapsulados de los dispositivos electrónicos tienen la función de proteger al

cristal semiconductor de los rayos luminosos y la de soportar las terminales de
conexión, para los dispositivos de poca potencia el envase es plástico y es capaz de
soportar temperaturas de soldadura de estaño; para los dispositivos de mediana y de
gran potencia, los encapsulados son metálicos, se encuentra asociados a disipadores
de calor que les permite conducir una gran cantidad de energía, en la figura 14.7, se
muestran los tipos de envases de mayor empleo en la fabricación de transistores.
Figura 14.7
107
Electrónica I DAA
14.6 CONTRIBUCIÓN DE LOS PORTADORES DE CARGA EN LA

CORRIENTE DE EMISOR.
Componentes de corrientes internas en el transistor con polarización como

amplificador, se muestra en la figura 14.8, conocida como FR (abreviando acrónimo de
Forward Reverse).
Se entiende por polarización del transistor a la aplicación de fuentes de corriente
continua, al circuito electrónico y que en este caso contiene al transistor; las uniones del
transistor se someten a diferencias de potencial que condicionan la operación del
mismo; el cual puede operar como amplificador o como conmutador, dependiendo de
los signos de las fuentes aplicadas a las uniones. Del conocimiento que se tiene de la
unión PN en el circuito podemos decir que: la unión de emisor esta polarizada
directamente (Forward), correspondiente al emisor-base y que la unión de colector, esta
polarizada inversamente (reverse), correspondiente a colector-base, de ahí la
costumbre de representarlo simplemente como FR.
Figura 14.8
Constitución de las corrientes.
IE= IpE+InE IpE Corriente de huecos (portadores mayoritarios) E → B

InE Corriente de electrones (portadores mayoritarios) B→ E
IpE/InE Esta relación es proporcional a la conductividad del material
tipo P a la del tipo N.
InE Ésta corriente no es recogida por el colector.
IpC Fracción mayor de la corriente de huecos que cruza la unión
del colector (JC), procedente del emisor.
IpE- IpC Es la corriente de huecos que se recombinan en la capa de
la base con electrones de ésta. Estos electrones son
suministrados por la terminal de la base ya que ésta capa
tiene escasos los electrones.
InC Corriente de electrones del colector que cruza la unión de
colector a la base.
108
Electrónica I DAA
Sí el circuito de emisor está abierto, la corriente de emisor es nula IE=0, también

la corriente de huecos que cruza la unión de colector IpC=0; la unión de colector (JC) de
las capas de base y colector, se comporta como un diodo polarizado inversamente y la
corriente de colector será ICBO=ICO, siendo la corriente de saturación de la unión.
Por consiguiente, sí la corriente de emisor I E ≠ 0 , se tiene que la corriente de

colector está integrada por la corriente procedente del emisor más la corriente de
saturación IC= IpC + ICO.
14.7 POLARIZACIÓN DE UNA SOLA UNIÓN DEL TRANSISTOR.
En la figura 14.9, se muestra la polarización para un transistor del tipo NPN, con
polarización única de las uniones emisor JE y del colector JC.
Para polarización directa de la unión de

emisor habrá cruce de portadores de carga
mayoritarios (Forward) IF=IE=IB.
Para polarización inversa de la unión de

colector, habrá cruce de portadores de
carga minoritarios, corriente de saturación
(Reverse) IR=ICBO=ICO.
Figura 14.9
109
Electrónica I DAA
14.8 RELACIÓN ENTRE LAS CORRIENTES DEL TRANSISTOR BIPOLAR EN

FUNCIÓN DE LAS GANANCIAS (en corriente directa).
Relación de parámetros del transistor:
Corrientes. I E = IC + I B (14.1
IC IC
Ganancias. β= (14.2 α= (14.3
IB IE
De la ecuación 14.1 despejando a corriente IB.

I B = I E − IC
Substituyendo en la ecuación 14.2.
IC
β=
I E − IC
Dividiendo el segundo miembro entre IE, al numerador y al denominador.

IC
IE α
β= = ; β >> 1 (14.4
( I E − IC ) 1 − α
IE
Despejando a α de la ecuación 14.4.
β (1 − α ) = α
β − βα = α , β = α + αβ = α (1 + β )
β
∴ α= ; α <1 (14.5
1+ β
Relación de las corrientes.
1
IC = β I B , IB = IC
β
1
IC = α I E , IE = IC
α
β 1+ β
IC = IE , IE = IC
1+ β β
1
I E = I B + I C = I B + βI B = ( 1 + β )I B , I B = IE
1+ β
110
Electrónica I DAA
Tabla de conversión de corrientes.

a IB IC IE
De
IB × 1 β 1+ β
IC × 1 1 1+ β
1 o
β α β
IE × 1 β
αo 1
1+ β 1+ β
Para la configuración de conexión del transistor en base común, mostrado en la
figura 14.8, la corriente de colector en función de los portadores de carga.
IC = I pC + I nC
= α I E + I CBO (14.6
También:
I E = IC + I B (14.1
Substituyendo la ecuación 14.1 en la ecuación 14.6.
I C = α ( I C + I B ) + I CBO
Despejando a IC.
I C − α I C = α I B + I CBO
I C (1 − α ) = α I B + I CBO
Dividiendo entre (1 − α ) .
α 1
IC = IB + I CBO
1−α 1−α
1
= β IB + I CBO
 β 
1− 
1+ β 
= β I B + ( 1 + β ) ICBO (14.7
La expresión de la ecuación 14.7 aplicable a la configuración de conexión de

emisor común (figura 14.11), teniendo como corriente de entrada a IB y como corriente
de salida IC; para IB=0, la corriente de colector pasa a ser ICEO; es decir la corriente de
colector con la base abierta, relacionando ambas corrientes inversas.
ICEO = ( 1 + β ) ICBO (14.8
111
Electrónica I DAA
Ejemplo de corrientes de fuga.
Un transistor tiene una corriente de colector base estando el emisor abierto

(ICBO) de 50 µA, para la conexión de base común, el transistor tiene una ganancia en
corriente de 100 (β); determinar la corriente colector emisor con la base abierta (ICEO)
de la configuración emisor común, Aplicando la ecuación1 4.8.
Solución: ICEO = (1 + β ) I CBO = ( 1 + 100 ) 50 × 10−6
= 5050 × 10 −6 A = 5.05 mA
Del resultado vemos que la corriente inversa es muy elevada y esta cruza la
resistencia de la unión de valor grande, por efecto Joule se tendrá un calentamiento
excesivo de la unión polarizada inversamente provocando la destrucción del transistor.
Se recomienda que en la configuración de base común no se abra conexión de la

base estando energizado el circuito del transistor. Por lo que respecta al material
empleado en la construcción de transistores el silicio y el germanio, se tiene que las
corrientes inversas son despreciables en el silicio y se deben considerar para el
germanio; corroborándolo con las hojas de datos de los fabricantes de dispositivos
electrónicos.
14.9 FORMAS DE OPERACIÓN DEL TRANSISTOR.
El transistor de unión opera como amplificador o como conmutador, dependiendo

del tipo de polarización de las uniones de emisor y de colector.
El siguiente juego de ejes coordenados sintetiza la operación del transistor

bipolar, correspondiendo la parte positiva de los ejes a la polarización directa de las
uniones y la parte negativa a la polarización inversa.
Figura 14.10
112
Electrónica I DAA
14.10 CONFIGURACIÓN DE CONEXIÓN DE TRANSISTORES

BIPOLARES.
Los circuitos de la figura 14.11, presentan las alternativas de conexión de un

transistor como amplificador, empleando un transistor del tipo NPN y las gráficas de
comportamiento en la entrada y la salida del circuito.
Configuración Base Común.
Configuración Emisor Común.
Configuración Colector Común.
Figura 14.11
Cabe aclarar que la operación del transistor como amplificador es independiente

de la configuración adoptada dentro del circuito, es decir para las configuraciones del
tipo de emisor común, base común y de colector común.
113
Electrónica I DAA
14.11 DETERMINACIÓN DEL TIPO Y ESTADO DEL TRANSISTOR.
1. Determinación del tipo de transistor por medio de un óhmetro del tipo

analógico.
Para la prueba se cuenta con un óhmetro, en el cual se sabrá de antemano la

polaridad como fuente de tensión (de lo contrario determinarla) y que básicamente es
un galvanómetro con escala graduada en ohm en serie con una batería; el
galvanómetro nos registrará valores en escalas, que podrán seleccionarse en
parámetros de ohm (Ω), kilohm (KΩ) o megaohm (MΩ).
Procedimiento.
1º En la escala de ohm x1 (Rx1) se efectuará la medición entre las terminales del
transistor (tres) en forma alternativa. Encontrándose que una de ellas registra lectura de
baja resistencia (10 - 20 Ω) con las otras dos terminales; sí la terminal común es
positiva (+), tendremos que ésta es la base y por la polarización directa de las uniones
de emisor y colector, el transistor es NPN (ver figura 14.12). Para el transistor PNP la
terminal común será negativa (ver figura 14.11).
Figura 14.12
2º En la escala de megaohm (MΩ) efectuar la medición de las dos terminales

restantes (que corresponderán a las terminales del emisor y el colector) y nos dará una
lectura ∞ y otra ligeramente menor a está, considerándola baja.
Para el transistor NPN en la lectura baja la terminal positiva será el emisor y para el
transistor PNP será la terminal negativa la que corresponda al emisor.
Ésta ocurre por ser mayor la corriente de saturación de la unión EB (JE),
derivada de la fabricación de las capas del transistor (ésta unión es la más
impurificada).
114
Electrónica I DAA
2. Determinación del tipo de transistor por el método de tensión aplicada a las

uniones del transistor.
Cuando no es posible determinar el emisor del transistor bipolar por medición de

resistencia, nos valemos del circuito elemental, de la figura 14.13; aplicándolo para un
transistor bipolar del tipo NPN.
Figura 14.13
Sí el transistor se encuentra en polarización FR, circula corriente de colector (IC)

de un valor apreciable y podremos determinar a la vez la βcd del transistor para estos
valores elegidos.
Valores propuestos para la medición:

RB = 100 KΩ, RC = 1KΩ, VCC = 1.5 V, Silicio
Ejemplo de la determinación del tipo de transistor, concerniente al emisor:
Lectura de corriente de colector IC = 0.8 mA.

Determinación de la corriente de base.
VCC − I B RB − VBE = 0
VCC − VBE 1.5 − 0.7

IB = = 3
= 8 × 10 −3 A = 0.008 mA = 8 µ A
RB 100 × 10
Determinación de la beta del transistor.

I C 800 × 10 −6
β= = = 100
IB 8 × 10 −6
Como se puede apreciar de los cálculos, las mediciones nos corroboran la

polarización correcta del transistor, por el hecho de existir un valor de corriente del
colector (de un valor significativo) y de otra forma, su ausencia de corriente denota que
la polarización es incorrecta, esto por la posición equivocada del emisor.
115
Electrónica I DAA
14.12 EL CIRCUITO DE EMISOR COMÚN
Un transistor NPN es conectado en un circuito con configuración de emisor-

común a una fuente variable de tensión en su base y a una fuente variable de tensión
en su colector, como se puede ver en la figura 15.5. Se conectan miliampérmetros y
vóltmetros en las terminales de base y de colector. En el circuito de base, los medidores
dan una lectura de la corriente de la base (IB) y la tensión base a emisor (VBE). En el
circuito de colector la lectura de los medidores es corriente de colector (IC) y la tensión
emisor a colector (VCE).
IC
mA
IB
mA VCE V VCC
VBB
V VBE
Figura 14.14
La fuente de tensión de la base VBB, en la figura 14.14 se ajusta para poner a la

corriente IB a un valor fijo. Luego, la tensión colector a emisor VCE, se aumenta. La
corriente del colector aumenta muy rápidamente a un valor particular, que no cambia ya
con mayores incrementos en tensión VCE. En la figura 14.15 se presenta una familia de
curvas donde se utilizan los valores discretos de corriente IB como la variable
independiente, para mostrar la característica del colector en una configuración en
emisor-común la corriente IC es la variable dependiente y la tensión VCE es la variable
independiente. Para un valor particular de corriente IC, al valor mínimo posible de
tensión VCE capaz de mantener esa corriente específica, se le llama el voltaje de
saturación VCE,sat. Estos valores de tensión VCE,sat son del orden de una fracción de 1
volt. En la figura 14.15 se indica un voltaje VCE,sat particular. Para simplificar los cálculos,
se usan las curvas ideales, como las mostradas en la figura 14.15.
Figura 14.15
116
Electrónica I DAA
Las características reales del colector de un transistor, muestran un ligero

aumento en la corriente de colector cuando se incrementa VCE.
Un trazador de curvas de transistores es una especie de osciloscopio que

presenta las curvas características del transistor en una pantalla calibrada. Las fuentes
de potencia que proporcionan la polarización de los transistores están contenidas en el
mismo trazador y se pueden probar ambos tipos de transistores NPN y PNP. El
desplegado de la figura 14.15 requeriría de seis pasos de corriente de base en
intervalos de 20µA desde 0 hasta 100µA, un control establece los pasos de la corriente
de base.
Por lo que respecta al circuito de emisor, los valores numéricos de corriente de

tres puntos específicos de la característica de colector de la figura 14.15 son:
Punto A IB = 80 µA IC = 4 mA
Punto B IB = 40 µA IC = 2 mA
Punto C IB = 60 µA IC = 3 mA
Dado que la corriente del emisor es la suma de la corriente de base y la corriente
de colector, en cada uno de estos puntos la corriente de emisor es:
Punto A IE = IB + IC = 80 µA + 4 mA = 4.08 mA = 4080 µA

Punto B IE = IB + IC = 40 µA + 2 mA = 2.04 mA = 2040 µA
Punto C IE = IB + IC = 60 µA + 3 mA = 3.06 mA = 3060 µA
Por lo que respecta alas ganancias de corriente del transistor Beta y Alfa de cd
(βcd y αcd), en la configuración de conexión del circuito de emisor común.
Usando la definición de beta, dada en la ecuación 14.2, tenemos:
Punto A βcd = IC / IB = 4000 µA / 80 µA = 50

Punto B βcd = IC / IB = 2000 µA / 40 µA = 50
Punto C βcd = IC / IB = 3000 µA / 60 µA = 50
Y también empleando la definición de alfa, dada en la ecuación 14.3, tenemos:
Punto A αcd = IC / IE = 4 mA / 4.08 mA = 0.98

Punto B αcd = IC / IE = 2 mA / 2.04 mA = 0.98
Punto C αcd = IC / IE = 3 mA / 3.06 mA = 0.98
Estos cálculos muestran que los valores de βcd y αcd son valores constantes en la
región de la característica del colector, donde las curvas de corriente del colector son
horizontalmente idealmente.
117
Electrónica I DAA
14.13 BETA Y ALFA EN CORRIENTE ALTERNA (βca y αca) DE UN

TRANSISTOR.
La beta3 de C.A., βca, se define como la razón del cambio en la corriente del
colector ∆IC y el cambio correspondiente en la corriente de la base ∆I B, en un punto de
operación dado, para un valor constante de VCE.
∆I C
β ca. = VCE = Cte (14.9
∆I B
Note que el cambio en la corriente total, es igual a la corriente alterna.
Similarmente, la alfa4 de ca αca, se define como la razón del cambio en la

corriente del colector ∆IC y el cambio correspondiente en la corriente del emisor ∆IE, en
un punto de operación dado, para un valor constante de VCE.
∆I C
α ca = VCE = Cte. (14.10
∆I E
Continuando con el análisis del circuito de emisor común y siguiendo

con la curva característica de la figura 14.15, ahora, consideremos que el cambio es del
punto B al punto C en las características del colector, utilizando los valores numéricos
tenemos:
∆IC = 3.0 -2.0 = 1.0 mA = 1000 µA

∆IB = 60 - 40 = 20 µA
∆IE = ∆IC + ∆IB = 1.0 mA + 20 µA
= 1.020 mA = 1020 µA
Para obtener βca, con los valores numéricos, tenemos:
βca = ∆IC / ∆IB = 1000 µA / 20 µA = 50

Sustituyendo los valores numéricos para calcular αca, se tiene:
αca = ∆IC / ∆IE = 1000 µA / 1020 µA = 0.98
3
Algunos fabricantes usan el símbolo hje para βca
4
Algunos fabricantes usan el símbolo -hjb para αca
118

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3.1 COMPONENTE PASIVO.

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En general los parámetros de corriente o de tensión, en un elemento pasivo es

Función general Función senoidal Función cosenoidal

Variable v v = Vmax senωt v = Vmax cosωt

Resistor (R) v Vmax Vmax

Inductor (L) 1 Vmax Vmax

Capacitor (C) dv iC = ω CVmax cos ωt iC = ω CVmax ( − sen ωt )

Las gráficas de las funciones de las corrientes, derivadas de la tensión aplicada,

La gráfica de las funciones de las corrientes, representadas en forma temporal

Para la corriente tomada del tipo de función senoidal

La caída de tensión en la inductancia, que se genera al circular la corriente es:

La caída de tensión en la inductancia será:

Del resultado anterior, tenemos que la tensión se adelanta 90º sexagecimales

O también la corriente se atrasa 90º sexagecimales, con respecto a la caída de

v L = ω L I max sen ω t e i = I max sen( ω t − 90 )

La diferencia de potencial o caída de tensión en un componente pasivo se exhibe

Variable i i = I max senωt i = I max cosωt

Resistor (R) v R = Ri vR = RI max senωt vR = RI max cos ω t

Inductor (L) di v L = ω LI max cos ωt vL = ω LImax ( − sen ωt )

Capacitor (C) 1 I max I max

En las ecuaciones tendremos que los parámetros quedan definidos por:

La velocidad angular ω = 2 π f (rad), la reactancia inductiva XL =ω L (Ω) y la

El tratamiento matemático para la determinación de los parámetros tensión o

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4.1 RESISTENCIAS DE VALOR FIJO.