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Microscopı́a de Efecto Túnel
Martı́n Santucci Estudiante FIUBA, Federico Camarda Estudiante FIUBA
Abstract—Se dan a conocer los principios básicos del fun-
cionamiento de la microscopı́a de efecto túnel, abordando
el tema desde una perspectiva, si bien técnica, informa-
tiva. Se hablará sobre los comienzos en la investigación de
este tópico, sus alcances actuales, sus aplicaciones actuales
y también sus proyecciones futuras.
Index Terms—Microscopı́a De Efecto Túnel, MET, Medi-
ciones, Nanoingenierı́a, Fı́sica de Superficies, Superficies
Delgadas
I. Introducción
La microscopı́a de efecto túnel (MET ) es una técnica
poderosa para la observación de superficies a nivel atómico.
Provee un perfil tridimensional de una superficie lo cual es
muy útil para caracterizar dureza de la superficie, observar
defectos en la superficie y determinar el tamaño y confor-
macion de moleculas y agregados en la misma. Su desar-
rollo en 1981 fue merecedor del Premio Nobel de Fı́sica en
1986 para sus inventores, Gerd Binning y Heinrich Rohrer
(en IBM Zürich). MET mide la densidad de estados de
un material usando corriente de efecto túnel. Una buena
presición se considera 0.1nm de resolución lateral y 0.01nm
de resolución en profundidad. Con esta resolución, los ato-
mos individuales dentro del material son observados y ma-
nipulados. La MET puede ser usada no solamente en vacı́o
ultra alto sino tambien en aire y varios ambientes lı́quidos
o gaseosos, y en rangos de temperatura desde cerca del
cero Kelvin hasta algunos cientos de grados Celsius.
Fig. 1. Cabezal de un Microscopio de Efecto Túnel
La MET está basada en el concepto de tunel cuántico.
Cuando una punta conductora se acerca a la superficie del
material a ser examinado, una polarización (diferencia de
tensión) aplicada entre los dos puede permitir a los elec-
trones crear un túnel en el vacı́o entre ellos. La corriente
resultante de efecto túnel es una función de la posición de
la punta, la tensión aplicada, y la densidad local de es-
tados (DLE ) de la muestra. La información es adquirida
por monitereo de la corriente a medida que la posición de
la punta recorre la superficie, y es mostrada en forma de
imagen.
MET puede ser una técnica de alto desafı́o, ya que re-
quiere una superficie extremadamente limpia y lisa, puntas
precisas, y un control de vibración excelente. Tradicional-
mente, en el analisis del efecto de arreglos atómicos en el
desempeño de un material, las sondas de difracción han
sido el pilar de este tipo de investigaciones. Pero estas
técnicas solo funcionan cuando el orden cristalino se ex-
tiende por cientos de espaciamientos atómicos, razón por
la cual la MET ha abierto un mar de posibilidades en el
estudio de la materia.
Fig. 2. Diagrama Esquemático
II. procedimiento
Primero, se aplica una polarización y la punta se acerca
a la muestra con un control básico de la punta. Control
más ajustado, del tipo piezoeléctrico, se requiere cuando la
punta se encuentra cerca de la muestra manteniendo la sep-
aración W en el rango de 4−7Å, que es la posición de equi-
librio entre las interacciones de atracción (3 < W < 10Å)
y repulsión (W < 3Å). En este caso, la polarización apli-
cada causará que los electrones formen un túnel entre la
punta y la muestra, creando corriente que puede ser me-
dida. Una vez que el túnel está establecido, la polarización
y la posición respecto de la muestra puede ser modificada
y obtener los datos que producen las modificaciones.
Si la punta se mueve a través del plano x − y, los cam-
bios en la estructura de la superficie causan cambios de
corriente. Estos cambios son mapeados en la imágen y los
cambios en la corriente respecto de la posición pueden ser
medidos, o la altura z, de la punta correspondiente a una
corriente constante. Estos dos modos son llamados modo
constante de altura y modo constante de corriente, respec-
tivamente.
En el modo constante de corriente, realimentación
electrónica ajusta la altura aplicando una tensión al con-
trol piezoeléctrico. Esto conduce a una variación de altura
y en consecuencia la imagen proviene de la topografı́a de
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la punta a través de la muestra y se obtiene una densidad
de carga constante en la superficie; esto significa contraste
en la imagen debido a las variaciones en la densidad de
carga. En el modo de altura constante, la tensión y la al-
tura son constantes mientras que la corriente cambia para
mantener la tensión en un valor; esto lleva a una imagen
hecha de cambios de corriente sobre la superficie, la cual
puede estar relacionada a la densidad de carga del ma-
terial. El beneficio de usar el modo de altura constante
es que es mas rápido, mientras que los movimientos que
requieren respuestas piezoeléctricas requieren mas tiempo
para regristrar los cambios en el modo de corriente con-
stante que la respuesta de tensión en el modo de altura
constante. Todas las imágenes producidas por MET son
en escala de grises, se puede agregar color dentro del pro-
ceso posterior de procesamiento para poder visualizar en
forma clara algunas caracterı́sticas.
Además de observar la muestra, se puede información de
la estructura electrónica de la muestra haciendo un barrido
de tensión y midiendo la corriente en un lugar especı́fico.
Este tipo de medición es llamada espectroscopı́a de efecto
túnel (EET ) y resulta generalmente en un esquema de la
densidad local de estados como función de la energia de la
muestra.
Fig. 3. Imagen de reconstrucción de una superficie limpia de Oro
(100)
III. Instrumentación
Los componentes de MET incluyen una punta de
medición, un control de altura piezoelectrica en el plano
X-Y, un control de punta-muestra, sistema de aislación de
vibración y una computadora.
La resolución de la imagen es limitada por el radio de
curvatura de la punta de prueba del microscopio, es por
esto que resulta escencial el desarrollo de puntas lo sufi-
cientemente precisas. Recientemente, nanotubos de car-
bono han sido utilizados para estos desarrollos.
La punta generalmente esta hecha de tungsteno o
platino-iridio, oro duro es también utilizado. Las puntas
de tungsteno en general son fabricadas por medios elec-
troquı́micos, y las de platino-iridio por métodos mecánicos.
Debido a la extrema sensitividad de la corriente de efecto
túnel a la altura, aislación de vibraciones es imperativa
para obtener resultados útiles. En los primeros microsco-
pios se llegaba a utilizar levitación magnética para man-
tener el sistema libre de vibraciones; ahora se utiliza amor-
iguación mecánica o gaseosa.
Mantener la posición de la punta respecto de la mues-
tra, la medición y adquisición de datos es controlada por
computadora. La computadora es utilizada además para
contruir la imagen con la ayuda del procesamiento además
de las mediciones cuantitativas.
IV. Estudios relacionados con MET
Se han desarrollado muchas técnicas de microscopı́a
basadas en MET. Esto incluye Microscopı́a de efecto
fotónico (MEF ), la cual utiliza una punta óptica para
crear el túnel de fotones; Microscopı́a de efecto túnel de
potencial (METP ), que mide potencial eléctrico en una
superficie; y microscopı́a de efecto túnel de spin polarizado
(METSP ), que utiliza puntas magneticas para producir el
túnel polarizando los spins de los electrones en una muestra
magnética.
Otros métodos incluyen manipulaciones de la punta para
cambiar la topografı́a de la muestra. Esto es atractivo por
diferentes razones. Primero, la punta tiene una precisión
atómica de posicionamiento que permite manipulaciones
muy precisas a escala atómica. Luego que la superficie es
modificada por la punta, es muy sencillo observar la mues-
tra con la misma punta, sin cambiar de instrumento. Los
investigadores de IBM han desarrollado una forma de ma-
nipular atomos de xenon absorbidos en una superficie de
nı́quel, esta técnica ha sido usada para crear corrales de
un pequeño número de atomos adsobidos, los cuales per-
miten la utilización de MET para observar las oscilaciones
de Friedel en la superficie del material. También se puede
usar MET para introducir electrones por efecto túnel en
una capa de haz de electrones fotoresistivos en una mues-
tra, para realizar litografı́a. Esto tiene la ventaja de ofrecer
mas control a la litografı́a tradicional de haz de electrones.
Otra aplicación práctica a MET es la deposición atómica
de metales con el patrón deseado, el cual puede ser usado
como contactos de nanodispositivos ó como nanodisposi-
tivos por si mismos.
Recientemente grupos han encontrado que pueden usar
la punta para rotar enlaces individuales en una molécula
simple. La resistencia eléctrica de la molécula depende de
la orientación del enlace, ası́ la molécula efectivamente se
convierte en una llave molecular.
V. Principio de operación
El concepto de funcionamiento del túnel surje de la
mecánica cuántica. Clasicamente, un objeto que gol-
pea una barrera impenetrable no podrá atravesarla. En
contraste, objetos con una masa muy pequeña como el
electrón, tienen caracterı́sticas de onda que permiten di-
cho evento, referido como creación del túnel. Los elec-
MICROSCOPÍA DE EFECTO TÚNEL
trones tienen haces de energı́a, y en la presencia de un
potencial U (z), asumiendo el caso unidimensional, el nivel
de enerı́a ψ(z) de los electrones están dados por la solución
a la ecuación de Schrödinger,
h̄2 ∂ψn (z)
− + U (z)ψ(z) = Eψn (z) (1)
2m ∂z 2
donde h̄ es la constante de Planck reducida, z es la posición,
y m es la masa de un electrón, si la energı́a de un electrón
E incide sobre una barrera de energı́a de valor U (Z), la
función de onda del electrón tiene por solución,
ψn (z) = ψn (0)e±kz (2)
donde
p
2m(U − E)
k= (3)
h̄
cuantifica el decaimiento de la onda dentro de la barrera,
con la barrera en la dirección positiva de z para −k.
Fig. 4. Imagen MET, 7nm x 7nm, de una cadena zig-zag simple de
átomos de Cs(rojo) en una superficie de GaAs(110) (azul)
Saber la función de onda permite calcular la densidad
de probabilidad para el electrón de encontrarse en una
posición. En el caso del efecto túnel, la función de onda
de la punta y la muestra se solapan cuando, bajo el efecto
de un potencial, hay alguna probabilidad finita de encon-
trar el electrón en la región de barrera y aún en el otro
lado de la barrera. Si asumimos que el potencial es V y el
ancho de la barrera es W . Esta probabilidad, P , de que
un electrón en z = 0 (borde izquierdo de la barrera) puede
ser encontrado en z = W (borde derecho de la barrera) es
proporcional a la función de onda elevada al cuadrado,
P ∝ |ψn (0)|2 e−2kW (4)
Si la polarización es pequeña, podemos aproximar U −
E ≈ ϕM en la expresión de d, donde ϕM , la función de tra-
bajo, da la engı́a minima necesaria para atraer un elecrón
desde un nivel ocupado, cuyo mas alto nivel posible es el
nivel de Fermi (para metales a T = 0 kelvins), a un nivel
3
vacı́o. Cuando se aplica una baja polarización a un sis-
tema, solamente los estados electrónicos mas cercanos al
nivel de Fermi, dentro de eV , son excitados. Estos elec-
trones excitados pueden formar el túnel a traves de la bar-
rera. En otras palabras, ocurre con los electrones cuya
energı́a esta cerca del nivel de Fermi.
Sin embargo, el fenómeno requiere que exista un nivel
vacı́o de la misma enegı́a que el electrón para que el electrón
viaje al otro lado de la barrera. Esto es por la restricción
de que la corriente de túnel puede ser relacionada con la
densidad disponible de los estados completos de la mues-
tra. La corriente debida a la tensión aplicada V (asumiendo
que la corriente de efecto túnel ocurre entre la muestra y
la punta depende de dos factores: el numero de electrones
entre Ev y eV en la muestra, y el número entre los cuales
se corresponden estados libres para formar el túnel al otro
lado de la barrera en la punta. Mientras mas grande la den-
sidad de estados disponibles mayor la corriente de efecto
túnel. Cuando V es positivo, electrones en la punta viajan
a los estados vacı́os en la muestra; para una polarización
negativa, los electrones salen de los estados ocupados en la
muestra y van hacia la punta.
Matematicamente, esta corriente de túnel esta dada por,
Ef
X
I∝ |ψ(0)|2 e−2kW (5)
Ef −eV
Uno puede sumar la probabilidad sobre la energias en-
tre Ef − eV y eV para obtener el número de estados
disponibles en este rango de energı́a por unidad de vol-
umen, en consecuencia encontrando la densidad local de
estados (DLS) cerca del nivel de Fermi. La DLS cerca de
una energı́a E en un intervalo  esta dada por
E
1X
ρ(z, E) = |ψn (z)|2 , (6)

E−
y la corriente de efecto túnel a pequeña polarización V
es proporcional a la DLS cerca del nivel de Fermi, el cual
da una información importante sobre la muestra. Es de-
seable utilizar la DLS para expresar la corriente porque
este valor no cambia con los cambios de volumen, mientras
que la densidad de probabilidad si lo hace. Por lo tanto la
corriente de efecto túnel esta dada por
I ∝ V ρs (0, Ef )e−2kW (7)
dondeρs (0, Ef ) es la DLS cerca del nivel de Fermi de
la muestra en su superficie. Utilizando la ecuación (5),
esta corriente puede ser expresada en terminos de la DLS
cerca del nivel de Fermi de la muestra en la superficie de
la punta.
I ∝ V ρs (W, Ef )V (8)
El termino exponencial en (7) es muy significante puesto
que pequeños cambios en W tienen una gran influencia en
la corriente de túnel. Si la separación decrece por 1Å, la
corriente se incrementa en orden de magnitud, y viceversa.
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Este enfoque falla en el conteo de la tasa a la cual los elec-
trones pueden pasar la barrera. Esta tasa deberı́a afectar
la corriente de túnel, y por eso deberı́a poder ser contada
utilizando la Regla de oro de Fermi con la matriz apropi-
ada de efecto túnel. John Bardeen resolvió este problema
en su estudio de la juntura metal-aislante-metal, (MAM).
Encontró que si se resolvı́a la ecuación de Schrödinger
para cada lado de la juntura por separado para obtener
la función de onda ψ y χ para cada electrodo, se podrı́a
obtener la matriz de efecto túnel, M, desde el solapamiento
de estas dos funciones de onda. Esto puede ser aplicado a
MET para fabricar los electrodos de la punta y la muestra,
asignando ψ y χ como función de la muestra y la punta, re-
spectivamente, y evaluando M a una superficie S entre los
electrodos del metal en z = z0 , donde z = 0 es la superficie
de la muestra y z = W es la superficie de la punta.
Ahora, la Regla de oro de Fermi da la tasa de la trans-
ferencia del electrón a través de la barrera, y es escrita
2π
w= |M |2 δ(Eψ − Eχ ), (9)
h̄
donde δ(Eψ − Eχ ) restringe la ocurrencia del túnel a sola-
mente entre los niveles de electrones con la misma energı́a.
El elemento de la matriz de túnel, está dado por
h̄
Z
∂ψ ∂χ∗
M= (χ ∗ −ψ∗ )ds (10)
2π z=z0 ∂z ∂z
Como descripción de la energı́a inferior asociada con
la interación de las funciones de onda en el solapamiento
también llamada energı́a de resonancia.
Resumiendo sobre todos los estados dados la corriente
de efecto túnel es
Z inf
4πe
I= [f (EF − eV ) − f (Ef + )]ρs
h̄ − inf
2 a sido un gran avance dentro del mundo de la fı́sica, la
(Ef − eV + )ρT (Ef + )|M | d (11)
donde f es la función de Fermi, ρs y ρT son las densi-
dades de estados en la muestra y la punta, respectivamente.
La distribución de Fermi describe el llenado de los niveles
de electrones a una dada temperatura T .
Fig. 5. Imagen obtenidea por MET de cadenas supramoleculares
autoensambladas de semiconductor orgánico
VI. Usos Actuales
La MET es ampliamente utilizada tanto en investiga-
ciones industriales como teóricas para obtener imagenes a
escala atómica de superficies metálicas. Actualmente la
microscopı́a de efecto túnel es muy importante en muchas
ciencias. El estudio de superficies es una parte importante
de la fı́sica, con aplicaciones particulares en la fı́sica de
semiconductores y microelectrónica.
En quı́mica, reacciones superficiales también cumplen un
rol importante, por ejemplo, catálisis.
El microscopio de efecto túnel trabaja mejor con materi-
ales conductores, pero es también posible preparar molec-
ulas orgánicas en una superfice y estudiar sus estructuras.
Por ejemplo, esta técnica ha sido usada en el estudio de
moléculas de ADN.
La MET, dió lugar a grandes avances en la llamada
Nanoingenierı́a. Cuanto más pequeños se diseñan los dis-
positivos, mayor es la influencia en su comportamiento
y desempeño del orden atómico de sus materiales consti-
tuyentes. Estos detalles incluyen arreglos de átomos en es-
tructuras cristalinas, presencia, tamaño y densidad de bor-
des de granos, impurezas, dislocaciones o imperfecciones.
Aplicaciones donde estos hechos cobran gran impor-
tancia pueden ir desde el diseño de componentes opto-
electrónicos de capas atómicas alternadas de diferentes
elementos - dispositivos que nos permiten extraer infor-
macion de discos compactos y generar y detectar señales
transoceánicas telefónicas por cables de fibra óptica -
hasta cabezales magnéticos de almacenamiento, los cuales
son constituyentes de poderosas computadoras de es-
critorio, computadoras portátiles, y teléfonos portatiles
inalámbricos.
VII. Conclusiones
Se puede concluir que la microscopı́a de efecto túnel
electrónica, y la ciencia, y que a marcado un antes y un
después en estos campos. El microscopio de efecto túnel
es completamente nuevo, y hasta ahora solo se ha visto
el comienzo de su desarrollo. Es claro que campos en-
teramente nuevos se están iniciando para el estudio de la
estructura de la materia. El gran descubrimiento de Gerd
Binnig y Heinrich Rohrer fué que comenzando desde tra-
bajos previos e ideas, han logrado perfeccionar el enorme
numero de dificultades experimentales involucradas en la
construcción de un instrumento con la precisión y estabil-
idad requerida.
References
[1] Wikipedia, the free enciclopedia: Scanning tunneling microscope
http://en.wikipedia.org/wiki/Scanning_tunneling_microscope
[2] Nobelprize.org The Nobel Prize in Physics 1986,
http://nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates
/1986/press.html
[3] IBM: Scanning Tunneling Microscopy IBM Almaden Research
Center Visualization,
http://www.almaden.ibm.com/vis/stm/
[4] Lawrence Livermore National Laboratory Scanning Tunneling
Microscopy,
https://www.llnl.gov/str/Scan.html