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TEMA 6: MEMORIAS SEMICONDUCTORAS
6.1.- Introducción y clasificación de las memorias.
6.2.- Memorias de acceso aleatorio: RAM y ROM.
6.3.- Memorias de acceso secuencial: FIFO y LIFO.

6.1.- Introducción y clasificación de las memorias
INTRODUCCIÓN: DEFINICIÓN DE MEMORIA

Vimos que los registros son dispositivos constituidos por una serie de cerrojos o flip-flops que sirven para
almacenar palabras de bits. Se usan cuando el número de bits a memorizar es pequeño y si se necesita
acceder simultáneamente a todos ellos.
Las memorias son dispositivos específicamente diseñados para el almacenamiento masivo de información
digital. Se fabrican con un alto nivel de integración y se usan:
- En sistemas programables.
- Cuando hay un gran número de bits a memorizar.
- Si no se necesita acceder simultáneamente a toda la información. I (I1 I2 I3 I4 … In-1 In)
POSICIONES DE MEMORIA
R1 1 2 3 4 n-1 n
DIRECCIONAMIENTO R2 1 2 3 4 … n-1 n
A1 …
DIRECCIÓN
R3 1 2 3 4 n-1 n
CAPACIDAD: A2
A3 R4 1 2 3 4 … n-1 n
. ..
2m  n bits .
. . .. .. .. .. .. ..
Am . . . . … . .
2m = M …
RM 1 2 3 4 n-1 n
O (O1 O2 O3 O4 … On-1 On)

6.1.- Introducción y clasificación de las memorias
CLASIFICACIÓN DE LAS MEMORIAS

Las memorias pueden clasificarse atendiendo, por un lado, al modo en el que se accede a los datos que
contienen y, por otro, a la forma de almacenamiento de dichos datos:
MEMORIAS
MODO DE ACCESO SECUENCIAL

ACCESO ALEATORIO
ACCESO o SERIE
Lectura-escritura Sólo lectura FORMA DE Registros de

RAM ROM ALMACENAMIENTO desplazamiento
Programadas Programables
Estáticas Dinámicas en el proceso por el usuario FIFO/LIFO
de fabricación PROM/EPROM
6.2.- Memorias de acceso aleatorio: RAM y ROM
En las memorias de acceso aleatorio, el tiempo que se tarda en acceder a una determinada
posición de la memoria es independiente de la posición escogida. Existen dos tipos principales: las
de lectura-escritura (RAM) y las de solo lectura (ROM).
MEMORIAS DE LECTURA-ESCRITURA (RAM)

Las siglas RAM significan Random Access Memory. En una memoria de lectura-escritura, cada bit
se almacena en una CELDA RAM:
DESCRIPCIÓN FUNCIONAL: ESTRUCTURA REAL:
W·S
I D Cada celda RAM está
CERROJO constituida por seis
DINÁMICO I transistores MOS.
W
E Q O
S O
S DESCRIPCIÓN EXTERNA:
I: Entrada de datos.
S: Selección de celda. I
W: Habilitación de escritura. CELDA
O
O: Salida de datos. W RAM
S
ESTRUCTURA INTERNA Y DESCRIPCIÓN EXTERNA
O3
O O O O O O O O
CELDA CELDA CELDA CELDA CELDA CELDA CELDA CELDA
03 13 23 33 43 53 63 73
I W S I W S I W S I W S I W S I W S I W S I W S
I3
SALIDA DE DATOS
O2
O O O O O O O O
ENTRADA DE DATOS
02 12 22 32 42 52 62 72
I2
O1
O O O O O O O O
01 11 21 31 41 51 61 71
I1
O0
O O O O O O O O
00 10 20 30 40 50 60 70
I0
R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 I0 I1 I2 I3
A2
CS
A1 RAM
8x4 bits
A0 WE
O0 O1 O2 O3
DECODIFICADOR
A2 A1 A0 WE CS
HABILITACIÓN SELECCIÓN
BITS DE DIRECCIÓN DE ESCRITURA DE CHIP

TERMINALES DE ENTRADA-SALIDA
Para reducir el número de patillas en la periferia de los circuitos integrados de memoria se
utilizan terminales de entrada-salida comunes:
R7
I I I I
CELDA CELDA CELDA CELDA
W 70 O W 71 O W 72 O W 73 O
DECODIFICADOR S S S S
WE
CS
A2
CS
A1
RAM
8x4 bits D0 D1 D2 D3
WE
A0
D0 D1 D2 D3
TERMINALES DE ENTRADA Y SALIDA DE DATOS
MEMORIAS RAM DINÁMICAS (DRAM)

En ellas los bits se almacenan en capacidades en lugar de en biestables:
D1 D2 D3 ... Dn
R1
Celda DRAM
Cada celda DRAM está
R2 constituida por dos
transistores MOS.
RM
VENTAJAS: INCONVENIENTES:
- Mayor densidad de integración. - Pérdida de cargas  necesidad de refresco.
- Coste más bajo para altas capacidades. - Durante el refresco no se accede a la información.
MEMORIAS DE SOLO LECTURA (ROM)

Las siglas ROM significan Read Only Memory. En ellas los contenidos, una vez fijados, no
se pueden cambiar. Funcionalmente son equivalentes a un conversor de código.
m0
Ejemplo: supongamos que queremos
una memoria ROM de capacidad 84
bits con los siguientes contenidos: m1
D0
Posición de Dirección Datos m2
memoria A2 A1 A0 D3 D2 D1 D0
m0
m0 0 0 0 0 1 1 0 m4
m3 m5 D1
m1 0 0 1 0 0 0 1 A2 m6
m2 0 1 0 0 1 0 1 A1
m0
A0 m4 m2
m3 0 1 1 1 1 0 0 m3
m4
D2
m4 1 0 0 0 1 1 0 m7
m5
m5 1 0 1 1 0 1 1 m3
m6 1 1 0 1 0 1 0 m5 D3
m6
m7 1 1 1 0 1 0 1 m6
m7
DECODIFICADOR CODIFICADOR
MEMORIAS DE SOLO LECTURA (ROM)

El codificador ROM se implementa físicamente mediante diodos:
A
m0 Puerta OR con diodos: B
C Z = A+B+C
m1
R
D0
m2
A2 A1 A0
m0
m4
m3 m5 D1
A2 m6 DECODIFICADOR
A1
A0 m0 m0 m1 m2 m3 m4 m5 m6 m7
m4 m2
m3 D2
m4 R
m7
m5 D0
m3 R
m5
D1
D3
m6 R
m6 D2
R
m7 D3
DECODIFICADOR CODIFICADOR
El contenido de la ROM viene determinado por la presencia o ausencia de diodos en la matriz OR  la

memoria ROM es NO VOLÁTIL (no pierde la información cuando no hay alimentación).
MEMORIAS ROM PROGRAMABLES (PROM)

Para que el usuario pueda grabar los contenidos que desee en una ROM, se fabrican
fusibles en serie con los diodos. Donde se quiera almacenar un 0 lógico se hace pasar una
corriente intensa por el correspondiente fusible para eliminar la conexión en la matriz OR.
0 1 1
Ejemplo: grabar un 0 en el bit D2 de la
A2 A1 A0
posición 3 de la memoria.
DECODIFICADOR
m0 m1 m2 m3 m4 m5 m6 m7
0 0 0 1(VCC) 0 0 0 0
R
D0
R
D1
R D2
R I
D3
-VCC
MEMORIAS ROM RE-PROGRAMABLES (EPROM)

En las EPROM, Erasable-Programmable ROMs, los fusibles se sustituyen por transistores MOS con la
puerta “flotante”. Si en el proceso de programación se inducen cargas en la puerta del MOS, éste
conduce y se almacena un 1 lógico. Si no, el MOS no conduce y se almacena un 0 lógico.
A2 A1 A0
DECODIFICADOR
m0 m1 m2 m3 m4 m5 m6 m7
R
D0
R
D1
R
D2
R
D3
El borrado de la memoria consiste en la eliminación de las cargas en las puertas flotantes de los MOS:
a) UV-EPROM: El borrado hace mediante la exposición a radiación ultravioleta.
b) E2PROM: El borrado se hace mediante impulsos eléctricos  se puede reprogramar sin necesidad de
extraerla del circuito.
CONEXIÓN DE CIRCUITOS INTEGRADOS DE MEMORIA

a) Para aumentar el número de bits por palabra:
CS
WE
A2 A2 A2
A1 CS A1 CS
A1 RAM 1 RAM 2
8x4 bits A0 8x4 bits
A0 A0 WE WE
D0 D1 D2 D3 D0 D1 D2 D3
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
BUS de
8 líneas
CONEXIÓN DE CIRCUITOS INTEGRADOS DE MEMORIA

b) Para aumentar el número de palabras:
A3
WE
A2 A2 A2
A1 CS CS
A1 RAM 1 A1 RAM 2
8x4 bits 8x4 bits
A0 A0 WE A0 WE
D0 D1 D2 D3 D0 D1 D2 D3
D0
D1
D2
D3
BUS de
4 líneas
TIEMPOS DE CONMUTACIÓN
En las memorias se deben respetar una serie de especificaciones temporales para poder
leer y escribir correctamente en ellas. Ejemplos:
a) Diagrama de tiempos en una ROM ilustrando el efecto de un cambio de dirección:
t0 t1 t2 t3 t4
Dirección
(Ai)
tAA
Selección Chip no
de chip Chip
seleccionado seleccionado
(CS)
tCE tOH
Salida Datos no Datos

de datos Datos no
válidos válidos válidos
(Dj)
tAA: Tiempo de acceso.

tCE: Tiempo de habilitación de chip.
tOH: Tiempo de salida mantenida.
b) Diagrama de tiempos en una ROM ilustrando el efecto de la deshabilitación del chip:
t0 t1 t2 t3 t4
Dirección
(Ai)
tAA
Selección
Chip no Chip
de chip
seleccionado seleccionado
(CS)
tCE tCD
Salida Datos no Datos

de datos Datos no
válidos válidos válidos
(Dj)
tAA: Tiempo de acceso.

tCE: Tiempo de habilitación de chip.
tCD: Tiempo de deshabilitación de chip.
c) Diagrama de tiempos asociado a la escritura de datos en una RAM:
Selección
de chip
(CS)
Dirección
(Ai)
Entrada
de datos
(Dj)
Habilitación
de escritura
(WE)
tWSD tWHD
tWSA tW tWHA
tWSCS tWHCS
tWSD: Retardo de escritura para datos. tW: Anchura tWHD: Mantenimiento de escritura para datos.
tWSA: Retardo de escritura para dirección. del pulso de tWHA: Mantenimiento de escritura para dirección.
tWSCS: Retardo de escritura para selección de chip. escritura tWHCS: Mantenimiento de escritura para selección de chip.
6.3.- Memorias de acceso secuencial: FIFO y LIFO
En las memorias secuenciales, el tiempo que se tarda en acceder a una determinada posición de
la memoria depende de la posición escogida. Existen dos tipos principales: las FIFO y las LIFO.
MEMORIAS FIFO
Las siglas FIFO significan First Input First Output. Consisten básicamente en una serie de registros
de desplazamiento:
REGISTRO DE DESPLAZAMIENTO
O0
I0 SR0 k bits
ENTRADA DE DATOS
SALIDA DE DATOS
O1
I1 SR1 k bits
. .
. .
. .
On-1
In-1 SRn-1 k bits
Capacidad: k×n (k palabras de n bits)

W/R Reloj
MEMORIAS LIFO (PILAS)

Las siglas LIFO significan Last Input First Output. Tienen la siguiente estructura:
WE HABILITACIÓN DE ESCRITURA
On-1
ENTRADA DE DATOS
SALIDA DE DATOS
In-1
. .
. .
. .
I1 O1
O0
I0
D0 Q0 D1 Q1 Dn-1 Qn-1
REG. DESP. REG. DESP. REG. DESP.
SR0 SR1 ... SRn-1
k bits k bits k bits
DIRECCIÓN DE SD0 C0 SD1 C1 SDn-1 Cn-1
DESPLAZAMIENTO
SD
Reloj
Diferencias con las memorias FIFO: Capacidad: k×n (k palabras de n bits)
- No hay recirculación de datos.
- Los datos se escriben en, y se leen de, la misma etapa de los registros de desplazamiento.
- Los registros de desplazamiento son reversibles (SD).
MEMORIAS LIFO (PILAS)

Se puede construir una memoria LIFO a partir de una RAM y un contador reversible:
a) Cuando el terminal de lectura-escritura está en 0, el
contador se va incrementando y los datos se van Entrada/Salida de datos
escribiendo en posiciones sucesivas de la RAM.
b) Cuando el terminal de lectura-escritura está en 1, el
contador se va decrementando y los datos de la RAM se
van obteniendo en el orden inverso del que fueron
introducidos.
Dirección
CLK CONTADOR RAM
(Puntero de pila)
MR
U/D
Sentido de cuenta
R/W WE
Terminal de lectura-escritura

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TEMA 6: MEMORIAS SEMICONDUCTORAS

6.1.- Introducción y clasificación de las memorias.

6.2.- Memorias de acceso aleatorio: RAM y ROM.

6.3.- Memorias de acceso secuencial: FIFO y LIFO.

INTRODUCCIÓN: DEFINICIÓN DE MEMORIA

O (O1 O2 O3 O4 … On-1 On)

CLASIFICACIÓN DE LAS MEMORIAS

MODO DE ACCESO SECUENCIAL

Lectura-escritura Sólo lectura FORMA DE Registros de

MEMORIAS DE LECTURA-ESCRITURA (RAM)

MEMORIAS DE LECTURA-ESCRITURA (RAM)

MEMORIAS RAM DINÁMICAS (DRAM)

MEMORIAS DE SOLO LECTURA (ROM)

MEMORIAS DE SOLO LECTURA (ROM)

El contenido de la ROM viene determinado por la presencia o ausencia de diodos en la matriz OR  la

MEMORIAS ROM PROGRAMABLES (PROM)

MEMORIAS ROM RE-PROGRAMABLES (EPROM)

CONEXIÓN DE CIRCUITOS INTEGRADOS DE MEMORIA

CONEXIÓN DE CIRCUITOS INTEGRADOS DE MEMORIA

Salida Datos no Datos

tAA: Tiempo de acceso.

Salida Datos no Datos

tAA: Tiempo de acceso.

Capacidad: k×n (k palabras de n bits)

MEMORIAS LIFO (PILAS)

MEMORIAS LIFO (PILAS)

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