PRACTICA # 3

AMPLIFICADORES DE PEQUEÑA SEÑAL

TRANSISTOR BJT
Christian Andres Quizhpe Gordillo
cquizhpeg@est.ups.edu.ec

Universidad Politécnica Salesiana

Cuenca Ecuador

Resumen.- En el presente informe se desarrollara el

diseño de amplificadores con transistores BJT en sus tres
polarizaciones básicas como es, colector común, base
común y emisor común, cada circuito con su ganancia de
voltaje que nos dará una amplificación de señal pequeña
según sea el circuito.

Abstract.- In this report the design of transistor

amplifiers BJT develops in three basic polarizations as is
common collector, common base and common emitter,
each circuit with voltage gain will give us a small signal
amplification as the circuit.

1. Objetivos

1.1 General:

Comprobar las diferentes polarizaciones en los transistores

FET Y MOSFET.
Fig. 1 Amplificador emisor común

1.2 Específicos: Zi Zo Av Ai ϴ
Req Rc si si 180
 Diseñar, calcular y comprobar el funcionamiento
de dos generadores de corriente constante.
Con BJT.
Con transistor Fet.
 Diseñar, calcular y comprobar el funcionamiento
de un circuito que genere la onda diente de
sierra.
2. Marco teórico
Fig. 2 Equivalente a AC emisor común.
Amplificador Emisor común, características.
Considerando ro=∞
−(Rl /¿ Rc)
Av= Zi=Rb /¿ Bre
ℜ
Zo=Rc
1
Ci=
2 πfc ( rs+ Zi )
1 1
Co= Ce=
2 πfc ( RL+ Zo ) 2 πfc (ℜ)
Amplificador colector común, características.
 Fig. 6 Equivalente en AC, base común.

−(Rl /¿ Rc)
Av= Zi=Rb /¿ Bre
ℜ
Zo=Rc
3. Desarrollo

4.1 Circuito 1: Emisor común.

Fig. 3 Amplificador colector común.

Zi Zo Av Ai ϴ
Req Re 1 si 0

Fig. 7 Circuito emisor común.

B=200, Av=50, fc=1kHz, RL=3kΩ,

Vcc=15V, Ic=1mA

VCC
VRE= =1.5 V
Fig. 4 Equivalente en AC, colector común.
10

Av=1 Zi=Rb /¿ B(ℜ+ R ´ e) VRC=15−7.5=6 V

Rs
Zo=ℜ/¿( + ℜ) VRC 6 V
B RC = = =6 k Ω
Ie 1 mA
1
Ci= VRE 1.5 V
2 πfc ( Rb /¿ [ℜ/¿ Rc]+ Bre ¿ ) ℜ= = =1.5 k Ω
1 1 5 μA (1+200) 1.005 mA
Co= Ce=
2 πfc ( RL+ Zo ) 2 πfc( Rc)
βre ≥10 R 2
Amplificador base común, características.
βre 200(1.5 k )
R 2= = =30 k Ω
10 10

VB=VRE +VBE=2.2 V

VCC RC Av 26∗6 k∗70

R 1= = =3 k Ω
Fig. 5 Amplificador base común. RC + reAv 6 k +1.82 k
Zi Zo Av Ai ϴ
Re Rc si -1 0
 Fig. 8 Equivalente AC.
1
Ci=
2 πfc ( rs+ Zi )

1
Ci= =20 n F
2 π 1.5 kHz ( R 1 ∥ R 2∥ βRE )
Fig. 11 Equivalente AC.
1
Cc= =11nF
2 πfc ( R ´ e ) Zi=Rb /¿ Bre

CE=70 nF Zi=0.83KΩ

Zo=Rc
Zo=1/1.6k

1
Ci=
2 πfc ( rs+ Zi )

1
Ci= =4 n F
2 π 1.5 kHz ( R 1 ∥ R 2∥ βRE )

Fig. 9 Recta de carga Q 1

Co=
4.2 Circuito 2: Colector común.
2 πfc ( RL+ Zo )

1
Co= =35 n F
2 π 1.5 kHz ( ℜ+ 3 k )

1
Cc=
2 πfc(R ´ e)

1
Ce= =15 n F
Fig. 10 Circuito colector común.
2 π 1.5 kHz (6.8 k )

Vre
B=200, Av=50, fc=1kHz, RL=2.8kΩ, ℜ= =1 k Ω
Ic
Vcc=12V, Ic=1mA
Ic
IB= =33 μA
hie =ℜ β=26∗200=5,2 kΩ β
1 βre ≥10 R 2
Zi=ℜ ∥hie= =2.7 k
7 1
+ βre
15.4 k 5.2 k R 2= =15 k Ω
10
C 1=1¿ ¿ =4 nF
2 π (1.5 k )(13.88 k )

C 2=1¿ ¿ =30 nF
2 π (1.5 k )
 1
CB=
2 πfc [(R1 /¿ R 2/¿ βRe)]

CB=20 nF

1
Ci=
2 πfc[rs+ ℜ]

Ci=150 n F
Fig.12 Recta de carga Q
1
Co=
4.3 Circuito 3: Base común. 2 πfc(RL+ ℜ)

C o=220 nF

Fig. 13 Circuito base común.

Vcc=15V, Ic=2mA Fig.15 Recta de carga Q

I E =β+ 1 IB=1 .005 mA 4.4 Simulaciones

Circuito 1 emisor común.

26 mV
ℜ= =26 Ω
IE

Vcc
VRE= =1.5 V
IC

VB=VRE +VBE=2.5 V

VCCR 2−VBR 2
R 1=
VB

15∗30 K −2.2∗30 K
R 1= =174545.45 Ω
2.2
Fig. 16. Ganancia y fase en f de corte.

Fig. 14 Equivalente AC.

 Fig. 20. Ganancia y fase en f de corte.

Fig. 17. Ganancia y fase en f de corte sin Ce.

Circuito 2 colector común. Fig. 21. Ganancia y fase en f de corte sin Cb.

4. Análisis de resultados

Como se puede observar en as graficas de bode obtenidas al

realizar las mediciones para cada filtro observamos que para
el caso del circuito de Darlington la curva va creciendo
hasta obtener la ganancia en la frecuencia de corte, del
mismo modo se puede ver en las distintas etapas del circuito
en cascada de amplificadores con BJT y FET,

5. Conclusiones
 Un transistor BJT en su configuración emisor común
es el que puede dar una mayor ganancia de voltaje,
con alta impedancia de entrada y baja impedancia de
salida, para el caso del caso de menor ganancia es la
configuración en base común la cual da una ganancia
Fig. 18. Ganancia y fase en f de corte.
menor a 1.
 Se produce un desfase de 180 grados en el voltaje de
salida para el caso del emisor común, mientras que
para las otras dos configuraciones no se produce
ningún desfase en el voltaje de salida.
 La única configuración que da ganancia de corriente
-1 es la configuración en base común, para las otras
dos la ganancia de corriente es mayor a 1.

Conclusions

 A transistor BJT in common emitter configuration is

Fig. 19. Ganancia y fase en f de corte sin Cc.
Circuito 3 base común.
one that can give a greater voltage gain, high input
impedance and low output impedance, in the case of
the case of lower profit is the configuration in
common base which gives a lower profit 1.
 A lag of 180 degrees in the output voltage in the case
of common emitter occurs, whereas for the two other
configurations it no gap occurs in the output voltage.
 The only configuration gives current gain -1 is the
common base configuration for the other two current
gain is greater than 1.
6. Referencias

[1] R. L. y. N. L. BOYLESTAD, Electrónica: Teoría de

Circuitos y Dispositivos Electrónicos, México: PEARSON
EDUCACIÓN, 2009.
[2] SN, «Kumbaya,» 2010.
http://www.kumbaya.name/ci1210/leccion%205.%20se
%C3%B1ales%20y%20compuertas/2.2%20Configuracion
%20de%20base%20comun/2.2%20Configuracion%20de
%20base%20comun.htm.