Se usa como medida de la capacidad La corriente total que fluye casi por Los BJT con SOA limitados aislante, el voltaje del transistor completo corriente de difusión Emisor: se comporta entre entrada pueden requerir una trayectoria de Base: terminal de conmutación controlada por y salida (emisor – común) entrada circuitos de amortiguadores tanto B-E (base-emisor) es de polarización hay un voltaje máximo de colector- durante el encendido como en el directa. apagado Colector: terminal de emisor cuando lleva una corriente salida sustancial del colector. C-B de polarización inversa.
Las diversas curvas se distinguen, por En la zona activa
ÁREAS DE OPERACIÓN el valor de la corriente de la base Tiene tres terminales: SEGURA proporciona la amplificación de La ganancia se caracteriza por la corriente (potencia) relación entre la corriente del ESTRUCTURAS salvo en frecuencias altas de CARACTERÍSTICAS I-V colector y la corriente de la base VERTICALES conmutación, ocurre cuando el (beta) transistor está en estado activo, MECANISMO DE GANANCIA PÉRDIDAS EN ESTADO BÁSICA Y BETA por lo regular, en saturación Transistores de Unión ACTIVO FÍSICA DE LA severa Bipolar y Darlington OPERACIÓN BJT el índice de la tensión del colector Monolíticos baja con lentitud debido a la RUPTURA SECUNDARIA CUASISATURACIÓN reducción en beta que acompaña la Conforme disminuye la tensión del operación del transistor colector, hay un aumento de la CONMUTACIÓN DE DARLINGTON CARACTERÍSTICAS DE corriente del colector y un aumento MONOLÍTICOS TENSIONES DE RUPTURA CONMUTACIÓN de la disipación de potencia ENCENDIDO Se suministra una carga al transistor, Tienen mayores ganancias de de modo que se establezcan y corriente APAGADO mantengan distribuciones de carga Un BJT no puede bloquear la tensión almacenada similares Si esta situación no termina en un de polaridad opuesta porque la unión B-E tiene una tensión de ruptura retira toda la carga almacenada en el tiempo muy breve, provocará la La corriente de base al BJT es más grande de la mucho más baja que la unión C-B transistor. Esto se logra al reducir sólo destrucción del dispositivo corriente de base que se suministraría a un BJT debido al dopaje tan grave normales la corriente de la base sencillo son de 5 a 20 V.
1) controlar la disipación total de
potencia 2) evitar toda falta de uniformidad de densidad de la corriente, en especial durante el encendido y apagado Esquema del Dispositivo Ruptura secundaria y cuasi saturación
