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UNIVERSIDAD TCNICA DE AMBATO

FACULTAD DE INGENIERA EN SISTEMAS, ELECTRNICA E


INDUSTRIAL
INGENIERA EN ELECTRNICA Y COMUNICACIONES

TEMA:

MOSFET DE TIPO DECREMENTAL E INCREMENTAL

AUTORES: - Tatiana Aguilar


- Alejandra Crdenas
- Karla Chicaiza
- Ma. Elena Moscoso
- Estefana Ynez

MDULO: Circuitos Electrnicos II

DOCENTE: Ing. Santiago Altamirano

CURSO: Quinto A Electrnica

AMBATO ECUADOR
I. INFORME DEL PROYECTO
1. PP
1.1 Ttulo

MOSFET DE TIPO DECREMENTAL E INCREMENTAL

1.2 Objetivos

General:

Investigar sobre las caractersticas propias de un MOSFET.



Especficos:

Determinar la fundamentacin terica.


Analizar la estructura del MOSFET de incremento y de decremento.
Diferenciar un transistor MOSFET de un transistor JFET.

1.3 Resumen

El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor o MOSFET es un


transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas. Es el
transistor ms utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos
analgicos o digitales, aunque el transistor de unin bipolar fue mucho ms
popular en otro tiempo. Prcticamente la totalidad de los microprocesadores
comerciales estn basados en transistores MOSFET.

1.4 Palabras clave:

Incremento
Decremento
Mosfet

1.5 Introduccin

El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S), drenador


(D), puerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente est
conectado internamente al terminal de fuente y por este motivo se pueden
encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.

El trmino 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el


aluminio que fue el material de la puerta hasta mediados de 1970 fue sustituido
por el silicio policristalino debido a su capacidad de formar puertas auto-
alineadas. Las puertas metlicas estn volviendo a ganar popularidad, dada la
dificultad de incrementar la velocidad de operacin de los transistores sin utilizar
componentes metlicos en la puerta. De manera similar, el 'xido' utilizado como
aislante en la puerta tambin se ha reemplazado por otros materiales con el
propsito de obtener canales fuertes con la aplicacin de tensiones ms pequeas.
1.6 Materiales y metodologa

MOSFET

El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor o MOSFET (en


ingls Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor
utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas.

Caractersticas elctricas:

Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas.

Son dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo elctrico para crear
un canal de conduccin.

MOSFET DE TIPO DECREMENTAL.

Aun cuando existen grandes similitudes entre las curvas de transferencia de los
JFET y de los MOSFET y que permiten realizar un anlisis muy parecido en el
dominio de DC, los MOSFET de tipo decremental permiten trabajar con puntos
de operacin con valores VGS positivos y niveles de ID que exceden el valor de
IDSS.
En este tipo de MOSFET existe un sustrato de tipo n y canal de tipo p. Todas las
terminales permanecen igual, solamente que todas las polaridades de los voltajes
y las direcciones de las corrientes estn invertidas. Como se muestra en la
siguiente grfica.

El voltaje compuerta-fuente se establece en cero volts mediante la conexin


directa de una terminal a la otra, y se aplica un voltaje VDS.

El resultado es una atraccin del potencial positivo en el drenaje por los electrones
libres del canal-n, y una corriente similar a la establecida a travs del canal del
JFET.
MOSFET DE TIPO INCREMENTAL

Las caractersticas de transferencia del JFET difieren a las encontradas en el MOSFET de


tipo incremental. Por lo tanto, la solucin grfica es diferente para los dos casos ya vistos.

Debemos tener en cuenta que para un MOSFET de tipo incremental de canal-n, la


corriente de drenaje (ID) es cero para aquellos niveles de voltaje compuerta fuente
menores al nivel de umbral VGS (TH).
La corriente de drenaje se define como un exponencial a partir del nivel de umbral:

ID = k (VGS VGS (TH)) 2

En las hojas de caractersticas tcnicas se definen claramente los valores de voltaje de


umbral y un nivel de corriente de drenaje (ID (encendido)), valores que permiten encontrar el
valor de la constante k.

k = ID (encendido) / VGS (Encendido) - VGS (TH)

Una vez se obtenga k, se podrn obtener los dems valores para ID.

Simbologa de MOSFET decremental:

Canal n Canal p
Simbologa de MOSFET incremental:

Canal n Canal p
1.7 Conclusiones y Recomendaciones

Se recolect informacin sobre el transistor Mosfet y cada tipo como el


incremental y decremental.
Con el desarrollo de este trabajo investigativo se logr consolidar los
conocimientos del funcionamiento del transistor MOSFET y de sus tipos, cada
uno con sus respectivos canales n y p.
Se conoci su simbologa y sus curvas caractersticas que nos permiten
visualizar el trabajo que realiza.
Se logr identificar las caractersticas bsicas de este tipo de transistores.
Se recomienda tener en cuenta las diferencias entre los transistores FET y
MOSFET.

Bibliografa

[Curso fcil de Electrnica bsica] [CEKIT, EMILIANA MENSDOSA P.]


[https://es.scribd.com/doc/33506499/Curso-facil-de-electronica-basica-CEKIT]