Circuito integrado

Es un circuito de bajo coste y fácil uso porque necesita de muy pocos componentes
exteriores.
Con este chip podremos realizar temporizadores que se pueden calcular fácilmente.
La tensión de alimentación del integrado puede ser de 5 a 16 V.
El encapsulado habitual es el MINIDIP plástico de 8 patillas.

Fig2. Esquema del circuito integrado

Fuente:
http://www.educa.madrid.org/web/ies.mariademolina.madrid/proyectos/documentos/ele
ctronica555.pdf

Transistor
Es un transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect
Transistor) y de alta potencia que posee destacadas características que lo hacen ideal
para aplicaciones de conmutación y en la modulación por ancho de pulso (PWM). [1]
Los MOSFET de potencia son muy populares para aplicaciones de baja tensión, baja
potencia y conmutación resistiva en altas frecuencias, como fuentes de alimentación
conmutadas, motores sin escobillas y aplicaciones como robótica, CNC y
electrodomésticos.
Vamos a estudiar un transistor cuyo funcionamiento no se basa en uniones PN, como
el transistor bipolar, ya que en éste, el movimiento de carga se produce exclusivamente
por la existencia de campos eléctricos en el interior del dispositivo. Este tipo de
transistores se conocen como, efecto de campo JFET (del inglés, Juntion Field Effect
Transistor).
La estructura MOS esta compuesta de dos terminales y tres capas: Un Substrato de
silicio, puro o poco dopado p o n, sobre el cual se genera una capa de Oxido de
Silicio (SiO2) que, posee características dieléctricas o aislantes, lo que presenta una
alta impedancia de entrada. Por último, sobre esta capa, se coloca una capa
de Metal (Aluminio o polisilicio), que posee características conductoras. En la parte
inferior se coloca un contacto óhmico, en contacto con la capsula, como se ve en la
figura. [2]

[1] Recuperado: https://www.ecured.cu/Mosfet_IRFZ44N

[2]Recuperado: https://www.diarioelectronicohoy.com/blog/el-transistor-mosfet

Conclusiones

Los transistores Irlz44n son utilizados en aplicaciones en donde se necesite una baja
tensión, baja potencia tales como: fuentes de alimentación conmutadas, motores sin
escobillas y en la robotica por lo tanto han desplazado a los transistores BJT.

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