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LABORATORIO Nº 1
Preparar el informe en WORD y en PDF, adjuntar los archivos *.MSK de los diseños, comprimir en
un directorio con sus apellidos y enviar por e-mail a los correos (ralarconm@unmsm.edu.pe,
ramatutti@gmail.com).
En el programa microwind hacer el “layout” (diseño físico), con las indicaciones dadas en clase, del
transistor MOS tipo N y del transistor MOS tipo P. Responda en detalle lo siguiente:
A) TRANSISTOR N-MOS
1) Revisar el modelo teórico de spice shichman hodges (nivel 1), identifique los terminales del
transistor n-mos (drain, source, gate, bulk) en su layout del transistor, muestre las ecuaciones
del transistor en la zonas de corte, lineal, saturación. Interprete el layout realizado por Ud.
3) Muestre la descripción *.cir (spice) del layout, describa el significado de cada línea de la
descripción, identifique las dimensiones W y L de transistor, muestre en el layout la ubicación de
las capacidades parasitas y su valor.
4) Proponga un procedimiento para hallar la resistencia de conducción del transistor (cuando opera
en la zona de saturación). Considere el modelo de shichman hodges y asuma los parámetros de
acuerdo a su layout.
B) TRANSISTOR P-MOS
Igual que en la parte A, resuelva lo pedido en los puntos 1,2,3,4. En base al layout del transistor
p-mos realizado por Ud.
IMPORTANTE:
DURACIÓN: 01 SEMANA.