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ve grandes tensiones cuando la

corriente de base es cero

Se usa como medida de la capacidad La corriente total que fluye casi por
Los BJT con SOA limitados aislante, el voltaje del transistor completo corriente de difusión
Emisor: se comporta entre entrada
pueden requerir una trayectoria de Base: terminal de
conmutación controlada por y salida (emisor – común)
entrada
circuitos de amortiguadores tanto B-E (base-emisor) es de polarización
hay un voltaje máximo de colector-
durante el encendido como en el directa.
apagado Colector: terminal de emisor cuando lleva una corriente
salida sustancial del colector. C-B de polarización inversa.

Las diversas curvas se distinguen, por En la zona activa


ÁREAS DE OPERACIÓN el valor de la corriente de la base
Tiene tres terminales:
SEGURA
proporciona la amplificación de La ganancia se caracteriza por la
corriente (potencia) relación entre la corriente del
ESTRUCTURAS
salvo en frecuencias altas de CARACTERÍSTICAS I-V colector y la corriente de la base
VERTICALES
conmutación, ocurre cuando el (beta)
transistor está en estado activo, MECANISMO DE GANANCIA
PÉRDIDAS EN ESTADO BÁSICA Y BETA
por lo regular, en saturación Transistores de Unión
ACTIVO FÍSICA DE LA
severa Bipolar y Darlington
OPERACIÓN BJT el índice de la tensión del colector
Monolíticos
baja con lentitud debido a la
RUPTURA SECUNDARIA CUASISATURACIÓN
reducción en beta que acompaña la
Conforme disminuye la tensión del operación del transistor
colector, hay un aumento de la CONMUTACIÓN DE DARLINGTON
CARACTERÍSTICAS DE
corriente del colector y un aumento MONOLÍTICOS
TENSIONES DE RUPTURA CONMUTACIÓN
de la disipación de potencia
ENCENDIDO Se suministra una carga al transistor,
Tienen mayores ganancias de de modo que se establezcan y
corriente APAGADO mantengan distribuciones de carga
Un BJT no puede bloquear la tensión
almacenada similares
Si esta situación no termina en un de polaridad opuesta porque la unión
B-E tiene una tensión de ruptura retira toda la carga almacenada en el
tiempo muy breve, provocará la La corriente de base al BJT es más grande de la
mucho más baja que la unión C-B transistor. Esto se logra al reducir sólo
destrucción del dispositivo corriente de base que se suministraría a un BJT
debido al dopaje tan grave normales la corriente de la base
sencillo
son de 5 a 20 V.

1) controlar la disipación total de


potencia
2) evitar toda falta de uniformidad de
densidad de la corriente, en especial
durante el encendido y apagado
Esquema del Dispositivo Ruptura secundaria y cuasi saturación

Curvas de encendido y apagado

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