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Tabla de contenido

Antecedentes ............................................................................................................................... 2
Transistor ................................................................................................................................. 2
Historia ................................................................................................................................. 3
Funcionamiento ................................................................................................................... 6
Tipos de transistores .......................................................................................................... 10
Tipos de transistores por función ..................................................................................... 12
Transistor FET......................................................................................................................... 14
Transistor de efecto de campo de unión (JFET) ............................................................... 15
El transistor de unión metal-semiconductor (MESFET) ................................................... 16
Transistores metal-oxido-semiconductor de efecto campo (MOSFET) .......................... 17
Transistor SET (single-electron transistor) ........................................................................... 18
Esquema y funcionamiento ............................................................................................... 18
Principio de túnel del SET y bloqueo de Coulomb ........................................................... 20
Características de Voltaje y Corriente............................................................................... 22
Limitaciones en la aplicación ............................................................................................. 23
Ventajas y Desventajas ...................................................................................................... 23
Aplicaciones prometedoras de SET ................................................................................... 23
Diferencias entre FET y SET ................................................................................................... 24
Definición del problema ............................................................................................................ 25
Justificación................................................................................................................................ 25
Objetivos del proyecto .............................................................................................................. 25
Alcance y limitaciones ............................................................................................................... 25
Procedimiento ........................................................................................................................... 25
Descripción de las actividades .................................................................................................. 25
Presupuesto (No aplica) ............................................................................................................ 25
Glosario ...................................................................................................................................... 25
Referencias ................................................................................................................................ 26
Antecedentes
El concepto de miniaturización de dispositivos es algo que se ha manejado desde hace mucho
tiempo; podríamos decir que se originó en la clásica charla titulada "Hay mucho espacio en
la parte inferior" dada por el físico Richard Feynman en una reunión anual de la American
Physical Society el 29 de diciembre de 1959. En su charla, desafía la miniaturización y enfoca
la idea de cómo manipular y controlar la materia en los niveles atómicos y moleculares.
Finalmente, su sueño se hizo realidad con el descubrimiento de nanotubos de carbono por
Sumio Ijima en 1991 en el laboratorio de NEC, Tsukuba, Japón. Este descubrimiento se
convirtió en la plataforma de lanzamiento de la nanociencia y la nanotecnología de hoy.
Desde entonces, en todo el mundo, científicos, investigadores, ingenieros y tecnólogos han
comenzado a investigar una variedad de formas para sintetizar materiales en el tamaño de
un nanómetro y finalmente llevaron al desarrollo de puntos cuánticos (QD). Este QD es una
nanopartícula que tiene todas las dimensiones reducidas a menos de 100 nm, que es el
bloque de construcción principal del transistor de un solo electrón (SET). Este SET es en
realidad un nuevo tipo de dispositivo de conmutación que utiliza un túnel de electrones
controlado para amplificar la corriente.
De acuerdo con la ley de Moor, cada 18 meses después, la densidad del transistor en el
circuito integrado es casi el doble. El hecho resultante de la reducción de tamaño y la
disipación de potencia puede limitar el alcance de una miniaturización adicional del circuito
integrado utilizando la tecnología de semiconductores existente (basada en silicio) y lleva a
desarrollar alternativas utilizando la nanociencia y la tecnología. Como tal, se espera que SET
sea una opción para reemplazar el transistor normal, ya sea transistor bipolar (BJT) o
transistor de efecto de campo (FET), el bloque de construcción de las computadoras, para la
próxima generación de dispositivos electrónicos como computadoras ópticas, etc. Sin
embargo, el SET aún está en su infancia debido a la complejidad de las fabricaciones
rentables, pero aún tiene aplicaciones prometedoras en los dispositivos y sensores
electrónicos de próxima generación. El objetivo de este documento es revisar el
entendimiento fundamental sobre el funcionamiento de SET y sus aplicaciones
prometedoras en los dispositivos alternativos para enfrentar los desafíos futuros para una
mayor miniaturización y reducir la disipación de energía.

Transistor
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal
de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. El término «transistor» es la contracción en inglés de transfer
resistor («resistor de transferencia»). Actualmente se encuentra prácticamente en todos los
aparatos electrónicos de uso diario tales como radios, televisores, reproductores de audio y
video, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos
celulares, aunque casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.
Historia
Varios historiadores de la tecnología consideran al transistor como "el mayor invento del
siglo XX". Es el dispositivo electrónico básico que dio lugar a los circuitos integrados y demás
elementos. Si el siglo XIX se basa en la máquina de vapor de James Watt, puede decirse que
la era de las comunicaciones se ha basado en el transistor.
El transistor es un dispositivo de tres terminales que surge en los Laboratorios Bell de la
AT&T. Se buscaba un conmutador de estado sólido para ser utilizado en telefonía y para
reemplazar tanto a los relés como a los sistemas de barras. Luego se contempla la posibilidad
de obtener el reemplazo de la válvula (o tubo) de vacío.
Quentin Kaiser escribió: "Si no hubiese sido por las microondas o el radar de UHF,
probablemente nunca hubiéramos tenido la necesidad de detectores de cristal. Si no
hubiéramos obtenido detectores de cristal, probablemente no habríamos tenido el
transistor, salvo que hubiera sido desarrollado de algún modo completamente diferente".
(Citado en “Revolución en miniatura” de E. Braun y S. Macdonald).
El físico austro-húngaro Julius Edgar Lilienfeld solicitó en Canadá en el año 1925 una patente
para lo que él denominó "un método y un aparato para controlar corrientes eléctricas" y que
se considera el antecesor de los actuales transistores de efecto campo, ya que estaba
destinado a ser un reemplazo de estado sólido del triodo. Lilienfeld también solicitó patentes
en los Estados Unidos en los años 1926 y 1928. Sin embargo, Lilienfeld no publicó ningún
artículo de investigación sobre sus dispositivos ni sus patentes citan algún ejemplo específico
de un prototipo de trabajo. Debido a que la producción de materiales semiconductores de
alta calidad no estaba disponible por entonces, las ideas de Lilienfeld sobre amplificadores
de estado sólido no encontraron un uso práctico en los años 1920 y 1930, aunque acabara
de construir un dispositivo de este tipo.
En 1934, el inventor alemán Oskar Heil patentó en Alemania y Gran Bretaña un dispositivo
similar. Cuatro años después, los también alemanes Robert Pohl y Rudolf Hilsch efectuaron
experimentos en la Universidad de Göttingen, con cristales de bromuro de potasio, usando
tres electrodos, con los cuales lograron la amplificación de señales de 1 Hz, pero sus
investigaciones no condujeron a usos prácticos. Mientras tanto, la experimentación en los
Laboratorios Bell con rectificadores a base de óxido de cobre y las explicaciones sobre
rectificadores a base de semiconductores por parte del alemán Walter Schottky y del inglés
Nevill Mott, llevaron a pensar en 1938 a William Shockley que era posible lograr la
construcción de amplificadores a base de semiconductores, en lugar de tubos de vacío.
Desde el 17 de noviembre de 1947 hasta el 23 de diciembre de 1947, los físicos
estadounidenses John Bardeen y Walter Houser Brattain de los Laboratorios Bell llevaron a
cabo diversos experimentos y observaron que cuando dos contactos puntuales de oro eran
aplicados a un cristal de germanio, se produjo una señal con una potencia de salida mayor
que la de entrada. El líder del Grupo de Física del Estado Sólido William Shockley vio el
potencial de este hecho y, en los siguientes meses, trabajó para ampliar en gran medida el
conocimiento de los semiconductores. El término "transistor" fue sugerido por el ingeniero
estadounidense John R. Pierce, basándose en dispositivos semiconductores ya conocidos
entonces, como el termistor y el varistor y basándose en la propiedad de trans resistencia
que mostraba el dispositivo. Según una biografía de John Bardeen, Shockley había propuesto
que la primera patente para un transistor de los Laboratorios Bell debía estar basado en el
efecto de campo y que él fuera nombrado como el inventor. Habiendo redescubierto las
patentes de Lilienfeld que quedaron en el olvido años atrás, los abogados de los Laboratorios
Bell desaconsejaron la propuesta de Shockley porque la idea de un transistor de efecto de
campo no era nueva. En su lugar, lo que Bardeen, Brattain y Shockley inventaron en 1943
fue el primer transistor de contacto de punto, cuya primera patente solicitaron los dos
primeros nombrados, el 17 de junio de 1946, a la cual siguieron otras patentes acerca de
aplicaciones de este dispositivo. En reconocimiento a este logro, Shockley, Bardeen y
Brattain fueron galardonados conjuntamente con el Premio Nobel de Física de 1956 "por sus
investigaciones sobre semiconductores y su descubrimiento del efecto transistor".

Figura 1. Réplica del primer transistor en actividad, que hoy pertenece a la empresa Lucent Technologies

En 1948, el transistor de contacto fue inventado independientemente por los físicos


alemanes Herbert Mataré y Heinrich Welker, mientras trabajaban en la Compagnie des
Freins et Signaux, una subsidiaria francesa de la estadounidense Westinghouse. Mataré tenía
experiencia previa en el desarrollo de rectificadores de cristal de silicio y de germanio
mientras trabajaba con Welker en el desarrollo de un radar alemán durante la Segunda
Guerra Mundial. Usando este conocimiento, él comenzó a investigar el fenómeno de la
"interferencia" que había observado en los rectificadores de germanio durante la guerra. En
junio de 1948, Mataré produjo resultados consistentes y reproducibles utilizando muestras
de germanio producidas por Welker, similares a lo que Bardeen y Brattain habían logrado
anteriormente en diciembre de 1947. Al darse cuenta de que los científicos de Laboratorios
Bell ya habían inventado el transistor antes que ellos, la empresa se apresuró a poner en
producción su dispositivo llamado "transistron" para su uso en la red telefónica de Francia.
El 26 de junio de 1948, Wiliam Shockley solicitó la patente del transistor bipolar de unión y
el 24 de agosto de 1951 solicitó la primera patente de un transistor de efecto de campo, tal
como se declaró en ese documento, en el que se mencionó la estructura que ahora posee.
Al año siguiente, George Clement Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios Bell, tuvieron éxito
al fabricar este dispositivo, cuya nueva patente fue solicitada el 31 de octubre de 1952.
Meses antes, el 9 de mayo de ese año, el ingeniero Sidney Darlington solicitó la patente del
arreglo de dos transistores conocido actualmente como transistor Darlington.
El primer transistor de alta frecuencia fue el transistor de barrera de superficie de germanio
desarrollado por los estadounidenses John Tiley y Richard Williams de Philco Corporation en
1953, capaz de operar con señales de hasta 60 MHz. Para fabricarlo, se usó un procedimiento
creado por los ya mencionados inventores mediante el cual eran grabadas depresiones en
una base de germanio tipo N de ambos lados con chorros de sulfato de indio hasta que
tuviera unas diez milésimas de pulgada de espesor. El indio electroplateado en las
depresiones formó el colector y el emisor. El primer receptor de radio para automóviles que
fue producido en 1955 por Chrysler y Philco; usó estos transistores en sus circuitos y también
fueron los primeros adecuados para las computadoras de alta velocidad de esa época.
El primer transistor de silicio operativo fue desarrollado en los Laboratorios Bell en enero
1954 por el químico Morris Tanenbaum. El 20 de junio de 1955, Tanenbaum y Calvin Fuller,
solicitaron una patente para un procedimiento inventado por ambos para producir
dispositivos semiconductores. El primer transistor de silicio comercial fue producido por
Texas Instruments en 1954 gracias al trabajo del experto Gordon Teal quien había trabajado
previamente en los Laboratorios Bell en el crecimiento de cristales de alta pureza. El primer
transistor MOSFET fue construido por el coreano-estadounidense Dawon Kahng y el egipcio
Martin Atalla, ambos ingenieros de los Laboratorios Bell, en 1960.

Figura 2. Foto (de izquierda a derecha) John Bardeen, William Shockley y Walter Brattain, los inventores del transistor, 1948
Funcionamiento
El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales
específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones bipolares: el emisor que emite
portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las
dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las válvulas, el
transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente
amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo,
a diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos.
(Lorda, 1999)
De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función amplificada de la
que se inyecta en el emisor, pero el transistor solo gradúa la corriente que circula a través
de sí mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la base para que circule
la carga por el colector, según el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación o
ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de
transistor son:

 Tensiones de ruptura de Colector-Emisor, Base-Emisor, Colector-Base


 Potencia Máxima
 Disipación de calor
 Frecuencia de trabajo
y varias tablas donde se grafican los distintos parámetros tales como corriente de base,
tensión Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de
esquemas (configuraciones) básicos para utilización analógica de los transistores son emisor
común, colector común y base común.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET,
JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la corriente que se inyecta en el terminal de base para
modular la corriente de emisor o colector, sino la tensión presente en el terminal de puerta
y gradúa la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la
conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado, por efecto de la tensión aplicada
entre Compuerta y Fuente, es el campo eléctrico presente en el canal el responsable de
impulsar los electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la
carga conectada al Drenaje (D) será función amplificada de la tensión presente entre la
compuerta y la fuente, de manera análoga al funcionamiento del triodo.
Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integración a gran escala
disponible hoy en día; para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cientos de
miles de transistores interconectados, por centímetro cuadrado y en varias capas
superpuestas.
Zonas de Trabajo de un Transistor
Un transistor puede tener 3 estados o zonas de trabajo posibles dentro de un circuito:

 En corte: No hay corriente por la base, o es demasiado pequeña y no pasa la corriente


entre el colector y el emisor (𝐼𝑐𝑒 = 0).
 En activa: deja pasar más o menos corriente entre el colector y el emisor (𝐼𝑐𝑒 =
𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑣𝑎𝑟𝑖𝑎𝑏𝑙𝑒)
dependiendo de la corriente de la base.
 Saturación: Entre el colector y el emisor pasa la máxima corriente posible. Aunque
aumentemos la Ib no aumenta la Ice. Se comporta como un interruptor cerrado (𝐼𝑐𝑒 =
𝐼𝑚á𝑥 ).
Para comprender estos 3 estados se puede hacer mediante un símil hidráulico que es más
fácil de entender.
Primero se imagina que el transistor es una llave de agua como la de la figura. Hablaremos
de agua para entender el funcionamiento, pero solo se tiene que cambiar el agua por
corriente eléctrica, y la llave de agua por el transistor y ya estaría entendido (luego lo
haremos).

Figura 3. Los tres estados del transistor

En la figura vemos la llave de agua en 3 estados diferentes. Para que la llave suba y pueda
pasar agua desde la tubería E hacia la tubería C, es necesario que entre algo de agua por la
pequeña tubería B y empuje la llave hacia arriba (que el cuadrado de líneas suba y permita
el paso de agua). En el símil tenemos:
B = base
E = Emisor
C = Colector

 Funcionamiento en corte: si no hay presión de agua en B (no pasa agua por su


tubería), la válvula está cerrada, no se abre la válvula y no se produce un paso de
fluido entre el Colector y el Emisor. La válvula está en reposo y no hace nada. Incluso
se podría tener poca presión y que no fuera suficiente para empezar abrir la válvula.
 Funcionamiento en activa: si llega algo de presión de agua por la base B, se abrirá la
válvula en función de la presión que llegue, comenzando a pasar agua entre C y E. La
salida de agua (cantidad de agua) dependerá de la presión que se meta por B. Así
hasta que se abra la válvula del todo.
 Funcionamiento en saturación: si llega suficiente presión por B se abrirá totalmente
la válvula y pasará la máxima cantidad de agua entre C y E. Por mucho que metamos
más presión de agua por B la cantidad de agua que pasa entre C y E será siempre la
misma, la máxima posible que permita la tubería. Si metiéramos demasiada presión
por B podríamos incluso estropear la válvula.
Ahora el funcionamiento del transistor es igual, pero el agua se cambia por corriente eléctrica
y la llave de agua será el transistor.

 Transistor en corte: cuando no le llega nada de corriente a la base, no hay paso de


corriente entre el colector y el emisor (en corte). En esta situación, entre el colector
y emisor es como si hubiera un interruptor abierto. 𝐼𝑏 = 0𝐴, 𝐼𝑐𝑒 = 0𝐴. OJO el
transistor seguirá en corte hasta llegar a la mínima Ib a la que se activa, un poco por
encima normalmente de 0A. Podemos llamarla Ib mínima. Por ejemplo, podemos
tener un transistor que hasta que no llega a una Ib de 0,3 miliamperios no se activa,
por lo que con 0.2A seguirá en corte.
 Transistor en activa: Entre esa mínima Ib y la Ib máxima a partir de la cual ya no pasa
más corriente entre el colector y el emisor, el transistor trabaja en activa. En esta
franja de intensidades de base, la corriente de salida Ice depende de la corriente de
entrada o de Ib. Para calcular cuánto aumenta en esta zona de trabajo la Ice con
respecto a la Ib de entrada tenemos la siguiente fórmula:
𝐼𝑐𝑒 = 𝛽 × 𝐼𝑏 ; donde β es lo que se llama la "Ganancia del Transistor". Imagina un transistor
que tiene una ganancia de 10; quiere decir que la Ic será 10 veces mayor que la Ic. Si β fuera
de 100, la Ic será 100 veces mayor que la Ib.
- Transistor en Saturación: A partir de cierta corriente de base máxima, aunque aumentemos
la Ib ya no aumenta la Ice. Es la Ib máxima para que pueda aumentar la corriente de salida
entre colector y emisor Ice. 𝐼𝑐𝑒 = 𝐼𝑚á𝑥 .
Cada transistor tiene su propia 𝐼𝑏𝑚á𝑥 y 𝐼𝑏𝑚ì𝑛 y por supuesto su propia 𝐼𝑐𝑒 máxima.
Intensidades que deberemos comprobar para el transistor que estemos utilizando y nunca
sobrepasarlas, ya que nos cargaríamos el transistor.
Intensidades en el Transistor
Las corrientes en un transistor son 3, de base, de colector y de emisor. La del colector Ic, la
del emisor Ie y la de base Ib se relacionan según la siguiente forma:
Ie = Ib + Ic
Pero como la Ib es tan pequeña se puede decir sin mucho error
que Ic = Ie = Ic-e, por lo que la fórmula anterior quedaría:
Ic = β x Ib
En corte y Saturación y como interruptor el transistor trabajara
para utilizarlo como un componente de electrónica digital. 0 o 1
Figura 4. Corrientes del transistor
 En activa y como amplificador, el transistor trabajara
para utilizarlo como un componente de electrónica analógica. Varios valores.
Tensiones en los Transistores
Las 2 tensiones más importantes son la tensión entre la base y el emisor Vb-e y la tensión
entre el colector y el emisor Vc-e.
El esquema de la derecha nos puede ser útil para estudiar desde el punto de vista teórico las
tensiones en el transistor, pero nunca conectar en la vida real un transistor de esa forma
porque se quemaría al estar en cortocircuito, sin ningún receptor.
Al conectar el transistor tenemos 2 fuentes de tensión, una que alimentará la base para
generar la Ib y otra que alimentará al receptor o receptores de salida, que generará la
intensidad que pasará por el receptor y que será la misma que pasará por el colector hacia
el emisor, es decir Ic = Ie = Ic-e

 En corte: Cuando la V1 es cero, entonces Ib = 0 y Vb-e = V1 = 0V. En este caso Ic-e =


0A y la Vc-e será igual a la V2. Normalmente los transistores tienen una mínima
tensión en la que siguen en corte un poco por encima de 0V, esta será la que nos de
la Ib mínima para activarse. En el ejemplo del cuadro de abajo hemos supuesto que,
por debajo de 0,7V está en corte. OJO en el esquema real la Vbe y la Vce y sus
intensidades dependerá da las resistencias RB y RC. Habrá una VRb y una VRc
también.
 En saturación: en este caso tendremos que V1 será la máxima para conseguir la Ib
máxima a partir de la cual la Ic-e será máxima. Vb-e será la máxima; y la entre c-e, al
ser como un interruptor cerrado será Vc-e = 0V. Esta situación se produce en el
ejemplo de abajo por encima de 2V de Vbe.
 En activa: tendremos una Vb-e entre 0V (un poco mayor, recuerda Ib mínima
necesitamos) y la tensión para conseguir la Ib que nos de la Ic-e máxima. Ahora entre
el colector y el emisor no es ni un interruptor cerrado ni abierto, es como si hubiera
una pequeña resistencia, que irá disminuyendo de valor según aumente la Ib dejando
pasar más corriente entre colector y emisor . Cuando la Ib sea la máxima, entonces
esa resistencia será de valor 0. La tensión entre Vc-e dependerá de la carga conectada
antes del colector, de la V2 y de Ib.
A continuación, se muestra un ejemplo para un caso concreto de un transistor que necesita
una corriente y una tensión mínima de 0,1mA y 0,7V.

Tipos de transistores
Hay muchos tipos diferentes de transistores y cada uno varía en sus características y cada
uno tiene sus propias ventajas y desventajas.
Algunos tipos de transistores se utilizan principalmente para aplicaciones de conmutación.
Otros se pueden utilizar tanto para conmutación y amplificación. Todavía otros transistores
están en un grupo de especialidades todos ellos, tales como fototransistores, que responden
a la cantidad de luz que brilla sobre ella para producir el flujo de corriente a través de ella.
A continuación, se muestra una lista de los diferentes tipos de transistores:
Transistor de unión bipolar
Los transistores de unión bipolar son transistores que están formados por 3 regiones, la base,
el colector y el emisor. Los transistores de unión bipolar, a diferencia de los transistores FET,
son dispositivos controlados por corriente. Una pequeña corriente que entra en la región de
base del transistor causa un flujo de corriente mucho mayor desde el emisor a la región de
colector.
Los transistores de la unión bipolar vienen en dos tipos principales, NPN y PNP. Un transistor
NPN es uno en el que el portador de corriente mayoritario son electrones. El electrón que
fluye del emisor al colector forma la base de la mayoría del flujo de corriente a través del
transistor. El otro tipo de carga, los agujeros, son una minoría. Los transistores PNP son lo
contrario. En los transistores PNP, la mayoría del portador de corriente son agujeros.
En general, los transistores de unión bipolar son el único tipo de transistor que se activa
mediante entrada de corriente (entrada en la base). Esto se debe a que los transistores de
unión bipolar tienen la menor impedancia de entrada de todos los transistores. La baja
impedancia (o resistencia) permite que la corriente fluya a través de la base del transistor.
Debido a esta baja impedancia también los transistores de unión bipolar tienen la mayor
amplificación de todos los transistores. La desventaja de los transistores de unión bipolar es
porque tienen baja impedancia de entrada, pueden causar la carga en un circuito. La carga
es cuando un dispositivo puede extraer corriente significativa de un circuito, perturbando así
la fuente de alimentación de un circuito.

Figura 5. Transistor de unión bipolar

Los Transistores de Efecto de Campo (JFET)


Los transistores de efecto de campo son transistores que están formados por 3 regiones, una
compuerta, una fuente y un drenaje. A diferencia de los transistores bipolares, los FET son
dispositivos controlados por voltaje. Un voltaje colocado en la puerta controla el flujo de
corriente desde la fuente hasta el drenaje del transistor.
Los transistores de efecto de campo tienen una impedancia de entrada muy alta, desde
varios mega ohm (MΩ) de resistencia a valores mucho mayores. Esta alta impedancia de
entrada hace que tengan muy poca corriente a través de ellos. (Según la ley de ohm, la
corriente es inversamente afectada por el valor de la impedancia del circuito. Si la
impedancia es alta, la corriente es muy baja.) Así que los FETs dibujan muy poca corriente de
la fuente de alimentación de un circuito. Por lo tanto, esto es ideal porque no perturban los
elementos de potencia del circuito original a los que están conectados. No causarán que la
fuente de energía se cargue abajo. El inconveniente de los FET es que no proporcionarán la
misma amplificación que se podría obtener de los transistores bipolares. Los transistores
bipolares son superiores en el hecho de que proporcionan una mayor amplificación, a pesar
de que los FET son mejores en que causan menos carga, son más baratos y más fáciles de
fabricar.
Transistores de efecto de campo vienen en 2 tipos principales: JFETs y MOSFETs. JFETs y
MOSFETs son muy similares, pero MOSFETs tienen valores de impedancia de entrada aún
más altos que JFETs. Esto causa aún menos carga en un circuito.

Figura 6. Transistor de efecto de campo

Tipos de transistores por función


Ahora vamos a repasar los tipos de transistores por función, lo que significa lo que hacen o,
más bien, están diseñados para hacer. Algunos transistores se utilizan principalmente para
la conmutación. Otros más para amplificación.
Transistor a pequeña señal
Los Transistores Pequeños de la Señal son transistores que se utilizan principalmente para
amplificar las señales de bajo nivel, pero también pueden funcionar bien como interruptores.
Los transistores vienen con un valor, llamado el valor de hFE, que indica cuánto un transistor
puede amplificar las señales de entrada. Los valores típicos de hFE para transistores de
señales pequeñas oscilan entre 10 y 500, con una corriente máxima de colector (Ic) de
aproximadamente 80 a 600 miliamperios (mA). Vienen en formularios NPN y PNP. Las
frecuencias operativas máximas oscilan entre aproximadamente 1 y 300 megahercios (MHz).
Como nota de diseño, los transistores pequeños de la señal se utilizan principalmente cuando
se amplifican pequeñas señales, como unos pocos voltios y sólo cuando se utilizan
miliamperios de corriente. Cuando se utiliza un voltaje y una corriente más grandes (mayor
potencia), usando muchos voltios o amperios de corriente, se debe usar un transistor de
potencia.
Transistor de conmutación
Transistores de conmutación son transistores que se utilizan principalmente como
interruptores, pero que también se pueden utilizar como amplificadores. Los valores típicos
de hFE para transistores de conmutación pequeños oscilan entre 10 y 200, con valores de Ic
máximos de aproximadamente 10 a 1000mA. Vienen en formularios NPN y PNP.
En términos de para el diseño, transistores de conmutación pequeños se utilizan
principalmente como interruptores. Aunque pueden utilizarse como amplificador, su valor
de hFE sólo oscila a aproximadamente 200, lo que significa que no son capaces de la
amplificación de transistores de señal pequeños, que pueden tener una amplificación de
hasta 500. Esto hace que los transistores de conmutación pequeños sean más útiles para la
conmutación, aunque pueden ser utilizados como amplificadores básicos para proporcionar
ganancia. Cuando se necesita más ganancia, los transistores de señales pequeñas funcionan
mejor como amplificadores.
Transistor de potencia
Los transistores de potencia son adecuados para aplicaciones en las que se está utilizando
mucha corriente, corriente y tensión.
El colector del transistor está conectado a una base metálica que actúa como disipador de
calor para disipar el exceso de potencia.
Las potencias típicas varían entre 10 y 300 W, con frecuencias de aproximadamente 1 a 100
MHz. Los valores máximos de corriente de colector (Ic) oscilan entre 1 y 100 amperios (A).
Los transistores de potencia vienen en NPN, PNP y Darlington (NPN o PNP).
Transistor de alta frecuencia
Los transistores de alta frecuencia son transistores que se utilizan para señales pequeñas que
funcionan a altas frecuencias para aplicaciones de conmutación de alta velocidad.
Estos son transistores que se utilizan para las señales de alta frecuencia y debe ser capaz de
encender y apagar a muy altas velocidades. Los transistores de alta frecuencia se utilizan en
aplicaciones de alta frecuencia (HF), de frecuencia muy alta (VHF), de ultra alta frecuencia
(UHF), de televisión por cable (CATV) y de antena maestra (MATV). Tienen una frecuencia de
frecuencia máxima de unos 2000 MHz y una corriente de colector máxima (Ic) de 10 a 600
mA. Están disponibles en ambos formatos NPN y PNP.
Fototransistor
Los fototransistores son transistores sensibles a la luz.
Un tipo común de fototransistor se asemeja a un transistor bipolar con su base de plomo
eliminado y reemplazado con un área sensible a la luz. Es por ello que un fototransistor tiene
sólo 2 terminales en lugar de los 3 terminales. Cuando esta superficie se mantiene oscura, el
dispositivo está apagado. Prácticamente, no fluye corriente del colector a la región emisora.
Sin embargo, cuando la zona sensible a la luz está expuesta a la luz, se genera una pequeña
corriente de base que controla una corriente de colector a emisor mucho mayor.
Al igual que los transistores regulares, los fototransistores pueden ser transistores bipolares
o de efecto de campo. Los fototransistores de efecto de campo (photoFET) son transistores
de efecto de campo sensibles a la luz. A diferencia de los transistores fotobipolares, los
fotoFETs usan luz para generar un voltaje de puerta que se utiliza para controlar una
corriente de drenaje-fuente. PhotoFETs son extremadamente sensibles a las variaciones de
la luz y son más frágiles, eléctricamente hablando, que los fototransistores bipolares.

El transistor uniunión
Los transistores uniunión son transistores de tres derivaciones que actúan exclusivamente
como interruptores controlados eléctricamente; no se utilizan como amplificadores.
Esto difiere de otros transistores en que los transistores generales suelen proporcionar la
capacidad de actuar como un interruptor y también como un amplificador. Sin embargo, un
transistor unijunción no proporciona ningún tipo decente de amplificación debido a la forma
en que se construye. Simplemente no está diseñado para proporcionar un voltaje suficiente
o un impulso de corriente.
Las tres derivaciones de un transistor de uniones son B1, B2, y un cable emisor que es el
conductor que recibe la corriente de entrada. La operación básica de un UJT es relativamente
simple. Cuando no existe diferencia de potencial (tensión) entre su emisor y cualquiera de
sus conductores de base (B1 o B2), sólo una corriente muy pequeña fluye de B2 a B1. Sin
embargo, si se aplica al emisor una tensión de activación positiva suficientemente grande -
con respecto a su base -, una corriente más grande fluye desde el emisor y se combina con
la pequeña corriente B2 a B1, dando lugar a una gran corriente de salida B1. A diferencia de
otros transistores, donde los cables de control proporcionan poca corriente adicional, el UJT
es justo lo contrario. Su corriente de emisor es la fuente primaria de corriente para el
transistor. La corriente B2 a B1 es sólo una cantidad muy pequeña de la corriente combinada
total. Esto significa que los transistores de uniones no son adecuados para propósitos de
amplificación, sino sólo para conmutación.

Transistor FET
Los transistores de efecto de campo o FET1 se denominan así porque durante su
funcionamiento la señal de entrada crea un campo eléctrico que controla el paso de la
corriente a través del dispositivo. Estos transistores también se denominan unipolares para
distinguirlos de los transistores bipolares de unión y para destacar el hecho de que sólo un
tipo de portadores-electrones o hueco- interviene en su funcionamiento.

1
El acrónimo FET proviene del nombre en inglés: “Field Effect Transistor”
En comparación con los transistores bipolares, los FET presentan una impedancia de entrada
muy elevada y además consumen muy poca potencia, por lo que su uso se ha extendido
sobre todo en los circuitos integrados. También encuentran aplicaciones en circuitos de alta
frecuencia como microondas, especialmente los MESFET, los cuales tienen un tiempo de
respuesta muy rápido debido a la alta movilidad de los electrones en este material.
Transistor de efecto de campo de unión (JFET)
Según se muestra en la figura 1, la estructura básica de un JFET está formado por un
semiconductor, de tipo n, por ejemplo, con dos contactos óhmicos en sus extremos, uno de
ellos S denominado fuente o surtidor y el otro D conocido por el nombre de drenador o
sumidero. El tercer electrodo G, denominado puerta, está constituido por dos regiones de
tipo p difundidas a ambos lados de la estructura del semiconductor. Se forma así en el
contacto de puerta dos uniones p-n, las cuales están conectadas entre si y polarizadas en
inverso, de forma que la corriente que pasa a través de ellas es prácticamente nula.
Generalmente la unión de puerta es del tipo p+-n, lo cual significa que la región p de la puerta
está mucho más dopada que la región n del semiconductor.
Los JFET utilizados en circuitos integrados normalmente se fabrican siguiendo la tecnología
planar, según la cual el semiconductor está formado por una capa de carácter n (capa
epitaxial) depositada sobre un substrato de silicio u otro semiconductor, de tipo p. un área
pequeña de la superficie de esta capa epitaxial esta difundida con impurezas también de tipo
p, y forma, junto con el substrato de silicio, el contacto de puerta. Los electrodos metálicos
de fuente y de sumidero se depositan directamente a ambos lados del contacto superior de
puerta. En la figura 2 se presenta un esquema de la geometría de las diferentes zonas y
contactos de un JFET utilizado en circuitos integrados, mostrando la zona activa, es decir la
región donde tiene lugar la acción del transistor. El símbolo de circuitos para el JFET de tipo
n se ha representado en la figura 3, con la flecha de la puerta apuntando hacia dentro para
indicar el carácter n del semiconductor. En el caso del JFET de tipo p, la fleca de la puerta
tiene la dirección opuesta a la de la figura.
Si el semiconductor es de tipo n, la polarización se hace de forma que la corriente de
electrones (portadores mayoritarios) fluya desde el comienzo de surtidor, S, al drenador, D.
Esto quiere decir que la tención 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷 − 𝑉𝑆 debe ser positiva. Se ice entonces que el
semiconductor funciona como un canal de baja resistencia para los electrones, estando
limitado el canal por las paredes que forman las dos regiones de carga espacial adyacentes a
las uniones p-n de la puerta. Según hemos visto en el capitulo tercero, en las regiones de
carga espacial la concentración de carga es muy baja y por tanto su resistividad es muy
elevada. (Albella, 1996)
Figura 7. Esquema de la estructura de un JFET de canal tipo n

Figura 8. Esquema de un transistor JFET de canal n fabricado según la tecnología planar.

Figura 9. Símbolo de circuitos de un JFET de canal n

El transistor de unión metal-semiconductor (MESFET)


El MESFET fue propuesto por Mead en 1966, y aunque su funcionamiento es
conceptualmente similar al JFET discutido más arriba, desde un punto de vista práctico puede
operar a frecuencias bastante altas, en la región de las microondas. A diferencia del JFET, el
electrodo de puerta está formado por una unión metal-semiconductor (de ahí el nombre de
MESFET) de tipo Schottky en lugar de una unión p-n, como se puede apreciar en el esquema
de la figura 4. La estructura se completa con otros dos electrodos metálicos depositados
sobre la superficie del semiconductor, en sus extremos, formando un contacto óhmico con
el semiconductor. Uno de estos electrodos actúa de fuente o surtidor (S) y el otro de drenador
o sumidero (D).
Figura 10. Esquema de la estructura de un transistor tipo MESFET. El contacto de puerta está formado por una unión metal-
semiconductor, tipo Schottky

Los MESFET son construidos en casi su totalidad a partir de arseniuro de galio en lugar de
silicio. Las ventajas de la utilización del arseniuro de galio son varias:
i) EN el rango de operación útil, los electrones del arseniuro de galio presentan una
movilidad de 0.8 𝑚2 𝑉 −1 𝑠 −1, es decir unas cinco veces superior a la del silicio
ii) La velocidad de arrastre máxima de los electrones por un campo eléctrico es en
el GaAs alrededor del doble de la de los electrones en el Si.
iii) Los MESFET se fabrican depositando una capa epitaxial de GaAs dopada
convenientemente sobre un substrato de GaAs con propiedades semi aislantes.
De este modo, las capacidades parásitas entre el substrato y los contactos
metálicos de los electrodos son muy bajas.
iv) La posibilidad, en los dispositivos de puertas muy cortas, de que los electrones
alcancen velocidades muy elevadas, lo que resulta en un tiempo de tránsito muy
pequeño. Todo ello hace posible construir hoy día amplificadores que puede
operar hasta frecuencias de 60 GHz, así como circuitos digitales de muy alta
velocidad. Debido a todas estas características el GaAs está sustituyendo
ventajosamente a Si en algunas aplicaciones especiales, a pesar de que la
tecnología de circuitos integrados basad en el GaAs está todavía mucho menos
desarrollada que la del Si. (Albella, 1996)

Transistores metal-oxido-semiconductor de efecto campo (MOSFET)


En los transistores MOSFET (metal-óxido-semiconductor), el control de la corriente se realiza
mediante un contacto separado del semiconductor por una capa aislante, normalmente
óxido de silicio). Este tipo de transistores se utiliza preferentemente en la electrónica digital.
En la figura 5 se muestra l estructura básica de un transistor MOS de silicio de tipo p,
desarrollado también según la tecnología planar. Básicamente consiste en una estructura
MOS en la cual el electrodo metálico superior, , depositado sobre la capa aislante actúa como
terminal de puerta del transistor. Existen además dos regiones pequeñas de la superficie
dopadas fuertemente con impurezas donadoras, es decir de tipo 𝑛+ , situadas a cada lado de
la puerta. Sobre cada una de estas regiones o islas de tipo 𝑛+ se deposita asimismo un
electrodo metálico, formando el contacto de fuente o surtidor S, y el del sumidero o
drenador D, del transistor. Finalmente, al igual que en una estructura MOS simple, sobre la
superficie inferior del dispositivo se deposita una capa metálica que se mantiene conectada
a tierra. En la figura 6 se muestra el símbolo del transistor MOS de canal n, en el cual la flecha
indica el sentido convencional de la corriente (de drenador a fuente) en el modo normal de
operación del transistor. En el MOSFET de canal p, la corriente tiene sentido opuesto y la
flecha del dibujo lleva la dirección invertida.
Otros tipos de MOSFET
La conductividad del canal en un MOSFET aumenta sustancialmente al formarse una capa
de inversión mediante la aplicación de un voltaje superior al umbral. A este tipo de
transistores, bien sean de canal n o p se les denomina MOSFET de enriquecimiento y
también se les conoce como transistores de canal “normalmente cerrado”.

Transistor SET (single-electron transistor)


Los transistores de un solo electrón (SET) han atraído mucha atención para los futuros
dispositivos integrados. Los SET tienen nuevas funcionalidades que los dispositivos de
semiconductores convencionales no poseen. Prestamos especial atención a las altas
funcionalidades en el silicio SET que funciona a temperatura ambiente y se fabrica mediante
un proceso de integración a gran escala compatible. (K.Miyaji, 2011)
Esquema y funcionamiento
Los transistores de un solo electrón (SET) son elementos esenciales del diseño del circuito
lógico ULSI. Un dispositivo de conmutación de tres terminales en el que se puede observar
el efecto del bloqueo de Coulomb se conoce generalmente como transistor de un solo
electrón. A diferencia de los transistores de efecto de campo, los transistores de un solo
electrón se basan en un fenómeno cuántico intrínseco que se conoce como "efecto túnel".
Este efecto de túnel puede observarse cuando dos electrodos metálicos están separados por
una barrera aislante conocida como unión de túnel. Estos tres dispositivos de conmutación
de terminales pueden transferir la fuente de electrones para drenar uno por uno. La
estructura esquemática de los SET se muestra en la Figura 1.
Figura 11 Esquema de la estructura de un SET

El punto cuántico que tiene menos de 100 nm de diámetro es un sistema mesoscópico en el


cual la energía electrostática o la energía de culombio se puede cambiar debido a la remoción
o adición de un solo electrón que es mayor que la energía térmica y puede controlar el
transporte de electrones hacia y desde el exterior. del punto cuántico. En otras palabras, el
punto cuántico es una pequeña isla conductora que contiene un número sintonizable de
electrones que ocupan orbitales discretos.

Figura 12 Circuito de un solo electrón y una sola isla. Figura 13 Los circuitos de transistores de un solo electrón con
isla dual se componen de dos uniones de túnel junto con una isla
que están acopladas capacitivamente al electrodo de puerta. El
SET puede ser controlado electrostáticamente por la
capacitancia

Como se muestra en las Figura 2 y 3, los circuitos de transistores de un solo electrón están
hechos de pequeñas uniones de túneles, capacitancias y fuentes de voltaje. Un voltaje de
compuerta 𝑉𝑔 se usa para controlar la apertura y el cierre del SET o, en otras palabras,
controla la transferencia de electrones uno por uno. Aquí, un electrón de tunelización puede
describirse como una carga discreta debido a la naturaleza estocástica de un evento de
tunelización. En las Figuras 2 y 3, el nodo 1 representa el electrodo fuente, el nodo 2 (y 4) es
una isla, y el nodo 3 representa el electrodo de drenaje. Las uniones del túnel están ubicadas
entre estos nodos, que se describen por la capacitancia del túnel y la resistencia del túnel. La
teoría del túnel de electrones único depende de la "teoría ortodoxa", que se centra en la
carga de la pequeña isla conductora de diámetro ≤ 100 nm. La capacitancia de la isla viene
dada por la ecuación de una capacitancia esférica conductora.
Principio de túnel del SET y bloqueo de Coulomb

Figura 14. Esquema de SET que muestra uniones de túnel Figura 15. Cruce de túnel o barrera aislante

Como se muestra en las Fig. 4 y 5, una unión de túnel se considera una barrera aislante
delgada entre dos electrodos conductores. En el caso de la electrodinámica clásica, ninguna
corriente puede fluir a través de una barrera aislante. Pero de acuerdo con el enfoque de la
mecánica cuántica, hay cierta probabilidad (es decir, mayor que cero) de que un electrón
ubicado en un lado de la barrera (unión del túnel) alcance el otro lado. Por lo tanto, la
transferencia de electrones a través de las barreras entre los puntos cuánticos daría lugar a
la carga de los puntos cuánticos vecinos.
Ahora, esto resultaría en un aumento de la energía electrostática que es dada por:

𝑒2
𝐸𝑐 =
2𝐶
Donde C es la capacitancia efectiva de la isla. Más tarde, esta energía electrostática se
conoció como energía de carga de Coulomb o energía de bloqueo de Coulomb. Esta energía
de bloqueo de Coulomb es la energía repelente del electrón anterior presente en la isla al
siguiente electrón que viene hacia la isla. En el caso de un sistema pequeño, la capacitancia
C de la isla es muy pequeña. Por lo tanto, de acuerdo con la ecuación (3), la energía de carga
o bloqueo de Coulomb (EC) será muy alta y, por este motivo, los electrones no pueden
moverse simultáneamente, pero pasan uno por uno. Por lo tanto, esta energía de carga de
coulomb o energía de bloqueo de coulomb es responsable de la supresión de la transferencia
de electrones simultáneamente. Este fenómeno se conoce como "bloqueo de Coulomb". La
supresión de la transferencia de electrones se puede eliminar mediante uno de estos dos
casos posibles:
a) Cuando la energía de carga de Coulomb es superada por excitaciones térmicas a una
temperatura T
𝑇~𝑇0 = 𝐸𝑐 /𝐾𝑔
b) Cuando la energía de carga de Coulomb es superada por un voltaje V aplicado
externamente
𝐸𝑐 𝑒
𝑉~𝑉𝑡 = =
𝑒 2𝐶
Donde, se conoce como “Voltaje de umbral”, que se define como un voltaje aplicado que es
solo suficiente para aumentar la energía del electrón por encima del bloqueo de Coulomb
de túneles para que la corriente pueda comenzar a fluir a través de la unión del túnel
(Barrera). Esta supresión de la transferencia de electrones normalmente se denomina
“Bloqueo de Coulomb (CB) de la tunelización”.
Por lo tanto, está claro que, si la tensión 𝑉 es menor que la tensión de umbral 𝑉𝑡 , el sistema
está en estado de bloqueo de Coulomb (CB). En caso de que, cuando la tensión 𝑉 exceda de
𝑉𝑡 , un electrón se desplaza a través de la barrera (unión del túnel) hacia el punto cuántico.
Las figuras 2 y 3 representan los circuitos de un solo electrón con una sola isla y con una
doble isla. Para hacer que el concepto de bloqueo de coulomb de túneles sea más claro,
nuevamente consideramos los circuitos de un solo electrón en los que, al aplicar voltaje de
polarización, habrá un flujo de corriente. Ahora, si evitamos efectos adicionales, en ese caso,
la corriente de tunelización de primer orden es proporcional a la tensión de polarización
aplicada.
En otras palabras, podemos decir que una unión de túnel se comporta como una resistencia
de un valor constante que depende del grosor de la barrera. Desde entonces, la unión del
túnel está compuesta por dos conductores y una capa aislante entre estos dos conductores.
Por lo tanto, la unión del túnel se describe por la resistencia del túnel R y la capacitancia del
túnel C. En este caso, la unión del túnel actúa como un condensador y la capa aislante
funciona como un medio dieléctrico para el condensador del túnel C. La corriente que fluye
a través de una unión del túnel es una serie. de eventos en el que solo un electrón pasa a
través de la unión del túnel debido a la naturaleza discreta de la carga. Como los túneles de
electrones en la unión, la capacitancia del túnel se carga con una carga elemental que genera
𝑒
un voltaje representado por 𝑉 = 𝐶.

Si la capacitancia de la unión del túnel es muy pequeña, la tensión desarrollada en la unión


del túnel puede ser suficiente para evitar que otro electrón se introduzca en el túnel. Ahora,
en esta situación, la corriente eléctrica se suprime si la tensión de polarización es menor que
la tensión desarrollada en la unión del túnel.
Por lo tanto, el incremento de la resistencia de la unión del túnel alrededor de la polarización
cero se considera como el bloqueo de Coulomb. Por lo tanto, el bloqueo de Coulomb se
puede definir como la resistencia incrementada de la unión del túnel a voltajes de
polarización muy bajos de un dispositivo electrónico que consiste en al menos una unión del
túnel de baja capacitancia.
El bloqueo de Coulomb se puede lograr solo si, en el caso, cuando se cumplen las siguientes
tres condiciones:
1. La tensión de polarización debe ser inferior a la carga elemental dividida por la auto
capacitancia de la isla. es decir
𝑒
𝑉𝑏𝑖𝑎𝑠 <
𝐶
2. La energía térmica 𝐾𝐵 𝑇 debe estar por debajo de la energía de carga, es decir,

𝑒2
𝐾𝐵 𝑇 <
𝐶
o si no, el electrón podrá pasar el punto cuántico (QD) a través de la excitación
térmica.
3. La resistencia de Tunneling (𝑅𝑇 ) debe ser mayor que ℎ / 2𝜋𝑒2, que se deriva del
"principio de incertidumbre de Heisenberg". es decir
𝑅𝑇 > ℎ / 2𝜋𝑒2 = 25813𝛺
Esta es la condición requerida para la resistencia del túnel.
Características de Voltaje y Corriente

La figura 6 muestra las características I-V para el circuito de unión simétrica del transistor de
un solo electrón donde 𝐶1 = 𝐶2 y 𝑅1 = 𝑅2. De las características I-V del SET se desprende
claramente que para |𝑉| < 𝑒/𝐶∑ , la corriente es cero. Este estado se denomina bloqueo de
Coulomb que suprime la tunelización de un solo electrón en caso de condición de bajo sesgo.
Ahora, si la tensión de unión V aplicada externamente aumenta hasta un nivel que está por
encima de la tensión de umbral mediante la carga de energía, este efecto del bloqueo de
Coulomb se puede eliminar y la corriente fluye. En esta situación, la unión se comporta como
una resistencia. La entrada y salida secuencial de un electrón de una unión a otra se conoce
generalmente como "tunelización de electrones correlacionada".

Figura 16. Características I-V del SET para unión simétrica. Figura 17 Características I-V del SET para la unión
asimétrica que representa el estado de la "caja de la
escalera de Coulomb".
La figura 7 representa las características I-V para un circuito de unión altamente asimétrico
para 𝑅1 << 𝑅2. En este caso, los portadores de carga, es decir, los electrones entran a
través de una unión y luego escapan a la segunda unión debido a la presencia de alta
resistencia. Ahora, los electrones se mueven de una unión a otra muy rápidamente. Así, este
rápido movimiento de exceso de electrones de una unión a otra eleva la carga total de la isla.
Si el sesgo aumenta, tenderá a aumentar la población de electrones en la isla. En este caso,
la curva I-V representa características similares a una escalera, a las que comúnmente se
hace referencia como 'Escalera de Coulomb'. (Gupta, 2016)
Limitaciones en la aplicación
A pesar de la variedad de aplicaciones, la implementación de SET en el dispositivo tiene
algunas limitaciones de la siguiente manera:

a. La primera limitación importante con los circuitos lógicos de un solo electrón es la


aleatoriedad de la carga de fondo.
b. La otra gran limitación con todos los tipos conocidos de dispositivos lógicos de
electrón único es el requisito 𝐸𝑐 ~ 100𝑘𝐵 𝑇, que en la práctica significa un tamaño
de isla sub-nanométrica para la operación a temperatura ambiente.
c. El entorno exterior que se enlaza con SETs por una conexión de cable normal es otra
limitación considerando el tamaño de SET.
d. La técnica de litografía es otra limitación importante con dispositivos de un solo
electrón debido a la dificultad en la fabricación a temperatura ambiente.
e. La velocidad del proceso mecánico cuántico coherente es crudamente inferior a la
del túnel de un solo motor. (Ahsan, 2016)
Ventajas y Desventajas
Aplicaciones prometedoras de SET
El SET es utilizado en una variedad de aplicaciones como se describe a continuación:
a. Los SET son sensores de carga eficientes para leer los giros o los qbits de carga
confinados en QD. El SET se puede utilizar como una sonda eficiente de relación señal
/ ruido tanto para la medición de disparo único de CC como de radiofrecuencia.
b. El SET puede detectar efectivamente la señal infrarroja a la temperatura ambiente y,
por lo tanto, puede servir como sensor IR en un dispositivo sofisticado como una
cámara IR.
c. El SET puede usarse como detector extremadamente sensible y potencialmente útil
de la radiación de ondas de microondas.
d. La alta sensibilidad de los SET ha permitido que se usen como electrómetros super-
sensibles en mediciones físicas únicas.
e. Otra aplicación de la electrometría de un solo electrón es la posibilidad de medir las
energías de adición de electrones y, por tanto, la distribución del nivel de energía) en
puntos cuánticos y otros objetos a nano escala.
f. El problema de la corriente de fuga se resuelve mediante el uso de otra lógica de
estado de carga de nombre de dispositivo lógico en la que se presentan bits únicos
de información por la presencia / ausencia de electrones individuales en ciertas islas
conductoras a lo largo de todo el circuito. En estos circuitos, las corrientes estáticas
y la potencia desaparecen, ya que no hay corriente continua en ningún estado
estático.
g. Un SET que tenga una función de memoria no volátil es una clave para la lógica
programable de SET.
h. Se puede desarrollar una nueva vía hacia un nuevo estándar de temperatura absoluta
mediante el uso de arreglos de un solo electrón 1D.
i. Los transistores de un solo electrón se pueden utilizar en el modo "estado de voltaje".

Diferencias entre FET y SET


Aunque SET es similar al transistor normal (FET), hay diferencias entre ellos en los mismos
aspectos que se presentan a continuación:
Modo de operación
Todos los electrones se mueven a través del canal desde la fuente hasta el drenaje
directamente, donde el voltaje de la compuerta controla el número de electrones.
Modo de conmutación
FET. Cuando se agregan electrones al semiconductor, se enciende lo que representa la lógica
1 y cuando se eliminan, el interruptor que representa la lógica 0 en las computadoras
SET. Solo uno de los electrones espera la barrera del túnel y pasa a través de la fuente a QD
y QD para drenar.
Disipación de potencia
FET. Mientras que los electrones que se mueven a través del canal causan calor en el sistema
o dispositivo debido a sus colisiones y el calor generado se disipa por la radiación del
dispositivo.
SET. Un solo electrón espera de la fuente a QD y QD para drenar en su operación, no calienta
el sistema o dispositivo. Así que casi no hay energía disipada por la radiación del dispositivo.
Barrera de túnel
FET. No tiene una barrera de túnel, sino que hay una región de agotamiento de carga positiva
dentro del canal para controlar el flujo de electrones.
SET. Tiene una barrera de túnel que se desarrolla entre la fuente y la QD, y la QD y el drenaje
porque la QD está separada de la fuente y del drenaje por un material aislante delgado.
Bloqueo de Coulomb
FET. No tiene bloqueo coulomb (CB).
SET. Tiene bloqueo de Coulomb, lo que equivale a e2 / Cg.
Enlace
FET. El cable conductor normal es suficiente para unir el entorno exterior.
SET. Una automatización cuántica celular (QCA) es la mejor opción para formar un enlace de
circuito con el entorno exterior.
Portadores de corriente
FET. Millones de electrones son los portadores de corriente en las bandas de conducción en
el semiconductor utilizado como canal.
SET. Los electrones están densamente empaquetados en QD y también se localizan por
confinamiento mecánico cuántico.

Definición del problema

Justificación

Objetivos del proyecto

Alcance y limitaciones

Procedimiento

Descripción de las actividades

Presupuesto (No aplica)

Glosario
Isla:
USLI
QCA. (quantum cellular automata)
Referencias
Ahsan, M. Z. (2016). Single Electron Transistor (SET): Operation and Application
Perspectives.
Albella, J. M. (1996). Fundamentos de electrónica física y microelectrónica. Addison-Wesley
Iberoamericana.
Gupta, M. (2016). A Study of Single Electron Transistor (SET). International Journal of
Science and Research (IJSR) , 474-479.
K.Miyaji. (2011). Silicon Single Electron Transistors Operating at Room Temperature and
Their Applications. Comprehensive Semiconductor Science and Technology, 340-382.
Lorda, M. M. (1999). Diccionario de Electrónica, Informática Y Energía Nuclear. Madrid:
Ediciones Díaz de Santos.