Electrónica Industrial AB

José Yepez ci: 24.559.712

Sede Puerto Ordaz

Asignación 1 Corte 1
 UJT
Definición El transistor de unión única o sus siglas UJT del inglés
significa (Uni Junction Transistor). Es un componente
electrónico de conmutación a base de
semiconductores en sus 3 terminales.
Características Estáticas VRWN --> Tensión inversa de Trabajo máximo
VFDM --> Tensión directa de Trabajo máximo
VFT --> Caída de tensión directa de cebado
IFAV, Ief --> Corriente media y corriente eficaz
IFD --> corriente directa de fugas (en corte)
IR --> Corriente inversa de fugas
TF --> Temperatura de funcionamiento
IH --> Corriente de mantenimiento
Caracteristicas Dinamicas Comportamiento del tiristor frente a sobre
tensiones: Podemos sobrepasar durante un tiempo
menos de 10 ms, la tensión VRWM sin peligro de
dañar al tiristor.
Utilidad Es un componente electrónico que actúa como un
interruptor sensible al voltaje. A diferencia de un
transistor de unión estándar, éste no amplifica las
corrientes y como tal no se usa en circuitos
amplificadores.
Aplicación (Circuito)
PUT
El PUT es un semiconductor de cuatro capas cuyo
funcionamiento es similar al del UJT. Es un tipo
de tiristor y a veces se le llama “tiristor disparado
por ánodo” debido a su configuración.
Su alta sensibilidad, les permite trabajar con
elevados valores de resistencia de
temporización o pequeños valores de
capacitancia, en aplicaciones de baja corriente,
tales como temporizaciones muy largas o en
circuitos alimentadas con baterías.
DIAC
Es un dispositivo semiconductor de dos conexiones. Es
un diodo bidireccional disparable que conduce la
corriente sólo tras haberse superado su tensión de
disparo, y mientras la corriente circulante no sea inferior
al valor característico para ese dispositivo.
• Vak menor que cero (zona de bloqueo inverso): Dicha
condición corresponde al estado de no conducción en inversa,
comportándose como un diodo.
• Vak mayor que cero con disparo (zona de bloqueo
directo): El tiristor se comporta como un circuito abierto hasta
alcanzar la tensión de ruptura directa.
• Vak mayor que cero con disparo (zona de
conducción): Se comportara como un cortocircuito, si una vez ha
ocurrido el disparo, por el SCR circula una corriente superior a la
corriente de enclavamiento. Una vez en conducción, se
mantendrá si el valor de la corriente ánodo-cátodo es superior a
la corriente de mantenimiento.
La característica de conmutación determina sus pérdidas
de conmutación y su frecuencia máxima de
funcionamiento, de la misma forma que se hizo para el
transistor.
• Controles de relevador.
• Circuitos de retardo de tiempo.
• Fuentes de alimentación reguladas.
• Interruptores estáticos.
• Controles de motores.