Aleaciones

Materiales
naturales

Proceso de diseño y construcción

Síntesis de Material Material de componentes o estructuras
Procesamiento procesado (requiere de selección o diseño de
materiales sintético
materiales)

Depende de Tipo de material Requerimientos de diseño

de equipos, componentes o
estructuras
Estructura del material Propiedades del material
*Función
*Condiciones de operación o uso del
componente
Comportamiento *Factores ambientales y externos
Influye en del material *Otros

Estructura Estructura
amorfa cristalina

Tienen
defectos 1
 Los arreglos atómicos y iónicos
Defectos atómicos y
en los materiales no son
iónicos
perfectos

La mayoría de los materiales de materiales no

son elementos puros, son aleaciones o mezclas
de distintos elementos o compuestos

Los distintos tipos de átomos o iones se

PROCESAMIENTO DE MATERIALES

difunden o mueven dentro del material

Movimiento de átomos y iones en los materiales

Difusión

Solidificación Técnica de procesamiento

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 MOVIMIENTO DE ÁTOMOS Y IONES
EN LOS MATERIALES

DIFUSIÓN
Mecanismo de por el que materia se transporta a través de materia

Fenómeno de transporte por movimiento de átomos

 Fuente: https://steemit.com/spanish/@hugobohor/difusion-un-mundo-de-aplicaciones-difusion-en-medios-
porosos

Difusión : Fenómeno de transporte de masa por movimiento atómico

(átomos o moléculas)
Gases y líquidos: movimiento aleatorio (Browniano)
Sólidos: Difusión por vacancias o difusión intersticial- Difusión más lenta. 4
 Busca eliminar las diferencias de concentración y llegar a una
composición homogénea y uniforme.

 La magnitud de la difusión depende del gradiente inicial de

concentraciones y de la temperatura.
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 Tipos de difusión
Difusión de átomos a través de un sólido constituido por
Autodifusión: átomos de su misma naturaleza. En metales puros, los átomos
del mismo tipo pueden intercambiar posiciones. En este caso
no pueden haber cambios en la composición.

http://www.iim.unam.mx/mbizarro/Difusion%20en%20solidos.pdf
Los átomos están en continuo movimiento, la movilidad A una temperatura
atómica requiere dos condiciones: determinada una pequeña
1) un lugar vecino vacío fracción del número de
2) Suficiente energía para romper los enlaces con los átomos es capaz de difundir
átomos vecinos y distorsionar la red durante el debido a la magnitud de su
desplazamiento. energía vibratoria.
Tipos de difusión

Interdifusión o difusión Se puede dar que los átomos de un metal difunden

en el otro. Los átomos migran de las regiones de
de impurezas: alta concentración a la de baja concentración.

http://www.iim.unam.mx/mbizarro/Difusion%20en%20solidos.pdf
Tipos de difusión

Interdifusión o difusión de impurezas:

Variables del proceso
Ejemplo Generales:

Elevada Temperatura
Largo periodo de tiempo
2 metales
puros Cu-
Ni en
contracto
por sus Composición varia con la
distancia
caras
Mecanismos principales de difusión

Mecanismo por Mecanismo

vacantes intersticial
 Intercambio de un átomo de una posición
Mecanismo por vacantes reticular normal a una vacancia o lugar
reticular vecino vacío

Depende de:

Número de vacantes
Energía de activación para el intercambio.

¿Cuándo habrá movimiento

de los átomos?

Plano de átomo con una vacante  Vacantes o defectos próximos para

movimiento.
 Alta energía térmica de los átomos para
vencer la Energía de activación.

Mayor temperatura MAYOR número de vacantes

Mayor Energía térmica para vencer la de
activación lo que genera una mayor difusión.
Energía potencial
 Átomos en posiciones intersticiales se
Mecanismo Intersticial desplazan a otras posiciones intersticiales
vacías sin desplazar permanentemente a
ningún átomo de la matriz.

Los átomos que difunden

intersticialmente son
pequeños respecto de los de
la matriz (ejemplo: N, O, C, en
redes cristalinas metálicas)

Ejemplo: Átomos de C pueden

difundir intersticialmente en Feα (BCC)
y en Fe-γ (FCC)
Mecanismos de difusión y energía de activación

Fuente: http://ocw.uc3m.es/ciencia-e-oin/tecnologia-de-materiales-industriales/material-de-clase-1/Tema4-Difusion.pdf
¿Cómo se cuantifica la tasa de difusión?
Cantidad de masa (nº de átomos) M que difunden
Flujo de difusión (J)= perpendicularmente a través de un área (A) de un sólido
por unidad de tiempo t

Difusión en estado estacionario (J constante con el Tiempo): 1a Ley de Fick.

Difusión en estado no estacionario (J no constante con el tiempo): 2a Ley de

Fick.

Se dijo que era un fenómeno de transporte de masa

 Difusión en estado estacionario 1ª Ley de Fick
Estado Estacionario: J es constante ya que No cambia la concentración de átomos
de soluto en un punto con el tiempo.

La dirección de difusión es contraria al gradiente de

concentración: Va de alta a baja concentración
 EJEMPLO

Se deposita una capa de 0.05 cm de óxido de magnesio (MgO) entre capas de Ni

(Estructura FCC) y de Ta para formar una barrera que evite reacciones entre los
dos metales.

A 1400ºC, se forman iones Ni y se difunden a través de la cerámica de MgO y

llegan al Ta.

Determine la cantidad de iones Ni que atraviesan el MgO cada segundo. El

coeficiente de difusión de los iones Ni en MgO es 9*10-12 cm2/s y el parámetro de
red del Ni a 1400 ºC es 3.6*10-8 cm
¿Átomos de Ni que atraviesan MgO cada segundo?

©2003 Brooks/Cole, a division of Thomson Learning, Inc. Thomson Learning ™ is a trademark used herein
under license.

Difusión de Ni
La composición del Ni en la interfaz Ni/MgO es 100% Ni:

atoms
4 Ni
22 atoms
c Ni / MgO 
unitcell
8
(3.6 10 cm) 3
 8.57 10
cm 3

La composición de Ni en la interfaz Ta/MgO es 0% Ni. El gradiente de

concentración:
atoms
0  8.57  1022
c cm3  1.71 1024 atoms

x 0.05cm cm3.cm
El flujo de átomos de Ni a través de la capa de MgO:

c 12 24 atoms
J  D  (9  10 cm / s )(1.71 10
2
)
x 3
cm .cm
13 Niatoms
J  1.54  10
cm 2 .s

La cantidad total de átomos de Ni que cruza la interfaz de 2cm*2cm cada segundo:

Total Ni /s = J*(Area) = (1.54  1013 atoms/cm2.s) * (2 cm)(2

cm)
= 6.16  1013 Ni atoms/s
Factores que influyen en la difusión
La capacidad de difusión de átomos o iones se incrementa con el
aumento de la temperatura.

La rapidez del movimiento de estos átomos se expresa:

Rapidez (D)= Capacidad de difusión (m2/s)

C0= Constante de proporcionalidad (m2/s)
R = cte de los gases (1,987 cal/mol*K o 8,314 J/mol*k)
T =absoluta (K)
Q = Energía de Activación (J/mol) o (cal /mol)
EJEMPLO
Suponga que se determina que los átomos intersticiales pasan de un
sito a otro a velocidades de 5 * 108 saltos/s, a 500 °C y a 8 * 108
saltos/s, a 800 °C. Calcule la energía de difusión.
 APLICACIÓN DE LA DIFUSIÓN Y EL PROCESAMIENTO DE LOS MATERIALES
 Endurecimiento superficial del acero (engranajes o ejes): Proceso de Carburación o
Cementación (CH4-N2): Aumenta contenido en Carbono. Difusión de carbono

 Fabricación de circuitos electrónicos integrados con obleas de silicio dopados con impurezas
para modificar las características de la conductividad térmica.

 Nitruración de polvo de Si: Si3N4- aumento de nitrógeno superficial. Difusión de nitrógeno

 Metalurgia de polvos: El polvo se compacta y luego se calienta, dejando que la difusión se

encargue de unir las partículas formando al sólido-Sinterización

 Control de las transformaciones de fase en los tratamientos térmicos de metales.

 Recubrimientos protectores

 Soldadura por difusión

 Cerámicas conductoras

 Oxidación de aluminio
Cementación
Sinterización

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Formación de puentes o cuellos entre las partículas o granos independientes, para formar
un compacto con las partículas ya unidas. Importante en el conformado/fabricación de
materiales cerámicos.
Soldadura por difusión
a) Al principio, el área de
contacto es pequeña.
b) Al aplicar presión se
deforma la superficie y
aumenta el área de
contacto.
c) La difusión en límite de
grano permite contraer los
huecos.
d) Por último para la
eliminación final de los
huecos se requiere una
difusión en volumen.

Una vez obtenidas las superficies lo suficientemente comprimidas a temperaturas altas, los
átomos se difunden a través de los límites del grano.
Tratamientos superficiales: Recubrimientos

El recubrimiento puede actual como barrera térmica.

Dopar Silicio con P, semiconductores tipo n